CN115440764A - 显示装置 - Google Patents

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CN115440764A CN202210137011.9A CN202210137011A CN115440764A CN 115440764 A CN115440764 A CN 115440764A CN 202210137011 A CN202210137011 A CN 202210137011A CN 115440764 A CN115440764 A CN 115440764A
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梁伸赫
金志训
金奎民
许宗茂
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示装置，显示装置可以包括：驱动元件，配置于显示区域；发光元件，配置于显示区域，并与驱动元件电连接；以及连接焊盘，配置于与显示区域相邻的焊盘区域，并与驱动元件电连接。连接焊盘可以包括包含金属的第一焊盘导电层以及包含氧化铟锡锌的第二焊盘导电层。第二焊盘导电层的氧化铟锡锌可以包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧(O)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。更详细地，本发明涉及一种包括焊盘区域的显示装置。
背景技术
显示装置是可视地显示数据的装置。这样的所述显示装置可以包括划分为显示区域和非显示区域的基板。在所述显示区域中可以配置扫描线、数据线，并配置多个像素。另外，所述像素各自可以包括驱动元件以及与所述驱动元件电连接的发光元件。在所述非显示区域中可以配置传输电信号的各种布线、扫描驱动部、数据驱动部、控制部、焊盘部等。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种不良得到改善的显示装置。
然而，本发明的目的不限于上述的目的，可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
为了达到前述的本发明的目的，可以是，根据本发明的一实施例的显示装置包括：驱动元件，配置于显示区域；发光元件，配置于所述显示区域，并与所述驱动元件电连接；以及连接焊盘，配置于与所述显示区域相邻的焊盘区域，并与所述驱动元件电连接，所述连接焊盘包括包含金属的第一焊盘导电层以及包含氧化铟锡锌的第二焊盘导电层，所述第二焊盘导电层的氧化铟锡锌包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧(O)。
在一实施例中，可以是，所述发光元件包括：下电极，配置于所述驱动元件上；发光层，配置于所述下电极上；以及上电极，配置于所述发光层上。
在一实施例中，可以是，所述下电极包括：下层，包含氧化铟锡锌；中间层，配置于所述下层上，并包含银；以及上层，配置于所述中间层上，并包含氧化铟锡锌。
在一实施例中，可以是，包括在所述下层以及所述上层各自中的氧化铟锡锌的组成比与所述第二焊盘导电层的氧化铟锡锌的组成比相同。
在一实施例中，可以是，所述下层的厚度为
Figure BDA0003505271950000021
至
Figure BDA0003505271950000022
所述上层的厚度为
Figure BDA0003505271950000023
至
Figure BDA0003505271950000024
所述第二焊盘导电层的厚度为
Figure BDA0003505271950000025
至
Figure BDA0003505271950000026
在一实施例中，可以是，所述上层、所述下层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌为非晶态。
在一实施例中，可以是，所述第一焊盘导电层包含钛(Ti)以及铜(Cu)。
在一实施例中，可以是，所述第二焊盘导电层还包含钛。
在一实施例中，可以是，所述驱动元件包括：有源层；栅极电极，配置于所述有源层上；以及源极图案以及漏极图案，配置于所述栅极电极上，并通过贯通层间绝缘层的接触孔分别接通于所述有源层。
在一实施例中，可以是，所述漏极图案包括：漏极层，包含与所述第一焊盘导电层相同的物质；以及导电层，配置于所述漏极层上，并包含与所述第二焊盘导电层相同的物质。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：无机绝缘层，配置于所述驱动元件以及所述连接焊盘上，并覆盖所述驱动元件；以及有机绝缘层，配置于所述无机绝缘层上，所述第二焊盘导电层具有通过去除所述有机绝缘层的一部分形成的开口而一部分暴露的部分。
为了达到前述的本发明的目的，可以是，根据本发明的一实施例的显示装置包括：驱动元件，配置于显示区域；下电极，配置于所述驱动元件上；以及连接焊盘，配置于与所述显示区域相邻的焊盘区域，并与所述驱动元件电连接，所述下电极包括分别包含氧化铟锡锌的下层和上层以及包含银的中间层，所述连接焊盘包括第一焊盘导电层以及第二焊盘导电层，所述第一焊盘导电层包含金属，所述第二焊盘导电层以与所述下电极的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌。
在一实施例中，可以是，所述下层、所述上层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧(O)。
在一实施例中，可以是，所述上层、所述下层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌为非晶态。
在一实施例中，可以是，所述第一焊盘导电层包含钛以及铜。
在一实施例中，可以是，所述第二焊盘导电层还包含钛。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：发光层，配置于所述下电极上；以及上电极，配置于所述发光层上，所述下电极、所述发光层以及所述上电极界定为发光元件。
