CN115440768A - 显示设备和制造显示设备的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括排列在第一显示区域中的第一发光装置、电连接到第一发光装置的第一像素电路、排列在第二显示区域中第二发光装置、排列在外围区域中并且电连接到第二发光装置的第二像素电路、排列在第二发光装置与第二像素电路之间的有机绝缘层、将第二发光装置和第二像素电路彼此电连接并且其至少一部分排列在第二显示区域中的连接线以及排列在第二显示区域中以在平面图中与连接线重叠的相位补偿层，其中，相位补偿层的折射率低于有机绝缘层的折射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求于2021年6月4日提交到韩国知识产权局的第10-2021-0072972号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备和制造显示设备的方法，并且更具体地，涉及其中显示区域被扩展以使得即使在排列有电子部件的区域中也可显示图像的显示设备以及制造显示设备的方法。
背景技术
显示设备可以可视化地显示数据。近来，显示设备已被用于各种用途。随着显示设备变得更薄且更轻，它们的使用范围已扩大。
作为用于扩展由显示区域占据的面积并且同时添加各种功能的方法，对用于在显示区域内添加除了图像显示功能以外的功能的显示设备已进行了研究。
发明内容
一个或多个实施方式包括显示设备和制造显示设备的方法，该显示设备能够即使在排列有电子部件的区域中也显示图像并且防止电子部件的性能劣化。然而，这些问题仅是实例，并且本公开的范围不限于此。
额外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践所呈现的本公开的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式，一种包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域和围绕第一显示区域和第二显示区域的外围区域的显示设备，包括排列在第一显示区域中的第一发光装置、电连接到第一发光装置的第一像素电路、排列在第二显示区域中的第二发光装置、排列在外围区域中并且电连接到第二发光装置的第二像素电路、排列在第二发光装置与第二像素电路之间的有机绝缘层、将第二发光装置和第二像素电路彼此电连接并且至少部分地排列在第二显示区域中的连接线以及排列在第二显示区域中以在平面图中与连接线重叠的相位补偿层，其中，相位补偿层的折射率低于有机绝缘层的折射率。
根据本实施方式，相位补偿层可布置在连接线下方。
根据本实施方式，相位补偿层可布置在连接线上方。
根据本实施方式，相位补偿层可包括布置在连接线下方的下相位补偿层和布置在连接线上方的上相位补偿层。
根据本实施方式，连接线可包括隔着有机绝缘层排列在不同层的第一连接线和第二连接线，并且相位补偿层可包括与第一连接线重叠的第一相位补偿层和与第二连接线重叠的第二相位补偿层。
根据本实施方式，显示设备还可包括覆盖连接线和相位补偿层的无机绝缘层。
根据本实施方式，显示设备还可包括排列在连接线与相位补偿层之间的无机绝缘层。
根据本实施方式，连接线的折射率可高于有机绝缘层的折射率。
根据本实施方式，连接线可包括透明导电氧化物。
根据本实施方式，有机绝缘层可包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷基有机材料。
根据本实施方式，相位补偿层可包括无机绝缘材料。
根据本实施方式，相位补偿层可包括氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)和碳氮化硅(SiCN)中的至少一种。
根据本实施方式，相位补偿层的厚度可被设置使得穿过第二显示区域的其中排列有连接线的区域的光和穿过第二显示区域的其中未排列连接线的区域的光可具有相同的相位。
根据一个或多个实施方式，一种包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域和围绕第一显示区域和第二显示区域的外围区域的显示设备，包括排列在第一显示区域中的第一发光装置、电连接到第一发光装置的第一像素电路、排列在第二显示区域中的第二发光装置、排列在外围区域中并且电连接到第二发光装置的第二像素电路、排列在第二发光装置与第二像素电路之间的有机绝缘层、将第二发光装置和第二像素电路彼此电连接并且至少部分地排列在第二显示区域中的连接线以及排列在第二显示区域中以在平面图中不与连接线的中心部分重叠的相位补偿层，其中，相位补偿层的折射率高于有机绝缘层的折射率。
根据本实施方式，相位补偿层可与连接线排列在相同的层。
根据本实施方式，相位补偿层可与连接线排列在不同的层。
根据本实施方式，连接线的折射率可高于有机绝缘层的折射率。
根据本实施方式，连接线可包括透明导电氧化物。
根据本实施方式，有机绝缘层可包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷基有机材料。
根据本实施方式，相位补偿层可包括无机绝缘材料。
根据本实施方式，相位补偿层可包括氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
根据本实施方式，相位补偿层的厚度可被设置使得穿过第二显示区域的其中排列有连接线的区域的光和穿过第二显示区域的其中未排列连接线的区域的光可具有相同的相位。
根据一个或多个实施方式，一种制造包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域以及围绕第一显示区域和第二显示区域的外围区域的显示设备的方法，包括形成至少部分地排列在第二显示区域中的相位补偿层-材料层，形成至少部分地排列在第二显示区域中的连接线-材料层，在连接线-材料层上方形成光致抗蚀剂图案层，通过使用光致抗蚀剂图案层作为掩模对连接线-材料层进行图案化来形成连接线，以及通过使用光致抗蚀剂图案层或连接线作为掩模对相位补偿层-材料层进行图案化来形成相位补偿层。
根据一个或多个实施方式，一种显示设备包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域、布置在第一显示区域与第二显示区域之间的中间区域以及围绕第一显示区域的外围区域。显示设备可包括排列在第一显示区域中的第一发光装置、电连接到第一发光装置的第一像素电路、排列在第二显示区域中的第二发光装置、排列在中间区域中并且电连接到第二发光装置的第二像素电路、排列在第二发光装置与第二像素电路之间的有机绝缘层、将第二发光装置和第二像素电路彼此电连接并且至少部分地排列在第二显示区域中的连接线以及排列在第二显示区域中以在平面图中与连接线重叠的相位补偿层。相位补偿层的折射率可低于有机绝缘层的折射率。
通过下面的详细描述、所附权利要求书和附图，除了以上描述的那些内容以外的其它方面、特征和优点将变得显而易见。
这些一般和特定的方面可通过使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任何组合来实现。
附图说明
通过结合附图而作出的以下描述，本公开的某些实施方式的以上和其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施方式的电子设备的透视图；
图2是示意性地示出根据实施方式的电子设备的一部分的剖视图；
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E和图3F是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的平面图；
图4是示意性地示出根据实施方式的显示设备的部分区域的平面布局图；
图5是示意性地示出图4的显示设备的一部分的剖视图；
图6是示意性地示出图4的显示设备的一部分的剖视图；
图7是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图8是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图9是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图10是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图11和图12是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图13是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图14是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图15和图16是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图；
图17A、图17B、图17C、图17D和图17E是示意性地示出根据实施方式的制造显示设备的工艺的剖视图；以及
图18A、图18B、图18C、图18D、图18E和图18F是示意性地示出根据其它实施方式的制造显示设备的工艺的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施方式，实施方式的实例被示出在附图中，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照图仅对实施方式进行描述以解释本描述的各方面。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变体。
本公开可包括各种实施方式和修改，并且在附图中示出并且将在本文中详细描述本公开的某些实施方式。通过在下面参照附图而详细描述的实施方式，本公开的效果和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，本公开不限于下面描述的实施方式，并且可以各种方式实施。
在下文中，将参照附图对实施方式进行详细描述，并且在下面的描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简洁起见，将省略其冗余描述。
将理解，尽管诸如“第一”和“第二”的措辞可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些措辞的限制，并且这些措辞仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
