CN115469507A - 光掩膜版及其制作方法 - Google Patents

光掩膜版及其制作方法 Download PDF

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CN115469507A
CN115469507A CN202211108080.3A CN202211108080A CN115469507A CN 115469507 A CN115469507 A CN 115469507A CN 202211108080 A CN202211108080 A CN 202211108080A CN 115469507 A CN115469507 A CN 115469507A
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Ruijing Semiconductor Ningbo Co ltd
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Abstract

一种光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供透明基板后，在所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形；在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。通过形成透明的导电层可以将遮蔽图形表面和透明基板表面上集聚的静电通过接地端释放，从而防止发生静电吸附现象，避免造成微粒污染，并防止遮蔽图形之间产生感应放电，防止遮蔽图形被破坏，并且由于相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，可以有效减少透明导电层对穿过遮蔽图形之间的透明基板的曝光光线的影响。

Description

光掩膜版及其制作方法
技术领域
本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能防止静电产生的光掩膜版及其制作方法。
背景技术
光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
现有的光罩防护膜结构一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
光掩膜版在使用的过程中，会受到静电的影响，静电对光掩膜版的影响主要有两个方面：透明基板上的静电会导致空气中的微粒沉积到光刻掩模表面上，也就是静电吸附现象，形成微粒污染，影响到印在芯片上的电路图形的正确性。另一方面，环境中的强静电场，在光掩膜版的遮蔽图形之间产生感应放电(发生Cr迁移)，使光掩膜版的图形被破坏，成品率下降，生产中断。因而，如何防止静电对光掩膜版的影响，是业界亟待解决的问题。
发明内容
本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
提供透明基板；
在所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形；
在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。
在一些实施例中，所述遮蔽图形表面上的透明导电层呈“块状”，或者呈“网状”。
在一些实施例中，所述“网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔。
在一些实施例中，所述网孔呈“圆孔状”或“方孔状”，所述网筋的特征尺寸为8nm-50nm。
在一些实施例中，所述透明导电层的形成过程为：在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电材料层；在所述透明导电材料层表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出所述透明导电材料层需要被刻蚀的区域；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述透明导电层，形成所述透明导电层，且所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，或者所述遮蔽图形表面上以及所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层均呈“网状”。
在一些实施例中，所述透明导电层的形成过程为：在所述遮蔽图形的表面上以及相邻遮蔽图形的透明基板表面上形成掩膜层，所述掩膜层中具有暴露出所述遮蔽图形全部或部分表面以及相邻遮蔽图形之间的部分透明基板表面的若干开口；在所述若干开口中填充满透明导电材料，形成透明导电层，且所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，或者所述遮蔽图形表面上以及所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层均呈“网状”；去除所述掩膜层。
在一些实施例中，所述透明导电层的材料为石墨烯或透明金属氧化物。
在一些实施例中，所述透明导电层的厚度为1埃-100埃。
在一些实施例中，所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
在一些实施例中，在形成所述遮蔽图形之前，在所述透明基板表面形成相移层，所述遮蔽图形形成在所述相移层表面上，所述遮蔽图形之间的透明导电层形成在所述相移层的表面。