在一实施例中，可以是，所述下层的厚度为
Figure BDA0003505271950000031
至
Figure BDA0003505271950000032
所述上层的厚度为
Figure BDA0003505271950000033
至
Figure BDA0003505271950000034
所述第二焊盘导电层的厚度为
Figure BDA0003505271950000035
至
Figure BDA0003505271950000036
在一实施例中，可以是，所述驱动元件包括：有源层；栅极电极，配置于所述有源层上；以及源极图案以及漏极图案，配置于所述栅极电极上，并通过贯通层间绝缘层的接触孔分别接通于所述有源层。
在一实施例中，可以是，所述漏极图案包括：漏极层，包含与所述第一焊盘导电层相同的物质；以及导电层，配置于所述漏极层上，并包含与所述第二焊盘导电层相同的物质。
根据本发明的一实施例的显示装置可以包括包含氧化铟锡锌的下电极以及以与所述下电极的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌的连接焊盘。由此，可以改善显示装置的不良。
然而，本发明的效果并不限于上述的效果，可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的显示装置的显示区域以及焊盘区域的截面图。
图3是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的显示区域以及焊盘区域的截面图。
图4至图10是示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
图11是示出图2的下电极的透射率的图。
图12以及图13是示出图2的下电极的功函数的图。
(附图标记说明)
100：显示装置 DA：显示区域
PA：焊盘区域 NDA：非显示区域
110：基板 120：缓冲层
130：栅极绝缘层 140：层间绝缘层
170：保护层 180：平坦化层
190：下电极 210：发光层
220：上电极 PD：连接焊盘
PDL：像素界定膜 BM：金属层
AP：有源层 GE：栅极电极
SE：源极图案 DE：漏极图案
具体实施方式
以下，参照所附附图，针对根据本发明的示例性实施例的显示装置进行详细说明。在所附附图中，针对相同或类似的构成要件使用相同或者类似的附图标记。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置100可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。显示区域DA可以界定为生成光或者调节从外部的光源提供的光的透射率而可以显示图像的区域。非显示区域NDA可以界定为不显示图像的区域。
可以在显示区域DA配置分别包括发光元件以及驱动元件的像素PX。像素PX可以根据驱动信号生成光。可以在显示区域DA配置向像素PX提供驱动信号的信号布线以及提供电源的电源布线。例如，可以在显示区域DA配置向像素PX提供栅极信号的栅极线GL、向像素PX提供数据信号的数据线DL以及向像素PX提供电源的电源线PL。可以是，栅极线GL向第一方向D1延伸，数据线DL向与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸，电源线PL向第二方向D2延伸。
可以在非显示区域NDA配置用于生成驱动信号的电路部以及用于将驱动信号或电源传输到显示区域DA或者将控制信号传输到所述电路部的传输布线。例如，可以在非显示区域NDA配置生成所述栅极信号的驱动部DR、向驱动部DR传输控制信号的控制信号布线DSL、向数据线DL传输所述数据信号的扇出布线FL、向电源线PL传输电源的电源传输布线PBL等。
非显示区域NDA可以包括配置连接焊盘PD的焊盘区域PA。配置于焊盘区域PA的连接焊盘PD可以是多个。例如，焊盘区域PA可以具有沿着显示装置100的一侧延伸的形状。换句话说，焊盘区域PA可以具有沿着第一方向D1延伸的形状。
所述传输布线可以向焊盘区域PA延伸，连接焊盘PD可以与所述传输布线电连接。例如，连接焊盘PD可以与控制信号布线DSL、扇出布线FL以及电源传输布线PBL中的至少一个电连接。
可以在连接焊盘PD焊接驱动装置。由此，所述传输布线可以与所述驱动装置电连接而从所述驱动装置接收驱动信号、控制信号、电源等。例如，所述驱动装置可以是安装有驱动芯片的柔性印刷电路板或者印刷电路板。所述驱动装置可以直接焊接于焊盘区域PA。选择性地，所述驱动装置也可以通过柔性电路膜等之类连接部件与焊盘区域PA的连接焊盘PD电连接。
图2是示出图1的显示装置的显示区域以及焊盘区域的截面图。
参照图2，显示装置100可以包括基板110、缓冲层120、金属层BM、驱动元件300、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、保护层170、平坦化层180、发光元件400、连接焊盘PD、像素界定膜PDL等。驱动元件300可以包括有源层AP、栅极电极GE、源极图案SE以及漏极图案DE。发光元件400可以包括下电极190、发光层210以及上电极220。
可以提供包含透明的或者不透明的物质的基板110。基板110可以划分为显示区域DA以及焊盘区域PA。基板110也可以由透明树脂基板形成。作为可以用作基板110的所述透明树脂基板的例子，可以举出聚酰亚胺基板。在这样的情况下，所述聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。在其它示例性实施例中，基板110也可以包括石英(quartz)基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙(calcium fluoride)基板、掺杂氟的石英(F-doped quartz)基板、钠钙玻璃(sodalime)基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。它们可以单独或者彼此组合使用。
