CN115468909A - 基片检查装置、基片检查方法和存储介质 - Google Patents

基片检查装置、基片检查方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供基片检查装置、基片检查方法和存储介质，其能够抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷。基片检查装置包括：定义与基片的基础状态对应的组，对各基片设定组的设定部；基于基片的拍摄图像和与基片所属的组对应的检查方案检查缺陷的检查部；对各组创建检查方案的方案创建部；和判断基片是否属于已定义的组的判断部，判断部基于对基片与已定义的组的基片的处理是否一致、和根据基片的拍摄图像推断的基础状态与已定义的组的基片是否一致来判断，判断为属于已定义的组时，对基片设定相应的组，判断为不属于已定义的组时，对基片设定新的组，方案创建部基于基片的拍摄图像，创建与新的组对应的检查方案。

Description

基片检查装置、基片检查方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片检查装置、基片检查方法和存储介质。
背景技术
在专利文献1中，公开了将检查对象图像图案与基准图像图案进行比较来进行缺陷的检测的图像图案的检查方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-212008号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷检查。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式是一种对基片进行检查的基片检查装置，其包括：设定部，其定义与无关于基片有无缺陷的基础状态对应的组，对每个作为检查对象的基片设定所定义的上述组；检查部，其基于作为检查对象的基片的拍摄图像和与上述作为检查对象的基片所属的上述组对应的包含基准图像的检查方案，来检查缺陷；方案创建部，其对每个上述组创建上述检查方案；以及判断部，其进行要由上述设定部设定的作为上述组的设定对象的基片是否属于由上述设定部已定义的组的判断，上述判断部基于在作为上述组的设定对象的基片与属于上述已定义的组的基片之间对该基片进行的处理是否一致、以及根据作为上述组的设定对象的基片的拍摄图像推断的该作为设定对象的基片的上述基础状态与属于上述已定义的组的基片的上述基础状态是否一致，来进行上述判断，在判断为上述作为设定对象的基片属于上述已定义的组的情况下，上述设定部对上述作为设定对象的基片设定相应的组，在判断为上述作为设定对象的基片不属于上述已定义的组的情况下，上述设定部定义新的组，并且对上述作为设定对象的基片设定该新的组，上述方案创建部基于上述作为设定对象的基片的拍摄图像，创建与上述新的组对应的上述检查方案。
发明效果
依照本发明，能够抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷检查。
附图说明
图1是示意性地表示包括作为本实施方式的基片检查装置的整体控制装置的晶片检查系统的概要结构的图。
图2是示意性地表示晶片处理系统的概要结构的平面图。
图3是表示晶片处理系统的正面侧的内部概要结构的图。
图4是表示晶片处理系统的背面侧的内部概要结构的图。
图5是表示检查用摄像装置的概要结构的纵截面图。
图6是表示检查用摄像装置的概要结构的横截面图。
图7是与基于晶片W的拍摄图像的晶片的检查相关的整体控制装置的控制部的功能框图。
图8是表示整体控制装置的检查的事先处理的一个例子的流程图。
图9是表示整体控制装置的检查处理的一个例子的流程图。
附图标记说明
20 整体控制装置
301 设定部
302 检查部
303 方案创建部
304 判断部
W 晶片。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中，依次进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成抗蚀剂图案。然后，在抗蚀剂图案的形成处理后，进行以该抗蚀剂图案为掩模的蚀刻对象层的蚀刻等，在该蚀刻对象层形成预先决定的图案。此外，在形成抗蚀剂图案时，有时也在抗蚀剂膜的下层形成抗蚀剂膜以外的膜。
另外，在如上述那样形成抗蚀剂图案时、使用抗蚀剂图案进行蚀刻时，有时对各种处理后的晶片进行缺陷检查。在该缺陷检查中，例如检查是否适当地形成了抗蚀剂图案、是否有异物附着于晶片等。近年来，在该缺陷检查中，有时使用对处理后的作为检查对象的晶片(具体而言，其处理面即表面)进行拍摄而得到的拍摄图像。在该情况下，通过将作为检查对象的晶片的拍摄图像与成为检查的基准的基准图像进行比较，来进行缺陷检查(参照专利文献1)。
然而，作为检查对象的晶片的状态与有无缺陷无关，而根据对该晶片进行的至今为止的处理的种类等有很大不同。例如，在未形成抗蚀剂图案的显影处理前、即抗蚀剂涂敷处理后和形成有抗蚀剂图案的显影处理后，晶片的状态有很大不同。此外，即使是显影处理后的各晶片，当曝光条件不同时，抗蚀剂图案的形状、节距也不同。而且，即使是抗蚀剂涂敷处理后的各晶片，当基底膜的状态、涂敷条件不同时，晶片在拍摄图像时的整体的色调、每个部位的色调也不同。
