CN115458560A - 显示设备及检查显示设备的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 164
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 97
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 94
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 211
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 19
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 2
- YFCGDEUVHLPRCZ-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl]oxy-dimethyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C YFCGDEUVHLPRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- FBZANXDWQAVSTQ-UHFFFAOYSA-N dodecamethylpentasiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C FBZANXDWQAVSTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940087203 dodecamethylpentasiloxane Drugs 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N2021/9513—Liquid crystal panels
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本申请涉及显示设备及检查显示设备的方法。显示设备包括可绕弯曲线弯曲的基板、在基板上方的显示元件层、位于基板下方的保护膜、以及在基板与保护膜之间且与弯曲线相对应的分隔件。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月9日提交的第10-2021-0074976号韩国专利申请的优先权。该韩国专利申请的公开内容以其全部通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备,并且更具体地,涉及包括弯曲表面的显示设备和检查显示设备的方法。
背景技术
显示设备的设计已经变得更加多样化。例如,已经开发了弯曲的显示设备、可折叠的显示设备和可卷曲的显示设备。此外,显示设备已经被开发为具有扩大的显示区域和缩小的非显示区域。因此,已经提出了用于设计显示设备的形式的各种方法。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有弯曲表面的显示设备。然而,这种技术特征是示例,本公开不限于此。
附加特征将部分地在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践来获知。
根据一个或多个实施方式,显示设备包括可绕弯曲线弯曲的基板、在基板上方的显示元件层、在基板下方的保护膜、以及在基板和保护膜之间并与弯曲线相对应的分隔件。
分隔件可以在基板的下表面上。
分隔件可以在保护膜的上表面上。
基板可以包括在弯曲线的一侧上的主显示区域和在弯曲线的另一侧上并且可以相对于主显示区域的角度弯曲的侧区域,其中,显示图像的显示元件可以在侧区域中。
所述角度可为约50度(°)至约100度。
基板可以包括在弯曲线的一侧上的主显示区域和在弯曲线的另一侧上并且可以相对于主显示区域的角度弯曲的侧区域,其中,电路层的连接到显示元件层并且传输信号的布线可以在侧区域中。
分隔件可以包括多个分隔件,并且多个分隔件可以沿着弯曲线彼此间隔开。
多个分隔件中的每一个可具有圆形形状或多边形形状。
分隔件可以沿着弯曲线连续。
弯曲线可以具有弯曲的形状。
基板可包括彼此堆叠的第一树脂层、第一阻挡层、第二树脂层和第二阻挡层,其中,辅助分隔件可进一步在第一树脂层和第一阻挡层之间以对应于弯曲线。
分隔件可以包括具有与基板和保护膜的透光率和光反射率不同的透光率和光反射率的材料。
分隔件可以包括黑色墨水。
根据一个或多个实施方式,一种显示设备包括:基板,包括具有多个显示元件的显示区域和与显示区域相邻的外围区域;显示元件层,在基板上方并且包括多个显示元件;保护膜,在基板下方;以及分隔件,在基板和保护膜之间,其中,分隔件在显示区域中。
基板的显示区域可以包括主显示区域和可以相对于主显示区域的角度弯曲的侧区域,其中,分隔件可以至少部分地与主显示区域和侧区域之间的边界重叠。
显示区域可以包括主显示区域和在主显示区域和外围区域之间的侧区域,其中,分隔件可以围绕主显示区域和侧区域彼此相遇的区域。
分隔件可以具有与主显示区域的形状相对应的闭合形状。
分隔件可以至少部分地与多个显示元件重叠。
分隔件可以包括具有与基板和保护膜的透光率和光反射率不同的透光率和光反射率的材料。
根据一个或多个实施方式,一种检查包括基板和在基板下方的保护膜的显示设备的方法包括:制备包括基板和保护膜之间的分隔件的显示设备;在将检测器光学聚焦到保护膜的下表面上之后,检查保护膜的下表面中的裂纹;以及在将检测器光学聚焦到分隔件上之后,检查基板的下表面中的裂纹。
显示设备可以绕弯曲线弯曲。
分隔件可以与弯曲线相对应。
分隔件可以包括多个分隔件,并且多个分隔件可以沿着弯曲线彼此间隔开。
显示元件可以在基板上方,其中,显示元件可以包括有机发光二极管。
分隔件可以包括具有与基板和保护膜的透光率和光反射率不同的透光率和光反射率的材料。
分隔件可以包括黑色墨水。
附图说明
从以下结合附图的描述中,本公开的实施方式的上述和其它特征以及优点将更加显而易见,其中:
图1是显示设备的实施方式的示意性立体图;
图2是沿着图1的线I-I’截取的显示设备的剖视图;
图3是示意性地示出未折叠的显示设备的显示面板的实施方式的平面图;
图4A和图4B是用于驱动像素的像素电路的实施方式的等效电路图;
图5是示意性地示出沿着图3的线II-II’截取的显示面板的一部分的实施方式的剖视图;
图6A和图6B是示意性地示出沿图3的线III-III’截取的显示面板的一部分的实施方式的剖视图;
图7是示意性地示出显示面板的基板的下表面的实施方式的平面图;
图8至图11A是示意性地示出与图7的区域IV对应的、显示面板的基板的下表面的实施方式的平面图;
图11B是示出未折叠的显示面板的基板的下表面的实施方式的平面图;
图12是示出未折叠的显示面板的基板的下表面的一部分的实施方式的平面图;
图13是示意性地示出未折叠的显示面板的一部分的实施方式的剖视图;
图14是示意性地示出未折叠的显示面板的一部分的实施方式的剖视图;
图15是检测显示设备中的裂纹的方法的实施方式的流程图;
图16A和图16B是在检测裂纹的方法中的工艺的实施方式的示意图;
图17A和图17B是示出包括分隔件的显示设备的检查的实施方式的照片;以及
图18A和图18B是示出包括分隔件的显示设备的检查的实施方式的照片。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式,其示例在附图中示出,其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上,实施方式可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于本文所陈述的描述。因此,下面仅通过参考附图来描述实施方式,以解释本说明书的特征。
本文所用的术语仅用于描述特定实施方式的目的,而不是旨在进行限制。如本文所用,“一”、“一个”、“该”和“至少一种”不表示数量的限制,并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外清楚地指示。例如,“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义,除非上下文另外清楚地指出。“至少一个”不应被解释为限于“一”或“一个”。“或”意指“和/或”。如本文所用,措辞“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目中的任何和所有组合。在整个公开内容中,表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或其变型。还将理解,措辞“包含”和/或“包含有”,或“包括”和/或“包括有”在本说明书中使用时,表示所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外,诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对措辞在本文中可以用来描述如附图所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解,除了附图中描绘的定向之外,相对措辞旨在也包括设备的不同定向。例如,如果附图中的一个中的设备被翻转,则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将被定向在其它元件的“上”侧上。因此,措辞“下”可以包括“下”和“上”的定向两者,这取决于附图的具体定向。类似地,如果附图中的一个中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将被定向为“在”其它元件“上方”。因此,措辞“在……下方”或“在……之下”可以包括“在……上方”和“在……下方”的取向。
