CN115485832A - 半导体装置、母线和电力变换装置 - Google Patents

半导体装置、母线和电力变换装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种确保端子间的绝缘性能，同时能够抑制装置的大型化和电感的增加的半导体装置、母线以及电力变换装置。例如，半导体装置(1)具备：从密封体(100)沿着规定方向突出的第一端子(110)；和与第一端子(110)隔开间隔地相邻，从密封体(100)沿着规定方向朝与第一端子(110)相同的方向突出的第二端子(120)。第一端子(110)具有在密封体(100)的外部露出的第一露出部(112)。第二端子(120)具有从密封体(100)突出并被绝缘材料覆盖的第二覆盖部(121)和从第二覆盖部(121)突出并在密封体(100)的外部露出的第二露出部(122)。从第二覆盖部(121)的顶端部(121a)到密封体(100)的沿着规定方向的距离D2比从第一露出部(112)的顶端部(112a)到密封体(100)的沿着规定方向的距离D1长。

Description

半导体装置、母线和电力变换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置、母线以及电力变换装置。
背景技术
作为确保从密封有半导体元件的树脂封装突出的端子间的绝缘性能的技术，例如有专利文献1所记载的技术。
在专利文献1中记载了一种半导体装置，其具备：密封部，其密封相互相邻的第一引线端子和第二引线端子；绝缘性的引线覆盖部，其从密封部的端部延伸，以第二引线端子的外部引线的顶端露出的方式将其覆盖。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：专利第6345608号公报。
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1记载的半导体装置中，通过在第二引线端子上设置引线覆盖部，确保第一引线端子和第二引线端子之间的爬电距离。但是，在专利文献1所述的半导体装置中，仅通过扩大第一引线端子和第二引线端子的间隔来确保第一引线端子和第二引线端子之间的空间距离。如果扩大第一引线端子和第二引线端子的间隔，则会导致装置的大型化和电感的增加。对于具有与半导体装置的端子连接的端子的母线、连接半导体装置的端子和母线的端子构成主电路部的电力变换装置，也同样会产生这样的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够确保端子间的绝缘性能，并且能够抑制装置的大型化和电感的增加的半导体装置、母线以及电力变换装置。
解决问题的技术手段
为了解决上述课题，本发明的半导体装置具有：半导体元件被树脂密封的密封体；第一端子，其与所述半导体元件连接，从所述密封体沿着规定方向突出；以及第二端子，其与所述半导体元件连接，与所述第一端子隔开间隔地相邻，从所述密封体沿着所述规定方向朝与所述第一端子相同的方向突出，所述第一端子具有向所述规定方向延伸并在所述密封体的外部露出的第一露出部，所述第二端子具有：从所述密封体突出并向所述规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的覆盖部；和从所述覆盖部突出并向所述规定方向延伸而在所述密封体的外部露出的第二露出部，从所述覆盖部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离比从所述第一露出部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离长。
发明的效果
根据本发明，能够在确保端子间的绝缘性能，并且能够抑制装置的大型化和电感的增加。
上述以外的课题、构成及效果通过以下的实施方式的说明而明确。
附图说明
图1是表示实施方式1的半导体装置的外观的图。
图2沿着图1所示的A-A线切断半导体装置的截面图。
图3是表示图1所示的半导体装置的比较例的图。
图4是表示实施方式1的母线的外观的图。
图5是沿着图4所示的B-B线切断母线的截面图。
图6是表示图4所示的母线的比较例的图。
图7是表示实施方式1的电力变换装置的外观的图。
图8是表示图7所示的电力变换装置的比较例的图。
图9是表示实施方式2的半导体装置的外观的图。
图10是沿着图9所示的C-C线切断半导体装置的截面图。
图11是实施方式2的母线的俯视图。
图12是从图11所示的箭头E的方向观察母线的侧视图。
图13是沿着图11所示的F-F线切断母线的截面图。
图14是实施方式2的电力变换装置的截面图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在各实施方式中赋予相同符号的构成只要没有特别说明，则在各实施方式中具有相同的功能，因此省略其说明。另外，在必要的附图中，为了明确各部的位置的说明，记载了由x轴、y轴以及z轴构成的正交坐标轴。
[实施方式1]。
图1是表示实施方式1的半导体装置1的外观的图。图2是沿着图1所示的A-A线切断半导体装置1的截面图。图3是表示图1所示的半导体装置1的比较例的图。
半导体装置1是在逆变器等电力变换装置3中使用的功率半导体模块。半导体装置1是广泛应用于民用、车载、铁路、产业、基础设施等领域的功率半导体模块。图1所示的半导体装置1例如是搭载在混合动力汽车、电动汽车或燃料电池车等电动车辆上的功率半导体模块。半导体装置1通过半导体元件的开关动作，将从电池输入的直流电压变换为模拟的交流电压并输出。在半导体装置1上连接有后述的图4所示的母线2(参照图7)。半导体装置1和母线2与未图示的电容器模块一起构成电力变换装置3的主电路部。
如图1所示，半导体装置1具有密封体100、第一端子110、第二端子120、输出端子130和控制端子140。
密封体100是第一半导体元件151等半导体装置1的各构成要素被树脂密封的结构体。密封体100是通过使用了环氧树脂等树脂材料101的传递模塑等来密封半导体装置1的各构成要素的结构体。密封体100成形为具有规定的板厚的矩形的平板状。密封体100构成半导体装置1的树脂封装。
如图2所示，密封体100具有第一半导体元件151、第二半导体元件152、第一电路导体154、第二电路导体155、第一绝缘层156、第二绝缘层157、第一散热导体158和第二散热导体159。
第一半导体元件151由IGBT(Insulated Gatebipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)或IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor，电子注入增强栅晶体管)等功率半导体元件构成。
第二半导体元件152由FWD(Free Wheeling Diode，续流二极管)等二极管构成。在图1所示的半导体装置1中，设置有构成上臂电路的第一半导体元件151及第二半导体元件152、和构成下臂电路的第一半导体元件151及第二半导体元件152。图1所示的半导体装置1是2in1功率模块。
第一半导体元件151和第二半导体元件152具有矩形芯片形状。第一半导体元件151具有面积大且形成有电极面的一对主面151a、151b。第二半导体元件152具有面积大且形成有电极面的一对主面152a、152b。第一半导体元件151的一个主面151a和第二半导体元件152的一个主面152a经由焊料等接合材料153与第一电路导体154接合。第一半导体元件151的另一个主面151b和第二半导体元件152的另一个主面152b经由接合材料153与第二电路导体155接合。
第一电路导体154及第二电路导体155使用铜或铝等导电性及热传导性优异的金属材料形成为板状。第一电路导体154和第二电路导体155通过蚀刻等形成电路的电路图案。第一电路导体154和第二电路导体155通过接合材料153与第一端子110、第二端子120、输出端子130和控制端子140接合。第一电路导体154通过导线160与形成在第一半导体元件151的另一个主面151b上的控制电极连接。