因此，如果不使用与作为检查对象的晶片的状态相应的基准图像，则无法准确地进行基于作为检查对象的晶片的拍摄图像的缺陷检查。例如，如果不使用适宜的基准图像，则有时会将不是缺陷的抗蚀剂图案的轮廓错误地检测为缺陷。即，有时会产生疑似缺陷。因此，为了针对多种晶片分别基于该晶片的拍摄图像准确地进行缺陷检查，需要准备多个基准图像。但是，在进行缺陷检查的检查装置启动时，准备多个基准图像是耗费劳力和时间的。
因此，本发明的技术抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于基片的拍摄图像的缺陷检查。
以下，参照附图，对本实施方式的基片检查装置和基片检查方法进行说明。注意，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，并且省略对这些要素的重复说明。
＜晶片处理系统和检查用摄像装置＞
图1是示意性地表示包括本实施方式的基片检查装置即整体控制装置的晶片检查系统的概要结构的图。
如图所示，晶片检查系统1包括晶片处理系统10和整体控制装置20。
晶片处理系统10对作为基片的晶片进行处理，在本例中，对晶片进行用于在晶片上形成抗蚀剂图案的处理等。
图2是示意性地表示晶片处理系统10的概要结构的平面图。图3和图4分别是表示晶片处理系统10的正面侧和背面侧的内部概要结构的图。
如图2所示，晶片处理系统10具有供收纳有多个晶片W的盒C送入送出的盒站100和具有对晶片W实施预先决定的处理的多个处理装置的处理站101。晶片处理系统10具有将盒站100、处理站101和在其与跟处理站101相邻的曝光装置102之间进行晶片W的交接的接口站103连接成一体的结构。
在盒站100设置有盒载置台110。在盒载置台110设置有多个在对晶片处理系统10的外部送入送出盒C时载置盒C的盒载置板111。
在盒站100设置有能够在沿X方向延伸的输送路径112上移动的晶片输送装置113。晶片输送装置113也能够在上下方向上移动并且能够绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各盒载置板111上的盒C与后述的处理站101的第3区块G3的交接装置之间输送晶片W。
在处理站101设置有包括各种装置的多个例如4个区块，即第1区块G1～第4区块G4。例如，在处理站101的正面侧(图2的X方向负向侧)设置有第1区块G1，在处理站101的背面侧(图2的X方向正向侧)设置有第2区块G2。此外，在处理站101的盒站100侧(图2的Y方向负向侧)设置有第3区块G3，在处理站101的接口站103侧(图2的Y方向正向侧)设置有第4区块G4。
在第1区块G1排列有使用处理液对晶片W进行处理的基片处理装置即液处理装置。具体而言，在第1区块G1中，作为液处理装置，如图3所示，从下方起依次配置有例如显影处理装置120、下层膜形成装置121、中间层膜形成装置122、抗蚀剂涂敷装置123。
显影处理装置120对晶片W进行显影处理。具体而言，显影处理装置120对晶片W的抗蚀剂膜上供给显影液，形成抗蚀剂图案。
下层膜形成装置121形成晶片W的抗蚀剂膜的基底膜即下层膜。具体而言，下层膜形成装置121将成为用于形成下层膜的材料的下层膜材料涂敷在晶片W上，形成下层膜。
中间层膜形成装置122在晶片W的下层膜上且抗蚀剂膜的下方的位置形成中间层膜。具体而言，中间层膜形成装置122在晶片W的下层膜上涂敷作为用于形成中间层膜的材料的中间层膜材料，形成中间层膜。
抗蚀剂涂敷装置123对晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜。具体而言，抗蚀剂涂敷装置123在晶片W的中间层膜上涂敷抗蚀剂液，形成抗蚀剂膜。
例如显影处理装置120、下层膜形成装置121、中间层膜形成装置122、抗蚀剂涂敷装置123分别在水平方向上排列地配置有3个。此外，这些显影处理装置120、下层膜形成装置121、中间层膜形成装置122、抗蚀剂涂敷装置123的数量、配置能够任意地选择。
在这些显影处理装置120、下层膜形成装置121、中间层膜形成装置122、抗蚀剂涂敷装置123中，例如通过旋涂法将预先决定的处理液涂敷在晶片W上。在旋涂法中，例如从涂敷嘴向晶片W上释放处理液，并且使晶片W旋转，以使处理液扩散到晶片W的表面。
在第2区块G2中，在上下方向和水平方向上排列地设置有使用载置晶片W的热板、冷却板进行晶片W的加热、冷却这样的热处理的基片处理装置即热处理装置130。这些热处理装置130的数量、配置能够任意地选择。此外，热处理装置130能够分别使用公知的装置。
在第3区块G3中，从下方起依次设置有多个交接装置140、141、142、143、144、145、146、147。此外，在第4区块G4中，从下方起依次设置有多个交接装置150、151、152，在其上设置有检查用摄像装置153。
在此，对检查用摄像装置153的结构进行说明。
图5和图6分别是表示检查用摄像装置153的概要结构的纵截面图和横截面图。
如图5和图6所示，检查用摄像装置153具有壳体200。在壳体200内设置有载置晶片W的载置台201。该载置台201通过电动机等旋转驱动部202而能够旋转、停止。在壳体200的底面设置有从壳体200内的一端侧(图6中的X方向负向侧)延伸至另一端侧(图6中的X方向正向侧)的导轨203。载置台201和旋转驱动部202设置在导轨203上，能够通过驱动装置204沿着导轨203移动。
在壳体200内的另一端侧(图6的X方向正向侧)的侧面设置有摄像部210。摄像部210例如使用广角型的CCD照相机。