此外，将理解，本文中使用的措辞“包括(comprise)”、“包括(include)”和“具有(have)”指明了所陈述的特征或元件的存在，但不排除一个或多个其它特征或元件的存在或添加。
将理解，当层、区或元件被称为在另一层、区或元件“上”时，其可“直接地在”另一层、区或元件上，或者可隔着一个或多个居间层、区或元件“间接地在”另一层、区或元件“上”。
为了描述的便利，附图中的元件的尺寸可被夸大。换言之，由于为了描述的便利而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
当某个实施方式可被不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可大致同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如本文中所使用的，“A和/或B”表示A、B、或A和B的情况。另外，“A和B中的至少一个”表示A、B、或A和B的情况。
将理解，当层、区或部件被称为“连接到”另一层、区或部件时，其可“直接地连接到”另一层、区或部件，和/或可隔着一个或多个居间层、区或部件“间接地连接到”另一层、区或部件。例如，将理解，当层、区或部件被称为“电连接到”另一层、区或部件时，其可“直接地电连接到”另一层、区或部件，和/或可隔着一个或多个居间层、区或部件“间接地电连接”到另一层、区或部件。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，z轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据实施方式的电子设备的透视图。
参照图1，电子设备1可包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域PA。显示区域DA可包括第一显示区域DA1和与第一显示区域DA1相邻的第二显示区域DA2。电子设备1可通过二维地排列在显示区域DA中的多个像素PX的阵列来显示图像。例如，电子设备1可通过使用从排列在第一显示区域DA1中的多个第一像素PX1发射的光来提供第一图像，并且可通过使用从排列在第二显示区域DA2中的多个第二像素PX2发射的光来提供第二图像。在一些实施方式中，第一图像和第二图像中的每一个可为通过电子设备1的显示区域DA提供的图像的一部分。替代性地，在一些实施方式中，第一图像和第二图像可作为彼此独立的图像提供。
作为实例，图1示出了一个第二显示区域DA2位于第一显示区域DA1中。在其它实施方式中，电子设备1可包括两个或更多个第二显示区域DA2，并且第二显示区域DA2的形状和尺寸可彼此不同。在与电子设备1的上表面大致垂直的方向上观察时，第二显示区域DA2可具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状(诸如四边形形状、星形形状或菱形形状)。在实施方式中，第二显示区域DA2与显示区域DA的比率可小于第一显示区域DA1与显示区域DA的比率。
尽管图1示出了在与电子设备1的上表面大致垂直的方向上观察时，第二显示区域DA2排列在具有大致矩形形状的第一显示区域DA1的上部中心(+y方向)处，但是第二显示区域DA2可排列在例如具有矩形形状的第一显示区域DA1的右上侧或左上侧处。另外，作为实例，如图1中所示，第二显示区域DA2可排列在第一显示区域DA1内部，并且可被第一显示区域DA1完全围绕。作为另一实例，第二显示区域DA2可排列在第一显示区域DA1的一侧处，并且可被第一显示区域DA1部分围绕。例如，第二显示区域DA2可在位于第一显示区域DA1的拐角部分处的同时被第一显示区域DA1部分围绕。
在第二显示区域DA2中可排列有电子部件40(参见图2)。电子部件40可排列在显示设备10(参见图2)下方，以对应于第二显示区域DA2。
电子部件40可包括使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可包括用于测量距离的传感器(例如，接近传感器)、用于识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)的传感器、用于输出光的小灯或用于捕获图像的图像传感器(例如，相机)。在使用光的电子元件的情况下，电子元件可使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。使用声音的电子元件可使用超声或其它频带的声音。
为了允许电子部件40顺利地运作，第二显示区域DA2可包括透射区域TA，透射区域TA可将从电子部件40输出的光和/或声音透射到外部，或者可透射从外部朝向电子部件40传播的光和/或声音。透射区域TA可为光可透过的区域，并且可为其中没有排列像素PX的区域或者其中像素密度低于第一显示区域DA1的像素密度的区域。在根据实施方式的电子设备1的情况下，当光透过包括透射区域TA的第二显示区域DA2时，其透光率可为约10％或更多，例如，约25％或更多、约40％或更多、约50％或更多、约85％或更多或者约90％或更多。
因为第二显示区域DA2包括透射区域TA，因此排列在第一显示区域DA1中的多个第一像素PX1的阵列和排列在第二显示区域DA2中的多个第二像素PX2的阵列可彼此不同。例如，透射区域TA可排列在多个第二像素PX2之中的相邻的第二像素PX2之间。在这种情况下，第二显示区域DA2可比第一显示区域DA1具有更低的分辨率。也就是说，因为第二显示区域DA2包括透射区域TA，因此在第二显示区域DA2中每单位面积可排列的第二像素PX2的数量可小于在第一显示区域DA1中每单位面积排列的第一像素PX1的数量。例如，第二显示区域DA2的分辨率可为第一显示区域DA1的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，第一显示区域DA1的分辨率可为约400ppi或更高，并且第二显示区域DA2的分辨率可为约200ppi或约100ppi。
外围区域PA可为不显示图像的非显示区域，并且可完全或部分地围绕显示区域DA。例如，外围区域PA可完全或部分地围绕第一显示区域DA1和/或第二显示区域DA2。在外围区域PA中可排列有用于将电信号或电力提供到显示区域DA的驱动器等。外围区域PA可包括作为可电连接有电子装置、印刷电路板等的区域的焊盘区域。
此外，为了描述的便利，下面将对在智能电话中使用电子设备1的情况进行描述；然而，本公开的电子设备1不限于此。电子设备1可应用于诸如电视机、笔记本计算机、监视器、广告板和物联网(IoT)装置的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和超移动PC(UMPC)的便携式电子设备。此外，根据实施方式的电子设备1可应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外，根据实施方式的电子设备1可应用于位于车辆的仪表面板或车辆的中央仪表板或仪表盘处的中央信息显示器(CID)、取代车辆的侧面后视镜的车内后视镜显示器或者位于车辆的前排座椅的背面处的作为车辆的后排座椅的娱乐的显示屏幕。
在下文中，显示设备10将被描述为包括有机发光二极管OLED(参见图5)作为发光装置；然而，本公开的显示设备10不限于此。在其它实施方式中，显示设备10可包括包含有无机发光二极管的发光显示设备，即，无机发光显示设备。在其它实施方式中，显示设备10可包括量子点发光显示设备。
图2是示意性地示出根据实施方式的电子设备的一部分的剖视图。
参照图2，电子设备1可包括显示设备10和排列成与显示设备10重叠的电子部件40。在显示设备10上方还可排列有用于保护显示设备10的覆盖窗(未示出)。
显示设备10可包括显示第一图像的第一显示区域DA1和显示第二图像并且与电子部件40重叠的第二显示区域DA2。显示设备10可包括衬底100、位于衬底100之上的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和排列在衬底100下方的面板保护层PB。
显示层DISL可包括包含有像素电路PC的像素电路层PCL、包括发光装置LE的发光装置层和封装层ENCM。例如，封装层ENCM可为薄膜封装层TFEL或封装衬底(未示出)。绝缘层IL和IL'可分别排列在显示层DISL中和衬底100与显示层DISL之间。
衬底100可包括绝缘材料，诸如玻璃、石英或聚合物树脂。衬底100可包括刚性衬底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。
在显示设备10的第一显示区域DA1中可排列有多个第一像素电路PC1和分别电连接到多个第一像素电路PC1的多个第一发光装置LE1。第一像素电路PC1可包括至少一个薄膜晶体管TFT，并且可控制第一发光装置LE1的光发射。第一发光装置LE1可通过发射区域发射光，并且第一像素PX1可包括发射区域。也就是说，第一像素PX1可通过第一发光装置LE1和连接到第一发光装置LE1的第一像素电路PC1来实现。
在显示设备10的第二显示区域DA2中可排列有多个第二发光装置LE2。根据实施方式，控制第二发光装置LE2的光发射的第二像素电路PC2可不排列在第二显示区域DA2中，而是可排列在外围区域PA中。在各种其它实施方式中，第二像素电路PC2可排列在第一显示区域DA1的一部分中，或者可排列在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。
第二像素电路PC2可包括至少一个薄膜晶体管TFT'，并且可通过连接线CWL电连接到第二发光装置LE2。例如，连接线CWL可包括透明导电材料。第二像素电路PC2可控制第二发光装置LE2的光发射。第二发光装置LE2可通过发射区域发射光，并且第二像素PX2可包括发射区域。也就是说，第二像素PX2可通过第二发光装置LE2和连接到第二发光装置LE2的第二像素电路PC2来实现。
此外，第二显示区域DA2中的其中未排列有第二发光装置LE2的区域可包括透射区域TA。透射区域TA可为从与第二显示区域DA2对应地排列的电子部件40输出或向电子部件40输入的光/信号透过的区域。
将第二像素电路PC2电连接到第二发光装置LE2的连接线CWL可排列在透射区域TA中。因为连接线CWL可包括具有高透射率的透明导电材料，因此即使当连接线CWL排列在透射区域TA中时，也可防止透射区域TA的透射率的劣化。