除非另有限定,否则本文使用的所有措辞(包括技术措辞和科学措辞)具有与本公开所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。还将理解的是,诸如在常用词典中限定的措辞的措辞应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化的或过度正式的意义来解释,除非在本文中明确地如此限定。
由于本说明书允许各种变化和多种实施方式,因此实施方式将在附图中示出并在书面说明中描述。从以下结合附图对一个或多个实施方式的详细描述中,一个或多个实施方式以及实现实施方式的方法的效果和特征将变得显而易见。然而,实施方式可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。
下面将参考附图更详细地描述一个或多个实施方式。与附图编号无关地,相同或彼此对应的那些元件被呈现为相同的附图标记,并且省略了其冗余描述。如本文所用,附图标记可指示单数元件或多个元件。例如,在附图中标记单数形式的元件的附图标记可用于指代说明书文本中的多个单数元件。
将理解,当层、膜、区域或板被称为与另一个元件相关,诸如在另一个层、膜、区域或板“上”时,它可以直接或间接地在另一个层、膜、区域或板上。即,例如,可以存在中间层、膜、区域或板。相反,当层、膜、区域或板被称为与另一元件相关,诸如“直接”在另一层、膜、区域或板“上”时,不存在其它层、膜、区域或板。
将理解,尽管本文可以使用措辞“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些措辞的限制。这些措辞仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,在不背离本文教导的情况下,下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
本文中参考作为理想化实施方式的示意性图示的横截面图示来描述实施方式。这样,由于例如制造技术和/或公差,可以预期图示的形状的变化。因此,本文描述的实施方式不应被解释为限于本文所示的区域的特定形状,而应包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆化的。因此,附图中所示的区域在本质上是示意性的,并且它们的形状不是为了说明区域的精确形状,而不是为了限制所呈权利要求的范围。
为了便于解释,可能放大或缩小附图中的元件的尺寸。换句话说,由于为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度,因此以下实施方式不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以在更宽的意义上解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示不彼此垂直的不同方向。
图1是显示设备1的实施方式的示意性立体图。图2是沿着图1的线I-I’截取的显示设备1的剖视图。
显示设备1是显示运动图像或静止图像的设备。设备的示例可以包括不仅提供便携式电子设备的显示屏(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统和超移动PC(UMPC))还提供电视、膝上型电脑、监视器、广告牌和物联网(IoT)的显示屏的各种设备。
参照图1和图2,显示设备1包括彼此面对的覆盖窗20和显示面板10。
在本说明书中,“在……上方”、“上面”、“顶”和“上表面”表示覆盖窗20相对于显示面板10布置的方向,即方向+z,以及“在……之下”、“在……下方”、“底”和“下表面”表示相对于显示面板10的方向-z。此外,“左”、“右”、“上”和“下”表示当在平面图中拍摄显示面板10时的方向。例如,沿着由彼此交叉的第一方向(例如,沿着方向+y和/或方向y)和第二方向(例如,沿着方向+x和/或方向x)限定的平面,“左”表示方向-x,“右”表示方向x,“上”表示方向y,并且“下”表示方向-y。可以沿着第三方向(例如,方向+z和/或方向z)限定显示设备1的厚度方向。
显示设备1在平面图中可以具有矩形形状。在实施方式中,例如,如图1中所示,显示设备1可以具有矩形的平面形状,该矩形在方向x上(或沿方向x)具有短边,并且在方向y上(或沿方向y)具有长边。在方向x上的短边和在方向y上的长边彼此相交的拐角可以是圆化的,以具有曲率,或者可以是直角的。显示设备1的平面形状不限于矩形,并且可以是另一多边形、圆形或椭圆形。
显示设备1可以包括主显示区域MDA和侧区域SA。显示设备1的各种部件或层可以包括与以上针对显示设备1描述的主显示区域MDA和侧区域SA相对应的主显示区域MDA和侧区域SA。
主显示区域MDA是布置在显示设备1的前部分上的区域,并且可以是没有弯曲的平坦区域。主显示区域MDA可以具有矩形形状,该矩形形状包括在方向x上的短边和在方向y上的长边。然而,本公开不限于此。主显示区域MDA可以具有除矩形形状外的各种多边形形状,并且可以具有其中短边和长边彼此相交的拐角被圆化的多边形形状。
侧区域SA可以包括第一侧区域SA1、第二侧区域SA2、第三侧区域SA3和第四侧区域SA4。侧区域SA可以是平坦的或弯曲的。第一侧区域SA1至第四侧区域SA4中的至少一个可以是显示图像的显示区域。然而,本公开不限于此。第一侧区域SA1至第四侧区域SA4可以是不显示图像的非显示区域。
第一侧区域SA1可以是从主显示区域MDA的第一侧延伸并弯曲成具有沿着显示设备1的厚度方向的曲率的区域。第一侧区域SA1可以从主显示区域MDA的左侧延伸。第一侧区域SA1可以是布置在显示设备1的左侧上的区域(例如,平面区域)。
第二侧区域SA2可以是从主显示区域MDA的第二侧延伸并弯曲成具有曲率的区域。第二侧区域SA2可以从主显示区域MDA的右侧延伸。第二侧区域SA2可以是布置在显示设备1的右侧上的区域。
第三侧区域SA3可以是从主显示区域MDA的第三侧延伸并弯曲成具有曲率的区域。第三侧区域SA3可以从主显示区域MDA的上侧延伸。第三侧区域SA3可以是布置在显示设备1的上侧上的区域。
第四侧区域SA4可以是从主显示区域MDA的第四侧延伸并弯曲成具有曲率的区域。第四侧区域SA4可以从主显示区域MDA的下侧延伸。第四侧区域SA4可以是布置在显示设备1的下侧上的区域。
第一侧区域SA1至第四侧区域SA4可以基于弯曲线BL从主显示区域MDA弯曲。分别在第一侧区域SA1至第四侧区域SA4与主显示区域MDA之间的角度θ可以大于0度(°)。在实施方式中,例如,角度θ可以具有在约30°和约120°之间的值或可以具有在约50°和约100°之间的值。
显示设备1还可以包括一个或多个拐角区域CA,例如,第一拐角区域、第二拐角区域、第三拐角区域和第四拐角区域。拐角区域CA可以是从主显示区域MDA的拐角延伸并弯曲为具有沿着显示设备1的厚度方向的曲率的区域。拐角区域CA可以分别布置在第一侧区域SA1至第四侧区域SA4中的沿着主显示区域MDA彼此相邻的两个侧区域之间。在实施方式中,例如,拐角区域CA可以布置在第一侧区域SA1和第三侧区域SA3之间、第一侧区域SA1和第四侧区域SA4之间、第二侧区域SA2和第四侧区域SA4之间、以及第二侧区域SA2和第三侧区域SA3之间。
显示设备1可以通过使用布置在主显示区域MDA中的多个主像素PXm中的一个或多个主像素PXm和/或布置在侧区域SA中的多个侧像素PXs中的一个或多个侧像素PXs(例如,包括主显示区域MDA和侧区域SA的显示区域)来提供图像。此外,可以通过使用布置在拐角区域CA中的拐角像素来提供图像。然而,本公开不限于此。拐角区域CA可以是不提供图像的非显示区域。同样,侧区域SA可以是不提供图像的非显示区域。
覆盖窗20可以覆盖和保护显示面板10。覆盖窗20可以包括透明材料。覆盖窗20可以包括例如玻璃或塑料。当覆盖窗20包括塑料时,覆盖窗20可以是柔性的。
覆盖窗20的形状对应于显示设备1的形状。在实施方式中,例如,当显示设备1包括侧区域SA和拐角区域CA时,覆盖窗20可以包括与主显示区域MDA相对应的主部分、与侧区域SA相对应的侧部分和与拐角区域CA相对应的拐角部分。覆盖窗20的侧部分和拐角部分可以相对于主部分弯曲,并且在这种情况下,可以具有恒定的曲率或变化的曲率。
显示面板10可以布置在覆盖窗20的下方。覆盖窗20和显示面板10可以通过粘合构件30彼此联接。也就是说,显示面板10可以面对覆盖窗20,且粘合构件30位于显示面板10和覆盖窗20之间。粘合构件30可以是光学透明粘合(OCA)膜或光学透明树脂(OCR)。
在平面图中,覆盖窗20可以大于显示面板10(例如,可以具有更大的平面面积),并且可以具有从显示面板10的侧表面突出的侧表面。覆盖窗20可以从显示面板10的每一侧向外(例如,在远离主显示区域MDA的方向上)突出。因此,当覆盖窗20和显示面板10彼此结合时,覆盖窗20可以覆盖显示面板10的外部。
图3是示意性地示出显示面板10的实施方式的平面图,该显示面板10未折叠并且可以被包括在图1的显示设备1中。
参照图3,构成显示面板10的各种元件布置在基板100上。基板100包括主显示区域MDA、侧区域SA、拐角区域CA和外围区域PA。外围区域PA可以与显示区域相邻。