在壳体200的上部中央附近设置有半反射镜211。半反射镜211以从镜面朝向铅垂下方的状态朝向摄像部210的方向向上方倾斜45度的状态设置于与摄像部210相对的位置。在半反射镜211的上方设置有照明装置212。半反射镜211和照明装置212固定于壳体200内部的上表面。来自照明装置212的照明通过半反射镜211而向下方照射。因此，由位于照明装置212的下方的物体反射的光被半反射镜211进一步反射而被取入摄像部210。即，摄像部210能够拍摄处于照明装置212的照射区域的物体。于是，摄像部210的拍摄结果被输入后述的摄像控制装置251。
返回使用图2～图4的晶片处理系统10的说明。
如图2所示，在被第1区块G1～第4区块G4包围的区域形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D配置有多个晶片输送装置160，晶片输送装置160具有例如能够在Y方向、X方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂160a。晶片输送装置160在晶片输送区域D内移动，能够将晶片W输送到周围的第1区块G1、第2区块G2、第3区块G3和第4区块G4内的所希望的装置。
另外，如图4所示，在晶片输送区域D设置有在第3区块G3与第4区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置170。
往复输送装置170例如能够在图4的Y方向上直线移动。往复输送装置170能够在支承着晶片W的状态下在Y方向上移动，在第3区块G3的交接装置142与第4区块G4的交接装置152之间输送晶片W。
如图2所示，在第3区块G3的X方向正向侧的旁边设置有晶片输送装置180。晶片输送装置180具有例如能够在X方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂180a。晶片输送装置180能够在支承着晶片W的状态下上下移动，将晶片W输送到第3区块G3内的各交接装置。
在接口站103设置有晶片输送装置190和交接装置191。晶片输送装置190具有例如能够在Y方向、θ方向和上下方向上移动的输送臂190a。晶片输送装置190例如能够在输送臂190a支承晶片W，能够在其与第4区块G4内的各交接装置、交接装置191和曝光装置102之间输送晶片W。
另外，在晶片处理系统10中设置有控制装置250。
控制装置250例如是包括CPU等处理器、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在该程序保存部中保存有用于控制上述的各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作来进行后述的晶片处理的程序。此外，在程序保存部中还保存有控制检查用摄像装置153的摄像部、驱动系统的动作来控制晶片W的摄像处理的程序。此外，上述程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置250中。存储介质可以是暂时性的存储介质，也可以是非暂时性的存储介质。程序的一部分或全部也可以通过专用硬件(电路板)来实现。
另外，控制装置250基于检查用摄像装置153的摄像部210中的晶片W的拍摄结果来获取晶片W的拍摄图像。具体而言，控制装置250对由摄像部210拍摄到的图像实施必要的图像处理，由此，作为晶片W的拍摄图像，生成表示该晶片W的整个表面的状态的图像。
控制装置250生成的晶片W的拍摄图像被输出到整体控制装置20。
返回使用图1的晶片检查系统1的说明。
如上所述，晶片检查系统1具有整体控制装置20。
整体控制装置20例如是包括CPU等处理器、存储器等的计算机，具有存储部260和控制部261。
存储部260存储各种信息，具有RAM等存储器、HDD等存储装置。在存储部260中存储有控制部261中的基于晶片W的拍摄图像的检查的程序等。上述程序也可以记录在计算机可读取的存储介质H中，从该存储介质H安装到整体控制装置20。此外，上述存储介质H可以是暂时性的存储介质，也可以是非暂时性的存储介质。
控制部261控制整体控制装置20。控制部261例如具有CPU等处理器。
＜晶片处理＞
接着，对在如以上那样构成的晶片处理系统10中进行的晶片处理进行说明。此外，以下的处理例如基于按每个批次设定的晶片W的处理方案来进行，处理时的晶片W的输送基于与上述处理方案对应的晶片W的输送方案来进行。处理方案和输送方案存储于存储部(未图示)。
首先，将收纳有多个晶片W的盒C送入盒站100。然后，在控制装置250的控制下，将晶片W输送到第1区块G1的下层膜形成装置121，在晶片W上形成下层膜。
接着，将晶片W输送到第2区块G2的下层膜用的热处理装置130，进行下层膜的加热处理。
之后，将晶片W向检查用摄像装置153输送。然后，在控制装置250的控制下，利用摄像部210进行下层膜形成后的晶片W的拍摄，获取该下层膜形成后的晶片W的拍摄图像。将获取到的晶片W的拍摄图像与该晶片W的识别信息相关联地输出到整体控制装置20。此外，将晶片W的拍摄图像与应用于该晶片W的输送方案(具体而言，表示到达检查用摄像装置153为止的路径的输送方案)的识别信息相关联地输出到整体控制装置20。将输出到整体控制装置20的晶片W的拍摄图像存储在存储部260中。
接着，在控制装置250的控制下，将晶片W输送到第1区块G1的中间层膜形成装置122，在晶片W的下层膜上形成中间层膜。
接着，将晶片W输送到第2区块G2的中间层用的热处理装置130，进行中间层膜的加热处理。
之后，将晶片W输送到第1区块G1的抗蚀剂涂敷装置123，在晶片W的中间层膜上形成抗蚀剂膜。