第一电路导体154的与第一半导体元件151和第二半导体元件152接合的表面的相反侧的表面与第一绝缘层156接合。第二电路导体155的与第一半导体元件151和第二半导体元件152接合的表面的相反侧的表面与第二绝缘层157接合。
第一绝缘层156和第二绝缘层157使用氮化硅或氮化铝等绝缘性、热传导性和韧性优异的陶瓷材料形成为板状。第一绝缘层156的与第一电路导体154接合的表面的相反侧的表面与第一散热导体158接合。第二绝缘层157的与第二电路导体155接合的表面的相反侧的表面与第二散热导体159接合。
第一散热导体158及第二散热导体159使用铜或铝等热传导性及强度优异的金属材料形成为板状。第一散热导体158成形为与第一绝缘层156接合的表面的相反侧的表面158a从树脂材料101露出。第二散热导体159成形为与第二绝缘层157接合的表面的相反侧的表面159a从树脂材料101露出。表面158a和表面159a设置成相互平行。表面158a和表面159a构成密封体100的主面100a的大部分。
另外，第一散热导体158、第一绝缘层156以及第一电路导体154也可以由预先通过扩散接合等接合为一体的绝缘电路基板构成。第二散热导体159、第二绝缘层157以及第二电路导体155也可以由预先通过扩散接合等接合为一体的绝缘电路基板构成。
第一端子110和第二端子120分别使用铜或铝等导电性优异的金属材料形成为扁条状。第一端子110和第二端子120分别经由第一电路导体154和第二电路导体155以及接合材料153与第一半导体元件151和第二半导体元件152连接。第一端子110和第二端子120分别可以是直流正极端子、直流负极端子、交流输出端子或控制端子中的任一个。在本实施方式中，假设第一端子110是直流负极端子，第二端子120是直流正极端子，输出端子130是交流输出端子，控制端子140是控制端子来进行说明。
第一端子110从密封体100沿着规定方向突出。第一端子110从密封体100的短边方向的侧面部100b沿着密封体100的主面100a突出。在图1的例子中，第一端子110的突出方向是+x轴方向。第一端子110具有从密封体100突出并向规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的第一覆盖部111、以及从第一覆盖部111突出并向规定方向延伸而在密封体100的外部露出的第一露出部112。形成第一覆盖部111的绝缘材料可以由与树脂材料101相同的材料构成，也可以由与树脂材料101不同的树脂材料构成。
第一覆盖部111的基端部相当于第一端子110的基端部，与密封体100连接。第一覆盖部111的顶端部111a与第一露出部112的基端部连接。第一露出部112的顶端部112a对应于第一端子110的顶端部。
第二端子120从密封体100沿着规定方向以与第一端子110相同的方向突出。第二端子120以与第一端子110间隔开的方式与第一端子110相邻。
沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向是与作为第一端子110和第二端子120的突出方向的规定方向垂直的方向，并且是与沿着密封体100的主面100a的方向垂直的方向。在图1的例子中，沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向是y轴方向。第二端子120具有从密封体100突出并向规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的第二覆盖部121、以及从第二覆盖部121突出并向规定方向延伸而在密封体100的外部露出的第二露出部122。
形成第二覆盖部121的绝缘材料可以由与树脂材料101相同的材料构成，也可以由与树脂材料101不同的树脂材料构成。第二覆盖部121的基端部相当于第二端子120的基端部，与密封体100连接。第二覆盖部121的顶端部121a与第二露出部122的基端部连接。第二露出部122的顶端部122a相当于第二端子120的顶端部。另外，第二覆盖部121相当于权利要求书中记载的“覆盖部”的一例。
在半导体装置1中，从沿着第一端子110和第二端子120的间隔的一端部向另一端部交替排列第一端子110和第二端子120。在图1的例子中，在-y轴方向上，两组第一端子110和第二端子120分别交替排列。即，在图1的例子中，朝向-y轴方向依次排列第一组第一端子110、第一组第二端子120、第二组第一端子110、第二组第二端子120。
输出端子130从设有第一端子110及第二端子120的密封体100的侧面部100b的相反侧的侧面部100b沿着密封体100的主面100a向与第一端子110及第二端子120相反的方向突出。输出端子130具有从密封体100突出并向规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的第三覆盖部131、以及从第三覆盖部131突出并向规定方向延伸而在密封体100的外部露出的第三露出部132。形成第三覆盖部131的绝缘材料可以由与树脂材料101相同的材料构成，也可以由与树脂材料101不同的树脂材料构成。
控制端子140设置在设置有第一端子110和第二端子120的密封体100的侧面部100b和设置有输出端子130的密封体100的侧面部100b上。即，一个控制端子140从设有第一端子110及第二端子120的密封体100的侧面部100b沿着密封体100的主面100a向与第一端子110及第二端子120相同的方向突出。一个控制端子140与第二端子120隔开间隔地与第二端子120相邻。一个控制端子140从密封体100突出的长度比第二端子120的第二覆盖部121从密封体100突出的长度短。另一个控制端子140从设置有输出端子130的密封体100的侧面部100b沿着密封体100的主面100a向与第一端子110和第二端子120相反的方向突出。另一个控制端子140与输出端子130隔开间隔地与输出端子130相邻。
但是，对于由半导体装置1及母线2构成的电力变换装置3，要求增大可处理的电力。作为用于增大可处理的电力的方法，考虑增大流过电力变换装置3的电流。如果增大电流，则电力变换装置3的发热量增加。为了降低电力变换装置3的发热量，考虑增加电流路径的导体量，但电力变换装置3的重量及体积增加，成为问题。特别是在电力变换装置3用于电动车辆的情况下，如果电力变换装置3的重量和体积增加，则车辆的行驶性能和电力消耗性能降低。因此，作为用于增大在电力变换装置3中能够处理的电力的方法，提高能够处理的电压是有效的。例如，在现在普及的搭载在混合动力汽车或电动汽车上的电力变换装置3中，可处理的电压主要为200V～400V，但在不久的将来提高到600V～800V。电力变换装置3的高电压化能够不增加导体量而实现大电力化，因此是有效的。另外，关于电动车辆的电池的充电时间，如果在一般的快速充电设备中能够处理的电压从现在的400V提高到800V，则即使是相同的充电量，一半的充电时间也足够。
如上所述，电力变换装置3的高电压化作为电力变换装置3的大功率化的方法是有效的，但电力变换装置3需要确保能够应对高电压化的绝缘性能。作为用于确保电力变换装置3能够应对高电压化的绝缘性能的方法，可以举出确保绝缘距离的方法。在半导体装置1、母线2和电力变换装置3这样的设备中，作为设备的绝缘距离，需要满足国际规格IEC60664-1(在日本产业规格中为JISc 60664-1)所规定的空间距离P和爬电距离Q。在该标准中，根据使用半导体装置1等的电压或环境(污损度等)，确定必要的空间距离P和爬电距离Q。空间距离P是指两个导电部之间的空间中的最小距离。爬电距离Q是沿着两个导电部分之间的绝缘体的表面的最小距离。空间距离P和爬电距离Q越大，在两个导电部分之间就越难发生电短路(绝缘破坏)。因此，可以容易地确保设备的绝缘性能，并且可以容易地确保设备的可靠性。