根据实施方式,显示面板10可以包括多条弯曲线BL,例如,第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4。基于第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4,显示面板10可以具有弯曲成具有弯曲表面或者在竖直方向上(例如,平行于方向+z和/或方向z)弯曲的侧部。主显示区域MDA可以是第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4中的每一个的第一侧(例如,最靠近主显示区域MDA的内侧)处的平坦区域,并且侧区域SA可以是第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4中的每一个的、与所述第一侧相对的第二侧(例如,最靠近侧区域SA的外侧)处的弯曲区域。
图3中所示的未折叠的显示面板10基于第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4将显示面板10的侧部设置为未弯曲的(例如,平坦的)。也就是说,显示面板10可绕第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4弯曲,以设置相对于主显示区域MDA弯曲或弯的侧区域SA和/或拐角区域CA。
在显示面板10的沿着方向x的相对侧部中,第一弯曲线BL1可以在显示面板10的、在方向x上的一侧上并且可以在方向y上延伸,并且第二弯曲线BL2可以在显示面板10的、在方向x上的另一侧上并且可以在方向y上延伸。在显示面板10的沿着方向y的相对侧部中,第三弯曲线BL3可以在显示面板10的、在方向y上的一侧上并且可以在方向x上延伸,并且第四弯曲线BL4可以在显示面板10的在方向y上的另一侧上并且可以在方向x上延伸。第一弯曲线BL1和第二弯曲线BL2可以彼此平行地延伸,并且第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4可以彼此平行地延伸。第一弯曲线BL1和第二弯曲线BL2中的每一个可以与第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4交叉。在实施方式中,例如,第一弯曲线BL1和第二弯曲线BL2中的每一个可以垂直地与第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4交叉(例如,垂直于第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4),但是本公开不限于此。
在未折叠的显示面板10中,第一侧区域SA1可以布置在第一弯曲线BL1的左侧处,并且主显示区域MDA可以布置在第一弯曲线BL1的右侧处。主显示区域MDA可以布置在第二弯曲线BL2的左侧处,并且第二侧区域SA2可以布置在第二弯曲线BL2的右侧处。
在未折叠的显示面板10中,第三侧区域SA3可以布置在第三弯曲线BL3的上侧处,并且主显示区域MDA可以布置在第三弯曲线BL3的下侧处。主显示区域MDA可以布置在第四弯曲线BL4的上侧处,并且第四侧区域SA4可以布置在第四弯曲线BL4的下侧处。
多个主像素PXm可以布置在主显示区域MDA中,并且主图像可以由多个主像素PXm来显示。主像素PXm可以包括多个像素的集合。该多个像素的集合中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
侧区域SA可以布置在主显示区域MDA的上侧、下侧、左侧和右侧处。多个侧像素PXs可以布置在第一侧区域SA1至第四侧区域SA4中的至少一个中,并且侧图像可以由多个侧像素PXs来显示。侧图像可以与主图像一起构成一个完整图像,和/或可以是独立于主图像的图像。
主显示区域MDA可以是平坦的,并且侧区域SA可以从主显示区域MDA弯曲。第一侧区域SA1、第二侧区域SA2、第三侧区域SA3和第四侧区域SA4可以分别沿着第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4相对于主显示区域MDA向下弯曲,以弯曲并限定曲率。
拐角区域CA可以布置在从主显示区域MDA的拐角延伸的区域中。拐角区域CA可以布置在多个侧区域SA中的彼此相邻的两个侧区域之间,并且可以相对于主显示区域MDA向下弯曲,以弯曲并限定曲率。
显示面板10可以具有平坦的前部和平坦的横向侧部,并且然后可以通过沿着第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4弯曲显示面板10的横向侧部以使横向侧部各自具有相应的曲率来结合到覆盖窗20。
外围区域PA可以布置在侧区域SA的外侧。即,在远离主显示区域MDA的方向上依次可以是主显示区域MDA、侧区域SA和外围区域PA。外围区域PA可以从侧区域SA延伸到显示设备1的外边缘,而不限于此。扫描驱动电路SDRV和焊盘部分PDA可以布置在外围区域PA中。
扫描驱动电路SDRV可以提供扫描信号Sn作为用于驱动主像素PXm和侧像素PXs的电信号。扫描驱动电路SDRV可以布置在第二侧区域SA2的右侧处和/或第一侧区域SA1的左侧处,并且可以连接到在方向x上延伸的扫描线SL。
焊盘部分PDA可以布置在第四侧区域SA4的下侧处。焊盘部分PDA不被绝缘层覆盖,而是暴露于显示面板10和/或显示设备1的外部,并且连接到显示电路板FPCB。显示驱动器32可以布置在显示电路板FPCB上。
显示驱动器32可以产生控制信号作为被传输到显示面板10的扫描驱动电路SDRV的电信号。此外,显示驱动器32可以产生作为电信号的数据信号Dm。所产生的数据信号Dm可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL被传输到主像素PXm。数据线DL可以在方向y上延伸以连接到驱动主像素PXm的像素电路。
图4A和图4B是用于驱动主像素PXm的像素电路PC的实施方式的等效电路图。
参考图4A,像素电路PC可以连接到发光元件ED以实现像素的发光。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL,并根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和提供给驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过发光元件ED的电流(驱动电流)。发光元件ED可以发射具有根据驱动电流的亮度的光。
尽管已经参考图4A描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况,但是本公开不限于此。
参考图4B,像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图4B示出了为每个像素电路PC提供的信号线(例如,扫描线SL、前扫描线SL-1、后扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL以及驱动电压线PL,但是本公开不限于此。在实施方式中,信号线(例如,扫描线SL、前扫描线SL-1、后扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL)中的至少一条和/或初始化电压线VL可以由相邻像素电路PC共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件ED。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm,并向发光元件ED提供驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅极连接到扫描线SL,并且开关薄膜晶体管T2的源极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源极,并且还可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn接通,以执行用于将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏极,并且还可以经由发射控制薄膜晶体管T6连接到发光元件ED的像素电极121(参见图6A和图6B)。补偿薄膜晶体管T3的漏极可以连接到存储电容器Cst的一个电极(例如,第一电极)、第一初始化薄膜晶体管T4的源极和驱动薄膜晶体管T1的栅极。补偿薄膜晶体管T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn接通,以通过将驱动薄膜晶体管T1的栅极和漏极彼此连接来二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅极可以连接到前扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源极可以连接到存储电容器Cst的一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏极和驱动薄膜晶体管T1的栅极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过前扫描线SL-1接收的前扫描信号Sn-1接通,以通过向驱动薄膜晶体管T1的栅极传输初始化电压Vint来执行用于初始化驱动薄膜晶体管T1的栅极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏极连接到驱动薄膜晶体管T1的源极和开关薄膜晶体管T2的漏极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏极和补偿薄膜晶体管T3的源极。发射控制薄膜晶体管T6的漏极可以电连接到发光元件ED的像素电极121。随着操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时接通,驱动电压ELVDD被传输到发光元件ED,并且驱动电流流过发光元件ED以发光。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅极可以连接到后扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源极可以连接到发光元件ED的像素电极121。第二初始化薄膜晶体管T7的漏极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过后扫描线SL+1接收的后扫描信号Sn+1而接通,以初始化发光元件ED的像素电极121。