可以在基板110上的显示区域DA配置金属层BM。金属层BM可以防止有源层AP因曝光而劣化。另外，金属层BM可以与其它布线连接而接收恒定电压等的施加。金属层BM可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。作为可以用于金属层BM的物质的例子，可以举出金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlN)、含银合金、氮化钨(WN)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiN)、氮化铬(CrN)、氮化钽(TaN)、氧化钌锶(SrRuO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟(InO)、氧化镓(GaO)、氧化铟锌(IZO)等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，金属层BM也可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，多个所述金属层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。
可以在基板110上配置缓冲层120。缓冲层120可以整体配置于显示区域DA以及焊盘区域PA。缓冲层120可以覆盖金属层BM。缓冲层120可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到半导体元件的现象。另外，当基板110的表面不均匀时，缓冲层120可以提高基板110表面的平坦度。例如，缓冲层120可以包含有机物质或者无机物质。
可以在缓冲层120上的显示区域DA配置有源层AP。有源层AP可以与金属层BM重叠。即，有源层AP的整体可以与金属层BM重叠。有源层AP可以包含金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon))或者有机物半导体等。有源层AP可以具有源极区域、漏极区域以及沟道区域。所述沟道区域可以位于所述源极区域和所述漏极区域之间。
可以在有源层AP上的显示区域DA配置栅极绝缘层130。栅极绝缘层130可以与有源层AP的所述沟道区域重叠。栅极绝缘层130可以包含硅化合物、金属氧化物等。作为可以用于栅极绝缘层130的所述硅化合物的例子，可以举出氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳化硅(SiCx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氮化硅(SiCxNy)等。另外，作为可以用于栅极绝缘层130的所述金属氧化物的例子，可以举出氧化铝(AlO)、氧化钽(TaO)、氧化铪(HfO)、氧化锆(ZrO)、氧化钛(TiO)等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，栅极绝缘层130也可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，多个所述绝缘层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。
可以在栅极绝缘层130上的显示区域DA配置栅极电极GE。栅极电极GE可以与栅极绝缘层130重叠。另外，栅极电极GE可以与有源层AP的所述沟道区域重叠。栅极电极GE可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，栅极电极GE也可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，多个所述金属层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。
可以在缓冲层120、有源层AP以及栅极电极GE上配置层间绝缘层140。层间绝缘层140可以整体配置于显示区域DA以及焊盘区域PA。层间绝缘层140可以在缓冲层120上充分覆盖有源层AP以及栅极电极GE。层间绝缘层140可以包含硅化合物、金属氧化物等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，层间绝缘层140可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，多个所述绝缘层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。
可以在层间绝缘层140上的显示区域DA配置源极图案SE以及漏极图案DE。源极图案SE可以通过去除层间绝缘层140的第一部分形成的接触孔而接通于有源层AP的所述源极区域，漏极图案DE可以通过去除层间绝缘层140的第二部分形成的接触孔而接通于有源层AP的所述漏极区域。另外，漏极图案DE可以通过去除层间绝缘层140以及缓冲层120的第三部分形成的接触孔而接通于金属层BM。源极图案SE以及漏极图案DE各自可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。
可以是，源极图案SE包括源极层160a以及配置于所述源极层160a上的第一导电层161a，漏极图案DE包括漏极层160b以及配置于漏极层160b上的第二导电层161b。例如，可以是，源极层160a以及漏极层160b各自包含金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)等之类金属，第一以及第二导电层161a、161b各自包含氧化铟锡(indiumtin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锌锡(zinc tin oxide，ZTO)、氧化铟(indium oxide，InO)、氧化铟锡锌(indium tin zinc oxide，ITZO)、氧化锌(zincoxide，ZnO)、氧化锡(tin oxide，SnO)等之类透明导电性物质。它们可以单独或者彼此组合使用。
