CN115440563A - 等离子体处理装置和等离子体处理方法 - Google Patents

等离子体处理装置和等离子体处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够提高等离子体的生成中的高频电力的电力耦合效率。在公开的等离子体处理装置中，高频电源对高频电力进行调制，以使得第一期间的高频电力的水平比第二期间的高频电力的水平高。第二期间是与第一期间交替的期间。偏置电源对偏置能量进行调制，以使得第三期间的偏置能量的水平比第四期间的偏置能量的水平高。第四期间是与第三期间交替的期间。偏置电源根据基于行波的功率和反射波的功率得到的高频电力的针对等离子体的电力耦合效率，来调整与第一期间局部重叠的第三期间的开始时间点相对于第一期间的开始时间点的时间差。

Description

等离子体处理装置和等离子体处理方法
技术领域
本公开的例示性的实施方式涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。
背景技术
等离子体处理装置被使用于针对基板进行的等离子体处理中。在等离子体处理装置中，供给高频电力以在腔室内从气体生成等离子体。下述的专利文献1公开了一种进行高频电力的接通/断开控制或者高/低控制的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-64696号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种提高等离子体的生成中的高频电力的电力耦合效率的技术。
用于解决问题的方案
在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、高频电源、偏置电源以及测定器。基板支承部设置于腔室内，所述基板支承部具有电极。高频电源构成为供给高频电力以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为向基板支承部的电极提供偏置能量以从等离子体向载置于基板支承部上的基板吸引离子。测定器构成为测定高频电力的行波的功率和反射波的功率。高频电源对高频电力进行调制，以使得第一期间的高频电力的水平比第二期间的高频电力的水平高。第二期间是与第一期间交替的期间。偏置电源对偏置能量进行调制，以使得第三期间的偏置能量的水平比第四期间的偏置能量的水平高。第四期间是与第三期间交替的期间。偏置电源根据基于行波的功率和反射波的功率得到的高频电力的针对等离子体的电力耦合效率，来调整与第一期间局部重叠的第三期间的开始时间点相对于第一期间的开始时间点的时间差。
发明的效果
根据一个例示性的实施方式，能够提高等离子体的生成中的高频电力的电力耦合效率。
附图说明
图1是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图3是高频电力和偏置能量的一例的时序图。
图4是例示电力耦合效率的随时间的变化的图。
图5是一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。
具体实施方式
下面，对各种例示性的实施方式进行说明。
在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、高频电源、偏置电源以及测定器。基板支承部设置于腔室内，所述基板支承部具有电极。高频电源构成为供给高频电力以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为向基板支承部的电极提供偏置能量，以从等离子体向载置于基板支承部上的基板吸引离子。测定器构成为测定高频电力的行波的功率和反射波的功率。高频电源对高频电力进行调制，以使得第一期间的高频电力的水平比第二期间的高频电力的水平高。第二期间是与第一期间交替的期间。偏置电源对偏置能量进行调制，以使得第三期间的偏置能量的水平比第四期间的偏置能量的水平高。第四期间是与第三期间交替的期间。偏置电源根据基于行波的功率和反射波的功率得到的高频电力的针对等离子体的电力耦合效率，来调整与第一期间局部重叠的第三期间的开始时间点相对于第一期间的开始时间点的时间差。
第一期间与第三期间之间的时间差对高频电力向等离子体的耦合效率产生影响。根据上述实施方式，根据高频电力的针对等离子体的电力耦合效率来调整该时间差，因此能够提高等离子体的生成中的高频电力的电力耦合效率。
在一个例示性的实施方式中，偏置电源可以构成为：以使第三期间的开始时间点早于第一期间的开始时间点并且电力耦合效率越低则所述时间差越大的方式调整该时间差。
在一个例示性的实施方式中，偏置电源可以使第一期间的结束时间点同与第一期间局部重叠的第三期间的结束时间点一致的方式设定第三期间的时间长度。
在一个例示性的实施方式中，偏置能量可以为高频电力或周期性地产生的电压的脉冲。
在一个例示性的实施方式中，高频电源可以构成为在第二期间停止供给高频电力。偏置电源可以构成为在第四期间停止供给偏置能量。