尽管图4B示出了分别连接到前扫描线SL-1和后扫描线SL+1的第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7,但是本公开不限于此。在实施方式中,第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7都可以连接到前扫描线SL-1并根据前扫描信号Sn-1驱动。
存储电容器Cst的另一电极(例如,第二电极)可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅极、补偿薄膜晶体管T3的漏极和第一初始化薄膜晶体管T4的源极。
发光元件ED的相对电极(例如,阴极)接收公共电压ELVSS。发光元件ED从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流并发光。
像素电路PC不限于参考图4A和图4B描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计,并且可以不同地改变所述数量和电路设计。
用于驱动主像素PXm和侧像素PXs的像素电路PC可以彼此相同或者可以彼此不同。在实施方式中,例如,用于驱动主像素PXm和侧像素PXs的像素电路PC可以各自是图4B中所示的像素电路PC。在实施方式中,用于驱动主像素PXm的像素电路PC可以采用图4B中所示的像素电路PC,并且用于驱动侧像素PXs的像素电路PC可以采用图4A中所示的像素电路PC。
图5是示意性地示出显示面板10的平坦的部分的实施方式的剖视图,并且是沿着图3的线II-II’截取的显示面板10的示意性剖视图。
参照图5,显示面板10可以包括基板100、电路层PCL、显示元件层EML、薄膜封装层TFEL、触摸屏层TSP和光学功能层(未示出)。沿着厚度方向从基板100依次可以是电路层PCL、显示元件层EML、薄膜封装层TFEL、触摸屏层TSP和光学功能层,而不限于此。此外,显示面板10可以包括布置在基板100下方的保护膜PF。分隔件200可以布置在基板100和保护膜PF之间。
基板100可以包括绝缘材料,诸如玻璃、石英或聚合树脂。基板100可以是刚性基板或者可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基板。
电路层PCL可以布置在基板100上。电路层PCL包括用于驱动每个像素的像素电路。各种像素电路可以包括多个薄膜晶体管和电容器。不仅可以在电路层PCL内形成(或提供)用于驱动每个像素的像素电路,而且可以在电路层PCL内形成(或提供)扫描线、数据线、电源线、扫描控制线和将焊盘与数据线彼此连接的连接线。
包括作为显示元件的发光元件ED和限定发光元件ED的发射区域的像素限定层118的显示元件层EML可以布置在电路层PCL上。在实施方式中,电路层PCL可以连接到显示元件层EML。
薄膜封装层TFEL可以布置在显示元件层EML上。薄膜封装层TFEL防止(或有效地减少)氧气或湿气渗透到显示元件层EML中。为此,薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层。无机封装层可以包括一种或多种无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)或氧化铪(HfO2)),并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。
此外,薄膜封装层TFEL可以包括至少一个有机封装层。有机封装层可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括硅基树脂、丙烯酰基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺(PI)和聚乙烯。
触摸屏层TSP可以根据外部输入(例如,触摸事件)来获得坐标信息。触摸屏层TSP可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSP可以以自电容方式或互电容方式感测到显示面板10和/或显示设备1的外部输入。
触摸屏层TSP可以作为基础层形成在薄膜封装层TFEL上。或者,触摸屏层TSP可以单独形成在触摸基板上,并且然后例如通过诸如OCA的粘合层联接到薄膜封装层TFEL。在实施方式中,触摸屏层TSP可以直接形成在薄膜封装层TFEL上,并且在这种情况下,可以在触摸屏层TSP和薄膜封装层TFEL之间不布置粘合层。
光学功能层可以包括抗反射层。抗反射层可降低外部朝向显示设备1行进的入射光(例如,外部光)的反射率。在实施方式中,光学功能层可以是偏振膜。在实施方式中,光学功能层可以包括滤光板,滤光板包括黑矩阵和滤色器。
显示面板10可以是包括发光元件ED的发光显示面板。在实施方式中,例如,显示面板10可以是使用有机发光二极管作为发光元件ED的有机发光显示面板、使用微LED作为发光元件ED的微发光二极管(微LED)显示面板、使用量子点和有机发光二极管的量子点有机发光显示面板、或使用无机半导体作为发光元件ED的无机发光显示面板。在下文中,将主要描述显示面板10是有机发光显示面板的情况。
保护膜PF是用于保护基板100的下表面100B的构件,并且可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或PI。
保护膜PF可以通过粘合层ADL附接到基板100的下表面100B。粘合层ADL可以包括压敏粘合剂(PSA)。
在将具有粘合层ADL的保护膜PF附接到基板100的靠近保护膜PF的下表面100B的工艺中,使在基板100的下表面100B和粘合层ADL之间截留的气泡最小化。为了使被截留的气泡最小化,粘合层ADL的表面可以具有崎岖的、细微的不平坦性,使得当保护膜PF的附接从基板100的一侧(例如,基板100的在方向-x上的边缘)开始并继续向方向+x时,可以允许空气通过粘合层ADL的表面中的细微的不平坦性在方向+x上移动。因此,最终附接到基板100的下表面100B的保护膜PF包括被阻止或减少的、在保护膜PF和基板100之间被截留的气泡。粘合层ADL的表面可以通过各种方法来具有崎岖的、细微的不平坦性。在实施方式中,例如,通过使用包括具有崎岖的、细微的不平坦性的模具表面的模具,模具表面可以被压靠在粘合层ADL上,并且因此,粘合层ADL的表面可以具有崎岖的、细微的不平坦性。
分隔件200可以设置成多个,包括多个分隔件200,多个分隔件200布置在基板100和保护膜PF之间,以分别对应于第一弯曲线BL1和第二弯曲线BL2。也就是说,在主显示区域MDA和侧区域SA之间的边界上或主显示区域MDA和侧区域SA之间的边界处,分隔件200可以布置在基板100和保护膜PF之间。分隔件200可以是用于检测可能出现在基板100中的裂纹(例如,裂纹检测器)的配置。
当施加诸如显示面板10的弯曲的外部压力时,可能出现微尺寸裂纹。微尺寸裂纹不会导致显示面板10的故障。然而,当随着显示设备1的使用,微尺寸裂纹发展成大尺寸裂纹时,可能导致显示面板10的故障。微尺寸裂纹主要出现在基板100的最远离电路层PCL、显示元件层EML、薄膜封装层TFEL的下表面100B处,并且可以前进到基板100的内部。显示面板10的基板100和保护膜PF可以包括对于光透明的材料,并且在这种情况下,可能难以聚焦在基板100的下表面100B上,例如用于检查显示设备1。
根据一个或多个实施方式,可以通过引入具有与基板100和保护膜PF不同透光率或光反射率的分隔件200来容易地检测在基板100的下表面100B中可能出现的微尺寸裂纹。
分隔件200可以包括在基板100的下表面100B上并且具有与基板100和保护膜PF的透光率或光反射率不同的透光率或光反射率的材料。分隔件200从基板100的下表面100B在朝向保护膜PF的方向上延伸。分隔件200的最远离基板100的远端可以与保护膜PF间隔开,并且粘合层ADL的一部分可以在分隔件200的远端和保护膜PF之间。在实施方式中,例如,分隔件200可以通过在基板100的下表面100B上进行墨水印刷或者在基板100的下表面100B上涂覆墨水来形成(或提供)。墨水可以是黑色的。或者,分隔件200可以通过施加黑色树脂、石墨粉、黑色喷雾和黑色磁漆中的一种来形成。或者,可通过沉积不透明薄膜并图案化该不透明薄膜来形成分隔件200。