在一实施例中，源极层160a以及漏极层160b各自可以包含钛以及铜，第一以及第二导电层161a、161b各自可以包含氧化铟锡锌。在其它示例性实施例中，第一以及第二导电层161a、161b各自也可以包含钛以及氧化铟锡锌。可以是，第一导电层161a执行防止源极层160a的损伤的作用，第二导电层161b执行防止漏极层160b的损伤的作用。
可以在层间绝缘层140上的焊盘区域PA配置图1中示出的连接焊盘PD。连接焊盘PD可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。连接焊盘PD可以与驱动元件300电连接。
连接焊盘PD可以包括第一焊盘导电层150以及配置于第一焊盘导电层150上的第二焊盘导电层151。例如，可以是，第一焊盘导电层150包含金、银、铝、钨、铜、铂、镍、钛等之类金属，第二焊盘导电层151包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化铟锡锌、氧化锌、氧化锡等之类透明导电性物质。它们可以单独或者彼此组合使用。
在一实施例中，可以是，第一焊盘导电层150包含钛以及铜，第二焊盘导电层151包含氧化铟锡锌。在其它示例性实施例中，第二焊盘导电层151也可以包含钛以及氧化铟锡锌。即，可以是，第一焊盘导电层150配置于与源极层160a以及漏极层160b相同的层上，第二焊盘导电层151配置于与第一以及第二导电层161a、161b相同的层上。换句话说，可以是，第一焊盘导电层150包含与源极层160a以及漏极层160b相同的物质，第二焊盘导电层151包含与第一以及第二导电层161a、161b相同的物质。第二焊盘导电层151可以执行媒介作用以使第一焊盘导电层150与外部端子电连接。
以往的显示装置中，连接焊盘的第二焊盘导电层包含氧化铟锡，从而在下电极的制造工艺中产生所述第二焊盘导电层的氧化铟锡的结晶化。由此，在所述连接焊盘中形成针孔(pin hole)，由于所述针孔，发生在所述连接焊盘中铜被侵蚀的现象。
在一实施例中，当第二焊盘导电层151包含氧化铟锡锌时，第二焊盘导电层151的氧化铟锡锌可以是非晶态。当第二焊盘导电层151的氧化铟锡锌为非晶态时，在连接焊盘PD中可以不形成针孔。由此，在连接焊盘PD中铜不被侵蚀，可以改善显示装置100的不良。
在一实施例中，第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的厚度可以是约
Figure BDA0003505271950000091
至约
Figure BDA0003505271950000092
在一实施例中，当第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自包含氧化铟锡锌时，第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的氧化铟锡锌可以包含20at％至35at％的铟(In)、2at％至20at％的锌(Zn)、4at％至6at％的锡(Sn)以及剩余氧(O)。优选地，第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的氧化铟锡锌可以包含21at％至34at％的铟(In)、3at％至18at％的锌(Zn)、4at％至6at％的锡(Sn)以及剩余氧(O)。当第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的氧化铟锡锌包含超过6at％的锡(Sn)时，连接焊盘PD中可能产生尖端(tip)。
可以在层间绝缘层140上配置保护层170。保护层170可以整体配置于显示区域DA以及焊盘区域PA。保护层170可以覆盖源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD。保护层170可以保护源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD。例如，保护层170可以包含硅化合物、金属氧化物等。它们可以单独或者彼此组合使用。保护层170可以指称为无机绝缘层。
可以在保护层170上配置平坦化层180。平坦化层180可以整体配置于显示区域DA以及焊盘区域PA。平坦化层180可以包含有机物质或者无机物质。在一实施例中，平坦化层180可以包含有机物质。作为可以用于平坦化层180的有机物质的例子，可以举出光刻胶(photoresist)、聚丙烯酸类树脂(polyacryl-based resin)、聚酰亚胺类树脂(polyimide-based resin)、聚酰胺类树脂(polyamide-based resin)、硅氧烷类树脂(siloxane-basedresin)、丙烯酸类树脂(acryl-based resin)、环氧类树脂(epoxy-based resin)等。它们可以单独或者彼此组合使用。平坦化层180可以指称为有机绝缘层。
可以在平坦化层180上的显示区域DA配置下电极190。下电极190可以通过去除平坦化层180以及保护层170的一部分形成的接触孔而接通于漏极图案DE。具体地，下电极190可以通过所述接触孔接通于漏极图案DE的第二导电层161b。下电极190可以是阳极电极。
在一实施例中，下电极190可以包括配置于平坦化层180上的下层190a、配置于下层190a上的中间层190b以及配置于中间层190b上的上层190c。下层190a以及上层190c各自可以包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化铟锡锌、氧化锌、氧化锡等之类金属氧化物。它们可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，下层190a以及上层190c各自可以包含氧化铟锡锌。另外，当下层190a以及上层190c各自包含氧化铟锡锌时，下层190a以及上层190c各自的氧化铟锡锌可以是非晶态。
中间层190b可以包含金、银、铝、铜、镍、铂、镁、铬、钨、钼、钛等之类金属。它们可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，中间层190b可以包含银。