此外，在实施方式中，因为第二像素电路PC2没有排列在第二显示区域DA2中，因此可充分确保透射区域TA的面积，并且因此可进一步改善第二显示区域DA2的透光率。
发光装置LE可由薄膜封装层TFEL或由封装衬底(未示出)覆盖。在一些实施方式中，如图2中所示，薄膜封装层TFEL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，薄膜封装层TFEL可包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及介于两者之间的有机封装层132。
当发光装置LE被封装衬底(未示出)封装时，封装衬底可排列成隔着发光装置LE面对衬底100。在封装衬底与发光装置层LEL(参见图5)之间可形成有间隙。封装衬底可包括玻璃。在衬底100与封装衬底之间可排列有包括玻璃料等的密封剂，并且密封剂可排列在上述外围区域PA中。排列在外围区域PA中的密封剂可围绕显示区域DA以防止湿气通过其侧表面渗透。
触摸屏层TSL可配置为根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可通过使用自电容法或互电容法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可形成在薄膜封装层TFEL上方。替代性地，触摸屏层TSL可单独地形成在触摸衬底(未示出)上方，并且然后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层联接到薄膜封装层TFEL上。在实施方式中，触摸屏层TSL可直接形成在薄膜封装层TFEL上方，并且在这种情况下，在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间可不布置粘合剂层。
光学功能层OFL可包括抗反射层(未示出)。抗反射层可配置为减少从外部朝向电子设备1入射的光(外部光)的反射率。
在一些实施方式中，光学功能层OFL可包括偏振膜。在实施方式中，光学功能层OFL可包括对应于透射区域TA的开口OFL_OP。在其它实施方式中，光学功能层OFL的开口OFL_OP可完全对应于第二显示区域DA2。相应地，可显著改善透射区域TA的透光率。开口OFL_OP可填充有诸如光学透明树脂的透明材料。
在一些实施方式中，光学功能层OFL可被设置作为包括黑色矩阵和滤色器的滤光板。
面板保护层PB可附接在衬底100下方以支承和保护衬底100。面板保护层PB可包括与第二显示区域DA2对应的开口PB_OP。由于面板保护层PB包括开口PB_OP，因此可改善第二显示区域DA2的透光率。面板保护层PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
第二显示区域DA2的面积可大于排列有电子部件40的面积。相应地，面板保护层PB中的开口PB_OP的面积可与第二显示区域DA2的面积不匹配。
多个电子部件40可排列在第二显示区域DA2中。在这种情况下，多个电子部件40可具有不同的功能。例如，多个电子部件40可包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
在一些实施方式中，在第二显示区域DA2中可排列有底部金属层BML。底部金属层BML可排列在衬底100与第二发光装置LE2之间，以与第二发光装置LE2重叠。底部金属层BML可包括阻光材料，并且可阻挡外部光到达第二发光装置LE2。
在一些实施方式中，底部金属层BML可形成为与整个第二显示区域DA2对应，并且可设置为包括与透射区域TA对应的孔。在这种情况下，孔可设置成诸如多边形、圆形或不规则形状的各种形状，以控制外部光的衍射特性。
图3A至图3F是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的平面图。
参照图3A，构成显示设备10的各种部件可排列在衬底100上方。显示设备10可包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。显示区域DA可包括显示第一图像的第一显示区域DA1和包括透射区域TA并且显示第二图像的第二显示区域DA2。第二图像可与第一图像一起形成一个整体图像，并且第二图像可独立于第一图像。
在第一显示区域DA1中可排列有诸如有机发光二极管OLED的第一发光装置LE1。第一发光装置LE1可通过第一像素PX1(参见图1)来发射特定颜色的光。也就是说，第一像素PX1可由第一发光装置LE1实现，并且第一像素PX1可为子像素。第一发光装置LE1可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。驱动第一发光装置LE1的第一像素电路PC1可排列在第一显示区域DA1中，并且可电连接到第一发光装置LE1。例如，第一像素电路PC1可排列成与第一发光装置LE1重叠。
如图3A中所示，第二显示区域DA2可位于整个显示区域DA的一侧处，并且可被第一显示区域DA1部分地围绕。在第二显示区域DA2中可排列有诸如有机发光二极管OLED的第二发光装置LE2。第二发光装置LE2可通过第二像素PX2(参见图1)发射特定颜色的光。也就是说，第二像素PX2可由第二发光装置LE2实现，并且第二像素PX2可为子像素。第二发光装置LE2可发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可排列在外围区域PA中，并且可电连接到第二发光装置LE2。例如，第二像素电路PC2可排列在与第二显示区域DA2相邻的外围区域PA中。也就是说，第二像素电路PC2可排列为与第二显示区域DA2的外侧相邻。如图3A中所示，当第二显示区域DA2排列在整个显示区域DA的上侧处时，第二像素电路PC2可排列在外围区域PA的上侧处。第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过例如在y方向上延伸的连接线CWL彼此电连接。例如，连接线CWL可在与数据线DL的延伸方向相同的方向上延伸。
此外，第二显示区域DA2可包括透射区域TA。透射区域TA可排列成围绕第二发光装置LE2。替代性地，透射区域TA可与多个第二发光装置LE2以网格形式排列。
第一像素电路PC1和第二像素电路PC2中的每一个可电连接到排列在外围区域PA中的外部电路。在外围区域PA中可排列有第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、焊盘区域PAD、驱动电压供给线11和公共电压供给线13。
第一扫描驱动电路SDRV1可通过扫描线SL将扫描信号施加到驱动第一发光装置LE1的第一像素电路PC1中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可通过发射控制线EL将发射控制信号施加到第一像素电路PC1中的每一个。第二扫描驱动电路SDRV2可相对于第一显示区域DA1位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧上，并且可大致平行于第一扫描驱动电路SDRV1。第一显示区域DA1的第一像素电路PC1中的一些可电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其它的可电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
在一些实施方式中，尽管未示出，但驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2中的每一个也可通过扫描线SL和/或从发射控制线EL延伸的单独线从第一扫描驱动电路SDRV1和/或第二扫描驱动电路SDRV2接收扫描信号和发射控制信号。
焊盘区域PAD可排列在衬底100的一侧处。焊盘区域PAD中的每个焊盘可被通过绝缘层形成的接触孔暴露，以连接到显示电路板30。在显示电路板30上可排列有显示驱动器32。
显示驱动器32可生成要发送到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可生成数据信号。生成的数据信号可通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL发送到第一像素电路PC1。此外，尽管未示出，但数据信号也可通过数据线DL或从数据线DL延伸的单独线发送到第二像素电路PC2。
显示驱动器32可将驱动电压供给到驱动电压供给线11，并且可将公共电压供给到公共电压供给线13。驱动电压可通过连接到驱动电压供给线11的驱动电压线PL施加到第一像素电路PC1，并且尽管未示出，但驱动电压也可通过驱动电压供给线11或从驱动电压供给线11延伸的单独线施加到第二像素电路PC2。公共电压可连接到公共电压供给线13，以被施加到第一发光装置LE1和第二发光装置LE2中的每一个的相对电极。
例如，驱动电压供给线11可在第一显示区域DA1下方在x方向上延伸。公共电压供给线13可具有其中一侧开口以部分地围绕第一显示区域DA1的环形形状。
参照图3B，第二像素电路PC2可排列在与第一显示区域DA1相邻的外围区域PA中。第二像素电路PC2可排列为与第一显示区域DA1的外侧相邻。在这种情况下，第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过例如在x方向和y方向上延伸的连接线CWL彼此电连接。例如，连接线CWL可在与扫描线SL的延伸方向相同的方向上和/或在与数据线DL的延伸方向相同的方向上延伸。
参照图3C，第二显示区域DA2可排列在第一显示区域DA1内部，以被第一显示区域DA1完全围绕。第二发光装置LE2可排列在第二显示区域DA2中，并且驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可排列在位于第二显示区域DA2上方的外围区域PA中。第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过连接线CWL彼此电连接。在这种情况下，例如，连接线CWL可在与数据线DL的延伸方向相同的方向上延伸。
参照图3D，第二发光装置LE2可排列在第二显示区域DA2中，第二显示区域DA2排列在第一显示区域DA1内部。例如，驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可排列在位于第二显示区域DA2的左上侧和/或右上侧上的外围区域PA中。第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过连接线CWL彼此电连接，并且在这种情况下，例如，连接线CWL可在与扫描线SL的延伸方向相同的方向上和/或在与数据线DL的延伸方向相同的方向上延伸。