图6A和图6B是示意性地示出显示面板10的一部分的实施方式的剖视图,并且是沿着图3的线III-III’截取的显示面板10的示意性剖视图。
参考图6A,包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的主像素电路PCm以及作为连接到主像素电路PCm的显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置在主显示区域MDA中。包括薄膜晶体管TFT’和存储电容器Cst’的侧像素电路PCs以及作为连接到侧像素电路PCs的显示元件的侧有机发光二极管OLED’可以布置在侧区域SA中。侧像素电路PCs和侧有机发光二极管OLED’的配置分别与主像素电路PCm和主有机发光二极管OLED的配置相似,并且因此,用主像素电路PCm和主有机发光二极管OLED的描述代替侧像素电路PCs和侧有机发光二极管OLED’的描述。
显示面板10的主显示区域MDA和侧区域SA可以基于弯曲线BL以弯曲角度弯曲。图6A示出了例如在被弯曲之前未折叠或平坦的显示面板10。分隔件200可以布置成与弯曲线BL相对应。也就是说,分隔件200可以布置在主显示区域MDA和侧区域SA彼此相遇的区域。分隔件200可以至少部分地与在主显示区域MDA和侧区域SA之间限定的边界重叠。
在下文中,将描述显示面板10的堆叠结构。
基板100可以包括绝缘材料,诸如玻璃、石英或聚合物树脂。基板100可以是刚性基板或者可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基板。在实施方式中,基板100可以具有基板有机层/基板无机层/基板有机层的堆叠结构。
保护膜PF在基板100的下表面100B下方,并且可以通过粘合层ADL附接到基板100的下表面100B。保护膜PF保护基板100的下表面100B,并且可以包括PET或PI。粘合层ADL可以包括PSA。
分隔件200与弯曲线BL相对应地布置,并且可以布置在基板100和保护膜PF之间。分隔件200可以布置在基板100的下表面100B上。在这种情况下,分隔件200可以由施加到或沉积在基板100的下表面100B上的材料或图案提供,并从而可以形成。分隔件200可以通过施加黑色墨水、黑色树脂、石墨粉、黑色喷雾和黑色瓷漆中的一种来形成,或者可以通过沉积不透明薄膜来形成。
缓冲层111在基板100的上表面100U上,并可减少或阻挡来自基板100下方的外来材料、湿气或外部空气的渗透,并在基板100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料,并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于防止外部空气渗透的阻挡层(未示出)可以进一步在基板100和缓冲层111之间。在实施方式中,缓冲层111可包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅极G1、第一源极S1和第一漏极D1。薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。
第一半导体层A1布置在缓冲层111上并且可以包括多晶硅。在实施方式中,第一半导体层A1可以包括非晶硅。在实施方式中,第一半导体层A1可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区和掺杂有杂质的源极区和漏极区。
可设置第一栅极绝缘层112以覆盖第一半导体层A1。第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料,诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。第一栅极绝缘层112可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一栅极G1布置在第一栅极绝缘层112上以与第一半导体层A1重叠。第一栅极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等,并且可以具有单层或多层结构。在实施方式中,例如,第一栅极G1可以是包括钼(Mo)的单层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极G1。第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材料,诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。第二栅极绝缘层113可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst的上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上。存储电容器Cst的上电极CE2可以与上电极CE2下方的第一栅极G1重叠。彼此重叠且其间具有第二栅极绝缘层113的第一栅极G1和上电极CE2可以构成存储电容器Cst。第一栅极G1可以是存储电容器Cst的下电极CE1。侧区域SA中的存储电容器Cst’可具有与存储电容器Cst的结构相同的结构,其中,存储电容器Cst’的下电极CE1’和上电极CE2’可以分别具有与下电极CE1和上电极CE2的配置相同的配置。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu),并且可以具有上述材料的单层或多层结构。
层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnOx)等。层间绝缘层115可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一源极S1和第一漏极D1可以布置在层间绝缘层115上。第一源极S1和第一漏极D1可以包括导电材料,所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等,并且第一源极S1和第一漏极D1可以具有包括上述材料的多层或单层结构。在实施方式中,例如,第一源极S1和第一漏极D1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层116可以布置在第一源极S1和第一漏极D1上。第一有机绝缘层116可以包括诸如光敏PI、PI、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的聚合物、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物等。
或者,第一有机绝缘层116可包括基于硅氧烷的有机材料。基于硅氧烷的有机材料可包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
可以在第一有机绝缘层116上布置连接电极CM和多条布线WL中的一条或多条布线WL,例如驱动电压线或数据信号线,这可以有利于高集成度。
第一有机绝缘层116上的第二有机绝缘层117可以覆盖连接电极CM和布线WL。第二有机绝缘层117可以具有平坦的上表面,使得布置在其上的像素电极121可以是平坦的。第二有机绝缘层117可以包括具有高透光率和平整度的基于硅氧烷的有机材料。基于硅氧烷的有机材料可包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
或者,第二有机绝缘层117可包括诸如光敏PI、PI、BCB、HMDSO、PMMA或PS的聚合物、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物等。
主有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层117上。主有机发光二极管OLED的像素电极121可以通过布置在第一有机绝缘层116上的连接电极CM连接到主像素电路PCm。
像素电极121可以包括导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。像素电极121可包括反射膜,该反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施方式中,例如,像素电极121可以具有在上述反射膜上/下方具有膜并且包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的结构。在这种情况下,像素电极121可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
第二有机绝缘层117上的像素限定层118可以覆盖像素电极121的边缘,并且可以包括或限定第一开口OP1,该第一开口OP1将像素电极121的中心部分暴露于像素限定层118的外部。主有机发光二极管OLED和侧有机发光二极管OLED’的发射区域(例如,发光区域),即,主像素PXm和侧像素PXs的尺寸和形状,由第一开口OP1限定。
像素限定层118可以通过增加像素电极121的边缘和布置在像素电极121上的相对电极123之间的距离来防止电弧等在像素电极121的边缘处发生。像素限定层118可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料,并且可以通过诸如旋涂的方法形成。