在一实施例中，可以是，下层190a的厚度为约
Figure BDA0003505271950000101
至约
Figure BDA0003505271950000102
上层190c的厚度为约
Figure BDA0003505271950000103
至约
Figure BDA0003505271950000104
在一实施例中，下电极190可以以与第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌。具体地，下层190a以及上层190c各自可以以与第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌。即，下层190a以及上层190c各自的氧化铟锡锌可以包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧(O)。
可以在平坦化层180以及下电极190上的显示区域DA配置像素界定膜PDL。像素界定膜PDL可以覆盖下电极190的两侧部并暴露下电极190的上面的一部分。像素界定膜PDL可以包含有机物质或者无机物质。在一实施例中，像素界定膜PDL可以包含有机物质。
可以在下电极190以及像素界定膜PDL上配置发光层210。发光层210可以发出红色、绿色或者蓝色光。与此不同地，可以是，当发光层210发出白色光时，发光层210包括包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层的多层结构，或者也包括红色、绿色以及蓝色发光物质的混合层。发光层210可以包括空穴注入层(hole injection layer，HIL)、空穴传输层(hole transporting layer，HTL)、有机发光层(organic emission layer，EML)、电子传输层(electron transporting layer，ETL)以及电子注入层(electron injection layer，EIL)。例如，发光层210可以包含低分子有机化合物或者高分子有机化合物。
可以在发光层210上配置上电极220。上电极220可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上电极220也可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，多个所述金属层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。上电极220可以是阴极电极。
以往的显示装置中，下电极以及连接焊盘各自包含氧化铟锡。此时，在所述下电极的制造工艺中，在所述连接焊盘部分中形成针孔。由于所述针孔导致在所述连接焊盘中铜被侵蚀，并且在所述下电极部分中溶出银。即，由于所述针孔，发生所述显示装置的不良。
本发明的显示装置100可以包括包含氧化铟锡锌的下电极190以及以与下电极190的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌的连接焊盘PD。由此，可以改善显示装置100的不良。
然而，虽然本发明的显示装置100限定说明为有机发光显示装置，但本发明的结构不限于此。在其它示例性实施例中，显示装置100也可以包括液晶显示装置(liquidcrystal display device，LCD)、场发射显示装置(field emission display device，FED)、等离子体显示装置(plasma display device，PDP)或者电泳显示装置(electrophoretic image display device，EPD)。
图3是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的显示区域以及焊盘区域的截面图。
参照图3，所述显示装置可以包括基板110、缓冲层120、金属层BM、驱动元件300、栅极绝缘层130、层间绝缘层140、保护层170、平坦化层180、发光元件400、连接焊盘PD、像素界定膜PDL等。驱动元件300可以包括有源层AP、栅极电极GE、源极图案SE以及漏极图案DE。发光元件400可以包括下电极190、发光层210以及上电极220。然而，图3的所述显示装置除源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD之外，与参照图2说明的显示装置100可以实质上相同或者类似。以下，将省略重复的说明。
如图2说明那样，可以是，漏极图案DE包括漏极层160b以及配置于漏极层160b上的第二导电层162，连接焊盘PD包括第一焊盘导电层150以及配置于第一焊盘导电层150上的第二焊盘导电层152。然而，图3的源极图案SE可以与图2的源极图案SE不同而不包括第一导电层161a。
第二导电层162可以在显示区域DA中通过去除保护层170的一部分形成的第一接触孔而接通于漏极层160b。第二焊盘导电层152可以在焊盘区域PA中通过去除保护层170的一部分形成的第二接触孔而接通于第一焊盘导电层150。即，第二导电层162可以通过与漏极层160b不同的蚀刻工艺形成，第二焊盘导电层152可以通过与第一焊盘导电层150不同的蚀刻工艺形成。
第二导电层162以及第二焊盘导电层152可以配置于相同的层上，并包含相同的物质。例如，第二导电层162以及第二焊盘导电层152各自可以包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化铟锡锌、氧化锌、氧化锡等之类透明导电性物质。它们可以单独或者彼此组合使用。在一实施例中，第二导电层162以及第二焊盘导电层152各自可以包含氧化铟锡锌。
图4至图10是示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