在其它例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括将基板载置于设置在等离子体处理装置的腔室内的基板支承部上的工序。等离子体处理方法还包括对所供给的用于在腔室内生成等离子体的高频电力进行调制的工序。对高频电力进行调制，以使得第一期间的高频电力的水平比第二期间的高频电力的水平高。第二期间是与第一期间交替的期间。等离子体处理方法还包括对向基板支承部的电极供给的用于从等离子体向基板吸引离子的偏置能量进行调制的工序。对偏置能量进行调制，以使得第三期间的偏置能量的水平比第四期间的偏置能量的水平高。第四期间是与第三期间交替的期间。等离子体处理方法还包括根据高频电力的针对等离子体的电力耦合效率来调整与第一期间局部重叠的第三期间的开始时间点相对于第一期间的开始时间点的时间差的工序。能够基于高频电力的行波的功率和高频功率的反射波的功率来得到电力耦合效率。
在一个例示性的实施方式中，可以以使第三期间的开始时间点早于第一期间的开始时间点并且电力耦合效率越低则该时间差越大的方式调制所述时间差。
在一个例示性的实施方式中，可以以使第一期间的结束时间点同与第一期间局部重叠的第三期间的结束时间点一致的方式设定第三期间的时间长度。
在一个例示性的实施方式中，偏置能量可以是高频电力或周期性地产生的电压的脉冲。
在一个例示性的实施方式中，可以在第二期间停止供给高频电力。可以在第四期间停止供给偏置能量。
下面，参照附图来对各种例示性的实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
图1和图2是概要性地表示一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
在一个实施方式中，等离子体处理系统包括等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、基板支承部11以及等离子体生成部12。等离子体处理腔室10具有等离子体处理空间。另外，等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口、以及用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。气体供给口与后述的气体供给部20连接，气体排出口与后述的排气系统40连接。基板支承部11具有用于支承基板的基板支承面，该基板支承部11配置于等离子体处理空间内。
等离子体生成部12构成为从供给到等离子体处理空间内的至少一种处理气体生成等离子体。在等离子体处理空间中形成的等离子体可以是电容耦合等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)、电感耦合等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)、ECR等离子体(Electron-Cyclotron-resonance plasma：电子回旋共振等离子体)、螺旋波激励等离子体(HWP：Helicon Wave Plasma)或表面波等离子体(SWP：SurfaceWave Plasma)等。另外，可以使用包括AC(Alternating Current：交流)等离子体生成部和DC(Direct Current：直流)等离子体生成部的各种类型的等离子体生成部。在一个实施方式中，在AC等离子体生成部中使用的AC信号(AC电力)具有100kHz～10GHz的范围内的频率。因而，AC信号包括RF(Radio Frequency：射频)信号和微波信号。在一个实施方式中，RF信号具有200kHz～150MHz的范围内的频率。
控制部2对使等离子体处理装置1执行本公开中叙述的各种工序的计算机可执行的命令进行处理。控制部2能够构成为：控制等离子体处理装置1的各要素，以执行在此叙述的各种工序。在一个实施方式中，控制部2的一部分或全部可以包括在等离子体处理装置1中。控制部2例如可以包括计算机2a。计算机2a例如可以包括处理部(CPU：CentralProcessing Unit：中央处理单元)2a1、存储部2a2以及通信接口2a3。处理部2a1能够构成为基于存储部2a2中保存的程序来进行各种控制动作。存储部2a2可以包括RAM(RandomAccess Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard DiskDrive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态硬盘)或者它们的组合。通信接口2a3可以经由LAN(Local Area Network：局域网)等通信线路来与等离子体处理装置1之间进行通信。
下面，对作为等离子体处理装置1的一例的电容耦合等离子体处理装置的结构例进行说明。电容耦合等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部200、多个电源以及排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基板支承部11和气体导入部。气体导入部构成为将至少一种处理气体导入到等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。基板支承部11配置于等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置于基板支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11规定出的等离子体处理空间10s。侧壁10a接地。喷淋头13及基板支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