与像素电极121对应形成的第一发射层122b布置在像素限定层118的第一开口OP1中。第一发射层122b可以包括聚合物材料或低分子量材料,并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以布置在第一发射层122b上和/或之下。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以布置在第一发射层122b之下。第一功能层122a可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第一功能层122a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。或者,第一功能层122a可包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以一体地形成,以对应于包括在主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED。
第二功能层122c可以布置在第一发射层122b之上。第二功能层122c可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地形成,以对应于包括在主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED。
相对电极123布置在第二功能层122c上。相对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。在实施方式中,例如,相对电极123可以包括(半)透明层,该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。或者,相对电极123还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可以一体地形成,以对应于分别包括在主显示区域MDA和侧区域SA中的主有机发光二极管OLED和侧有机发光二极管OLED’。
在主显示区域MDA中形成的从像素电极121到相对电极123的层可以构成主有机发光二极管OLED。
可以在相对电极123上形成包括有机材料的上层150。上层150可以是用于保护相对电极123并提高外联接效率的层。上层150可以包括具有比相对电极123的折射率更高的折射率的有机材料。或者,具有不同折射率的层可以堆叠在上层150中。在实施方式中,例如,可以在上层150中堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层。在这方面,高折射率层的折射率可以是约1.7或更大,并且低折射率层的折射率可以是约1.3或更小。
上层150可以另外包括氟化锂(LiF)。或者,上层150可另外包括诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。
薄膜封装层TFEL可以布置在上层150上。薄膜封装层TFEL可以减少或有效地防止外部湿气或外来材料渗入主有机发光二极管OLED中。
薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这点上,图6A示出了具有其中依次堆叠第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133的结构的薄膜封装层TFEL。在实施方式中,有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序可以改变。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的一种或多种无机绝缘材料,并且可以通过CVD等形成。有机封装层132可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括硅基树脂、丙烯酰基树脂、环氧基树脂、PI和聚乙烯。第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地形成以覆盖主显示区域MDA。
在图6A中,分隔件200围绕主显示区域MDA和侧区域SA彼此相遇的区域布置或布置在主显示区域MDA和侧区域SA彼此相遇的区域处。因此,分隔件200可以至少部分地与布置在显示区域中的主有机发光二极管OLED和侧有机发光二极管OLED’重叠。也就是说,分隔件200可以至少部分地与布置在主显示区域MDA中的主有机发光二极管OLED和布置在侧区域SA中的侧有机发光二极管OLED’重叠。
尽管已经参考图6A描述了其中侧像素电路PCs和侧有机发光二极管OLED’都布置在侧区域SA中的配置,但是本公开不限于此。
如图6B中所示,可以进行各种修改,例如,布线WL’可以布置在侧区域SA中,而不是布置在侧像素电路PCs和侧有机发光二极管OLED’中。布线WL’可以布置在各个层上,例如,第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和/或第一有机绝缘层116。
图7是示出未折叠的显示面板10的基板100的下表面100B的实施方式的平面图。图8至图11A是图7的区域IV的实施方式的放大平面图。图11B是示出未折叠的显示面板10的基板100的下表面100B的实施方式的平面图。图12是示出未折叠的显示面板10的基板100的下表面100B的一部分的实施方式的平面图。
参照图7至图11A,在基板100的下表面100B上,分隔件200可以沿着弯曲线BL以各种形状布置。
弯曲线BL可以包括第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2、第三弯曲线BL3和第四弯曲线BL4中的一个或多个。图7用于示出显示面板10的基板100的下表面100B,并且可以理解为示出翻转的图3的显示面板10。因此,与图3中所示的不同,第一弯曲线BL1可以布置在右侧,并且第二弯曲线BL2可以布置在左侧。
在基板100的下表面100B中,第一侧区域SA1可以布置在第一弯曲线BL1的右侧,并且主显示区域MDA可以布置在第一弯曲线BL1的左侧。主显示区域MDA可以布置在第二弯曲线BL2的右侧,并且第二侧区域SA2可以布置在第二弯曲线BL2的左侧。
在基板100的下表面100B中,第三侧区域SA3可以布置在第三弯曲线BL3的上侧处,并且主显示区域MDA可以布置在第三弯曲线BL3的下侧处。主显示区域MDA可以布置在第四弯曲线BL4的上侧处,并且第四侧区域SA4可以布置在第四弯曲线BL4的下侧处。
参照图8至图10,分隔件200可以包括多个分隔件200。多个分隔件200可以沿着弯曲线BL布置,并且可以沿着弯曲线BL彼此间隔开。如图8中所示,分隔件200可以具有圆形形状。然而,本公开不限于此。
分隔件200可以具有诸如正方形、矩形或五边形的多边形的形状。分隔件200每个可以是具有平面形状(例如,圆形、正方形、矩形、五边形等)的离散图案。在实施方式中,如图9中所示,分隔件200可以具有矩形形状,在该矩形形状中,在与弯曲线BL交叉的方向x上的侧部比在方向y上的侧部长。
参照图10,在分隔件200中,更靠近弯曲线BL的部分可以具有比更远离弯曲线BL的部分更大的面积。分隔件200的宽度可以被限定为平行于弯曲线BL的长度方向(或延伸方向)。在实施方式中,例如,分隔件200可以具有十字形,并且因此,在更靠近弯曲线BL的中心部分的在方向y上的宽度可以大于在最远离弯曲线BL的边缘部分的在方向y上的宽度。
尽管图8至图10示出了包括多个分隔件200的分隔件200,但是本公开不限于此。如图11A中所示,分隔件200可以连续地沿着弯曲线BL布置成具有宽度。也就是说,分隔件200可以是沿着弯曲线BL连续的单个图案。在这种情况下,如图11B中所示,在基板100的下表面100B上,分隔件200可以形成为与主显示区域MDA的形状相对应的闭合形状,并且沿着主显示区域MDA和侧区域SA彼此相遇的整个边界延伸。
尽管图8至图11B示出了弯曲线BL具有线性形状的情况,但是本公开不限于此。如图12中所示,弯曲线BL可以在一个或多个区域中弯曲。在实施方式中,例如,在基板100的拐角部分处,弯曲线BL可以对应于拐角的形状而弯曲。即使在这种情况下,分隔件200也可以沿着弯曲线BL布置。
图13是示意性地示出未折叠的显示面板10的一部分的实施方式的剖视图。在图13中,与图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件,并且因此,省略了对这些元件的冗余描述。
参照图13,显示面板10可以包括基板100以及布置在基板100上的电路层PCL、显示元件层EML、薄膜封装层TFEL、触摸屏层TSP和光学功能层。此外,显示面板10可以包括布置在基板100下方的保护膜PF。显示面板10的一部分可以在弯曲线BL处弯曲。在这点上,对应于弯曲线BL的分隔件200可以布置在基板100和保护膜PF之间。
尽管图5示出了形成在基板100的下表面100B上以远离下表面100B延伸的分隔件200,但是本公开不限于此。参照图13,分隔件200可以形成在保护膜PF的保护膜上表面上,以朝向下表面100B延伸,并且然后通过粘合层ADL附接到基板100的下表面100B。分隔件200的最远离保护膜PF的远端可以与基板100间隔开,并且粘合层ADL的一部分可以在分隔件200的远端和基板100之间。粘合层ADL可以是超薄的,并且因此,分隔件200的最靠近基板100的分隔件上表面可以与基板100的下表面100B接触。在实施方式中,分隔件200可以形成在粘合层ADL的粘合层上表面上,并且然后进而与基板100的下表面100B接触。