参照图4，可以提供包含透明的或者不透明的物质的基板110。基板110可以划分为显示区域DA以及焊盘区域PA。可以在基板110上的显示区域DA形成金属层BM。例如，金属层BM可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。可以在基板110上形成缓冲层120。缓冲层120可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。另外，缓冲层120可以在显示区域DA中覆盖金属层BM。例如，缓冲层120可以包含有机物质或者无机物质。
可以在缓冲层120上的显示区域DA形成有源层AP。有源层AP可以与金属层BM重叠。有源层AP可以包含金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅、多晶硅)或者有机物半导体等。有源层AP可以具有源极区域、漏极区域以及沟道区域。所述沟道区域可以位于所述源极区域和所述漏极区域之间。
可以在有源层AP上形成绝缘层。所述绝缘层可以覆盖有源层AP并整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。可以在所述绝缘层上的显示区域DA形成栅极电极GE。栅极电极GE可以与有源层AP的所述沟道区域重叠。例如，栅极电极GE可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。之后，可以将所述栅极电极GE用作掩模来蚀刻所述绝缘层而局部暴露有源层AP。由此，可以在栅极电极GE和有源层AP之间形成栅极绝缘层130。例如，栅极绝缘层130可以包含硅化合物、金属氧化物等。它们可以单独或者彼此组合使用。
可以在缓冲层120、有源层AP以及栅极电极GE上形成层间绝缘层140。层间绝缘层140可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。层间绝缘层140可以覆盖有源层AP以及栅极电极GE。例如，层间绝缘层140可以包含硅化合物、金属氧化物等。它们可以单独或者彼此组合使用。
参照图5，可以去除缓冲层120以及层间绝缘层140的一部分而形成暴露金属层BM的一部分的第一接触孔CNT1。另外，可以去除层间绝缘层140的第一部分而形成暴露有源层AP的所述漏极区域的第二接触孔CNT2，可以去除层间绝缘层140的第二部分而形成暴露有源层AP的所述源极区域的第三接触孔CNT3。即，第一至第三接触孔CNT1、CNT2、CNT3可以同时形成。
参照图5以及图6，可以在层间绝缘层140上形成第一金属层10。第一金属层10可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。即，第一金属层10可以填充第一至第三接触孔CNT1、CNT2、CNT3并整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。之后，可以在第一金属层10上形成第二金属层11。第二金属层11可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。
参照图6以及图7，可以在显示区域DA中局部蚀刻第一以及第二金属层10、11而形成源极图案SE以及漏极图案DE。另外，可以在焊盘区域PA中局部蚀刻第一以及第二金属层10、11而形成连接焊盘PD。在此，源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD可以通过相同的蚀刻工艺同时形成。即，源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD可以使用相同的物质同时形成。如前所述，可以是，源极图案SE包括源极层160a以及第一导电层161a，漏极图案DE包括漏极层160b以及第二导电层161b，连接焊盘PD包括第一焊盘导电层150以及第二焊盘导电层151。在一实施例中，源极层160a、漏极层160b以及第一焊盘导电层150各自可以包含钛以及铜，第一导电层161a、第二导电层161b以及第二焊盘导电层151各自可以包含氧化铟锡锌。
参照图8，可以在层间绝缘层140上形成保护层170。保护层170可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。保护层170可以覆盖源极图案SE、漏极图案DE以及连接焊盘PD。例如，保护层170可以包含硅化合物、金属氧化物等。它们可以单独或者彼此组合使用。
可以在焊盘区域PA中去除保护层170的一部分而暴露第二焊盘导电层151的一部分。即，可以在焊盘区域PA中去除保护层170的一部分而形成暴露第二焊盘导电层151的一部分的开口。
可以在保护层170上形成平坦化层180。平坦化层180可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。平坦化层180可以在焊盘区域PA中填充保护层170的所述开口。平坦化层180可以包含有机物质。作为可以用于平坦化层180的有机物质的例子，可以举出光刻胶、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。它们可以单独或者彼此组合使用。
可以去除保护层170以及平坦化层180的一部分而形成暴露第二导电层161b的一部分的第一开口OP1，可以去除平坦化层180的一部分而形成暴露第二焊盘导电层151的一部分的第二开口OP2。即，第一以及第二开口OP1、OP2可以同时形成。
参照图8以及图9，可以在平坦化层180上形成电极层。所述电极层可以包括第一电极层191、形成于第一电极层191上的第二电极层192以及形成于第二电极层192上的第三电极层193。所述电极层可以整体形成于显示区域DA以及焊盘区域PA。即，所述电极层可以通过第一开口OP1接通于第二导电层161b，并可以通过第二开口OP2接通于第二焊盘导电层151。
参照图9以及图10，可以在显示区域DA中蚀刻所述电极层的一部分而形成下电极190。下电极190可以包括下层190a、配置于下层190a上的中间层190b以及配置于中间层190b上的上层190c。在一实施例中，可以是，下层190a以及上层190c各自包含氧化铟锡锌，中间层190b包含银。可以在焊盘区域PA中蚀刻所述电极层而暴露第二焊盘导电层151的一部分。即，可以在焊盘区域PA中将所述电极层全部蚀刻而暴露第二焊盘导电层151的一部分。