在此，如图1及图3所示，将从第一端子110的第一露出部112的顶端部112a到密封体100的沿着规定方向的距离设为距离D1。将从第二端子120的第二覆盖部121的顶端部121a到密封体100的沿着规定方向的距离设为距离D2。将从第二端子120的第二露出部122的顶端部122a到密封体100的沿着规定方向的距离设为距离D3。在图1和图3的示例中，距离D1相当于第一端子110从密封体100突出的长度。距离D2相当于第二端子120的第二覆盖部121从密封体100突出的长度。距离D3相当于第二端子120从密封体100突出的长度。
在图3所示的比较例中，第二端子120从密封体100突出的长度与第一端子110从密封体100突出的长度相等。此外，第二端子120的第二覆盖部121从密封体100突出的长度与第一端子110的第一覆盖部111从密封体100突出的长度相等。当然，第二端子120的第二露出部122从密封体100突出的长度与第一端子110的第一露出部112从密封体100突出的长度相等。即，在图3所示的比较例中，距离D3和距离D1相等，距离D2比距离D1短。
在图3所示的比较例中，第一端子110及第二端子120的空间距离P为第一端子110的第一露出部112与第二端子120的第二露出部122的距离。第一端子110及第二端子120的爬电距离Q为从第一覆盖部111的顶端部111a沿着第一覆盖部111的基端部、密封体100及第二覆盖部121的基端部的各表面到达第二覆盖部121的顶端部121a的距离。在图3所示的比较例中，第一端子110及第二端子120的空间距离P的延伸方向与沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向(y轴方向)平行。第一端子110和第二端子120的爬电距离Q在沿着第二端子120的第二覆盖部分121的表面的部分和沿着第一端子110的第一覆盖部分111的表面的部分之间为相同的长度。
与此相对，在图1所示的半导体装置1中，构成为距离D2比距离D1长。即，在图1所示的半导体装置1中，在沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向上，在与第一端子110的第一露出部112相邻的第二端子120上配置有第二覆盖部121。在图1所示的半导体装置1中，为了使距离D2比距离D1长，构成为距离D3比距离D1长。即，在图1所示的半导体装置1中，第二端子120的第二覆盖部121从密封体100突出的长度比第一端子110的第一露出部112从密封体100突出的长度长。当然，第二端子120从密封体100突出的长度比第一端子110从密封体100突出的长度长。
在图1所示的半导体装置1中，第一端子110和第二端子120的空间距离P是第一端子110的第一露出部112的顶端部112a和第二端子120的第二露出部122的基端部的距离，第二露出部122的基端部与第二覆盖部121的顶端部121a连接。第一端子110及第二端子120的爬电距离Q为从第一端子110的第一覆盖部111的顶端部111a沿着第一覆盖部111的基端部、密封体100及第二端子120的第二覆盖部121的基端部的各表面到达第二覆盖部121的顶端部121a的距离。在图1所示的半导体装置1中，由于距离D2比距离D1长，所以空间距离P的方向能够相对于沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向(y轴方向)倾斜。在图1所示的半导体装置1中，即使第一端子110和第二端子120的间隔比图3所示的比较例短，也能够确保必要的空间距离P。在图1所示的半导体装置1中，由于距离D2比距离D1长，所以第一端子110及第二端子120的爬电距离Q中的沿着第二端子120的第二覆盖部121的表面的部分比图3所示的比较例长。在图1所示的半导体装置1中，即使第一端子110和第二端子120之间的间隔比图3所示的比较例短，也能够确保必要的爬电距离Q。
在实施方式1的半导体装置1中，由于距离D2比距离D1长，所以能够确保必要的空间距离P和爬电距离Q，并且能够缩短第一端子110和第二端子120的间隔。在半导体装置1中，能够缩短沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向的尺寸，能够使半导体装置1小型化。在半导体装置1中，通过半导体装置1的小型化，能够使与半导体装置1连接的母线2小型化，能够使通过与母线2的连接而构成的电力变换装置3小型化。
进而，在实施方式1的半导体装置1中，由于距离D2比距离D1长，所以在沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向上，在与第一端子110的第一露出部112相邻的第二端子120上配置有第二覆盖部121。即，在半导体装置1中，在相互相邻的第一端子110和第二端子120之间形成最短距离的部分，配置由绝缘材料覆盖的覆盖部。在半导体装置1中，即使在对于第一端子110及第二端子120之间接通/断开时等产生过电压的情况下，也能够抑制在第一端子110及第二端子120之间产生电短路(绝缘破坏)。半导体装置1能够提高绝缘性能，能够提高可靠性。在半导体装置1中，通过提高半导体装置1的可靠性，能够提高通过与母线2的连接而构成的电力变换装置3的可靠性。
进而，在实施方式1的半导体装置1中，通过缩短直流负极端子的第一端子110与直流正极端子的第二端子120的间隔，能够增加直流负极端子的第一端子110与直流正极端子的第二端子120的互感。由此，半导体装置1能够降低构成电力变换装置3的半导体装置1和母线2之间的整体的合成电感，能够降低接通/断开时等的过电压或噪声。
另外，在半导体装置1中，如果距离D2比距离D1长，则能够在确保必要的绝缘距离的同时，缩短第一端子110和第二端子120的间隔，所以第一端子110不需要具备第一覆盖部111。但是，在半导体装置1中，由于第一端子110具有第一覆盖部111，所以与不具有第一覆盖部111的情况相比，容易确保必要的爬电距离Q，所以能够进一步缩短第一端子110和第二端子120之间的间隔。因此，第一端子110具有第一覆盖部111能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低，因此是优选的。
另外，在上述实施方式中，对第一端子110为直流负极端子、第二端子120为直流正极端子的情况进行了说明。在半导体装置1中，第一端子110可以是直流正极端子，第二端子120可以是直流负极端子，可以得到与上述实施方式相同的作用效果。
图4是表示实施方式1的母线2的外观的图。图5是沿着图4所示的B-B线切断母线2的截面图。图6是表示图4所示的母线2的比较例的图。
母线2与半导体装置1连接，构成电力变换装置3的主电路部。母线2与半导体装置1的第一端子110和第二端子120连接。母线2与多个半导体装置1的各自的第一端子110和第二端子120连接。
图4所示的母线2是并联连接3台2in1功率模块的半导体装置1的母线2。
如图4所示，母线2具有成形体200、母线第一端子210和母线第二端子220。
成形体200是通过使用PPS(Poly Phenylene Sulfide，聚苯硫醚)树脂等树脂材料201的注射成型等对母线2的各构成要素进行树脂成型的结构体。成形体200成形为具有规定的板厚的矩形的平板状。如图5所示，成形体200具有第一导体板251、第二导体板252和绝缘层253。
第一导体板251和第二导体板252分别使用铜或铝等导电性和热传导性优异的金属材料形成为板状。第一导体板251和第二导体板252分别与母线第一端子210和母线第二端子220连接。