在一些实施例中，在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。
本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
透明基板；
位于所述透明基板的表面上的若干分立的遮蔽图形；
位于所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。
在一些实施例中，所述遮蔽图形表面上的透明导电层呈“块状”，或者呈“网状”。
在一些实施例中，所述“网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔。
在一些实施例中，所述网孔呈“圆孔状”或“方孔状”，所述网筋的特征尺寸为8nm-50nm。
在一些实施例中，所述透明导电层的材料为石墨烯或透明金属氧化物。
在一些实施例中，所述透明导电层的厚度为1埃-100埃。
在一些实施例中，所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板表面的相移层；所述遮蔽图形位于所述相移层表面上，所述遮蔽图形之间的透明导电层位于所述相移层的表面。
在一些实施例中，还包括：位于在所述透明基板边缘区域表面上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。
本申请前述一些实施例中的光掩膜版的形成方法，提供透明基板后，在所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形；在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。通过形成透明的导电层可以将遮蔽图形表面和透明基板表面上集聚的静电通过接地端释放，从而防止发生静电吸附现象，避免造成微粒污染，并防止遮蔽图形之间产生感应放电，防止遮蔽图形被破坏，并且由于相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，可以有效减少透明导电层对穿过遮蔽图形之间的透明基板的曝光光线的影响(虽然透明导电层的材料透光率较高，但是整层的材料不可避免会对穿过透明基板的曝光光线有影响，而将遮蔽图形之间的透明基板上的透明导电层做成“网状”，所述网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔，网孔是直接透光的，而网筋本身由透明导电材料做成并且尺寸不会太大，因而对于曝光光线的影响很小，同时静电都是通过网筋导走)。
附图说明
图1-图8为本申请一些实施例中光掩膜版制作过程的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在详述本申请实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
本申请一些实施例首先提供了一种光掩膜版的制作方法，下面结合附图对光掩膜版制作过程进行详细的描述。
参考图1和图2，图1为图2沿切割线AB方向的剖面结构示意图，提供透明基板201；在所述透明基板201的表面上形成若干分立的遮蔽图形202。
所述透明基板201作为光掩模版的载体，所述透明基板201的材质为透光的材质，所述透明基板201的透光率大于90％。在一些实施例中所述透明基板201的材料可以为石英玻璃或苏打玻璃。在其他一些实施例中，所述透明基板201的材料还可以为熔融硅石(fusedsilica)、氟化钙、氮化硅、氧化钛合金、蓝宝石。
所述透明基板201包括中间区域21和环绕所述中间区域21的边缘区域22，所述中间区域21可以呈方形或圆形或其他合适的形状，所述边缘区域22呈环形，环绕所述中间区域21。所述中间区域21上用于形成遮蔽图形(或掩膜图形)202，所述中间区域21上还可以用于形成相移层，所述边缘区域22上后续用于形成环形框架。
所述遮蔽图形202的材料为不透光材料，所述遮蔽图形202可以为单层或多层堆叠结构(比如两层或两层以上的堆叠结构)。在一些实施例中，所述遮蔽图形202的材料可以为铬、镍、铝、钌、钼、钛或钽中的一种或几种。在其他一些实施例中，所述遮蔽图形202的材料还可以为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
在一些实施例中，所述遮蔽图形202的形成过程可以包括：在所述透明基板201表面上通过溅射或沉积工艺形成遮蔽材料层(图中未示出)；在所述遮蔽材料层表面上形成图形化的掩膜层(比如图形化的光刻胶层)(图中未示出)，所述图形化的掩膜层暴露出所述遮蔽材料层需要被刻蚀的区域；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述暴露的遮蔽材料层，所述透明基板201表面剩余的遮蔽材料层作为遮蔽图形202。
在一些实施例中，在所述透明基板201的中间区域21表面上直接形成所述遮蔽图形202。
在一些实施例中，在形成遮蔽图形202之前，在所述透明基板201的中间区域21表面上还可以形成相移层207，在所述相移层207表面形成所述遮蔽图形，所述相移层207用于改变入射至基板内的曝光光线的相位，以提高曝光时的分辨率。所述相移层207的材料为MoSi或MoSiON。
参考图3和图4，图3为图4沿切割线AB方向的剖面结构示意图，在所述遮蔽图形202表面上以及相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上形成透明导电层208，所述透明导电层208与接地端23连接，且相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上的所述透明导电层208呈“网状”。