图14是示意性地示出未折叠的显示面板10的一部分的实施方式的剖视图。在图14中,与图5中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件,并且因此,省略了对这些元件的冗余描述。
参照图14,显示面板10可以包括基板100以及布置在基板100上的电路层PCL、显示元件层EML、薄膜封装层TFEL、触摸屏层TSP和光学功能层。此外,显示面板10可以包括布置在基板100下方的保护膜PF。显示面板10的一部分可以在弯曲线BL处弯曲。在这点上,对应于弯曲线BL的分隔件200可以布置在基板100和保护膜PF之间。
基板100可包括其中堆叠第一树脂层101、第一阻挡层102、第二树脂层103和第二阻挡层104的结构。
第一树脂层101和第二树脂层103可以包括聚合物树脂,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、PET、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、PI、PC或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
为了减少或有效地防止湿气或氧气的渗透,第一阻挡层102可以布置在第一树脂层101和第二树脂层103之间。此外,第二阻挡层104可以布置在第二树脂层103和缓冲层111(参见图6A和图6B)之间。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括无机材料,诸如金属氧化物、氮化硅或氧化硅。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括单层或者多层的堆叠。
在实施方式中,在第一树脂层101和第一阻挡层102之间还可以布置辅助分隔件210,以对应于多个分隔件200分别对应的第一弯曲线BL1和第二弯曲线BL2。辅助分隔件210可以在第一阻挡层102的阻挡下表面或第一树脂层101的第一树脂层上表面上。辅助分隔件210可以具有与基板100和保护膜PF不同的透光率或光反射率。辅助分隔件210可以具有与分隔件200不同的透光率和光反射率。辅助分隔件210可以通过施加墨水或沉积并图案化薄膜来形成。
辅助分隔件210的布置可以有助于检测可能在基板100中出现的裂纹。当布置辅助分隔件210(例如,第二分隔件层内的第二分隔件)时,分隔件200(例如,第一分隔件层内的第一分隔件)的透光率可以小于保护膜PF的透光率,并且可以大于辅助分隔件210的透光率。第一分隔件和第二分隔件可以处于面对基板100的层中的彼此不同的层中。第一分隔件和第二分隔件可对应于弯曲线BL中的相同弯曲线。当在同一层中时,元件可以是相同材料层的相应图案,而不限于此。
图15是检测显示设备1中的裂纹的方法的实施方式的流程图。图16A和图16B是在检测裂纹的方法中的工艺的实施方式的示意图。
参照图15和图16A,(在操作S100中)首先在显示面板10的基板100和保护膜PF之间形成分隔件200,以检测显示设备1中的裂纹。也就是说,制备包括基板100和保护膜PF之间的分隔件200的显示面板10。当显示面板10绕弯曲线BL弯曲时,分隔件200可以布置在基板100和保护膜PF之间以对应于弯曲线BL。分隔件200可以与基板100的最靠近保护膜PF的下表面100B接触。分隔件200可以包括在基板100的下表面100B上并且具有与基板100和保护膜PF的透光率或光反射率不同的透光率或光反射率的材料。
参照图15和图16A,(在操作S200中)通过将检测器DT光学聚焦在保护膜PF的保护膜下表面上来检查保护膜PF的最远离基板100的保护膜下表面。检测器DT可以是使用诸如显微镜的光学器件的检测器。仅通过保护膜PF的保护膜下表面中产生的裂纹可能难以确定该裂纹是真正的裂纹还是假的裂纹。
参考图15和图16B,(在操作S300中)通过光学聚焦在布置在保护膜PF和基板100之间的分隔件200(例如,检查位置目标)上来检查基板100的下表面100B。分隔件200与基板100的下表面100B接触,并且因此,聚焦在分隔件200上可以聚焦在基板100的下表面100B上。也就是说,在分隔件200上的聚焦对应于在基板100的下表面100B上的聚焦。在实施方式中,检查显示设备1的方法可以包括:提供包括在基板100和保护膜PF之间的分隔件200的显示设备1,基板100包括最靠近保护膜PF的下表面100B并且保护膜PF包括最远离基板100的保护膜下表面;通过将检测器DT光学聚焦在保护膜PF的保护膜下表面的、与分隔件200(例如,检查位置目标)对应的位置处来提供对保护膜PF的保护膜下表面的检查;以及在提供对保护膜PF的保护膜下表面的检查之后,通过将检测器DT光学聚焦在分隔件200上来提供对基板100的下表面100B的检查。
作为检查位置目标的分隔件200包括具有与基板100和保护膜PF的透光率或光反射率不同的透光率或光反射率的材料,并且因此,聚焦在分隔件200上可以更容易。此外,作为检查位置目标的分隔件200与具有高破裂概率的区域重叠,即,布置弯曲线BL的部分。因此,可以通过检查布置分隔件200的区域来提高检查效率。当在基板100的下表面100B中未观察到裂纹时,在保护膜PF的保护膜下表面中观察到的裂纹可以被确定为假的裂纹。当在基板100的下表面100B中观察到裂纹时,在保护膜PF的保护膜下表面中观察到的裂纹可以被确定为真正的裂纹。
图17A和图17B是通过检查包括分隔件200的显示设备1的实施方式获得的照片。图17A和图17B示出了发生真正的裂纹的情况。
图17A是通过检查保护膜PF的保护膜下表面获得的照片。参照图17A,在保护膜PF的保护膜下表面上检测到白色痕迹,并且白色痕迹可以被确定为裂纹。然而,仅基于保护膜PF的保护膜下表面上的白色痕迹,不清楚裂纹是真正的裂纹还是假的裂纹。因此,可进一步检查基板100的下表面100B。
图17B是通过检查基板100的下表面100B获得的照片。参照图17B,在保护膜PF的保护膜下表面上可见的白色痕迹被更清楚地检测到。在这种情况下,白色痕迹可以被确定为真正的裂纹。
图18A和图18B是通过检查包括分隔件200的显示设备1的实施方式获得的照片。图18A和图18B示出了出现假的裂纹的情况。
图18A是通过检查保护膜PF的保护膜下表面获得的照片。参照图18A,在保护膜PF的保护膜下表面上检测到短的白色痕迹,并且白色痕迹可以被确定为裂纹。然而,仅基于保护膜PF的保护膜下表面上的白色痕迹,不清楚裂纹是真正的裂纹还是假的裂纹。
图18B是通过检查基板100的下表面100B获得的照片。参照图18B,在保护膜PF的保护膜下表面上没有检测到白色痕迹。在这种情况下,出现在保护膜PF的保护膜下表面上的白色痕迹是假的裂纹,并且基板100的下表面100B可以被确定为没有裂纹。
如上所述,在检查显示设备1的方法的实施方式中,可以通过使用分隔件200的一个或多个实施方式来精确地确定基板100的下表面100B是否具有裂纹,并且因此可以提高检查效率。
如上所述,显示设备1的一个或多个实施方式可以使用在基板100和保护膜PF之间的分隔件200,从而有效地对显示设备1进行裂纹检查。
然而,一个或多个实施方式的效果不限于此。
应该理解,本文描述的实施方式应该仅以描述性的含义考虑,而不是为了限制的目的。在每一实施方式内的特征的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式,但是本领域的普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (26)
1.一种显示设备,包括:
基板,能够绕弯曲线弯曲;
显示元件层,面对所述基板;
保护膜,面对所述显示元件层,并且所述基板在所述保护膜和所述显示元件层之间;以及
分隔件,在所述基板与所述保护膜之间且与所述弯曲线相对应。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述基板包括最靠近所述保护膜的下表面,以及
所述分隔件从所述基板的所述下表面并且朝向所述保护膜延伸。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述保护膜包括最靠近所述基板的上表面,以及
所述分隔件从所述保护膜的所述上表面并且朝向所述基板延伸。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述显示元件层包括显示图像的显示元件,以及
所述基板包括:
主显示区域,以及
侧区域,能够以相对于所述主显示区域的角度绕所述弯曲线弯曲。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述侧区域能够相对于所述主显示区域弯曲的所述角度为50度至100度。
6.根据权利要求1所述的显示设备,还包括连接到所述显示元件层的电路层,所述电路层包括布线,
其中,所述基板包括:
主显示区域,以及
侧区域,能够相对于所述主显示区域绕所述弯曲线弯曲,以及