绝缘层253使用PPS树脂等绝缘性优良的树脂材料成形为板状。第一导体板251和第二导体板252隔着绝缘层253相互相对配置。第二导体板252、绝缘层253以及第一导体板251依次层叠，使用树脂材料201进行树脂成形。在图4所示的成形体200中，第一导体板251、第二导体板252以及绝缘层253使用树脂材料201被密封。成形体200的主面200a是沿着第一导体板251及第二导体板252的面。
母线第一端子210和母线第二端子220分别使用铜或铝等导电性优良的金属材料形成为扁条状。母线第一端子210与半导体装置1的第二端子120连接。母线第二端子220与半导体装置1的第一端子110连接。
母线第一端子210从成形体200沿着特定方向突出。母线第一端子210从成形体200的短边方向的侧面部200b沿着成形体200的主面200a突出。在图4的例子中，母线第一端子210的突出方向是-x轴方向。母线第一端子210具有：母线第一覆盖部211，其从成形体200突出并向特定方向延伸，被具有绝缘性的覆盖材料覆盖；母线第一露出部212，其从母线第一覆盖部211突出并向特定方向延伸，在成形体200的外部露出。形成母线第一覆盖部211的覆盖材料可以由与树脂材料201相同的材料构成，也可以由与树脂材料201不同的树脂材料构成。母线第一覆盖部211的基端部相当于母线第一端子210的基端部，与成形体200连接。母线第一覆盖部211的顶端部211a与母线第一露出部212的基端部连接。母线第一露出部212的顶端部212a相当于母线第一端子210的顶端部。
母线第二端子220从成形体200沿着特定方向，向与母线第一端子210相同的方向突出。母线第二端子220与母线第一端子210隔开间隔地与母线第一端子210相邻。沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向是与作为母线第一端子210和母线第二端子220的突出方向的特定方向垂直的方向，并且是与沿着成形体200的主面200a的方向垂直的方向。在图4的示例中，沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向是y轴方向。沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向与沿着半导体装置1的第一端子110和第二端子120的间隔的方向平行。母线第二端子220具有：母线第二覆盖部221，其从成形体200突出并向特定方向延伸，被具有绝缘性的覆盖材料覆盖；母线第二露出部222，其从母线第二覆盖部221突出并向特定方向延伸，在成形体200的外部露出。形成母线第二覆盖部221的覆盖材料可以由与树脂材料201相同的材料构成，也可以由与树脂材料201不同的树脂材料构成。母线第二覆盖部221的基端部相当于母线第二端子220的基端部，与成形体200连接。母线第二覆盖部221的顶端部221a与母线第二露出部222的基端部连接。母线第二露出部222的顶端部222a相当于母线第二端子220的顶端部。另外，母线第二覆盖部221相当于权利要求书中记载的“母线覆盖部”的一例。
在母线2中，母线第一端子210和母线第二端子220从沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的一端部朝向另一端部交替排列。在母线2中，母线第一端子210与半导体装置1的第二端子120连接，母线第二端子220与半导体装置1的第一端子110连接。因此，在母线2中，母线第一端子210和母线第二端子220的排列顺序构成为与半导体装置1的第一端子110和第二端子120相反的排列顺序。在图4的例子中，母线2是并联连接3台2in1功率模块的半导体装置1的母线2，所以朝向-y轴方向，6组母线第一端子210和母线第二端子220分别交替排列。即，在图4的例子中，朝向-y轴方向，依次排列有第一组母线第二端子220、第一组母线第一端子210、第二组母线第二端子220、第二组母线第一端子210、第三组母线第二端子220、第三组母线第一端子210、第四组母线第二端子220、第四组母线第一端子210、第五组母线第二端子220、第五组母线第一端子210、第六组母线第二端子220、以及第六组母线第一端子210。
在此，如图4及图6所示，将从母线第一端子210的母线第一露出部212的顶端部212a到成形体200的沿着特定方向的距离设为距离L1。将从母线第二端子220的母线第二覆盖部221的顶端部221a到成形体200的沿着特定方向的距离设为距离L2。将从母线第二端子220的母线第二露出部222的顶端部222a到成形体200的沿着规定方向的距离设为距离L3。在图4及图6的例子中，距离L1相当于母线第一端子210从成形体200突出的长度。距离L2相当于母线第二端子220的母线第二覆盖部221从成形体200突出的长度。距离L3相当于母线第二端子220从成形体200突出的长度。
在图6所示的比较例中，母线第二端子220从成形体200突出的长度与母线第一端子210从成形体200突出的长度相等。此外，母线第二端子220的母线第二覆盖部221从成形体200突出的长度与母线第一端子210的母线第一覆盖部211从成形体200突出的长度相等。当然，母线第二端子220的母线第二露出部222从成形体200突出的长度与母线第一端子210的母线第一露出部212从成形体200突出的长度相等。即，在图6所示的比较例中，距离L3与距离L1相等，距离L2比距离L1短。
在图6所示的比较例中，母线第一端子210及母线第二端子220的空间距离P为母线第一端子210的母线第一露出部212与母线第二端子220的母线第二露出部222的距离。母线第一端子210及母线第二端子220的爬电距离Q为从母线第一覆盖部211的顶端部211a沿着母线第一覆盖部211的基端部、成形体200及母线第二覆盖部221的基端部的各表面到达母线第二覆盖部221的顶端部221a的距离。在图6所示的比较例中，母线第一端子210和母线第二端子220的空间距离P的延伸方向与沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向(y轴方向)平行。母线第一端子210和母线第二端子220之间的爬电距离Q在沿着母线第二端子220的母线第二覆盖部221的表面的部分和沿着母线第一端子210的母线第一覆盖部211的表面的部分为相同的长度。
与此相对，在图4所示的母线2中，构成为距离L2比距离L1长。即，在图4所示的母线2中，在沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向上，在与母线第一端子210的母线第一露出部212相邻的母线第二端子220上配置有母线第二覆盖部221。在图4所示的母线2中，为了使距离L2比距离L1长，构成为距离L3比距离L1长。即，在图4所示的母线2中，母线第二端子220的母线第二覆盖部221从成形体200突出的长度比母线第一端子210的母线第一露出部212从成形体200突出的长度长。当然，母线第二端子220从成形体200突出的长度比母线第一端子210从成形体200突出的长度长。
在图4所示的母线2中，母线第一端子210和母线第二端子220之间的空间距离P是母线第一端子210的母线第一露出部212的顶端部212a与母线第二端子220的母线第二露出部222的基端部之间的距离，母线第二露出部222的基端部与母线第二覆盖部221的顶端部221a连接。母线第一端子210及母线第二端子220的爬电距离Q为从母线第一端子210的母线第一覆盖部211的顶端部211a沿着母线第一覆盖部211的基端部、成形体200及母线第二端子220的母线第二覆盖部221的基端部的各表面到达母线第二覆盖部221的顶端部221a的距离。在图4所示的母线2中，由于距离L2比距离L1长，所以空间距离P的方向能够相对于沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向(y轴方向)倾斜。在图4所示的母线2中，即使母线第一端子210与母线第二端子220的间隔比图6所示的比较例短，也能够确保必要的空间距离P。在图4所示的母线2中，由于距离L2比距离L1长，所以母线第一端子210和母线第二端子220的爬电距离Q中沿着母线第二端子220的母线第二覆盖部221的表面的部分能够比图6所示的比较例长。在图4所示的母线2中，即使母线第一端子210和母线第二端子220之间的间隔比图6所示的比较例短，也能够确保必要的爬电距离Q。