接着，将晶片W输送到第2区块G2的PAB处理用的热处理装置130，进行PAB处理。
接着，将晶片W输送到曝光装置102，以所希望的图案进行曝光。
接着，将晶片W输送到第2区块G2的PEB处理用的热处理装置130，进行PEB处理。
接着，将晶片输送到第1区块G1的显影处理装置120，进行显影处理，在该晶片W上形成抗蚀剂图案。
之后，将晶片W输送到第2区块G2的后烘烤处理用的热处理装置130，进行后烘烤处理。然后，将晶片W送回盒C，一连串晶片处理完成。
上述的晶片处理也对其他晶片W进行。
另外，当处理方案和输送方案不同时，检查用摄像装置153的摄像时机也不同。例如，在以上的例子中，在下层膜形成后且中间层膜形成前利用检查用摄像装置153进行晶片W的拍摄，但也存在在显影处理后利用检查用摄像装置153进行晶片W的拍摄的情况。
＜整体控制装置20＞
图7是与基于晶片W的拍摄图像的晶片的检查相关的整体控制装置20的控制部261的功能框图。
如图7所示，控制部261具有通过CPU等处理器读出并执行存储于存储部260的程序而实现的设定部301、检查部302、方案创建部303和判断部304。
设定部301定义与晶片W的基础状态(正常状态)相应的组，对每个晶片W设定所定义的组。晶片W的基础状态是指与该晶片W中有无缺陷无关的状态。该晶片W的基础状态例如根据晶片W的最表面的膜的厚度、种类、基于上述最表面的膜的图案的形状、节距等而变化。此外，晶片W的基础状态也根据基底膜的相对于上述最表面的膜的厚度、种类、基于上述基底膜的图案的形状、节距等而变化。设定部301基于这样的根据晶片W中的膜的层叠状态而变化的拍摄图像中的像素值(像素的亮度值)来定义上述组。
检查部302基于作为检查对象的晶片W的拍摄图像和与作为检查对象的晶片W所属的组对应的检查方案，来检查作为检查对象的晶片W的缺陷。
检查方案至少包含作为检查对象的晶片W的拍摄图像的比较对象且成为缺陷检查的基准的基准图像。
另外，检查方案包括用于基于作为检查对象的晶片W的拍摄图像与基准图像的比较结果来检测缺陷的缺陷条件(即缺陷检查用参数)。
缺陷条件例如包含与应检测为缺陷的像素值相关的条件、与缺陷的大小(尺寸)相关的条件和与未检测出缺陷的区域的位置相关的条件的组。
与应该检测为缺陷的像素值相关的条件例如是与作为检查对象的晶片W的拍摄图像和基准图像的像素值之差分相关的阈值，像素值之差分超过阈值的部分被检测为缺陷。
所谓与缺陷的尺寸相关的条件，例如是基于与应检测为缺陷的像素值相关的条件，与被检测为缺陷的部分的尺寸相关的阈值，仅上述尺寸超过阈值的被检测为缺陷。
与未检测出缺陷的区域的位置相关的条件具体而言是指，未检测出缺陷的区域即疑似缺陷的区域的大小、位置的调节量。
另外，缺陷条件例如也可以包含与基准图像的晶片面内整体的像素值的调节量相关的条件、与缺陷的尺寸相关的条件和与将基准图像在晶片W的径向上分割而得到的各区域的像素值的调节量相关的条件的组。
另外，针对每个基准图像，适宜的缺陷条件不同。
方案创建部303针对晶片W所属的每个组创建检查方案。
判断部304进行作为检查对象且作为设定部301的作为组的设定对象的晶片W是否属于设定部301已定义的组的判断。
具体而言，判断部304基于以下的(1)和(2)进行上述判断。
(1)在作为组的设定对象的晶片W与属于上述已定义的组的晶片W之间，对晶片W进行的处理是否一致。
(2)根据作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像推断的该作为设定对象的晶片W的基础状态与属于上述已定义的组的晶片W的基础状态是否一致。
上述(1)具体而言是作为组的设定对象的晶片W与属于上述已定义的组的晶片W的输送方案是否一致。即，是与作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像相关联的输送方案和与上述已定义的组如后述那样建立了关联的输送方案是否一致。
另外，具体而言，上述(2)是作为组的设定对象的晶片W的图像基础特征量是否落在与属于已定义的组的晶片W的基础状态对应的、晶片W的拍摄图像中的特征量(以下称为图像基础特征量)的范围内。
作为组的设定对象的晶片W的图像基础特征量落在应属于已定义的组的晶片W的图像基础特征量的范围内意味着，在作为组的设定对象的晶片W与属于已定义的组的晶片W之间，不仅是输送方案一致，基于输送方案进行的处理以前的处理也一致。例如，在作为上述图像基础特征量的范围的基准的图像基础特征量存在多个的情况下，图像基础特征量的范围由相对于多个图像基础特征量的分布的马氏距离(马哈拉诺比斯距离，Mahalanobisdistance)确定。此外，不限于作为上述图像基础特征量的范围的基准的图像基础特征量为单数的情况。
图像基础特征量例如是与晶片W的拍摄图像中的像素值的面内趋势相关的特征量。
上述与面内趋势相关的特征量更具体而言例如如下所述。即，如国际公开第2020/246366号等所公开的那样，晶片W的拍摄图像内的像素值的平面分布能够使用泽尼克(Zernike)多项式分别分解为多个像素值的面内趋势分量，能够分别计算各面内趋势分量的泽尼克系数。例如，该各面内趋势分量的泽尼克系数对应于与面内趋势有关的特征量。
图像基础特征量也可以包含与晶片W的拍摄图像的单位区域(例如曝光区域(shot))相关的特征量。这里所说的单位区域是指将晶片W的面以规定的间隔分割时的1个区域，例如相当于在送入晶片处理系统10之前进行的晶片W上的膜的曝光处理中将对象范围分割而进行曝光时的1个曝光区域单位即曝光区域。