基板支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有用于支承基板(晶圆)W的中央区域(基板支承面)111a和用于支承环组件112的环状区域(环支承面)111b。主体部111的环状区域111b在俯视时包围主体部111的中央区域111a。基板W配置于主体部111的中央区域111a上，环组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基板W的方式配置于主体部111的环状区域111b。
在一个实施方式中，主体部111包括基台114和静电吸盘116。基台114包括导电性构件。基台114的导电性构件作为下部电极发挥功能。静电吸盘116配置于基台114上。静电吸盘116的上表面具有基板支承面111a。环组件112包括一个或多个环状构件。一个或多个环状构件中的至少一个环状构件是边缘环。另外，基板支承部11可以包括调温模块，该调温模块构成为将静电吸盘116、环组件112以及基板W中的至少一方调节为目标温度，但省略图示。调温模块可以包括加热器、传热介质、流路或它们的组合。在流路中流动如盐水、气体那样的传热流体。另外，基板支承部11可以包括传热气体供给部，所述传热气体供给部构成为向基板W的背面与基板支承面111a之间的间隙供给传热气体。
喷淋头13构成为将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入到等离子体处理空间10s内。喷淋头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b以及多个气体导入口13c。供给到气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c导入到等离子体处理空间10s内。另外，喷淋头13包括导电性构件。喷淋头13的导电性构件作为上部电极发挥功能。此外，气体导入部除了包括喷淋头13以外，还可以包括在形成于侧壁10a的一个或多个开口部安装的一个或多个旁侧气体注入部(SGI：Side Gas Injector)。
气体供给部20可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20构成为将至少一种处理气体从各自对应的气体源21经由各自对应的流量控制器22供给到喷淋头13。各流量控制器22例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。并且，气体供给部20可以包括将至少一种处理气体的流量进行调制或脉冲化的至少一个流量调制设备。
排气系统40能够与例如设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调整阀和真空泵。通过压力调整阀来调整等离子体处理空间10s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干泵或它们的组合。
等离子体处理装置1的多个电源包括高频电源31和偏置电源32。高频电源31构成为：供给高频电力RF，以在腔室10内从气体生成等离子体。高频电力RF具有13MHz～150MHz的范围内的频率。高频电源31经由匹配器31m而与基板支承部11的电极(例如，基台114)连接。匹配器31m包括用于使高频电源31的负载的阻抗与高频电源31的输出阻抗匹配的匹配电路。此外，高频电源31可以与基板支承部11的其它电极连接，以取代与基台114连接。或者，高频电源31可以经由匹配器31m而与上部电极连接。
偏置电源32与基板支承部11的电极(例如，基台114)电连接。偏置电源32构成为向基板支承部11的电极提供偏置能量BE，以从等离子体向载置于基板支承部11上的基板W吸引离子。此外，偏置电源32也可以与基板支承部11的其它电极电连接，以取代与基台114电连接。
偏置能量BE可以是高频电力、即高频偏置电力LF或周期性地产生的电压的脉冲PV(参照图3)。高频偏置电力LF具有400kHz～13.56MHz的范围内的偏置频率。在偏置能量BE为高频偏置电力LF的情况下，偏置电源32经由匹配器32m而与基板支承部11的电极连接。匹配器32m包括用于使偏置电源32的负载的阻抗与偏置电源32的输出阻抗匹配的匹配电路。
以具有为偏置频率的倒数的时间长度的周期产生电压的脉冲PV。偏置频率能够是100kHz～13.56MHz的范围内的频率。电压的脉冲PV能够是负的电压的脉冲。电压的脉冲PV可以是负的直流电压的脉冲。电压的脉冲PV可以具有如矩形脉冲波、三角脉冲波、冲击波那样的任意波形。
下面，与一同参照图2和图3。图3是高频电力和偏置能量的一例的时序图。如图3所示，高频电源31对高频电力RF进行调制，以使得第一期间P1的高频电力RF的水平(瓦特)比第二期间P2的高频电力RF的水平(瓦特)高。第二期间P2是与第一期间P1交替的期间。第二期间P2的高频电力RF的水平可以为0瓦特。即，在一个实施方式中，高频电源31可以构成为在第二期间P2停止供给高频电力RF。或者，第二期间P2的高频电力RF的水平可以比0瓦特大。此外，分别包括第一期间P1和第二期间P2的高频电力RF的调制周期的时间长度的倒数即调制频率比偏置频率低。调制频率例如是1Hz～100kHz的范围内的频率。