在实施方式1的母线2中，距离L2比距离L1长，所以能够确保必要的空间距离P和爬电距离Q，并且能够缩短母线第一端子210和母线第二端子220的间隔。在母线2中，能够缩短沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向的尺寸，能够使母线2小型化。在母线2中，通过母线2的小型化，能够使与母线2连接的半导体装置1小型化，能够使通过与半导体装置1的连接而构成的电力变换装置3小型化。
进而，在实施方式1的母线2中，距离L2比距离L1长，所以在沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向上，在与母线第一端子210的母线第一露出部212相邻的母线第二端子220上配置有母线第二覆盖部221。即，在母线2中，在相互相邻的母线第一端子210和母线第二端子220之间形成最短距离的部分，配置由具有绝缘性的覆盖材料覆盖的覆盖部。在母线2中，即使在对于母线第一端子210和母线第二端子220之间接通/断开时等产生过电压的情况下，也能够抑制在母线第一端子210和母线第二端子220之间产生电短路。母线2能够提高绝缘性能，能够提高可靠性。在母线2中，通过提高母线2的可靠性，能够提高通过与半导体装置1的连接而构成的电力变换装置3的可靠性。
进而，在实施方式1的母线2中，通过缩短与直流正极端子连接的母线第一端子210和与直流负极端子连接的母线第二端子220的间隔，能够增加母线第一端子210和母线第二端子220的互感。由此，母线2能够降低构成电力变换装置3的半导体装置1和母线2之间的整体的合成电感，能够降低接通/断开时等的过电压或噪声。
另外，在母线2中，如果距离L2比距离L1长，则能够确保必要的绝缘距离，并且能够缩短母线第一端子210与母线第二端子220的间隔，因此，母线第一端子210不需要具备母线第一覆盖部211。但是，在母线2中，通过母线第一端子210具有母线第一覆盖部211，与不具有母线第一覆盖部211的情况相比，容易确保必要的爬电距离Q，因此能够进一步缩短母线第一端子210与母线第二端子220的间隔。因此，母线第一端子210具有母线第一覆盖部211能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低，因此是优选的。
图7是表示实施方式1的电力变换装置3的外观的图。图8是表示图7所示的电力变换装置3的比较例的图。
电力变换装置3具备半导体装置1和与半导体装置1连接的母线2。在图7所示的电力变换装置3中，相对于图4所示的母线2并联连接3台图1所示的2in1功率模块的半导体装置1。在图7所示的电力变换装置3中，未图示的电容器模块与图4所示的母线2连接。
在电力变换装置3中，如图7所示，半导体装置1和母线2被配置成第一端子110和第二端子120的突出方向即规定方向与母线第一端子210和母线第二端子220的突出方向即特定方向为相同方向的姿势。在电力变换装置3中，半导体装置1及母线2被配置成第一端子110与母线第二端子220相对、第二端子120与母线第一端子210相对的姿势。此外，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2被配置成第一端子110和第二端子120突出的方向(+x轴方向)与母线第一端子210和母线第二端子220突出的方向(-x轴方向)相反的姿势。
并且，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2的第一端子110的第一露出部112与母线第二端子220的母线第二露出部222连接，第二端子120的第二露出部122与母线第一端子210的母线第一露出部212连接。具体而言，在图7的例子中，电力变换装置3使第一露出部112和母线第二露出部222在z轴方向重合，使第二露出部122和母线第一露出部212在z轴方向重合，通过焊接等连接各自重合的部分。由此，在电力变换装置3的半导体装置1和母线2中，距离D2比距离D1长，距离L2比距离L1长。此外，在图7的例子中，在电力变换装置3的半导体装置1和母线2中，距离D1和距离L2之和与距离D2和距离L1之和相等。
第一露出部112与母线第二露出部222的连接以及第二露出部122与母线第一露出部212的连接优选通过TIG(Tungsten Inert Gas)焊接来进行。但是，这些连接可以通过激光焊接或电阻焊接等TIG焊接以外的其他焊接来进行，也可以通过超声波接合或螺钉紧固等机械连接来进行。
在实施方式1的电力变换装置3中，如对图1所示的半导体装置1和图4所示的母线2的上述说明那样，距离D2比距离D1长，距离L2比距离L1长。另一方面，在图8所示的比较例中，如对图3所示的比较例的半导体装置1和图6所示的比较例的母线2的上述说明那样，距离D2比距离D1短，距离L2比距离L1短。
在实施方式1的电力变换装置3中，在第一端子110及母线第二端子220与第二端子120及母线第一端子210的间隔中，能够确保必要的空间距离P及爬电距离Q，并且能够缩短该间隔。电力变换装置3能够缩短沿着该间隔的半导体装置1和母线2的尺寸，能够使电力变换装置3小型化。
进而，在实施方式1的电力变换装置3中，在相互相邻的第一端子110及母线第二端子220、和第二端子120及母线第一端子210之间形成最短距离的部分，配置有具有绝缘性的覆盖部。在第一端子110及母线第二端子220与第二端子120及母线第一端子210的间隔中，即使在接通/断开时等产生过电压的情况下，电力变换装置3也能够抑制在该间隔中发生电短路。电力变换装置3能够提高绝缘性能，能够提高可靠性。
进而，实施方式1的电力变换装置3能够增加第一端子110及母线第二端子220与第二端子120及母线第一端子210的互感。电力变换装置3能够降低半导体装置1和母线2之间的整体的合成电感，能够降低接通/断开时等的过电压或噪声。
另外，在实施方式1的电力变换装置3中，半导体装置1及母线2被配置成第一端子110与母线第二端子220相对、第二端子120与母线第一端子210相对的姿势。此外，半导体装置1和母线2被配置成第一端子110和第二端子120的朝向与母线第一端子210和母线第二端子220的朝向相反的姿势。由此，在电力变换装置3中，第一端子110及母线第二端子220的连接部位和第二端子120及母线第一端子210的连接部位与密封体100及成形体200的中间线相比向密封体100侧或成形体200侧交替地偏移配置。电力变换装置3在第一端子110及母线第二端子220与第二端子120及母线第一端子210的间隔中，能够确保必要的空间距离P及爬电距离Q，并且能够在电力变换装置3整体上进一步缩短该间隔。电力变换装置3能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低。
另外，在实施方式1的电力变换装置3中，半导体装置1和母线2的距离D1和距离L3之和与距离D3和距离L1之和相等。电力变换装置3在密封体100和成形体200之间突出的各端子110、120、210、220的突出长度在电力变换装置3整体上相等。电力变换装置3能够在电力变换装置3整体上缩短在密封体100和成形体200之间突出的各端子110、120、210、220的突出长度。电力变换装置3能够降低在密封体100和成形体200之间突出的各端子110、120、210、220的自感，能够进一步降低电力变换装置3整体的合成电感。电力变换装置3能够缩短沿着密封体100和成形体200的间隔的方向的尺寸，能够使电力变换装置3进一步小型化。
[实施方式2]