具体而言，与晶片W的拍摄图像的单位区域相关的特征量例如是该单位区域的像素值、其平均值等，也可以是在基准图像中与对应的单位区域进行比较时的像素值之差。此外，与晶片W的拍摄图像的单位区域相关的特征量也可以包括单位区域的节距。此外，上述单位区域可以基于预先存储在存储部260中的其位置和尺寸的信息来确定，也可以通过对拍摄图像进行解析来确定。
然后，判断部304，在满足
根据上述(1)，在作为组的设定对象的晶片W与属于已定义的组的晶片W之间，对晶片W进行的处理不一致，以及
根据上述(2)，根据作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像推断的该作为设定对象的晶片W的基础状态与属于已定义的组的晶片W的基础状态不一致
中的至少任一者的情况下，判断为作为组的设定对象的晶片W不属于已定义的组。
特别是，判断部304在以下的时候也判断为作为组的设定对象的晶片W不属于已定义的组。即，即便为根据上述(1)，在作为组的设定对象的晶片W与属于已定义的组的晶片W之间，对晶片W进行的处理一致的情况，也就是说输送方案一致的情况，而根据上述(2)，根据作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像推断的该作为设定对象的晶片W的基础状态与属于已定义的组的晶片W的基础状态也不一致的时候。也可以说判断部304根据该晶片W的拍摄图像来判断形成于作为设定对象的晶片W的膜的厚度、种类、各个膜的图案、节距的基础状态是否与已定义的组所对应的基础状态综合地相同。
在由判断部304判断为作为组的设定对象的晶片W属于已定义的组的情况下，设定部301对作为设定对象的晶片W设定相应的组。在设定后，如果与上述相应的组对应的检查方案已创建，则检查部302针对设定了组的晶片W，基于该晶片W的拍摄图像和与所设定的组对应的检查方案来检查缺陷。
另一方面，在由判断部304判断为作为组的设定对象的晶片W不属于已定义的组的情况下，设定部301定义新的组，并对作为设定对象的晶片W设定该新的组。除此之外，设定部301将新的组与应属于该新的组的晶片W的条件建立关联。具体而言，将应属于新的组的晶片W的输送方案与该晶片W的图像基础特征量的范围建立关联。
另外，在由设定部301对作为组的设定对象的晶片W设定了上述新的组时，方案创建部303基于作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像即设定了上述新的组的晶片W的拍摄图像，创建与上述新的组对应的检查方案。具体而言，方案创建部303基于多个设定了上述新的组的晶片W的拍摄图像，创建与上述新的组对应的检查方案。
从多个晶片W的拍摄图像生成检查方案所包含的缺陷检查的基准图像的方法，能够使用公知的方法(例如日本特开2014-115140号公报所公开的方法)。在日本特开2014-115140号公报所公开的方法中，从多个晶片W的拍摄中提取被推断为不具有缺陷的、满足特定条件的晶片W的拍摄图像，基于提取出的晶片W的拍摄图像来生成上述基准图像。
另外，在根据多个拍摄来决定检查方案所包含的上述缺陷条件时，例如，方案创建部303对用于生成基准图像的上述提取出的晶片W的拍摄图像分别调整缺陷条件，以使得在基于所生成的基准图像进行检查时检测不到缺陷。例如，从上述提取出的晶片W的拍摄图像中选择与基准图像进行比较时像素值之差较大的拍摄图像的像素值，作为缺陷条件的范围中的阈值的标准。可以将该像素值直接作为缺陷条件中的阈值，也可以将乘以预先设定的系数而得到的值作为阈值。在针对常数倍晶片W的面内的某个位置或每个区域(检测区域单位)决定缺陷条件的情况下，可以针对每个检测区域单位选择上述像素值之差大的拍摄图像的像素值，作为缺陷条件中的阈值。此外，在将包含多个像素的区域设为检测区域单位时，通过以该区域内的平均像素值为基准的与上述同样的方法来决定缺陷条件。
检查方案由设定部301例如以如下方式制作。
首先，设定针对晶片W的面内的整体的像素值分布的系数(与晶片W的面内整体的像素值的调节量相关的条件的一个例子)。该系数为1以上的常数，是分别与上述亮度分布中的各位置的像素值相乘的系数，其被设定成上述提取出的晶片W的拍摄图像的各位置的像素值与该系数之积全部成为缺陷条件的范围外的值(即，非缺陷)。接着，决定与上述的系数的范围相比晶片W的半径方向范围窄的内侧区域和位于比该内侧区域靠外侧的外侧区域各自对应的偏移值。上述偏移值是与在晶片W的径向上分割出来的各区域的像素值的调节量相关的条件的一个例子，具体而言，是和各位置的像素值与上述系数之积相加的值，在上述内侧区域和外侧区域各自的区域中，例如在该相加后的结果的值不进入缺陷条件的范围的前提下能够取得的最大值是通过与规定的多个候补值相关的验证结果来设定的。
即使在作为检查对象的晶片W上形成有图案的情况下，也不使用与图案相关的设计数据(具体而言CAD数据)来决定、创建包含上述缺陷条件的检查方案。
当创建出与上述新的组对应的新检查方案时，检查部302针对属于未完成检查的上述新的组的晶片W，基于该晶片W的拍摄图像和上述新检查方案来检查缺陷。
＜检查处理和检查的事先处理＞
接着，对利用整体控制装置20的检查处理和检查的事先处理进行说明。
首先，对检查的事先处理进行说明。
图8是表示利用整体控制装置20的检查的事先处理的一个例子的流程图。
在检查的事先处理中，例如，如图8所示，首先，控制部261获取应属于同一组的多个晶片W的拍摄图像即正常处理了的(即没有缺陷的)晶片W的拍摄图像(步骤S1)。在此，控制部261获取的拍摄图像例如由用户选择。