再次参照图2，可以在平坦化层180以及下电极190上形成像素界定膜PDL。像素界定膜PDL可以暴露下电极190的两侧部并暴露下电极190的上面的一部分。像素界定膜PDL可以包含有机物质或者无机物质。在一实施例中，像素界定膜PDL可以包含有机物质。
可以在下电极190以及像素界定膜PDL上形成发光层210。发光层210可以发出红色、绿色或者蓝色光。与此不同地，当发光层210发出白色光时，也可以是，发光层210包括包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层的多层结构，或者包括红色、绿色以及蓝色发光物质的混合层。发光层210可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。例如，发光层210可以包含低分子有机化合物或者高分子有机化合物。
可以在发光层210上形成上电极220。上电极220可以包含金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。它们可以单独或者彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上电极220也可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，多个所述金属层可以厚度彼此不同或者包含彼此不同的物质。
由此，可以制造图2中示出的显示装置100。
以下，将针对根据本发明的一实施例的显示装置100的下电极190以及连接焊盘PD进行仔细说明。
实施例1至实施例5
在根据本发明的一实施例的显示装置100中，如下那样制作下电极190以及连接焊盘PD，并测定下电极190以及连接焊盘PD的结晶化与否、下电极190的透射率、连接焊盘PD的尖端(tip)产生与否以及下电极190的功函数。在此，下电极190和连接焊盘PD各自作为ITZO薄膜，制造成下电极190以及连接焊盘PD各自的In、Zn、Sn以及O的组成比相同。下表1是表示根据实施例1至实施例5的In、Zn、Sn以及O的原子百分比的数据。
表1
In(at％) Zn(at％) Sn(at％) O(at％)
实施例1 22 18.6 4.7 54.6
实施例2 28.7 9.5 4.8 57.0
实施例3 33.5 3 4.9 58.6
实施例4 22.6 18.5 4.4 54.5
实施例5 21.9 18 5.3 54.8
实验1-下电极以及连接焊盘的结晶化与否
下电极190以及连接焊盘PD满足所述实施例1的条件。之后，确认了满足所述条件的下电极190以及连接焊盘PD的结晶化与否。结晶化与否通过X射线衍射(X-raydiffraction，XRD)分析来进行。此时，分别进行了对下电极190以及连接焊盘PD执行热处理工艺和不执行热处理工艺。热处理工艺在250℃下进行1小时期间。
其结果，当执行热处理时和不执行热处理时，在下电极190以及连接焊盘PD中没有观察到结晶化峰值。即，可以确认，在所述实施例1的条件下保持下电极190以及连接焊盘PD的非晶态。由此，可以确认，可以将满足所述实施例1的条件的下电极190以及连接焊盘PD用于显示装置100。
实验2-测定下电极的透射率
下电极190的厚度为
Figure BDA0003505271950000171
下电极190满足所述实施例1的条件。之后，测定满足所述条件的下电极190的透射率。具体地，按照各波段测定下电极190的透射率，并且与下电极190包含ITO情况下的下电极190的透射率进行比较。
其结果，参照图11，在下电极190包含ITZO的情况下，当波段为450mm时下电极190的透射率为95.04％，当波段为550mm时下电极190的透射率为97.16％，当波段为650mm时下电极190的透射率为98.06％。相反地，在下电极190包含ITO的情况下，当波段为450mm时下电极190的透射率为94.04％，当波段为550mm时下电极190的透射率为96.62％，当波段为650mm时下电极190的透射率为97.90％。即，可以确认，在满足所述条件的情况下，与下电极190包含ITO的情况类似的透射率。由此，可以确认，可以将满足所述实施例1的条件的下电极190用于显示装置100。
实验3-连接焊盘的尖端产生与否
使用水性蚀刻液制造连接焊盘PD。此时，连接焊盘PD的第二焊盘导电层151的厚度为
Figure BDA0003505271950000172
连接焊盘PD满足所述实施例1的条件。之后，观察满足所述条件的连接焊盘PD的尖端产生与否。其结果，可以确认，在连接焊盘PD满足所述实施例1的条件的情况下，在连接焊盘PD中不产生尖端。
实验4-测定下电极的功函数
下电极190的厚度为
Figure BDA0003505271950000173
之后，按照所述实施例1至所述实施例5的条件测定满足所述条件的下电极190的功函数。具体地，在所述实施例1至所述实施例5的条件下，测定下电极190的功函数，并与下电极190包含ITO的情况进行比较。
其结果，参照图12以及图13，可以确认，在下电极190满足所述实施例1至所述实施例5的条件的情况下，下电极190的功函数满足5eV至5.3eV的范围。相反地，在下电极190包含ITO的情况下，下电极190的功函数为5.20eV。即，可以确认，包含满足所述实施例1至所述实施例5的条件的ITZO的下电极190的功函数接近包含ITO的下电极190的功函数。由此，可以确认，可以将满足所述实施例1至所述实施例5的条件的下电极190用于显示装置100。
如上所述，虽然参照本发明的示例性实施例进行了说明，但在本技术领域中具有通常知识的人应能理解可以在不脱离所附权利要求书中记载的本发明的构思以及领域的范围内，对本发明进行各种修改以及变更。
本发明可以适用于可以具备显示装置的各种显示器设备。例如，本发明可以适用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板计算机、车辆用导航系统、电视、计算机监视器、笔记本等。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
驱动元件，配置于显示区域；