使用图9～图14，对实施方式2的半导体装置1、母线2以及电力变换装置3进行说明。在实施方式2的说明中，对于与实施方式1相同的构成和动作，省略说明。
如后述的图14所示，实施方式2的半导体装置1配置成第一端子110及第二端子120的突出方向即规定方向沿着上下方向的姿势。在本实施方式中，上下方向中接近半导体装置1的壳体170的底部170b的一方也称为“下方”，远离壳体170的底部170b的一方也称为“上方”。
图9是表示实施方式2的半导体装置1的外观的图。图10是沿着图9所示的C-C线切断半导体装置1的截面图。
实施方式2的半导体装置1具有收纳密封体100的壳体170。壳体170使用铜或铝等热传导性优良的金属材料形成为扁平形的筒状。壳体170包括一对的第一散热板171和第二散热板172以及框体173。第一散热板171和第二散热板172在与密封体100的主面100a垂直的方向上相互隔开间隔地相对，并且分别沿着密封体100的主面100a配置。第一散热板171和第二散热板172之间形成壳体170的内部空间。多个翅片174以向外延伸的方式设置在第一散热板171和第二散热板172各自的外表面上。框体173固定第一散热板171和第二散热板172。框体173通过激光焊接等与第一散热板171和第二散热板172连接。壳体170具有设置在一端部的开口部170a和设置在另一端部的底部170b。
在实施方式2的密封体100中，第一端子110、第二端子120、输出端子130以及控制端子140全部从密封体100的一个侧面部100b沿着规定方向而向相同方向突出。收纳在壳体170中的密封体100被配置成向规定方向延伸的各端子110～140从开口部170a向壳体170的外部突出。
在实施方式2的密封体100中，第一电路导体154和第二电路导体155具有引线框结构。第一电路导体154及第二电路导体155具有引线部154b及引线部155b。第一电路导体154和第二电路导体155的引线部154b和引线部155b与第一端子110、第二端子120和输出端子130一体形成。在实施方式2的密封体100中，由于被收纳在具有第一散热板171和第二散热板172的壳体170中，所以省略了第一散热导体158和第二散热导体159。第一电路导体154和第二电路导体155以与第一半导体元件151和第二半导体元件152接合的表面的相反侧的表面154a和表面155a从树脂材料101露出的方式成形。
在实施方式2的密封体100中，在第一电路导体154和第二电路导体155的从树脂材料101露出的表面154a和表面155a上配置有第一绝缘层156和第二绝缘层157。密封体100以在第一电路导体154和第二电路导体155的从树脂材料101露出的表面154a和表面155a上配置有第一绝缘层156和第二绝缘层157的状态被收纳在壳体170中。即，实施方式2的第一绝缘层156和第二绝缘层157被后贴在密封体100上。然后，通过壳体170的第一散热板171和第二散热板172向容纳在壳体170中的密封体100以及第一绝缘层156和第二绝缘层157施加压力。由此，第一绝缘层156和第二绝缘层157分别与从密封体100的树脂材料101露出的表面154a和表面155a接合，并且分别与第一绝缘层156和第二绝缘层157接合。在容纳有密封体100以及第一绝缘层156和第二绝缘层157的壳体170中，通过灌封填充有树脂材料102。
实施方式2的控制端子140具有从密封体100突出并向规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的第四覆盖部141、和从第四覆盖部141突出并向规定方向延伸而在密封体100的外部露出的第四露出部142。形成第四覆盖部141的绝缘材料可以由与树脂材料101相同的材料构成，也可以由与树脂材料101不同的树脂材料构成。控制端子140分别设置在密封体100的侧面部100b的两端部。
在图9的例子中，半导体装置1朝向-y轴方向依次排列有一个控制端子140、第一组第一端子110、第一组第二端子120、第二组第一端子110、第二组第二端子120、输出端子130、另一个控制端子140。在实施方式2的半导体装置1中，在沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向上，在第一端子110的与第一露出部112相邻的第二端子120上配置有第二覆盖部121，在第一端子110的与第一露出部112相邻的控制端子140上配置有第四覆盖部141。在实施方式2的半导体装置1中，在沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向上，在与输出端子130相邻的第二端子120上配置有第二覆盖部121，在与输出端子130相邻的控制端子140上配置有第四覆盖部141。
在实施方式2的半导体装置1中，如图9所示，与实施方式1同样，距离D2比距离D1长。在实施方式2的半导体装置1中，与实施方式1同样，在沿着第一端子110和第二端子120的间隔的方向上，在第一端子110的与第一露出部112相邻的第二端子120上配置有第二覆盖部121。由此，在实施方式2的半导体装置1中，与实施方式1同样，能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低。
图11是实施方式2的母线2的俯视图。图12是从图11所示的箭头E的方向观察母线2的侧视图。图13是沿着图11所示的F-F线切断母线2的截面图。
如图13所示，实施方式2的母线2所具备的成形体200依次层叠有第一导体板251、绝缘层253及第二导体板252，通过使用树脂材料201的注射成形等进行树脂成形。成形体200具有沿着第一导体板251和第二导体板252的主面200a。成形体200被配置成沿着主面200a的方向与规定方向及特定方向交叉的姿势。
如图11所示，成形体200在作为一个主面200a的上表面200c上以第二导体板252从树脂材料201露出的方式成形。从树脂材料201露出的第二导体板252的上表面252a通过灌封等被与树脂材料201不同的树脂覆盖。成形体200的上表面200c是比与母线第一端子210连接的第一导体板251更接近与母线第二端子220连接的第二导体板252的主面200a。换言之，成形体200的上表面200c是相对于与母线第二端子220连接的第二导体板252而言更远离与母线第一端子210连接的第一导体板251的主面200a。
如图12及图13所示，实施方式2的母线第一端子210从成形体200的侧面部200b在与沿着第一导体板251及第二导体板252的方向垂直的方向延伸，超过成形体200的一个主面200a即上表面200c而突出。即，母线第一端子210从成形体200的侧面部200b超过上表面200c而突出，成形体200的侧面部200b与沿着成形体200的一个主面200a即上表面200c的方向交叉，上表面200c是相对于第一导体板251而言更接近第二导体板252的主面200a。作为母线第一端子210的突出方向的特定方向是垂直于沿着第一导体板251和第二导体板252的上表面200c的方向。母线第一端子210的突出方向是从第一导体板251朝向第二导体板252的方向。在图13的示例中，母线第一端子210的突出方向是+x轴方向。
母线第一端子210具有沿着特定方向延伸并在成形体200的外部露出的母线第一露出部212，但也可以不具有母线第一覆盖部211。即，实施方式2的母线第一端子210也可以仅由母线第一露出部212构成。母线第一露出部212的顶端部212a相当于母线第一端子210的顶端部，超过成形体200的一个主面200a即上表面200c而突出。作为成形体200的一个主面200a的上表面200c比另一个主面200a更接近母线第一露出部212的顶端部212a。
