CN115411701A - 功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片 - Google Patents

功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片 Download PDF

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Abstract

本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片，所述功率控制电路包括：电压检测器、高压开关和控制单元，所述电压检测器在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；所述高压开关在电压检测器输出第一控制信号时接收第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；所述控制单元控制所述高压开关，使其在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。本方案关断速度快，静态功耗小。

Description

功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片
技术领域
本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片。
背景技术
在电源管理芯片中，通常带有反向电压保护电路。反向电压保护电路可以在输入电压错误地接到输出端时，阻止功率调整支路和关键控制电路持续流过大电流，避免功率器件损毁。目前常用的反向电压保护电路的实现方式包括：
功率器件衬底选择电路，通过选取合适的衬底电位来保证寄生二极管的安全。这种方式实现的反向电压保护电路面积小，不占用功率调整支路压降，能够避免大电流通过功率调整支路，但是易引发闩锁效应。
在功率器件为双极性晶体管的电源管理电路中接入肖特基二极管，所述肖特基二极管正向接于双极性晶体管的集电极和基极之间，在反向压降情况下，由于肖特基二极管导通电压低于双极性晶体管的导通电压，故功率调整支路不会产生大电流。此方案易于实现，但是使用双极性晶体管型功率器件的电源管理电路压降较大，且有基极电流存在，并不适用于所有应用。
在功率器件与输入端口间插入高压MOS开关，通过控制电路对所述高压MOS开关进行控制，实现在电压反向时关闭支路，保护功率器件避免能量损失。但是这种实现方案中，控制电路包含电阻，需要较大面积的电阻来实现较低静态功耗。
使用特殊工艺实现的自带防反向功率管作为功率器件，如双栅极LDMOS结构的功率管。然而，特殊功率管由于不能在标准工艺中实现，兼容性较差，且往往价格高昂。
发明内容
为了解决相关技术中的问题，本公开实施例提供一种功率控制电路、电压调整电路、电子装置及芯片。
第一方面，本公开实施例中提供了一种功率控制电路，应用于电压调整电路，所述电压调整电路具有输出功率器件，其特征在于，所述功率控制电路包括：
电压检测器，所述电压检测器检测所述电压调整电路的输出电压Vout，并在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；
高压开关，所述高压开关的控制端连接于所述电压检测器的第一输出端，在所述电压检测器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；以及
控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。
根据本公开的实施例，所述输出电压Vout反向包括：
所述电压调整电路的输出电压Vout大于所述电压调整电路的输入电压Vin。
根据本公开的实施例，所述电压检测器包括第一电压检测器和第二电压检测器，所述第一电压检测器用于输出所述第一控制信号，所述第二电压检测器用于输出所述第二控制信号。
根据本公开的实施例，
所述第一电压检测器包括第一晶体管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2和第一电阻R1，所述第一晶体管Q1的第一极连接于所述高压开关的控制端，第二极连接于所述第一二极管D1的阴极，并连接于所述第一电阻R1的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第一二极管D1的阳极连接于所述第二二极管D2的阴极，所述第二二极管D2的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第一电阻R1的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin；
所述第二电压检测器包括第二晶体管Q2、第三二极管D3、第四二极管D4和第二电阻R2，所述第二晶体管Q2的第一极连接于所述输出功率器件的控制端，第二极连接于所述第三二极管D3的阴极，并连接于所述第二电阻R2的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第三二极管D3的阳极连接于所述第四二极管D4的阴极，所述第四二极管D4的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第二电阻R2的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin。
根据本公开的实施例，所述第一电阻小于所述第二电阻。
根据本公开的实施例，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为双极型晶体管。