接着，控制部261将获取了拍摄图像的晶片W的组定义为组1(步骤S2)。
另外，作为应属于组1的晶片W的条件，控制部261决定应属于组1的晶片W的输送方案和应属于组1的晶片W的图像基础特征量的范围，并将它们与组1建立关联(步骤S3)。应属于组1的晶片W的输送方案例如使用与在步骤S1中获取到的拍摄图像相关联的输送方案。此外，应属于组1的晶片W的图像基础特征量的范围根据在步骤S1中获取到的拍摄图像来决定。
另外，方案创建部303基于在步骤S1中获取到的多个晶片W的拍摄图像，来决定与组1对应的检查方案(步骤S4)。
由此，一连串检查的事先处理结束。此外，也可以省略该事先处理。
接着，对利用整体控制装置20的检查处理进行说明。
图9是表示利用整体控制装置20的检查处理的一个例子的流程图。
首先，判断部304从存储部260获取作为检查对象的晶片W的拍摄图像(步骤S11)。
接着，为了对作为检查对象的晶片W设定组，判断部304判断与该作为检查对象的晶片W的拍摄图像相关联的输送方案和与已定义的组中的任一组建立了关联的输送方案是否一致(步骤S12)。
在一致的情况下(步骤S12，“是”的情况下)，判断部304针对输送方案一致的各个组，判断作为检查对象的晶片W的图像基础特征量是否落在应该属于该组的晶片W的图像基础特征量的范围内(步骤S13)。
对于输送方案一致的任一组，在作为检查对象的晶片W的图像基础特征量落在应属于该组的晶片W的图像基础特征量的范围内的情况下(步骤S14：是)，设定部301对作为检查对象的晶片W设定相应的组(步骤S15)。
然后，在针对对作为检查对象的晶片W设定的组已经创建了检查方案的情况下(步骤S16，“是”的情况下)，检查部302基于作为检查对象的晶片W的拍摄图像和已经创建的检查方案来检查缺陷(步骤S17)。之后，控制部261使处理返回到下一个晶片W的步骤S1。
在针对对作为检查对象的晶片W设定的组没有创建检查方案的情况下(步骤S16：“否”的情况)，方案创建部303判断被设定流相同组的作为检查对象的晶片W的片数是否超过了阈值(步骤S18)。
在未超过阈值的情况下(“否”的情况下)，控制部261使处理返回到步骤S1，在超过了阈值的情况下(“是”的情况下)，方案创建部303基于超过阈值的片数的作为检查对象的晶片W的拍摄图像，创建与相应的组对应的检查方案(步骤S19)。
接着，检查部302针对属于创建了检查方案的组的各个晶片W，基于该晶片W的拍摄图像和创建出的检查方案来检查缺陷(步骤S20)。之后，控制部261使处理返回下一个晶片W的步骤S1。
另外，在步骤S12中，在与作为检查对象的晶片W的拍摄图像相关联的输送方案和与已定义的组建立了关联的输送方案均不一致的情况下(“否”的情况下)，设定部301定义新的组，并对作为检查对象的晶片W设定该新的组(步骤S21)。此外，设定部301将应属于该新的组的晶片W的输送方案和图像基础特征量的范围与新的组建立关联(步骤S22)。之后，控制部261使处理返回下一个晶片W的步骤S1。
在步骤S14中，对于输送方案一致的任一组，在作为检查对象的晶片W的图像基础特征量没有落在应该属于该组的晶片W的图像基础特征量的范围内的情况下(“否”的情况下)，也与步骤S12中的“否”的情况相同。
＜具体例＞
在此，考虑在上述的检查的事先处理后，按照图9所示的流程图初次进行检查的情况，且作为检查对象的晶片W为以下的(A)、(B)、(C)的情况。
(A)作为检查对象的晶片W的输送方案与在检查的事先处理中被使用了拍摄图像的晶片W的输送方案相同且图像基础特征量相同的情况(即，作为检查对象的晶片W是应属于在检查的事先处理中定义的组1的晶片W1的情况)。
该情况下，检查处理按照步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S17的顺序进行。而且，设定在检查的事先处理中定义的组1，基于与在检查的事先处理中创建的组1对应的检查方案来检查作为检查对象的晶片W1。
(B)作为检查对象的晶片W的输送方案与在检查的事先处理中被使用了拍摄图像的晶片W的输送方案不同的情况(即，作为检查对象的晶片W是应用与对上述晶片W1的输送方案R1不同的输送方案R2的晶片W2的情况)。
在该情况下，检查处理以步骤S11→步骤S12→步骤S21→步骤S22进行。然后，定义新的组2，对作为检查对象的晶片W2设定该新的组2，并且将新的组2与应属于该组2的晶片W的输送方案R2和图像基础特征量的范围A2建立关联。
对于第2个以后且在步骤S18中超过阈值为止的作为检查对象的晶片W2，检查处理按照步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S18→步骤S1的顺序进行。由此，对各晶片W2设定基于第1个作为检查对象的晶片W2定义的组2。但是，检查在该时刻并不进行。
另外，对于在步骤S18中超过阈值的作为检查对象的晶片W2，按照S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S18→步骤S19→步骤S20的顺序进行。由此，第2个以后的作为检查对象的晶片W2被设定为基于第1个作为检查对象的晶片W2定义的组2，基于多个作为检查对象的晶片W2的拍摄图像，创建与组2对应的检查方案。此外，对于已设定组2的各个晶片W2，基于创建出的检查方案来进行检查。