偏置电源32对偏置能量BE进行调制，以使得第三期间P3的偏置能量BE的水平比第四期间P4的偏置能量BE的水平高。在偏置能量BE为高频偏置电力LF的情况下，偏置能量BE的水平为电力水平。在偏置能量BE为电压的脉冲PV的情况下，偏置能量BE的水平为脉冲PV的电压水平的绝对值。第四期间P4是与第三期间P3交替的期间。第四期间P4的偏置能量BE的水平可以为0。即，在一个实施方式中，偏置电源32可以构成为在第四期间P4停止供给偏置能量BE。或者，第四期间P4的偏置能量BE的水平可以比0大。此外，分别包括第三期间P3和第四期间P4的偏置能量BE的调制周期的时间长度是上述的调制频率的倒数。
如图3所示，偏置电源32可以在初始时以使第三期间P3的开始时间点与第一期间P1的开始时间点一致的方式供给偏置能量BE。偏置电源32构成为：根据高频电力RF的针对等离子体的电力耦合效率，来调整与第一期间P1局部重叠的第三期间P3的开始时间点相对于第一期间P1的开始时间点的时间差TD。
电力耦合效率是表示高频电力RF的针对等离子体的耦合效率的指标，能够根据高频电力RF的行波的功率Pf和反射波的功率Pr来求出。根据{(Pf-Pr)/Pf}×100％来求出电力耦合效率。或者，可以根据(Pf-Pr)来求出电力耦合效率。此外，能够在第一期间P1的开始时间点测定行波的功率Pf和反射波的功率Pr。
在等离子体处理装置1中，通过测定器34来测定行波的功率Pf和反射波的功率Pr。测定器34可以在高频电源31与匹配器31m之间以测定行波的功率Pf和反射波的功率Pr的方式设置。或者，测定器34可以在匹配器31m与基板支承部11的电极(例如，基台114)之间以测定行波的功率Pf和反射波的功率Pr的方式设置。
可以使用预先准备的函数或表来决定与电力耦合效率相应的时间差TD。可以在偏置电源32中求出电力耦合效率以及与其相应的时间差TD。或者，可以在控制部2中求出电力耦合效率以及与其相应的时间差TD，并且将求出的时间差TD从控制部2指定给偏置电源32。
在一个实施方式中，偏置电源32可以构成为：以使第三期间P3的开始时间点早于第一期间P1的开始时间点并且电力耦合效率越低则时间差TD越大的方式调整时间差TD。另外，如图3所示，偏置电源32可以以使第一期间P1的结束时间点同与第一期间P1局部重叠的第三期间P3的结束时间点一致的方式设定第三期间P3的时间长度。
下面，参照图4。图4是例示电力耦合效率的随时间的变化的图。图4所示的三个电力耦合效率的随时间的变化是通过使用等离子体处理装置1获取第一期间P1的开始时间点的高频电力RF的电力耦合效率而得到的。获取到图4所示的三个电力耦合效率的随时间的变化时的高频电力RF和偏置能量BE的调制频率为400kHz。作为偏置能量BE，使用了电压的脉冲PV。在图4所示的三个电力耦合效率的随时间的变化的获取中，作为偏置能量BE的调制周期与高频电力RF的调制周期之间的相位差，使用了0deg、-9deg、-18deg这三种相位差。即，将第三期间P3的开始时间点与紧接其后的第一期间P1的开始时间点之间的时间差TD设为0秒、0.0625微秒、0.125微秒，由此获取到图4所示的三个电力耦合效率的随时间的变化。如图4所示，在开始供给高频电力RF的脉冲的供给的时间点，相位差越大、即时间差TD越大，则高频电力RF的针对等离子体的电力耦合效率越高。
如根据图4所示的三个电力耦合效率的随时间的变化可知的那样，第一期间P1与第三期间P3之间的时间差TD对高频电力RF的针对等离子体的耦合效率有影响。根据等离子体处理装置1，根据高频电力RF的针对等离子体的电力耦合效率来调整时间差TD，因此能够提高等离子体的生成中的高频电力RF的电力耦合效率。
下面，参照图5对一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理方法进行说明。图5是一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。下面，以使用等离子体处理装置1的情况为例来说明图5所示的等离子体处理方法(下面称为“方法MT”)。此外，在方法MT的各工序中，等离子体处理装置1的各部能够由控制部2进行控制。
方法MT通过工序STa开始。在工序STa中，在基板支承部11上载置基板W。在将基板W载置于基板支承部11上的状态下执行方法MT的工序STb～工序STd。另外，在执行工序STb～工序STd的期间，从气体供给部20向腔室10内供给处理气体，通过排气系统40将腔室10内的压力调整为指定的压力。
在工序STb中，对高频电力RF进行调制。供给高频电力RF，以在腔室10内生成等离子体。如上述那样，对高频电力RF进行调制，以使得第一期间P1的高频电力RF的水平比第二期间P2的高频电力RF的水平高。
在工序STc中，对偏置能量BE进行调制。向基板支承部11的电极(例如，基台114)供给偏置能量BE，以从等离子体向基板W吸引离子。如上述那样，对偏置能量BE进行调制，以使得第三期间P3的偏置能量BE的水平比第四期间P4的偏置能量BE的水平高。
在工序STd中，根据高频电力RF的针对等离子体的电力耦合效率，来调整与第一期间P1局部重叠的第三期间P3的开始时间点相对于第一期间P1的开始时间点的时间差TD。如上述那样，根据由测定器34获取到的高频电力RF的行波的功率Pf和高频电力的反射波的功率Pr来得到电力耦合效率。能够在第一期间P1的开始时间点测定行波的功率Pf和反射波的功率Pr。