根据本公开的实施例，所述高压开关为金属氧化物半导体场效应晶体管开关Q3，所述金属氧化物半导体场效应晶体管Q3开关的栅极为所述高压开关的控制端，漏极连接于所述电压调整电路的输入电压Vin，源极连接于所述输出功率器件的源极。
根据本公开的实施例，所述第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和晶体管开关Q3均为耐高压器件。
根据本公开的实施例，
所述控制单元包括第五二极管D5、第六二极管D6和第一电流源S1；
所述第五二极管D5的阳极连接于所述输出功率器件的栅极，所述第五二极管D5的阴极连接于所述第六二极管D6的阳极，所述第六二极管D6的阴极连接于所述高压开关的控制端，并连接于所述第一电流源S1的输入端，所述第一电流源S1的输出端连接于电源地。
根据本公开的实施例，
所述第一电流源S1的电流在正常工作状态下由输入电压Vin提供。
第二方面，本公开实施例中提供了一种电压调整电路，所述电压调整电路包括如第一方面中任一实施例所述的功率控制电路。
第三方面，本公开实施例中提供了一种电子装置，所述电子装置包括如第一方面中任一实施例所述的功率控制电路。
第四方面，本公开实施例中提供了一种电子装置，所述电子装置包括如第二方面所述的电压调整电路。
第五方面，本公开实施例中提供了一种芯片，所述芯片包括如第一方面中任一实施例所述的功率控制电路。
第六方面，本公开实施例中提供了一种芯片，所述芯片包括如第二方面所述的电压调整电路。
根据本公开实施例提供的技术方案，提供了一种功率控制电路，应用于电压调整电路，所述电压调整电路具有输出功率器件，所述功率控制电路包括：电压检测器，所述电压检测器检测所述电压调整电路的输出电压Vout，并在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；高压开关，所述高压开关的控制端连接于所述电压检测器的第一输出端，在所述电压检测器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；以及控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。本公开的技术方案，通过采用电压检测器的输出信号来控制高压开关和电压调整电路中的输出功率器件，在所述电压调整电路的输出电压Vout反向时同时关断所述高压开关和输出功率器件以实现反向电压保护，关断速度快，静态功耗小，实现简单占用面积小，工艺兼容性好且可靠性高。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
结合附图，通过以下非限制性实施方式的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将变得更加明显。在附图中。
图1示出根据本公开实施例的功率控制电路的原理图。
图2示出根据本公开实施例的功率控制电路的晶体管级电路图。
图3示具有本公开实施例的电压调整电路的原理图。
图4A-图4C示出具有本公开实施例的功率控制电路的仿真图形。
图5示出本公开的实施例的电子装置的结构框图。
图6示出本公开的实施例的另一种电子装置的结构框图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例，以使本领域技术人员可容易地实现它们。此外，为了清楚起见，在附图中省略了与描述示例性实施例无关的部分。
在本公开中，应理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示本说明书中所公开的特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合的存在，并且不欲排除一个或多个其他特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合存在或被添加的可能性。
另外还需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
上文提及，目前，常用的反向电压保护电路的实现方式包括：功率器件衬底选择电路，通过选取合适的衬底电位来保证寄生二极管的安全。这种方式实现的反向电压保护电路面积小，不占用功率调整支路压降，能够避免大电流通过功率调整支路，但是易引发闩锁效应。在功率器件为双极性晶体管的电源管理电路中接入肖特基二极管，所述肖特基二极管正向接于双极性晶体管的集电极和基极之间，在反向压降情况下，由于肖特基二极管导通电压低于双极性晶体管的导通电压，故功率调整支路不会产生大电流。此方案易于实现，但是使用双极性晶体管型功率器件的电源管理电路压降较大，且有基极电流存在，并不适用于所有应用。在功率器件与输入端口间插入高压MOS开关，通过控制电路对所述高压MOS开关进行控制，实现在电压反向时关闭支路，保护功率器件避免能量损失。但是这种实现方案中，控制电路包含电阻，需要较大面积的电阻来实现较低静态功耗。使用特殊工艺实现的自带防反向功率管作为功率器件，如双栅极LDMOS结构的功率管。然而，特殊功率管由于不能在标准工艺中实现，兼容性较差，且往往价格高昂。
鉴于此，本公开实施例提供了一种功率控制电路，应用于电压调整电路，所述电压调整电路具有输出功率器件，所述功率控制电路包括：电压检测器，所述电压检测器检测所述电压调整电路的输出电压Vout，并在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；高压开关，所述高压开关的控制端连接于所述电压检测器的第一输出端，在所述电压检测器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；以及控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。本公开的技术方案，通过采用电压检测器的输出信号来控制高压开关和电压调整电路中的输出功率器件，在所述电压调整电路的输出电压Vout反向时同时关断所述高压开关和输出功率器件以实现反向电压保护，关断速度快，静态功耗小，实现简单占用面积小，工艺兼容性好且可靠性高。