参照图3E，第二显示区域DA2可排列在整个显示区域DA的一侧处，以被第一显示区域DA1部分地围绕。在实施方式中，中间区域MA可位于第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。中间区域MA可排列成围绕第二显示区域DA2的至少一部分。例如，中间区域MA可排列在第二显示区域DA2的左侧和/或右侧上。替代性地，中间区域MA也可排列在第二显示区域DA2的下侧上。
第二发光装置LE2可排列在第二显示区域DA2中，并且驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可排列在中间区域MA中。第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过连接线CWL彼此电连接。例如，当中间区域MA排列在第二显示区域DA2的左侧和/或右侧上时，连接线CWL可在与扫描线SL的延伸方向相同的方向上延伸。
在实施方式中，在中间区域MA中每单位面积排列的第二像素电路PC2的数量可等于或小于在第一显示区域DA1中每单位面积排列的第一像素电路PC1的数量。
参照图3F，第二显示区域DA2可排列在第一显示区域DA1内部，以被第一显示区域DA1完全围绕。中间区域MA可位于第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。在实施方式中，不仅第二显示区域DA2而且中间区域MA可被第一显示区域DA1完全围绕。
在实施方式中，中间区域MA可完全或部分地围绕第二显示区域DA2。例如，如图3F中所示，中间区域MA可排列在第二显示区域DA2的左侧和/或右侧上。替代性地，中间区域MA也可排列在第二显示区域DA2的上侧和/或下侧上。
第二发光装置LE2可排列在第二显示区域DA2中，并且驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可排列在中间区域MA中。第二像素电路PC2和第二发光装置LE2可通过连接线CWL彼此电连接。例如，当中间区域MA排列在第二显示区域DA2的左侧和/或右侧上时，连接线CWL可在与扫描线SL的延伸方向相同的方向上延伸。尽管未示出，例如，但当中间区域MA排列在第二显示区域DA2的上侧和/或下侧上时，连接线CWL可在与扫描线SL的延伸方向相同的方向上和在与数据线DL的延伸方向相同的方向上延伸。
在实施方式中，在中间区域MA中每单位面积排列的第二像素电路PC2的数量可等于或小于在第一显示区域DA1中每单位面积排列的第一像素电路PC1的数量。
如上所述，可对第二像素电路PC2的排列进行各种修改。
图4是示意性地示出根据实施方式的显示设备的部分区域的平面布局图。图4示出了第二显示区域DA2和第一显示区域DA1的一部分，以及围绕第二显示区域DA2和第一显示区域DA1的外围区域PA，并且示出了多个像素PX和多个像素电路PC的排列。
参照图4，多个第一像素PX1可排列在第一显示区域DA1中。在本文中，像素PX可是指作为用于实现图像的最小单元的子像素，并且可包括发光装置发射光的发射区域。当发光装置是有机发光二极管OLED时，可通过像素限定层的开口来限定发射区域。下面将参照图5对此进行描述。
多个第一像素PX1中的每一个可发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任何一种。例如，多个第一像素PX1可包括红色第一像素Pr1、绿色第一像素Pg1和蓝色第一像素Pb1。
多个第一像素PX1可以各种配置排列，并且例如，可以如图4中所示的
类型排列。例如，红色第一像素Pr1可排列在以绿色第一像素Pg1的中心点作为其中心点的虚拟正方形的顶点之中的彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且蓝色第一像素Pb1可排列在作为虚拟正方形的其它顶点的第二顶点和第四顶点处。绿色第一像素Pg1的尺寸可小于红色第一像素Pr1和蓝色第一像素Pb1中的每一个的尺寸。通过这种排列，可用少量的像素来实现高分辨率。然而，本公开不限于此，并且多个第一像素PX1可排列成诸如条带类型、马赛克排列类型和德尔塔排列类型的各种形状。
在第一显示区域DA1中，第一像素电路PC1可排列成与第一像素PX1重叠。例如，第一像素电路PC1可排列成在x方向和y方向上形成行和列的矩阵配置。
多个第二像素PX2可排列在第二显示区域DA2中。多个第二像素PX2中的每一个可发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任何一种。例如，多个第二像素PX2可包括红色第二像素Pr2、绿色第二像素Pg2和蓝色第二像素Pb2。
在第二显示区域DA2中，多个第二像素PX2可以各种配置排列。在实施方式中，一些第二像素PX2可形成像素组，并且在像素组中，第二像素PX2可排列成诸如
类型、条带类型、马赛克排列类型和德尔塔排列类型的各种类型。
如图4中所示，第二像素PX2可分散地排列在第二显示区域DA2中。也就是说，第二像素PX2之间的距离可大于第一像素PX1之间的距离。因此，如上所述，第二显示区域DA2中每单位面积的第二像素PX2的数量可小于第一显示区域DA1中每单位面积的第一像素PX1的数量。此外，第二显示区域DA2中的其中未排列第二像素PX2的区域可包括具有高透光率的透射区域TA。
第二像素电路PC2可排列在外围区域PA中，并且可不与第二像素PX2重叠。由于第二像素电路PC2没有排列在第二显示区域DA2中，因此第二显示区域DA2可确保更宽的透射区域TA。此外，由于用于将恒定电压和信号施加到第二像素电路PC2的线没有排列在第二显示区域DA2中，因此可在不考虑线的排列的情况下自由地排列第二像素PX2。
此外，为了使排列在外围区域PA中的第二像素电路PC2驱动排列在第二显示区域DA2中的第二像素PX2，可提供连接线CWL和/或桥接线BWL。连接线CWL和/或桥接线BWL可包括导电材料，并且可将第二像素电路PC2电连接到第二像素PX2。例如，第二像素电路PC2可通过连接线CWL电连接到第二像素PX2。作为另一实例，第二像素电路PC2可通过彼此电连接的连接线CWL和桥接线BWL电连接到第二像素PX2。这里，电连接到第二像素PX2可意味着电连接到构成第二像素PX2的第二发光装置LE2(参见图3A和图3B)的像素电极。在下文中，为了描述的便利，将对提供连接线CWL和桥接线BWL两者的情况进行描述。
连接线CWL可至少部分地排列在第二显示区域DA2中，并且可包括透明导电材料。例如，连接线CWL可包括透明导电氧化物(TCO)。例如，连接线CWL可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IZGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。相应地，即使当连接线CWL排列在第二显示区域DA2的透射区域TA中时，也可最小化透射区域TA的透光率的劣化。
桥接线BWL可排列在外围区域PA中。桥接线BWL可在其一个端部处通过接触孔电连接到连接线CWL，并且可在其另一端部处电连接到第二像素电路PC2。
桥接线BWL可包括金属材料。例如，桥接线BWL可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的金属材料，并且可包括包含有以上材料的单层或多层。
桥接线BWL可比连接线CWL具有更高的电导率。由于桥接线BWL排列在外围区域PA中并且因此不需要确保透光率，所以桥接线BWL可包括比连接线CWL具有更低的透光率和更高的电导率的材料。相应地，可最小化第二像素电路PC2与第二像素PX2之间的电阻值。
扫描线SL可包括连接到第一像素电路PC1的第一扫描线SL1和连接到第二像素电路PC2的第二扫描线SL2。第一扫描线SL1可在x方向上延伸，并且可连接到排列在同一行中的第一像素电路PC1。第一扫描线SL1可不排列在第二显示区域DA2中。也就是说，第一扫描线SL1可在布置在隔着第二显示区域DA2相对的两个第一扫描线之间的第二显示区域DA2中断开。在这种情况下，排列在第二显示区域DA2的左侧上的第一扫描线SL1可从第一扫描驱动电路SDRV1(参见图3A)接收扫描信号，并且排列在第二显示区域DA2的右侧上的第一扫描线SL1可从第二扫描驱动电路SDRV2(参见图3A)接收扫描信号。
第二扫描线SL2可连接到排列在同一行中的第二像素电路PC2之中的驱动排列在同一行中的第二像素PX2的第二像素电路PC2。
第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可通过扫描连接线SWL连接，并且相同的信号可施加到驱动排列在同一行中的第一像素PX1和第二像素PX2的像素电路。
扫描连接线SWL可与第一扫描线SL1和第二扫描线SL2排列在不同的层，并且扫描连接线SWL可通过接触孔连接到第一扫描线SL1和第二扫描线SL2中的每一个。扫描连接线SWL可排列在外围区域PA中。
数据线DL可包括连接到第一像素电路PC1的第一数据线DL1和连接到第二像素电路PC2的第二数据线DL2。第一数据线DL1可在y方向上延伸，并且可连接到排列在同一列中的第一像素电路PC1。第二数据线DL2可在y方向上延伸，并且可连接到排列在同一列中的第二像素电路PC2。
第一数据线DL1和第二数据线DL2可排列成隔着第二显示区域DA2彼此间隔开。第一数据线DL1和第二数据线DL2可通过数据连接线DWL连接，并且相同的信号可施加到驱动排列在同一列中的第一像素PX1和第二像素PX2的像素电路。
数据连接线DWL可排列成绕过第二显示区域DA2。数据连接线DWL可排列成与排列在第一显示区域DA1中的第一像素电路PC1重叠。由于数据连接线DWL排列在第一显示区域DA1中，因此死区区域可被最小化，因为不需要确保其中排列有数据连接线DWL的单独空间。
数据连接线DWL可与第一数据线DL1和第二数据线DL2排列在不同的层，并且数据连接线DWL可通过接触孔连接到第一数据线DL1和第二数据线DL2中的每一个。
图5和图6是示意性地示出图4的显示设备的一部分的剖视图，图5可对应于沿图4的线I-I'和II-II'截取的剖面，并且图6可对应于沿图4的线III-III'截取的剖面。