对于创建了检查方案以后的作为检查对象的晶片W2，检查处理按照步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S17的顺序进行。然后，作为检查对象的晶片W2被设定组2，基于如上述那样创建的与组2对应的检查方案来进行检查。
(C)作为检查对象的晶片W的输送方案与在检查的事先处理中被使用了拍摄图像的晶片W的输送方案相同且图像基础特征量不同的情况(即，作为检查对象的晶片W是应用与上述晶片W1相同的输送方案R1且图像基础特征量不同的晶片W3的情况)。
在该情况下，检查处理以步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S21→步骤S22进行。然后，定义新的组3，对作为检查对象的晶片W3设定该新的组3，并且将新的组3与应属于该组3的晶片W的输送方案R3和图像基础特征量的范围A3建立关联。
对于第2个以后且在步骤S18中超过阈值为止的作为检查对象的晶片W3，检查处理按照步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S18→步骤S1的顺序进行。由此，对各晶片W3设定基于第1个作为检查对象的晶片W2定义的组3。但是，检查在该时刻并不进行。
另外，对于在步骤S18中超过阈值的作为检查对象的晶片W2，按照S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S18→步骤S19→步骤S20的顺序进行。由此，对于第2个以后的作为检查对象的晶片W3，设定基于第1个作为检查对象的晶片W3定义的组3，基于多个作为检查对象的晶片W3的拍摄图像，创建与组3对应的检查方案。此外，对于已设定组3的各个晶片W2，基于创建出的检查方案来进行检查。
对于创建了检查方案以后的作为检查对象的晶片W3，检查处理按照步骤S11→步骤S12→步骤S13→步骤S14→步骤S15→步骤S16→步骤S17的顺序进行。然后，作为检查对象的晶片W3被设定组3，基于如上述那样创建的与组3对应的检查方案来检查。
＜本发明的技术的主要效果＞
如以上那样，本实施方式的检查方法包括：定义与晶片W的基础状态相应的组，对每个作为检查对象的晶片W设定所定义的组的步骤；基于作为检查对象的晶片W的拍摄图像和与作为检查对象的晶片W所属的组对应的包含基准图像的检查方案，来检查缺陷的步骤；对每个组创建检查方案的步骤；以及进行作为组的设定对象的晶片W是否属于已定义的组的判断的步骤。此外，在进行判断的步骤中，基于在作为上述组的设定对象的晶片W与属于上述已定义的组的晶片W之间对该晶片W进行的处理是否一致、以及根据作为组的设定对象的晶片W的拍摄图像推断的该作为设定对象的晶片W的基础状态与属于已定义的组的晶片W的基础状态是否一致，来进行上述判断。在判断的结果是判断为作为设定对象的晶片W属于已定义的组的情况下，在上述进行设定的步骤中，对作为设定对象的晶片W设定相应的组。此外，在判断为作为设定对象的晶片W不属于已定义的组的情况下，在上述进行设定的步骤中，定义新的组并且对作为设定对象的晶片W设定该新的组，在创建方案的步骤中，基于作为设定对象的晶片W的拍摄图像，创建与新的组对应的检查方案。
因此，在本实施方式中，在不存在适合于作为检查对象的晶片W的检查方案的情况下，基于该作为检查对象的晶片W的拍摄图像来创建适合于该作为检查对象的晶片W的检查方案。因此，不需要预先创建检查方案，或者预先创建的检查方案的数量为最低限度即可。因此，能够抑制晶片检查系统1启动时的劳力和时间耗费。此外，在本实施方式中，由于对每个作为检查对象的晶片W使用适合于该晶片W的检查方案，因此能够进行高精度的缺陷检查。即，依照本实施方式，能够抑制启动时的劳力和时间的增加，并且高精度地进行基于晶片的拍摄图像的缺陷检查。
另外，在本实施方式中，在检查方案的创建中不需要使用与形成于晶片W的图案相关的设计数据(CAD数据)，所以能够省去预先输入作为示教用的设计数据的劳力和时间。即，依照本实施方式，在处理各种晶片W的过程中，即使没有事先的数据输入，也能够实现已出现类型的组是否是新的组的判断和进行符合该判断结果的检查这样的自主处理。
另外，在晶片处理系统10中的涂敷处理、热处理的条件的调整中不需要设计数据。
另外，在本实施方式中，对作为检查对象的晶片W设定组，基于与该组对应的检查方案来检查作为检查对象的晶片W的缺陷。并且，作为检查对象的晶片W的组的设定是基于作为检查对象的晶片W的输送方案、作为检查对象的晶片W的图像基础特征量来进行的。即，对作为检查对象的晶片W的组的设定不需要用户的操作，设定部301能够自动地进行。因此，能够节省用户的劳力和时间。
另外，依照本实施方式，即使是输送方案相同的作为检查对象的晶片W，在图像基础特征量不同的情况下，也能够使用不同的检查方案。因此，能够更准确地进行缺陷检查。
＜变形例＞
关于各组对应的检查方案，也可以基于属于该组的多个晶片W的拍摄图像在规定的时机再次创建。规定的时机是指，每批次、每处理规定的个数的晶片W、每经过规定的时间。由此，能够更高精度地进行基于检查方案的缺陷检查。
另外，在再次创建了检查方案的情况下，对于基于旧的检查方案进行了检查的晶片W，也可以基于再次创建出的新的检查方案来检查缺陷。

Claims (13)

1.一种对基片进行检查的基片检查装置，其特征在于，包括：
设定部，其定义与无关于基片有无缺陷的基础状态对应的组，对每个作为检查对象的基片设定所定义的所述组；
检查部，其基于作为检查对象的基片的拍摄图像和与所述作为检查对象的基片所属的所述组对应的包含基准图像的检查方案，来检查缺陷；
方案创建部，其对每个所述组创建所述检查方案；以及