通过形成透明的导电层208可以将遮蔽图形202表面和透明基板表面上集聚的静电通过接地端23释放，从而防止发生静电吸附现象，避免造成微粒污染，并防止遮蔽图形202之间产生感应放电，防止遮蔽图形202被破坏，并且由于相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上的所述透明导电层208呈“网状”，可以有效减少透明导电层208对穿过遮蔽图形202之间的透明基板201的曝光光线的影响(虽然透明导电层208的材料透光率较高，但是整层的材料不可避免会对穿过透明基板201的曝光光线有影响，而将遮蔽图形202之间的透明基板201上的透明导电层208做成“网状”，所述网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔，网孔是直接透光的，而网筋本身由透明导电材料做成并且尺寸不会太大，因而对于曝光光线的影响很小，同时静电都是通过网筋导走)。
本实施例中，所述遮蔽图形202表面上以及遮蔽图形202之间的透明基板201上的透明导电层208均呈“网状”。参考图5为“网状”的透明导电层208的俯视结构示意图，所述“网状”的透明导电层208包括网筋209和位于网筋209之间的若干网孔210。所述网筋209材料为透明导电材料，所述网孔210是镂空的。
在一些实施例中，所述网孔210呈“圆孔状”或“方孔状”。所述“圆孔状”可以为圆状或椭圆状。所述“方孔状”可以为矩形状或者正方形状。
在一些实施例中，所述网筋209的特征尺寸为8nm-50nm，使得网筋209的尺寸较小，使得遮蔽图形202之间的透明基板201上的透明导电层208对曝光管线的影响可以很小或忽略不计。
在其他一些实施例中，参考图6-图7，所述遮蔽图形202之间的透明基板201上的透明导电层208呈“网状”，而遮蔽图形202表面上的透明导电层208呈“块状”，由于遮蔽图形202本身是不透明的，因而遮蔽图形202表面上的透明导电层208呈“块状”不会影响曝光光线的传输，同时又能将遮蔽图形202表面集聚的静电全部导走。
在一些实施例中，所述透明导电层208的形成过程为：在所述遮蔽图形202表面上以及相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上形成透明导电材料层；在所述透明导电材料层表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出所述透明导电材料层需要被刻蚀的区域；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述透明导电材料层，形成所述透明导电层208，且所述相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上的所述透明导电层208呈“网状”，或者所述遮蔽图形202表面上以及所述相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上的所述透明导电层208均呈“网状”。在一些实施例中，形成所述透明导电材料层后，可以对透明导电层进行减薄。
在一些实施例中，所述透明导电层208的形成过程为：在所述遮蔽图形202的表面上以及相邻遮蔽图形202的透明基板表面上形成掩膜层，所述掩膜层中具有暴露出所述遮蔽图形202全部或部分表面以及相邻遮蔽图形202之间的部分透明基板表面的若干开口；在所述若干开口中填充满透明导电材料，形成透明导电层208，且所述相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上的所述透明导电层208呈“网状”，或者所述遮蔽图形202表面上以及所述相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上的所述透明导电层208均呈“网状”；去除所述掩膜层。
需要说明的是，在一些实施例中，当形成有相移层207时，相邻所述遮蔽图形202之间
在一些实施例中，所述形成的所述透明导电层208的厚度为1埃-100埃。
在一些实施例中，所述透明导电层208的材料为石墨烯或透明金属氧化物。所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
在一些实施例中，所述透明导电层208材料为石墨烯时，所述石墨烯材料的透明导电层208具有高导电性，电导率达到106S/m，可提高电子迁移率，降低接触电阻，从而提升放电倍率，从而可以防止发生静电吸附现象，避免造成微粒污染，并防止遮蔽图形202中金属材料(比如Cr)发生迁移，掩膜图形被破坏；所述石墨烯材料的透明导电层208还具有高阻隔性，可阻挡遮蔽图形202中金属材料(比如Cr)与环境接触，发生氧化现象；所述石墨烯材料的透明导电层208还具有高透光性，单层石墨烯材料的透明导电层208(0.335nm)透光度为97.7％，防止对曝光光线的影响；所述石墨烯材料的透明导电层208还具有高导热性，单层石墨烯室温热导率达到5300W/mK，(高于碳纳米管和金刚石，且为Cu的14倍)，可避免光掩膜版长时间处于极紫外光的照射下，吸收大量的能量，温度升高，而导致光掩膜版变形现象的发生。(这些变形虽然是很微观的，但是对产品的影响确实致命的)
所述石墨烯材料的透明导电层208可采用化学气相沉积法、微机械剥离法、外延生长法、有机分子分散法、离子插层法、溶剂热法和氧化还原法制备。
在一些实施例中，所述透明导电层208材料为ZnO时，ZnO是通过掺入Al、Ga、In等施主杂质可以使得电阻率进一步降低，得到n型氧化锌常作为透明导电薄膜，其具有良好的导电性，高光学透明度(在90％范围内)，优异的表面光滑度，低沉积温度，良好的图案化蚀刻性和良好的再现性。