其中,所述侧区域包括所述电路层的所述布线。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述分隔件设置为多个,包括沿着所述弯曲线彼此间隔开的多个分隔件。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述多个分隔件中的每一个具有圆形形状或多边形形状。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述分隔件是沿着所述弯曲线连续的单个图案。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,与所述分隔件相对应的所述弯曲线是弯曲的。
11.根据权利要求1所述的显示设备,还包括与所述弯曲线和所述分隔件相对应的辅助分隔件,
其中,
所述基板从所述保护膜依次包括第一树脂层、第一阻挡层、第二树脂层和第二阻挡层,以及
所述辅助分隔件在所述第一树脂层和所述第一阻挡层之间。
12.根据权利要求1所述的显示设备,其中,
所述基板、所述保护膜和所述分隔件中的每一个包括具有透光率和光反射率的材料,以及
所述分隔件的所述透光率和所述光反射率与所述基板和所述保护膜中的每一个的所述透光率和所述光反射率不同。
13.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述基板和所述保护膜之间并与所述弯曲线对应的所述分隔件包括黑色墨水。
14.一种显示设备,包括:
基板,包括:
显示区域,包括显示图像的显示元件,以及
外围区域,与所述显示区域相邻;
显示元件层,面对所述基板并且包括所述显示元件;
保护膜,面对所述显示元件层,并且所述基板在所述保护膜和所述显示元件层之间;以及
分隔件,在所述基板和所述保护膜之间并且在所述显示区域中。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,
所述基板的所述显示区域包括:
主显示区域,
侧区域,能够相对于所述主显示区域弯曲,以及
边界,在所述主显示区域和所述侧区域之间,以及
在所述基板与所述保护膜之间且在所述显示区域中的所述分隔件与所述主显示区域与所述侧区域之间的所述边界对应。
16.根据权利要求14所述的显示设备,其中,
所述显示区域包括:
主显示区域,
侧区域,能够相对于所述主显示区域弯曲并且在所述主显示区域和所述外围区域之间,以及
边界,所述主显示区域和所述侧区域在所述边界处彼此相遇,以及
在所述基板和所述保护膜之间并且在所述显示区域中的所述分隔件沿着其中所述主显示区域和所述侧区域彼此相交的整个所述边界延伸。
17.根据权利要求16所述的显示设备,其中,
所述主显示区域具有平面形状,以及
所述分隔件具有与所述主显示区域的所述平面形状相对应的闭合形状。
18.根据权利要求16所述的显示设备,其中,所述分隔件与所述显示元件相对应。
19.根据权利要求14所述的显示设备,其中,
所述基板、所述保护膜和所述分隔件中的每一个包括具有透光率和光反射率的材料,以及
所述分隔件的所述透光率和所述光反射率与所述基板和所述保护膜中的每一个的所述透光率和所述光反射率不同。
20.一种检查显示设备的方法,所述方法包括:
提供所述显示设备,所述显示设备包括在基板和保护膜之间的分隔件,所述基板包括最靠近所述保护膜的下表面,并且所述保护膜包括最远离所述基板的下表面;
通过将检测器光学聚焦在所述保护膜的所述下表面的与所述分隔件相对应的位置处来提供对所述保护膜的所述下表面的检查;以及
在提供对所述保护膜的所述下表面的所述检查之后,通过将所述检测器光学聚焦在所述分隔件上来提供对所述基板的所述下表面的检查。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述显示设备能够绕弯曲线弯曲。
22.根据权利要求21所述的方法,其中,与所述保护膜的所述下表面的所述位置相对应的所述分隔件与所述弯曲线相对应。
23.根据权利要求22所述的方法,其中,
所述分隔件设置为多个,包括多个分隔件,以及
所述多个分隔件沿着所述弯曲线彼此间隔开。
24.根据权利要求20所述的方法,其中,所述显示设备还包括显示图像的显示元件。
25.根据权利要求20所述的方法,其中,
所述基板、所述保护膜和所述分隔件中的每一个包括具有透光率和光反射率的材料,以及
所述分隔件的所述透光率和所述光反射率与所述基板和所述保护膜中的每一个的所述透光率和所述光反射率不同。
26.根据权利要求20所述的方法,其中,与所述保护膜的所述下表面的所述位置相对应的所述分隔件包括黑色墨水。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0074976 | 2021-06-09 | ||
KR1020210074976A KR20220166403A (ko) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115458560A true CN115458560A (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=84022224
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210643317.1A Pending CN115458560A (zh) | 2021-06-09 | 2022-06-08 | 显示设备及检查显示设备的方法 |
CN202221420217.4U Active CN217847960U (zh) | 2021-06-09 | 2022-06-08 | 显示设备 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202221420217.4U Active CN217847960U (zh) | 2021-06-09 | 2022-06-08 | 显示设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220399519A1 (zh) |
JP (1) | JP2024521376A (zh) |
KR (1) | KR20220166403A (zh) |
CN (2) | CN115458560A (zh) |
WO (1) | WO2022260396A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102602641B1 (ko) * | 2023-02-15 | 2023-11-16 | (주)아인테크놀러지 | 기판 크랙 검사장치 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846811B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2008-07-17 | 엘지전자 주식회사 | 평판디스플레이 결함 검사 방법 및 장치 |
KR101965260B1 (ko) * | 2012-10-09 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치용 어레이 기판 |
KR102018733B1 (ko) * | 2013-06-13 | 2019-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
CN109142447B (zh) * | 2018-08-30 | 2021-04-16 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其裂纹检测方法、显示装置 |
KR102232290B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2021-03-25 | 주식회사 포휴 | 비전 검사 장치를 구비한 플렉서블 디스플레이 폴딩장치 |
-
2021
- 2021-06-09 KR KR1020210074976A patent/KR20220166403A/ko active Search and Examination
- 2021-12-29 US US17/564,854 patent/US20220399519A1/en active Pending
-
2022
- 2022-06-07 JP JP2023574736A patent/JP2024521376A/ja active Pending
- 2022-06-07 WO PCT/KR2022/008007 patent/WO2022260396A1/ko active Application Filing
- 2022-06-08 CN CN202210643317.1A patent/CN115458560A/zh active Pending
- 2022-06-08 CN CN202221420217.4U patent/CN217847960U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024521376A (ja) | 2024-05-31 |
US20220399519A1 (en) | 2022-12-15 |
CN217847960U (zh) | 2022-11-18 |
KR20220166403A (ko) | 2022-12-19 |
WO2022260396A1 (ko) | 2022-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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