判断部，其进行作为所述设定部设定的所述组的设定对象的基片是否属于由所述设定部已定义的组的判断，
所述判断部基于在作为所述组的设定对象的基片与属于所述已定义的组的基片之间对该基片进行的处理是否一致、以及根据作为所述组的设定对象的基片的拍摄图像推断的该作为设定对象的基片的所述基础状态与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态是否一致，来进行所述判断，
在判断为所述作为设定对象的基片属于所述已定义的组的情况下，所述设定部对所述作为设定对象的基片设定的组，
在判断为所述作为设定对象的基片不属于所述已定义的组的情况下，所述设定部定义新的组，并且对所述作为设定对象的基片设定该新的组，所述方案创建部基于所述作为设定对象的基片的拍摄图像，创建与所述新的组对应的所述检查方案。
2.如权利要求1所述的基片检查装置，其特征在于：
当满足在作为所述组的设定对象的基片与属于所述已定义的组的基片之间对该基片进行的处理不一致、以及根据作为所述组的设定对象的基片的拍摄图像推断的该作为设定对象的基片的所述基础状态与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态不一致中的至少任一者时，所述判断部判断为所述作为设定对象的基片不属于所述已定义的组。
3.如权利要求2所述的基片检查装置，其特征在于：
当在作为所述组的设定对象的基片与属于所述已定义的组的基片之间对该基片进行的处理一致，但根据作为所述组的设定对象的基片的拍摄图像推断的该作为设定对象的基片的所述基础状态与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态不一致时，所述判断部判断为所述作为设定对象的基片不属于所述已定义的组。
4.如权利要求1所述的基片检查装置，其特征在于：
所述检查方案包括缺陷条件，所述缺陷条件用于基于所述作为检查对象的基片的拍摄图像与所述基准图像的比较结果来检测缺陷。
5.如权利要求4所述的基片检查装置，其特征在于：
所述缺陷条件包括与应检测为缺陷的像素值相关的条件、与缺陷的大小相关的条件和与未检测出缺陷的区域的位置相关的条件。
6.如权利要求5所述的基片检查装置，其特征在于：
所述缺陷条件包括与基片面内整体的像素值的调节量相关的条件、与缺陷的大小相关的条件和与在基片的径向上分割出来的各区域的像素值的调节量相关的条件。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片检查装置，其特征在于：
在所述作为检查对象的基片形成有图案，
所述方案创建部以不使用与所述图案相关的设计数据的方式创建所述检查方案。
8.如权利要求1～6中任一项所述的基片检查装置，其特征在于：
要根据作为所述组的设定对象的基片的拍摄图像来推断的、该作为设定对象的基片的所述基础状态与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态是否一致，是基于与作为所述组的设定对象的基片的所述基础状态对应的拍摄图像中的特征量是否落在与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态对应的拍摄图像中的特征量的范围内来判断的。
9.如权利要求8所述的基片检查装置，其特征在于：
所述拍摄图像中的特征量是与所述拍摄图像中的像素值的面内趋势相关的特征量。
10.如权利要求1～6中任一项所述的基片检查装置，其特征在于：
在判断为所述作为设定对象的基片不属于所述已定义的组的情况下，所述方案创建部基于多个所述作为设定对象的基片的拍摄图像，创建与所述新的组对应的所述检查方案。
11.如权利要求1～6中任一项所述的基片检查装置，其特征在于：
所述方案创建部对于与所述组对应的所述检查方案，基于属于该组的多个基片的拍摄图像在规定的时机再次创建该检查方案。
12.一种对基片进行检查的基片检查方法，其特征在于，包括：
定义与无关于基片有无缺陷的基础状态相应的组，对每个作为检查对象的基片设定所定义的所述组的步骤；
基于作为检查对象的基片的拍摄图像和与所述作为检查对象的基片所属的所述组对应的包含基准图像的检查方案，来检查缺陷的步骤；
对每个所述组创建所述检查方案的步骤；以及
进行作为所述组的设定对象的基片是否属于已定义的组的判断的步骤，
所述进行判断的步骤中，基于在作为所述组的设定对象的基片与属于所述已定义的组的基片之间对该基片进行的处理是否一致、以及根据作为所述组的设定对象的基片的拍摄图像推断的该作为设定对象的基片的所述基础状态与属于所述已定义的组的基片的所述基础状态是否一致，来进行所述判断，
在判断为所述作为设定对象的基片属于所述已定义的组的情况下，在所述进行设定的步骤中对所述作为设定对象的基片设定相应的组，
在判断为所述作为设定对象的基片不属于所述已定义的组的情况下，在所述进行设定的步骤中，定义新的组，并且对所述作为设定对象的基片设定该新的组，在所述创建检查方案的步骤中，基于所述作为设定对象的基片的拍摄图像，创建与所述新的组对应的所述检查方案。
13.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：
存储有程序，该程序在控制基片检查装置的控制部的计算机上运行，所述计算机执行所述程序时，使该基片检查装置执行权利要求12所述的基片检查方法。
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