如图12及图13所示，实施方式2的母线第二端子220从位于设有母线第一端子210的侧面部200b附近的成形体200的上表面200c，沿着特定方向朝与母线第一端子210相同的方向突出。母线第二端子220具有：母线第二覆盖部221，其从成形体200的上表面200c突出并向特定方向延伸，被具有绝缘性的覆盖材料覆盖；以及母线第二露出部222，其从母线第二覆盖部221突出并向特定方向延伸，在成形体200的外部露出。
母线第二覆盖部221从上表面200c朝向与该上表面200c分离的方向超过母线第一露出部212的顶端部212a而突出，上表面200c是被母线第一露出部212超过的一个主面200a。在图13的例子中，母线第二覆盖部221从上表面200c沿着母线第一露出部212延伸的方向即特定方向，朝向与母线第一露出部212突出的方向相同的方向，超过母线第一露出部212的顶端部212a而突出。在图13的例子中，母线第一露出部212突出的方向是+x轴方向。
母线第二露出部222具有弯曲部223，该弯曲部223从母线第二覆盖部221的顶端部221a沿着上表面200c向设有母线第一端子210的侧面部200b的方向弯曲。在图13的例子中，朝向侧面部200b的方向是-z轴方向。而且，母线第二露出部222从弯曲部223的顶端部223a向远离母线第一露出部212的顶端部212a的方向突出。在图13的例子中，母线第二露出部222从弯曲部223的顶端部223a沿着母线第一露出部212的延伸方向即特定方向，向与母线第一露出部212的突出方向相同的方向突出。
在实施方式2的母线2中，如图12及图13所示，与实施方式1的母线2同样，距离L2比距离L1长。在实施方式2的母线2中，与实施方式1同样，在沿着母线第一端子210和母线第二端子220的间隔的方向上，在与母线第一端子210的母线第一露出部212相邻的母线第二端子220上配置有母线第二覆盖部221。由此，在实施方式2的母线2中，与实施方式1同样，能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低。
另外，在实施方式2的母线2中，母线第一端子210的母线第一露出部212超过上表面200c而从成形体200突出，上表面200c是相对于第一导体板251而言更接近第二导体板252的主面200a。母线第二端子220的母线第二覆盖部221从被母线第一露出部212超过的上表面200c向远离该上表面200c的方向超过母线第一露出部212的顶端部212a而突出。母线第二端子220的母线第二露出部222具有弯曲部223，该弯曲部223从母线第二覆盖部221的顶端部221a向朝向侧面部200b的方向弯曲，母线第二露出部222从弯曲部223的顶端部223a向远离母线第一露出部212的顶端部212a的方向突出。由此，在实施方式2的母线2中，与母线第一露出部212超过接近第一导体板251的主面200a而从成形体200突出的情况相比，能够缩短母线第二覆盖部221的长度。在母线2中，不会使母线第二覆盖部221的长度过长，能够确保必要的空间距离P及爬电距离Q，并且能够降低母线第二端子220的自感。母线2能够降低构成电力变换装置3的半导体装置1与母线2之间的整体的合成电感。
图14是实施方式2的电力变换装置3的截面图。图14示出图10所示的实施方式2的半导体装置1和图13所示的实施方式2的母线2连接的状态。
在实施方式2的电力变换装置3中，如图14所示，半导体装置1和母线2被配置成第一端子110和第二端子120的突出方向即规定方向与母线第一端子210和母线第二端子220的突出方向即特定方向为相同方向的姿势。在电力变换装置3中，半导体装置1及母线2被配置成第一端子110与母线第一端子210相对、第二端子120与母线第二端子220相对的姿势。此外，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2被配置成第一端子110和第二端子120突出的方向(+x轴方向)与母线第一端子210和母线第二端子220突出的方向(+x轴方向)相同的姿势。即，在实施方式2的电力变换装置3中，半导体装置1和母线2被配置成沿着成形体200的主面200a的方向与规定方向和特定方向交叉的姿势。在图14的例子中，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2被配置成沿着成形体200的主面200a的方向与规定方向和特定方向垂直的姿势。此外，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2被配置成第二导体板252位于第一导体板251的上侧的姿势。即，半导体装置1和母线2被配置成与第一导体板251相比第二导体板252沿着规定方向和特定方向更远离密封体100的姿势。
并且，在电力变换装置3中，半导体装置1和母线2的第一端子110的第一露出部112与母线第一端子210的母线第一露出部212连接，第二端子120的第二露出部122与母线第二端子220的母线第二露出部222连接。具体而言，在图14的例子中，在电力变换装置3中，使第一露出部112和母线第一露出部212在z轴方向重合，使第二露出部122和母线第二露出部222在z轴方向重合，通过焊接等连接各自重合的部分。
在实施方式2的电力变换装置3中，与实施方式1同样，距离D2比距离D1长，距离L2比距离L1长。在实施方式2的电力变换装置3中，与实施方式1同样，在相互相邻的第一端子110及母线第一端子210、和第二端子120及母线第二端子220之间形成最短距离的部分，配置有具有绝缘性的覆盖部。由此，在实施方式2的电力变换装置3中，与实施方式1同样，能够实现装置的小型化、绝缘性能和可靠性的提高以及合成电感的降低。
另外，在实施方式2的电力变换装置3中，半导体装置1及母线2被配置成第一端子110与母线第一端子210相对、第二端子120与母线第二端子220相对的姿势。此外，在电力变换装置3中，配置成第一端子110及第二端子120的朝向与母线第一端子210及母线第二端子220的朝向相同的姿势。由此，在电力变换装置3中，即使在沿着成形体200的主面200a的方向与规定方向和特定方向交叉的情况下，也能够连接半导体装置1和母线2，以确保空间距离P和爬电距离Q、实现小型化和降低合成电感。
另外，在实施方式2的电力变换装置3中，母线第一端子210的母线第一露出部212超过上表面200c而从成形体200突出，上表面200c是相对于第一导体板251而言更接近第二导体板252的主面200a。在电力变换装置3中，母线第二端子220的母线第二覆盖部221从被母线第一露出部212超过的上表面200c向远离该上表面200c的方向超过母线第一露出部212的顶端部212a而突出。在电力变换装置3中，母线第二端子220的母线第二露出部222具有弯曲部223，该弯曲部223从母线第二覆盖部221的顶端部221a向朝向侧面部200b的方向弯曲，母线第二露出部222从弯曲部223的顶端部223a向远离母线第一露出部212的顶端部212a的方向突出。
由此，与母线第一露出部212超过接近第一导体板251的主面200a而从成形体200突出的情况相比，实施方式2的电力变换装置3能够缩短母线第二覆盖部221的长度。电力变换装置3能够降低母线第二端子220的自感，能够降低电力变换装置3整体的合成电感。此外，在电力变换装置3中，母线第一端子210和母线第二端子220向成形体200的上表面200c的上方突出。即，母线第一端子210和母线第二端子220相对于成形体200的上表面200c向远离密封体100的方向突出。第一端子110和母线第一端子210的连接部位以及第二端子120和母线第二端子220的连接部位配置在相对于成形体200的上表面200c而言远离密封体100的一侧。因此，电力变换装置3能够容易地进行半导体装置1和母线2的连接作业。
[其他]
另外，本发明不限于上述实施方式，还包括各种变形例。
例如，上述实施方式是为了容易理解地说明本发明而详细说明的方式，不一定限定于具备所说明的全部构成的方式。另外，也可以将一个实施方式的构成的一部分置换为其他实施方式的构成，另外，也可以在一个实施方式的构成中添加其他实施方式的构成。另外，对于各实施方式的构成的一部分，可以进行其他构成的追加、删除、置换。