在一些实施例中，所述透明导电层208材料为ITO(掺锡氧化铟In2O3:Sn4+)时，ITO中掺入的Sn原子可替代In2O3晶格中的In原子而以SnO2的形式存在；因为In2O3中的In元素为三价，形成SnO2时会为导带提供一个电子，同时还会形成氧空位，所以对载流子浓度有很大提升。得到的载流子浓度在1020-1021cm-3量级上，载流子迁移率在15-45cm2/(V·s)范围内，电阻率可以低至10-5Ω·cm量级，红外反射率大于80％，紫外吸收率大于85％，并且还具有高硬度、耐磨损、膜层牢固、刻蚀性良好等特点。
在一些实施例中，所述透明导电层208材料为FTO(掺氟氧化锡SnO2:F-)，SnO2基薄膜是最早获得的具有应用价值的透明导电薄膜。是一种型宽禁带半导体材料，其禁带宽度为3.5eV-4.0eV，在可见光区及近红外光区透射率能达到为80％，与玻璃和陶瓷基片的附着性好，力学强度高，且化学稳定性好(可以经受化学刻烛作用)。本征和掺杂都具有四方金红石型结构。本征薄膜导电性很差，通常通过掺杂一些元素来进一步提高其导电性。FTO薄膜中的F掺杂不同于常见的阳离子替位，它是由F原子对O原子替位或形成间隙F原子。FTO薄膜的综合光电性能优于相同条件下制备的本征SnO2薄膜或Sb、P等掺杂的薄膜，且具有成本相对较低、激光刻蚀容易、热稳定性和化学稳定性好、硬度高、生产设备简单、工艺周期短等优点，其电阻率可达到5×10-4Ω·cm，可见光的透过率可达到90％。
在一些实施例中，参考图8，在所述透明基板201的边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架204；在所述环形框架204的顶部表面形成封闭所述环形框架204内空间的保护膜206。
所述环形框架204用于支撑后续形成的保护膜，通过所述环形框架204与和后续形成的保护膜可以将光掩膜版201上的遮蔽图形202和光掩膜版201的中间区域表面与外部环境隔离，防止外部环境的污染。
所述环形框架204呈中空的环形，所述环形框架204的材料为具有一定机械强度的材料。在一些实施例中，所述环形框架204的材料为铝。在其他一些实施例中，所述环形框架204的材料可以为铝合金、陶瓷、碳钢或其他合适的金属材料或非金属材料。
在一些实施例中，所述环形框架204通过粘附层203粘附在所述透明基板的边缘区域。
所述粘附层203的材料为有机粘合剂，在一些实施例中，所述有机粘合剂为橡胶粘合剂、聚氨酯粘合剂、丙烯酸粘合剂、SEBS(苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯)粘合剂、SEPS(苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯)粘合剂或硅氧烷粘合剂。
所述保护膜206的材料为透光材料。
本发明一些实施例还提供了一种光掩膜版，参考图3-图5，包括：
透明基板201；
位于所述透明基板201的表面上的若干分立的遮蔽图形202；
位于所述遮蔽图形202表面上以及相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板表面上的透明导电层208，所述透明导电层208与接地端23连接，且相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上的所述透明导电层208呈“网状”。
在一些实施例中，参考图4和图5，相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上的所述透明导电层208呈“网状”，且所述遮蔽图形202表面上的透明导电层208也呈“网状”。
在一些实施例中，参考图6和图7，相邻所述遮蔽图形202之间的透明基板201表面上的所述透明导电层208呈“网状”，且所述遮蔽图形表面202上的透明导电层呈“块状”。
参考图5或图7，所述“网状”包括网筋209和位于网筋209之间的若干网孔210。
在一些实施例中，所述网孔210呈“圆孔状”或“方孔状”，所述网筋209的特征尺寸为8nm-50nm。
在一些实施例中，所述透明导电层208的材料为石墨烯或透明金属氧化物。
在一些实施例中，所述透明导电层208的厚度为1埃-100埃。
在一些实施例中，所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
在一些实施例中，参考图3，还包括：位于所述透明基板201表面的相移层207；所述遮蔽图形202位于所述相移层207表面上，所述遮蔽图形202之间的透明导电层208位于所述相移层207的表面。
在一些实施例中，参考图8，还包括：位于在所述透明基板201边缘区域表面上的环绕所述遮蔽图形的环形框架204；位于所述环形框架204的顶部表面的封闭所述环形框架204内空间的保护膜206。
需要说明的是，本申请光掩膜版的一些实施例中与前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相同或相似部分的限定或描述在此不再赘述，具体请参考前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相应部分的限定或描述。
本申请虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本申请，任何本领域技术人员在不脱离本申请的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本申请技术方案的保护范围。

Claims (20)