参照图5，第一显示区域DA1可包括第一像素PX1，并且第二显示区域DA2可包括第二像素PX2和透射区域TA。在第一显示区域DA1中可排列有包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的第一像素电路PC1以及电连接到第一像素电路PC1的第一发光装置LE1。在第二显示区域DA2中可排列有第二发光装置LE2。在外围区域PA中可排列有包括多个薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'的第二像素电路PC2。
在下文中，将对其中包括在显示设备10中的部件被堆叠的结构进行描述。显示设备10可包括衬底100、缓冲层111、像素电路层PCL、发光装置层LEL和薄膜封装层TFEL的堆叠结构。
衬底100可包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。衬底100可包括刚性衬底或能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性衬底。
缓冲层111可位于衬底100上方，以减少或阻止异物、湿气或外部空气从衬底100下方的渗透，并且缓冲层111可在衬底100上方提供平坦表面。缓冲层111可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物，并且可包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。衬底100与缓冲层111之间还可包括有用于阻止外部空气的渗透的阻挡层(未示出)。在一些实施方式中，缓冲层111可包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
像素电路层PCL可排列在缓冲层111上方，并且可包括像素电路PC、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115、第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118。
薄膜晶体管TFT和TFT'以及存储电容器Cst和Cst'可排列在缓冲层111上方。因为第二像素电路PC2的薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'可具有与第一像素电路PC1的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的配置大致相同或类似的配置，因此对第二像素电路PC2的薄膜晶体管TFT'和存储电容器Cst'的描述将由对第一像素电路PC1的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的描述代替。
薄膜晶体管TFT和TFT'中的每一个可包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TFT和TFT'中的每一个可连接到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层Act可排列在缓冲层111上方，并且可包括多晶硅。在其它实施方式中，半导体层Act可包括非晶硅。在其它实施方式中，半导体层Act可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层Act可包括沟道区域以及掺杂有掺杂剂的源极区域和漏极区域。
第一栅极绝缘层112可设置为覆盖半导体层Act。第一栅极绝缘层112可包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可为ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层。
栅电极GE可排列在第一栅极绝缘层112上方，以与半导体层Act重叠。栅电极GE可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可包括单层或多层。例如，栅电极GE可包括Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可设置为覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnOx)可为ZnO和/或ZnO2。第二栅极绝缘层113可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的上电极CE2和存储电容器Cst'的上电极CE2'可排列在第二栅极绝缘层113上方。存储电容器Cst的上电极CE2和存储电容器Cst'的上电极CE2'可与布置在其下方的栅电极GE重叠。隔着第二栅极绝缘层113彼此重叠的栅电极GE与上电极CE2和CE2'可构成存储电容器Cst和Cst'。在这种情况下，栅电极GE可用作存储电容器Cst的下电极CE1和存储电容器Cst'的下电极CE1'。
上电极CE2和CE2'可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可包括以上材料的单层或多层。
层间绝缘层115可形成为覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可为ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层115可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可排列在层间绝缘层115上方。源电极SE和漏电极DE可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可包括包含有以上材料的单层或多层。例如，源电极SE和漏电极DE可包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层117可排列在层间绝缘层115上方，并且可覆盖源电极SE和漏电极DE。
第一有机绝缘层117可包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷基有机材料。例如，第一有机绝缘层117可包括作为光敏聚酰亚胺的通用聚合物(诸如聚酰亚胺、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物。替代性地，第一有机绝缘层117可包括作为硅氧烷基有机材料的六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
第二有机绝缘层118可排列在第一有机绝缘层117上方。第二有机绝缘层118可具有平坦的上表面，使得排列在其上方的像素电极121和121'可形成为平坦的。第二有机绝缘层118可包括具有高透光率和高平坦度的硅氧烷基有机材料。硅氧烷基有机材料可包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
替代性地，第二有机绝缘层118可包括通用聚合物(诸如光敏聚酰亚胺、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物或乙烯醇基聚合物。
在第一有机绝缘层117与第二有机绝缘层118之间可排列有接触金属CM和/或各种线，这可有利于高集成度。例如，接触金属CM和各种线可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的金属材料，并且可包括包含有以上材料的单层或多层。
发光装置层LEL可排列在第二有机绝缘层118上方。发光装置层LEL可包括第一发光装置LE1、第二发光装置LE2和像素限定层119。
第一发光装置LE1和第二发光装置LE2可设置为有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可包括像素电极121和121'、发射层122b和122b'、以及相对电极123的堆叠结构。
像素电极121和121'可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IZGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。像素电极121和121'可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物的反射层。例如，像素电极121和121'可具有在反射层上方/下方包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层的结构。在这种情况下，像素电极121和121'可具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可排列在第二有机绝缘层118上方，并且可覆盖像素电极121和121'的边缘。像素限定层119可包括暴露像素电极121和121'的中心部分的开口OP。例如，像素限定层119可包括暴露第一发光装置LE1的像素电极121的中心部分的第一开口OP1和暴露第二发光装置LE2的像素电极121'的中心部分的第二开口OP2。有机发光二极管OLED的发射区域可由开口OP限定。也就是说，第一像素PX1的发射区域的尺寸和形状可由第一开口OP1限定，并且第二像素PX2的发射区域的尺寸和形状可由第二开口OP2限定。
像素限定层119可增加像素电极121和121'的边缘与像素电极121和121'之上的相对电极123之间的距离，以防止在像素电极121和121'的边缘处发生电弧等。像素限定层119可通过旋涂等由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
形成为与像素电极121和121'对应的发射层122b和122b'可排列在像素限定层119的开口OP内部。发射层122b和122b'可包括高分子量材料或低分子量材料，并且可发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
在发射层122b和122b'上方和/或下方可排列有有机功能层122e。有机功能层122e可包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可排列在发射层122b和122b'下方。第一功能层122a可包括包含有有机材料的单层或多层。第一功能层122a可包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。替代性地，第一功能层122a可包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可一体地形成为与分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一发光装置LE1和第二发光装置LE2对应。