另外，上述的各构成、功能、处理部、处理单元等也可以通过例如由集成电路设计它们的一部分或全部等而由硬件来实现。另外，上述各构成、功能等也可以通过处理器解释并执行实现各自的功能的程序而由软件来实现。实现各功能的程序、磁带、文件等信息可以放置在存储器、硬盘、SSD(solid state drive)等记录装置、或者IC卡、SD卡、DVD等记录介质中。
另外，控制线和信息线示出了在说明上被认为是必要的部分，在产品上不一定示出全部的控制线和信息线。实际上，可以认为几乎所有构成都相互连接。
符号说明
1…半导体装置 2…母线
3…电力变换装置 100…密封体
110…第一端子 112…第一露出部
112a…顶端部 120…第二端子
121…第二覆盖部(覆盖部) 121a…顶端部
122……第二露出部 122a…顶端部
151…第一半导体元件 152…第二半导体元件
200…成形体 200a…主面
200b…侧面部 200c…上表面
210…母线第一端子 212…母线第一露出部
212a…顶端部 220…母线第二端子
221…母线第二覆盖部(母线覆盖部)
221a…顶端部 222…母线第二露出部
222a…顶端部 223…弯曲部
223a…顶端部 251…第一导体板
252…第二导体板 253…绝缘层。

Claims (7)

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件被树脂密封的密封体；
第一端子，其与所述半导体元件连接，从所述密封体沿着规定方向突出；以及
第二端子，其与所述半导体元件连接，与所述第一端子隔开间隔地相邻，从所述密封体沿着所述规定方向朝与所述第一端子相同的方向突出，
所述第一端子具有向所述规定方向延伸并在所述密封体的外部露出的第一露出部，
所述第二端子具有：从所述密封体突出并向所述规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的覆盖部；和从所述覆盖部突出并向所述规定方向延伸而在所述密封体的外部露出的第二露出部，
从所述覆盖部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离比从所述第一露出部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离长。
2.一种母线，其与半导体装置连接，所述母线的特征在于，具备：
第一导体板及第二导体板被树脂成形的成形体；
母线第一端子，其与所述第一导体板连接，从所述成形体沿着特定方向突出；以及
母线第二端子，其与所述第二导体板连接，与所述母线第一端子隔开间隔地相邻，从所述成形体沿着所述特定方向朝与所述母线第一端子相同的方向突出，
所述母线第一端子具有向所述特定方向延伸并在所述成形体的外部露出的母线第一露出部，
所述母线第二端子具有：从所述成形体突出并向所述特定方向延伸而被具有绝缘性的覆盖材料覆盖的母线覆盖部；和从所述母线覆盖部突出并向所述特定方向延伸而在所述成形体的外部露出的母线第二露出部，
从所述母线覆盖部的顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的距离比从所述母线第一露出部的顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的距离长。
3.一种电力变换装置，其具备半导体装置和与所述半导体装置连接的母线，其特征在于，
所述半导体装置具备：
半导体元件被树脂密封的密封体；
第一端子，其与所述半导体元件连接，从所述密封体沿着规定方向突出；以及
第二端子，其与所述半导体元件连接，与所述第一端子隔开间隔地相邻，从所述密封体沿着所述规定方向朝与所述第一端子相同的方向突出，
所述第一端子具有向所述规定方向延伸并在所述密封体的外部露出的第一露出部，
所述第二端子具有：从所述密封体突出并向所述规定方向延伸而被绝缘材料覆盖的覆盖部；和从所述覆盖部突出并向所述规定方向延伸而在所述密封体的外部露出的第二露出部，
从所述覆盖部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离比从所述第一露出部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离长，
所述母线具备：
第一导体板及第二导体板被树脂成形的成形体；
母线第一端子，其与所述第一导体板连接，从所述成形体沿着特定方向突出；以及；
母线第二端子，其与所述第二导体板连接，与所述母线第一端子隔开间隔地相邻，从所述成形体沿着所述特定方向朝与所述母线第一端子相同的方向突出，
所述母线第一端子具有向所述特定方向延伸并在所述成形体的外部露出的母线第一露出部，
所述母线第二端子具有：从所述成形体突出并向所述特定方向延伸而被具有绝缘性的覆盖材料覆盖的母线覆盖部；和从所述母线覆盖部突出并向所述特定方向延伸而在所述成形体的外部露出的母线第二露出部，
从所述母线覆盖部的顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的距离比从所述母线第一露出部的顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的距离长。
4.根据权利要求3所述的电力变换装置，其特征在于，
在所述半导体装置和所述母线中，
所述规定方向和所述特定方向为相同方向，
所述半导体装置和所述母线被配置成所述第一端子与所述母线第二端子相对、所述第二端子与所述母线第一端子相对、并且所述第一端子及所述第二端子的朝向与所述母线第一端子及所述母线第二端子的朝向相反的姿势，
所述第一露出部与所述母线第二露出部连接，所述第二露出部与所述母线第一露出部连接。
5.根据权利要求4所述的电力变换装置，其特征在于，
在所述半导体装置和所述母线中，
从所述第一露出部的所述顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的所述距离与从所述母线第二露出部的顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的距离之和，等于从所述第二露出部的顶端部到所述密封体的沿着所述规定方向的距离与从所述母线第一露出部的所述顶端部到所述成形体的沿着所述特定方向的所述距离之和。
6.根据权利要求3所述的电力变换装置，其特征在于，
在所述半导体装置和所述母线中，
所述规定方向和所述特定方向为相同方向，
所述半导体装置和所述母线被配置成所述第一端子和所述母线第一端子相对、所述第二端子和所述母线第二端子相对、并且所述第一端子和所述第二端子的朝向与所述母线第一端子和所述母线第二端子的朝向相同的姿势，
所述第一露出部与所述母线第一露出部连接，所述第二露出部与所述母线第二露出部连接。
7.根据权利要求6所述的电力变换装置，其特征在于，
在所述成形体中，
所述第一导体板及所述第二导体板隔着绝缘层相互相对配置，
所述成形体具有沿着所述第一导体板及所述第二导体板的主面，并被配置成沿着所述主面的方向与所述规定方向及所述特定方向交叉的姿势，
在所述母线第一端子中，
所述母线第一露出部从所述成形体的侧面部超过所述主面而突出，所述成形体的侧面部与沿着所述主面的所述方向交叉，所述主面相对于所述第一导体板而言更接近所述第二导体板，
在所述母线第二端子中，
所述母线覆盖部从被所述母线第一露出部超过的所述主面向远离该主面的方向超过所述母线第一露出部的所述顶端部而突出，
所述母线第二露出部具有弯曲部，该弯曲部从所述母线覆盖部的所述顶端部沿着所述主面向所述侧面部的方向弯曲，所述母线第二露出部从所述弯曲部的顶端部向远离所述母线第一露出部的所述顶端部的方向突出。
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