发光元件，配置于所述显示区域，并与所述驱动元件电连接；以及
连接焊盘，配置于与所述显示区域相邻的焊盘区域，并与所述驱动元件电连接，
所述连接焊盘包括包含金属的第一焊盘导电层以及包含氧化铟锡锌的第二焊盘导电层，所述第二焊盘导电层的氧化铟锡锌包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件包括：
下电极，配置于所述驱动元件上；
发光层，配置于所述下电极上；以及
上电极，配置于所述发光层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述下电极包括：
下层，包含氧化铟锡锌；
中间层，配置于所述下层上，并包含银；以及
上层，配置于所述中间层上，并包含氧化铟锡锌。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
包括在所述下层以及所述上层各自中的氧化铟锡锌的组成比与所述第二焊盘导电层的氧化铟锡锌的组成比相同。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述下层的厚度为
Figure FDA0003505271940000011
至
Figure FDA0003505271940000012
所述上层的厚度为
Figure FDA0003505271940000013
至
Figure FDA0003505271940000014
所述第二焊盘导电层的厚度为
Figure FDA0003505271940000015
至
Figure FDA0003505271940000016
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述上层、所述下层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌为非晶态。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一焊盘导电层包含钛以及铜。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二焊盘导电层还包含钛。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动元件包括：
有源层；
栅极电极，配置于所述有源层上；以及
源极图案以及漏极图案，配置于所述栅极电极上，并通过贯通层间绝缘层的接触孔分别接通于所述有源层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述漏极图案包括：
漏极层，包含与所述第一焊盘导电层相同的物质；以及
导电层，配置于所述漏极层上，并包含与所述第二焊盘导电层相同的物质。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
无机绝缘层，配置于所述驱动元件以及所述连接焊盘上，并覆盖所述驱动元件；以及
有机绝缘层，配置于所述无机绝缘层上，
所述第二焊盘导电层具有通过去除所述有机绝缘层的一部分形成的开口而一部分暴露的部分。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：
驱动元件，配置于显示区域；
下电极，配置于所述驱动元件上；以及
连接焊盘，配置于与所述显示区域相邻的焊盘区域，并与所述驱动元件电连接，
所述下电极包括分别包含氧化铟锡锌的下层和上层以及包含银的中间层，
所述连接焊盘包括第一焊盘导电层以及第二焊盘导电层，所述第一焊盘导电层包含金属，所述第二焊盘导电层以与所述下电极的氧化铟锡锌相同的组成比包含氧化铟锡锌。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述下层、所述上层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌包含20at％至35at％的铟、2at％至20at％的锌、4at％至6at％的锡以及剩余氧。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述上层、所述下层以及所述第二焊盘导电层各自的氧化铟锡锌为非晶态。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述第一焊盘导电层包含钛以及铜。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述第二焊盘导电层还包含钛。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
发光层，配置于所述下电极上；以及
上电极，配置于所述发光层上，
所述下电极、所述发光层以及所述上电极界定为发光元件。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述下层的厚度为
Figure FDA0003505271940000031
至
Figure FDA0003505271940000032
所述上层的厚度为
Figure FDA0003505271940000033
至
Figure FDA0003505271940000034
所述第二焊盘导电层的厚度为
Figure FDA0003505271940000035
至
Figure FDA0003505271940000036
19.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动元件包括：
有源层；
栅极电极，配置于所述有源层上；以及
源极图案以及漏极图案，配置于所述栅极电极上，并通过贯通层间绝缘层的接触孔分别接通于所述有源层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，
所述漏极图案包括：
漏极层，包含与所述第一焊盘导电层相同的物质；以及
导电层，配置于所述漏极层上，并包含与所述第二焊盘导电层相同的物质。
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