第二功能层122c可排列在发射层122b和122b'上方。第二功能层122c可包括包含有有机材料的单层或多层。第二功能层122c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可一体地形成为与分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一发光装置LE1和第二发光装置LE2对应。
相对电极123可排列在第二功能层122c上方。相对电极123可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极123可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。替代性地，相对电极123还可在包括以上材料的(半)透明层上方包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可一体地形成为与分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的第一发光装置LE1和第二发光装置LE2对应。
形成在第一显示区域DA1中的从像素电极121到相对电极123的堆叠结构可构成作为第一发光装置LE1的有机发光二极管OLED。形成在第二显示区域DA2中的从像素电极121'到相对电极123的堆叠结构可构成作为第二发光装置LE2的有机发光二极管OLED。
在一些实施方式中，在相对电极123上方可形成有覆盖层150。覆盖层150可设置为保护相对电极123并且改善光提取效率。覆盖层150可包括有机材料。替代性地，覆盖层150可包括LiF。替代性地，覆盖层150可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
在实施方式中，薄膜封装层TFEL可排列在发光装置层LEL上方。薄膜封装层TFEL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，薄膜封装层TFEL可包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及介于两者之间的有机封装层132。
例如，第一无机封装层131和第二无机封装层133可包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)的一种或多种无机绝缘材料，并且可通过化学气相沉积(CVD)等形成。氧化锌(ZnOx)可为ZnO和/或ZnO2。有机封装层132可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括硅基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133中的每一个可一体地形成为覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
此外，第一发光装置LE1和驱动第一发光装置LE1的第一像素电路PC1两者可位于第一显示区域DA1中，并且第一发光装置LE1和第一像素电路PC1可排列成彼此重叠。第一发光装置LE1的像素电极121可通过第一接触金属CM1电连接到第一像素电路PC1。
根据实施方式，第二发光装置LE2可位于第二显示区域DA2中，而驱动第二发光装置LE2的第二像素电路PC2可位于外围区域PA中。连接线CWL可设置为将第二发光装置LE2和第二像素电路PC2彼此电连接。连接线CWL可从第二显示区域DA2延伸到外围区域PA，并且可至少部分地排列在第二显示区域DA2中。
在实施方式中，连接线CWL可排列在层间绝缘层115之上。连接线CWL可被第一有机绝缘层117覆盖。在实施方式中，第一接触金属CM1和桥接线BWL可排列在第一有机绝缘层117上方。第一接触金属CM1和桥接线BWL可被第二有机绝缘层118覆盖。连接线CWL可通过第二接触金属CM2电连接到第二发光装置LE2的像素电极121'，并且还可通过位于外围区域PA中的桥接线BWL电连接到第二像素电路PC2。
根据实施方式，可提供相位补偿层PSC，相位补偿层PSC至少部分地排列在第二显示区域DA2中并且在平面图中与连接线CWL重叠。也就是说，在与衬底100的一个表面垂直的方向上观察时，连接线CWL和相位补偿层PSC可排列成彼此重叠。例如，连接线CWL和相位补偿层PSC可使用相同的掩模来图案化，以在平面图中具有相同的形状。
在实施方式中，相位补偿层PSC可排列在连接线CWL下方。例如，相位补偿层PSC可排列在层间绝缘层115与连接线CWL之间。
如上所述，由于提供了相位补偿层PSC，因此可防止位于第二显示区域DA2中的电子部件40(参见图2)的性能劣化。下面将参照图6对此进行更详细地描述。
参照图6，相位补偿层PSC可在平面图中与连接线CWL重叠，并且可排列在连接线CWL下方。在实施方式中，相位补偿层PSC可包括无机绝缘材料。例如，相位补偿层PSC可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和碳氮化硅(SiCN)中的至少一种。
在实施方式中，连接线CWL的折射率n1可高于第一有机绝缘层117的折射率n0。在本文中，折射率可指相对折射率。对于约550nm的波长，第一有机绝缘层117的折射率n0可为约1.4至约1.8。例如，第一有机绝缘层117的折射率n0可为约1.65。对于约550nm的波长，连接线CWL的折射率n1可为约1.8至约2.2。例如，连接线CWL的折射率n1可为约1.91。
在实施方式中，相位补偿层PSC的折射率n2可低于第一有机绝缘层117的折射率n0。对于约550nm的波长，相位补偿层PSC的折射率n2可为约1.3至约1.8。例如，相位补偿层PSC的折射率n2可为约1.47。
在穿过第二显示区域DA2的光之中，第一光L1可穿过其中排列有连接线CWL的区域，并且第二光L2可穿过其中没有排列连接线CWL的区域。由于连接线CWL的折射率n1与覆盖连接线CWL的第一有机绝缘层117的折射率n0之间的差异，在第一光L1与第二光L2之间可能出现相位差，并且可能发生衍射现象。由于衍射现象，电子部件40(参见图2)的性能可能劣化。例如，当电子部件40是诸如相机的成像装置时，由于因第一光L1与第二光L2之间的相位差而导致的衍射现象，可能出现诸如闪烁现象的问题。
为了解决该问题，根据实施方式的显示设备10可包括与连接线CWL重叠并且具有比第一有机绝缘层117的折射率n0低的折射率n2的相位补偿层PSC。相位补偿层PSC可补偿第一光L1的相位，使得第一光L1和第二光L2可具有大致相同的相位。也就是说，入射到第二显示区域DA2中的光可具有大致相同的相位，而与连接线CWL在光路中的存在无关。相应地，可减少光的衍射现象，并且可防止电子部件40的性能劣化。
此外，根据实施方式，当连接线CWL的折射率n1和相位补偿层PSC的折射率n2彼此不同时，连接线CWL的厚度t1和相位补偿层PSC的厚度t2可彼此不同。相位补偿层PSC的厚度t2可被设置使得穿过第二显示区域DA2中的其中排列有连接线CWL的区域的光和穿过第二显示区域DA2中的其中未排列连接线CWL的区域的光具有相同的相位(或大致相同的相位)。也就是说，相位补偿层PSC的厚度t2可被确定使得第一光L1和第二光L2可具有相同的相位。例如，相位补偿层PSC的厚度t2可被设置使得第一光L1与第二光L2之间的光程差可为波长的整数倍。例如，当相位补偿层PSC的折射率n2小于连接线CWL的折射率n1时，相位补偿层PSC的厚度t2可大于连接线CWL的厚度t1。在实施方式中，当连接线CWL具有约1.91的折射率n1和约
的厚度t1时，在相位补偿层PSC具有约1.47的折射率n2和大于厚度t1的厚度t2，例如，约
至约
时，衍射现象可被最小化。
图7是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图7的显示设备可为图6的显示设备的修改。相同的附图标记将被赋予与以上参照图5和图6描述的那些部件相同或类似的部件，并且因此，下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图7，连接线CWL可包括排列在不同层的第一连接线CWL1和第二连接线CWL2。相位补偿层PSC可包括与第一连接线CWL1重叠的第一相位补偿层PSC1和与第二连接线CWL2重叠的第二相位补偿层PSC2。
第一连接线CWL1和第二连接线CWL2可隔着第一有机绝缘层117排列在不同的层。例如，如图7中所示，第一连接线CWL1可排列在层间绝缘层115之上，并且第二连接线CWL2可排列在第一有机绝缘层117之上。在这种情况下，第一相位补偿层PSC1可排列在第一连接线CWL1与层间绝缘层115之间，并且第二相位补偿层PSC2可排列在第二连接线CWL2与第一有机绝缘层117之间。此外，第一相位补偿层PSC1和第二相位补偿层PSC2可分别排列在第一连接线CWL1和第二连接线CWL2下方，以在平面图中与第一连接线CWL1和第二连接线CWL2重叠。由此，通过在不同的层排列包括第一连接线CWL1和第二连接线CWL2的连接线CWL和包括第一相位补偿层PSC1和第二相位补偿层PSC2的相位补偿层PSC，可实现高集成度。
此外，第一连接线CWL1和第二连接线CWL2中的每一个可包括上述透明导电氧化物(TCO)。第一相位补偿层PSC1和第二相位补偿层PSC2中的每一个可包括无机绝缘材料，并且例如，相位补偿层PSC可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和碳氮化硅(SiCN)中的至少一种。
例如，第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可具有相同的折射率n0。作为另一实例，第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118可具有不同的折射率。在下文中，为了描述的便利，将对第一有机绝缘层117和第二有机绝缘层118具有相同的折射率n0的情况进行描述。