在工序STd中，可以以使第三期间P3的开始时间点早于第一期间P1的开始时间点并且电力耦合效率越低则时间差TD越大的方式调整时间差TD。另外，可以以使第一期间P1的结束时间点同与第一期间P1局部重叠的第三期间P3的结束时间点一致的方式设定第三期间P3的时间长度。
以上，对各种例示性的实施方式进行了说明，但并不限定于上述的例示性的实施方式，可以进行各种追加、省略、置换以及变更。另外，能够组合不同的实施方式中的要素来形成其它实施方式。
例如，在其它实施方式中，等离子体处理装置可以是其它电容耦合型的等离子体处理装置。或者，等离子体处理装置可以是感应耦合型的等离子体处理装置、电子回旋共振(ECR)等离子体处理装置、通过微波之类的表面波来生成等离子体的如等离子体处理装置那样的其它类型的等离子体处理装置。另外，可以使用与等离子体处理装置1相分别的等离子体处理装置来执行方法MT。
根据以上说明能够理解的是，在本说明书中，出于说明的目的对本公开的各种实施方式进行了说明，在不脱离本公开的范围和主旨的情况下能够进行各种变更。因而，本说明书所公开的各种实施方式并不用于限定，真正的范围和主旨由所附的权利要求书表示。
附图标记说明
1：等离子体处理装置；10：腔室；11：基板支承部；31：高频电源；32：偏置电源；34：测定器。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，具备：
腔室；
基板支承部，其设置于所述腔室内，所述基板支承部具有电极；
高频电源，其构成为供给高频电力以在所述腔室内从气体生成等离子体；
偏置电源，其构成为向所述基板支承部的所述电极提供偏置能量以从所述等离子体向载置于所述基板支承部上的基板吸引离子；以及
测定器，其测定所述高频电力的行波的功率和反射波的功率，
其中，所述高频电源对所述高频电力进行调制，以使得第一期间的所述高频电力的水平比与该第一期间交替的第二期间的所述高频电力的水平高，
所述偏置电源构成为：
对所述偏置能量进行调制，以使得第三期间的所述偏置能量的水平比与该第三期间交替的第四期间的该偏置能量的水平高，
根据基于所述行波的功率和所述反射波的功率得到的所述高频电力的针对所述等离子体的电力耦合效率，来调整与所述第一期间局部重叠的所述第三期间的开始时间点相对于该第一期间的开始时间点的时间差。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述偏置电源构成为：以使所述第三期间的所述开始时间点早于所述第一期间的所述开始时间点并且所述电力耦合效率越低则所述时间差越大的方式调整所述时间差。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述偏置电源以使所述第一期间的结束时间点同与该第一期间局部重叠的所述第三期间的结束时间点一致的方式设定该第三期间的时间长度。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述偏置能量为高频电力或周期性地产生的电压的脉冲。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频电源构成为在所述第二期间停止供给所述高频电力，
所述偏置电源构成为在所述第四期间停止供给所述偏置能量。
6.一种等离子体处理方法，包括以下工序：
将基板载置于设置在等离子体处理装置的腔室内的基板支承部上；
对所供给的用于在所述腔室内生成等离子体的高频电力进行调制，其中，对所述高频电力进行调制，以使第一期间的所述高频电力的水平比与该第一期间交替的第二期间的所述高频电力的水平高；
对向所述基板支承部的电极供给的用于从所述等离子体向所述基板吸引离子的偏置能量进行调制，其中，对所述偏置能量进行调制，以使第三期间的所述偏置能量的水平比与该第三期间交替的第四期间的该偏置能量的水平高；以及
根据基于所述高频电力的行波的功率和所述高频电力的反射波的功率得到的所述高频电力的针对所述等离子体的电力耦合效率，来调整与所述第一期间局部重叠的所述第三期间的开始时间点相对于该第一期间的开始时间点的时间差。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，
以使所述第三期间的所述开始时间点早于所述第一期间的所述开始时间点并且所述电力耦合效率越低则所述时间差越大的方式调整所述时间差。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于，
以使所述第一期间的结束时间点同与该第一期间局部重叠的所述第三期间的结束时间点一致的方式设定该第三期间的时间长度。
9.根据权利要求6至8中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述偏置能量为高频电力或周期性地产生的电压的脉冲。
10.根据权利要求6至9中的任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，
在所述第二期间，停止供给所述高频电力，
在所述第四期间，停止供给所述偏置能量。
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