1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：
提供透明基板；
在所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形；
在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。
2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形表面上的透明导电层呈“块状”，或者呈“网状”。
3.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述“网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔。
4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述网孔呈“圆孔状”或“方孔状”，所述网筋的特征尺寸为8nm-50nm。
5.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的形成过程为：在所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上形成透明导电材料层；在所述透明导电材料层表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出所述透明导电材料层需要被刻蚀的区域；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述透明导电层，形成所述透明导电层，且所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，或者所述遮蔽图形表面上以及所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层均呈“网状”。
6.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的形成过程为：在所述遮蔽图形的表面上以及相邻遮蔽图形的透明基板表面上形成掩膜层，所述掩膜层中具有暴露出所述遮蔽图形全部或部分表面以及相邻遮蔽图形之间的部分透明基板表面的若干开口；在所述若干开口中填充满透明导电材料，形成透明导电层，且所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”，或者所述遮蔽图形表面上以及所述相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层均呈“网状”；去除所述掩膜层。
7.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的材料为石墨烯或透明金属氧化物。
8.如权利要求7所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1埃-100埃。
9.如权利要求7所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
10.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成所述遮蔽图形之前，在所述透明基板表面形成相移层，所述遮蔽图形形成在所述相移层表面上，所述遮蔽图形之间的透明导电层形成在所述相移层的表面。
11.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。
12.一种光掩膜版，其特征在于，包括：
透明基板；
位于所述透明基板的表面上的若干分立的遮蔽图形；
位于所述遮蔽图形表面上以及相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的透明导电层，所述透明导电层与接地端连接，且相邻所述遮蔽图形之间的透明基板表面上的所述透明导电层呈“网状”。
13.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，所述遮蔽图形表面上的透明导电层呈“块状”，或者呈“网状”。
14.如权利要求12或13所述的光掩膜版，其特征在于，所述“网状”包括网筋和位于网筋之间的若干网孔。
15.如权利要求14所述的光掩膜版，其特征在于，所述网孔呈“圆孔状”或“方孔状”，所述网筋的特征尺寸为8nm-50nm。
16.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，所述透明导电层的材料为石墨烯或透明金属氧化物。
17.如权利要求16所述的光掩膜版，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1埃-100埃。
18.如权利要求16所述的光掩膜版，其特征在于，所述透明金属氧化物的材料为n型-ZnO2、ITO或FTO。
19.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：位于所述透明基板表面的相移层；所述遮蔽图形位于所述相移层表面上，所述遮蔽图形之间的透明导电层位于所述相移层的表面。
20.如权利要求12所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：位于在所述透明基板边缘区域表面上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。
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