在实施方式中，第一连接线CWL1的折射率n1可高于第一有机绝缘层117的折射率n0。第一相位补偿层PSC1的折射率n2可低于第一有机绝缘层117的折射率n0。此外，第二连接线CWL2的折射率n1可高于第二有机绝缘层118的折射率n0。第二相位补偿层PSC2的折射率n2可低于第二有机绝缘层118的折射率n0。
图8是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图8的显示设备可为图6的显示设备的修改。相同的附图标记将被赋予与以上参照图5和图6描述的那些部件相同或类似的部件，并且因此，下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图8，其上方排列有连接线CWL和相位补偿层PSC的绝缘层的上表面可为不平坦的。例如，如图8中所示，层间绝缘层115的上表面可为不平坦的。因此，层间绝缘层115的与连接线CWL和相位补偿层PSC重叠的部分的厚度可不同于层间绝缘层115的与连接线CWL和相位补偿层PSC不重叠的部分的厚度。例如，层间绝缘层115的与连接线CWL和相位补偿层PSC重叠的部分的厚度可大于层间绝缘层115的与连接线CWL和相位补偿层PSC不重叠的部分的厚度。
图9是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图9的显示设备可为图5的显示设备的修改。将省略以上参照图5已给出的冗余描述，并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图9，相位补偿层PSC可与连接线CWL重叠，并且可排列在连接线CWL上方。在这种情况下，连接线CWL可排列在相位补偿层PSC与层间绝缘层115之间。第二接触金属CM2可通过在第一有机绝缘层117和相位补偿层PSC中形成的接触孔连接到连接线CWL的一端。桥接线BWL可通过在第一有机绝缘层117和相位补偿层PSC中形成的接触孔连接到连接线CWL的另一端。
图10是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图10的显示设备可为图5的显示设备的修改。将省略以上参照图5已给出的冗余描述，并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图10，相位补偿层PSC可包括位于连接线CWL下方的下相位补偿层PSC-L和位于连接线CWL上方的上相位补偿层PSC-U。也就是说，连接线CWL可排列在下相位补偿层PSC-L与上相位补偿层PSC-U之间。第二接触金属CM2可通过在上相位补偿层PSC-U和第一有机绝缘层117中形成的接触孔连接到连接线CWL的一端，并且桥接线BWL可通过在上相位补偿层PSC-U和第一有机绝缘层117中形成的接触孔连接到连接线CWL的另一端。
在实施方式中，下相位补偿层PSC-L和上相位补偿层PSC-U可包括无机绝缘材料，并且例如，相位补偿层PSC可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和碳氮化硅(SiCN)中的至少一种。
在一些实施方式中，下相位补偿层PSC-L和上相位补偿层PSC-U可包括相同的材料，并且可具有相同的折射率。在一些实施方式中，下相位补偿层PSC-L和上相位补偿层PSC-U可具有相同的厚度或不同的厚度。然而，本公开不限于此，并且在不背离本公开的范围的情况下，可对下相位补偿层PSC-L和上相位补偿层PSC-U中的每一个的材料、折射率和厚度进行修改。
图11和图12是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图11和图12中的每一个的显示设备可为图5的显示设备的修改。将省略以上参照图5已给出的冗余描述，并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图11和图12，显示设备10还可包括无机绝缘层116。在实施方式中，如图11中所示，显示设备10还可包括覆盖连接线CWL和相位补偿层PSC的无机绝缘层116。在其它实施方式中，如图12中所示，无机绝缘层116可排列在连接线CWL与相位补偿层PSC之间。无机绝缘层116可保护连接线CWL。无机绝缘层116可包括用于连接线CWL与第二接触金属CM2之间以及连接线CWL与桥接线BWL之间的电连接的接触孔。
在实施方式中，无机绝缘层116可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可为ZnO和/或ZnO2。无机绝缘层116可具有如图11中所示的单层结构，或者可具有多层结构。
图13是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。相同的附图标记将被赋予与以上参照图5描述的那些部件相同或类似的部件，并且因此，将省略其冗余描述并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图13，相位补偿层PSC'可排列在第二显示区域DA2中，并且在平面图中可不与连接线CWL重叠。也就是说，在与衬底100的一个表面垂直的方向上观察时，连接线CWL和相位补偿层PSC'可排列成彼此不重叠。
在实施方式中，相位补偿层PSC'可与连接线CWL排列在相同的层。例如，相位补偿层PSC'和连接线CWL两者可排列在层间绝缘层115的上表面上方。
图14是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。相同的附图标记将被赋予与以上参照图6描述的那些部件相同或类似的部件，并且因此，将省略其冗余描述并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图14，相位补偿层PSC'可不与连接线CWL重叠，并且可与连接线CWL排列在相同的层。在实施方式中，相位补偿层PSC'可包括无机绝缘材料，并且例如，可包括氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
在实施方式中，连接线CWL的折射率n1可高于第一有机绝缘层117的折射率n0。对于约550nm的波长，第一有机绝缘层117的折射率n0可为约1.4至约1.8。例如，第一有机绝缘层117的折射率n0可为约1.65。对于约550nm的波长，连接线CWL的折射率n1可为约1.8至约2.2。例如，连接线CWL的折射率n1可为约1.91。
在实施方式中，相位补偿层PSC'的折射率n2'可高于第一有机绝缘层117的折射率n0。对于约550nm的波长，相位补偿层PSC'的折射率n2'可为约1.6至约2.2。例如，相位补偿层PSC'的折射率n2'可为约1.93。
在穿过第二显示区域DA2的光之中，第一光L1可穿过其中排列有连接线CWL的区域，并且第二光L2可穿过其中没有排列连接线CWL的区域。如上所述，由于连接线CWL的折射率n1与覆盖连接线CWL的第一有机绝缘层117的折射率n0之间的差异，在第一光L1与第二光L2之间可能出现相位差，并且因此可能发生衍射现象。相位补偿层PSC'可补偿第二光L2的相位，使得第一光L1和第二光L2可具有大致相同的相位。相应地，可防止或最小化入射到第二显示区域DA2中的光的衍射现象，并且可防止电子部件40的性能劣化。
此外，根据实施方式，当连接线CWL的折射率n1和相位补偿层PSC'的折射率n2'彼此不同时，连接线CWL的厚度t1和相位补偿层PSC'的厚度t2'可彼此不同。相位补偿层PSC'的厚度t2'可被确定使得第一光L1和第二光L2可具有相同的相位。例如，相位补偿层PSC'的厚度t2'可被设置使得第一光L1与第二光L2之间的光程差可为波长的整数倍。例如，当相位补偿层PSC'的折射率n2'大于连接线CWL的折射率n1时，相位补偿层PSC'的厚度t2'可小于连接线CWL的厚度t1。在实施方式中，当连接线CWL具有约1.91的折射率n1和约
的厚度t1时，在相位补偿层PSC'具有约1.93的折射率n2'和小于连接线CWL的厚度t1的厚度t2'，例如，约
至约
时，衍射现象可被最小化。
图15和图16是示意性地示出根据其它实施方式的显示设备的一部分的剖视图。图15和图16的显示设备是图14的显示设备的修改，将省略以上参照图14已给出的冗余描述，并且下面将主要对它们之间的差异进行描述。
参照图15和图16，相位补偿层PSC'可与连接线CWL排列在不同的层。如图15中所示，连接线CWL可排列在层间绝缘层115与第一有机绝缘层117之间，而相位补偿层PSC'可排列在第一有机绝缘层117与第二有机绝缘层118之间以不与连接线CWL的中心部分重叠。替代性地，如图16中所示，连接线CWL可排列在层间绝缘层115与第一有机绝缘层117之间，而相位补偿层PSC'可排列在第二栅极绝缘层113与层间绝缘层115之间以不与连接线CWL的中心部分重叠。因此，只要相位补偿层PSC'和连接线CWL排列成彼此不重叠，就可对它们的堆叠关系进行各种修改。在平面图中，连接线CWL的边缘和相位补偿层PSC'可彼此重叠。
图17A至图17E是示意性地示出根据实施方式的制造显示设备的工艺的剖视图。
参照图17A，可在层间绝缘层115上方形成至少部分地排列在第二显示区域DA2中的相位补偿层-材料层PSCm。此外，可在层间绝缘层115上方形成至少部分地排列在第二显示区域DA2中的连接线-材料层CWLm。尽管图17A示出了连接线-材料层CWLm形成在相位补偿层-材料层PSCm上方，但它们的形成次序可颠倒。
相位补偿层-材料层PSCm和连接线-材料层CWLm可通过涂覆工艺或沉积工艺等形成。这里，例如，在涂覆工艺中可使用诸如旋涂的方法，并且在沉积工艺中可使用诸如热化学气相沉积(TCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或大气压化学气相沉积(APCVD)的化学气相沉积(CVD)或诸如热蒸发、溅射或电子束蒸发的物理气相沉积(PVD)。
参照图17B，可在相位补偿层-材料层PSCm和连接线-材料层CWLm上方形成光致抗蚀剂图案层PR。光致抗蚀剂图案层PR可通过经由光掩模对光致抗蚀剂进行曝光和显影来形成。
参照图17C，连接线CWL可通过使用光致抗蚀剂图案层PR作为掩模对连接线-材料层CWLm进行图案化来形成。在这种情况下，蚀刻工艺可用于图案化，例如，可使用干法蚀刻或湿法蚀刻。
随后，参照图17D，相位补偿层PSC可通过使用光致抗蚀剂图案层PR和被图案化的连接线CWL作为掩模对相位补偿层-材料层PSCm进行图案化来形成。在这种情况下，蚀刻工艺可用于图案化，例如，可使用干法蚀刻或湿法蚀刻。
接下来，参照图17E，可去除光致抗蚀剂图案层PR，并且可在层间绝缘层115上方形成第一有机绝缘层117，以覆盖相位补偿层PSC和连接线CWL。
因此，由于可通过使用一个光致抗蚀剂图案层PR来形成连接线CWL和与连接线CWL重叠的相位补偿层PSC，因此可最小化连接线CWL与相位补偿层PSC之间的未对齐，并且因此可最大化相位补偿层PSC的相位补偿效果。此外，连接线CWL和相位补偿层PSC两者可在没有添加掩模工艺的情况下形成。
图18A至图18F是示意性地示出根据其它实施方式的制造显示设备的工艺的剖视图。
参照图18A，可在层间绝缘层115上方形成至少部分地排列在第二显示区域DA2中的相位补偿层-材料层PSCm。此外，可在层间绝缘层115之上形成至少部分地排列在第二显示区域DA2中的连接线-材料层CWLm。
参照图18B，可在相位补偿层-材料层PSCm和连接线-材料层CWLm上方形成光致抗蚀剂图案层PR。光致抗蚀剂图案层PR可通过经由光掩模对光致抗蚀剂进行曝光和显影来形成。
参照图18C，可通过使用光致抗蚀剂图案层PR作为掩模对连接线-材料层CWLm进行图案化来形成连接线CWL。在这种情况下，蚀刻工艺可用于图案化，例如，可使用干法蚀刻或湿法蚀刻。
随后，参照图18D，可去除光致抗蚀剂图案层PR。在这种情况下，可使用剥离工艺或使用等离子体的灰化工艺。
接下来，参照图18E，可通过使用被图案化的连接线CWL作为掩模对相位补偿层-材料层PSCm进行图案化来形成相位补偿层PSC。也就是说，被图案化的连接线CWL可用作硬掩模。在这种情况下，蚀刻工艺可用于图案化，例如，可使用干法蚀刻或湿法蚀刻。
接下来，参照图18F，可在层间绝缘层115上方形成第一有机绝缘层117，以覆盖相位补偿层PSC和连接线CWL。
因此，由于连接线CWL可通过使用光致抗蚀剂图案层PR作为掩模来形成，并且与连接线CWL重叠的相位补偿层PSC可通过使用被图案化的连接线CWL作为掩模来形成，因此可最小化连接线CWL与相位补偿层PSC之间的未对齐，并且因此可最大化相位补偿层PSC的相位补偿效果。此外，连接线CWL和相位补偿层PSC两者可在没有添加掩模工艺的情况下形成。
根据作出的如上所述的实施方式，即使在排列有电子部件的第二显示区域中也可显示图像，并且由于像素电路没有排列在第二显示区域中，因此可确保更宽的透射区域，并且因此可改善第二显示区域中的透射率。此外，通过在第二显示区域中排列相位补偿层，可防止由于第二显示区域的连接线而导致的电子部件的性能劣化。然而，本公开的范围不限于这些效果。
应理解，本文中描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附权利要求书中限定的精神和范围的情况下，可在其中作出形式和细节上的各种改变。
Claims (24)
1.一种显示设备，包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域以及围绕所述第一显示区域和所述第二显示区域的外围区域，所述显示设备包括：
第一发光装置，所述第一发光装置排列在所述第一显示区域中；
第一像素电路，所述第一像素电路电连接到所述第一发光装置；
第二发光装置，所述第二发光装置排列在所述第二显示区域中；
第二像素电路，所述第二像素电路排列在所述外围区域中并且电连接到所述第二发光装置；
有机绝缘层，所述有机绝缘层排列在所述第二发光装置与所述第二像素电路之间；
连接线，所述连接线将所述第二发光装置和所述第二像素电路彼此电连接，并且至少部分地排列在所述第二显示区域中；以及
相位补偿层，所述相位补偿层排列在所述第二显示区域中以在平面图中与所述连接线重叠，
其中，所述相位补偿层的折射率低于所述有机绝缘层的折射率。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述相位补偿层布置在所述连接线下方。
3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述相位补偿层布置在所述连接线上方。
4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述相位补偿层包括：
下相位补偿层，所述下相位补偿层布置在所述连接线下方；以及
上相位补偿层，所述上相位补偿层布置在所述连接线上方。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线包括隔着所述有机绝缘层排列在不同层的第一连接线和第二连接线，以及
其中，所述相位补偿层包括与所述第一连接线重叠的第一相位补偿层和与所述第二连接线重叠的第二相位补偿层。
6.如权利要求1所述的显示设备，还包括覆盖所述连接线和所述相位补偿层的无机绝缘层。
7.如权利要求1所述的显示设备，还包括排列在所述连接线与所述相位补偿层之间的无机绝缘层。
8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线的折射率高于所述有机绝缘层的所述折射率。
9.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线包括透明导电氧化物。
10.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机绝缘层包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷基有机材料。
11.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述相位补偿层包括无机绝缘材料。
12.如权利要求11所述的显示设备，其中，所述相位补偿层包括氧化硅、氮氧化硅和碳氮化硅中的至少一种。
13.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述相位补偿层的厚度被设置使得穿过所述第二显示区域的排列有所述连接线的区域的光和穿过所述第二显示区域的未排列所述连接线的区域的光具有相同的相位。
14.一种显示设备，包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域以及围绕所述第一显示区域和所述第二显示区域的外围区域，所述显示设备包括：
第一发光装置，所述第一发光装置排列在所述第一显示区域中；
第一像素电路，所述第一像素电路电连接到所述第一发光装置；
第二发光装置，所述第二发光装置排列在所述第二显示区域中；
第二像素电路，所述第二像素电路排列在所述外围区域中并且电连接到所述第二发光装置；
有机绝缘层，所述有机绝缘层排列在所述第二发光装置与所述第二像素电路之间；
连接线，所述连接线将所述第二发光装置和所述第二像素电路彼此电连接，并且至少部分地排列在所述第二显示区域中；以及
相位补偿层，所述相位补偿层排列在所述第二显示区域中以在平面图中不与所述连接线的中心部分重叠，
其中，所述相位补偿层的折射率高于所述有机绝缘层的折射率。
15.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述相位补偿层与所述连接线排列在相同的层。
16.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述相位补偿层与所述连接线排列在不同的层。
17.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述连接线的折射率高于所述有机绝缘层的所述折射率。
18.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述连接线包括透明导电氧化物。
19.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述有机绝缘层包括光敏聚酰亚胺或硅氧烷基有机材料。
20.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述相位补偿层包括无机绝缘材料。
21.如权利要求20所述的显示设备，其中，所述相位补偿层包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
22.如权利要求14所述的显示设备，其中，所述相位补偿层的厚度被设置使得穿过所述第二显示区域的排列有所述连接线的区域的光和穿过所述第二显示区域的未排列所述连接线的区域的光具有相同的相位。
23.一种制造显示设备的方法，所述显示设备包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域以及围绕所述第一显示区域和所述第二显示区域的外围区域，所述方法包括：
形成至少部分地排列在所述第二显示区域中的相位补偿层-材料层；
形成至少部分地排列在所述第二显示区域中的连接线-材料层；
在所述连接线-材料层上方形成光致抗蚀剂图案层；
通过使用所述光致抗蚀剂图案层作为掩模对所述连接线-材料层进行图案化来形成连接线；以及
通过使用所述光致抗蚀剂图案层或所述连接线作为掩模对所述相位补偿层-材料层进行图案化来形成相位补偿层。
24.一种显示设备，包括第一显示区域、包括透射区域的第二显示区域、布置在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的中间区域以及围绕所述第一显示区域的外围区域，所述显示设备包括：
第一发光装置，所述第一发光装置排列在所述第一显示区域中；
第一像素电路，所述第一像素电路电连接到所述第一发光装置；
第二发光装置，所述第二发光装置排列在所述第二显示区域中；
第二像素电路，所述第二像素电路排列在所述中间区域中并且电连接到所述第二发光装置；
有机绝缘层，所述有机绝缘层排列在所述第二发光装置与所述第二像素电路之间；
连接线，所述连接线将所述第二发光装置和所述第二像素电路彼此电连接，并且至少部分地排列在所述第二显示区域中；以及
相位补偿层，所述相位补偿层排列在所述第二显示区域中以在平面图中与所述连接线重叠，
其中，所述相位补偿层的折射率低于所述有机绝缘层的折射率。
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| KR20220164860A (ko) | 2022-12-14 |
| US20220392983A1 (en) | 2022-12-08 |
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Legal Events
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