图1示出根据本公开的实施例的功率控制电路的原理图。如图1所示，所述功率控制电路应用于电压调整电路，所述电压调整电路具有输出功率器件，所述功率控制电路包括：
电压检测器，所述电压检测器检测所述电压调整电路的输出电压Vout，并在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；
高压开关，所述高压开关的控制端连接于所述电压检测器的第一输出端，在所述电压检测器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；以及
控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。
在本公开实施例中，所述功率控制电路应用于电压调整电路，所述电压调整电路可以是稳压电路，例如低压差线性稳压电路LDO，也可以是其他需要进行电压调整的电路，此处不做限制。
在本公开实施例中，所述检测到反向电压是指，所述电压检测器检测到所述电压调整电路的输出电压Vout大于所述电压调整电路的输入电压Vin。
在本公开实施例中，所述电压检测器可以包括第一电压检测器和第二电压检测器，所述第一电压检测器用于输出所述第一控制信号，所述第二电压检测器用于输出所述第二控制信号。
根据本公开实施例的技术方案，通过采用电压检测器的输出信号来控制高压开关和电压调整电路中的输出功率器件，在所述电压调整电路的输出电压Vout反向时同时关断所述高压开关和输出功率器件以实现反向电压保护，关断速度快，静态功耗小，实现简单占用面积小，工艺兼容性好且可靠性高。
图2示出根据本公开实施例的功率控制电路的晶体管级电路图。
如图2所示，所述第一电压检测器可以包括第一晶体管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2和第一电阻R1，所述第一晶体管Q1的第一极连接于所述高压开关的控制端，第二极连接于所述第一二极管D1的阴极，并连接于所述第一电阻R1的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第一二极管D1的阳极连接于所述第二二极管D2的阴极，所述第二二极管D2的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第一电阻R1的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin；所述第二电压检测器可以包括第二晶体管Q2、第三二极管D3、第四二极管D4和第二电阻R2，所述第二晶体管Q2的第一极连接于所述输出功率器件的控制端，第二极连接于所述第三二极管D3的阴极，并连接于所述第二电阻R2的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第三二极管D3的阳极连接于所述第四二极管D4的阴极，所述第四二极管D4的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第二电阻R2的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin。
在本公开实施例中，当所述电压调整电路正常工作时，所述第一电压检测器中的第一晶体管Q1和第二电压检测器中的第二晶体管Q2均处于关断状态，所述第一电压检测器和第二电压检测器不工作，不产生静态电流，因此也不产生静态功耗。当所述电压调整电路的输出电压Vout反向时，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2快速导通，输出所述第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号关断所述高压开关，所述第二控制信号关断所述输出功率器件，从而彻底关断了所述电压调整电路，实现了对所述电压调整电路的功率控制，避免了输出电压Vout反向可能导致的对功率器件以及电压调整电路中其他关键控制电路的不良影响。
在本公开实施例中，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2可以是双极型晶体管，进一步地，所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2可以是耐高压器件，以使所述功率控制电路能够工作在输入电压较高即反向电压较高的情况。
在本公开实施例中，所述高压开关可以是晶体管Q3，所述晶体管Q3的栅极为所述高压开关的控制端，漏极连接于所述电压调整电路的输入电压Vin，源极连接于所述输出功率器件的源极。在本公开的一个具体实施方式中，所述晶体管Q3可以是金属氧化物半导体场效应开关晶体管，例如P型耐高压金属氧化物半导体场效应开关晶体管，具体地，以tsmc18工艺为例，可以设置所述双极型晶体管的发射结耐压为29.6V，从而使得所述电压调整电路的最大输入电压可以达到29.6V。所述晶体管Q3可以是增强型金属氧化物半导体场效应开关晶体管，其尺寸可以根据电路开关上的压降指标确定，尺寸越大则压降越小。
在本公开实施例中，所述功率控制电路还可以包括控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。具体地，所述控制单元可以包括第五二极管D5、第六二极管D6和第一电流源S1；所述第五二极管D5的阳极连接于所述输出功率器件的栅极，所述第五二极管D5的阴极连接于所述第六二极管D6的阳极，所述第六二极管D6的阴极连接于所述高压开关的控制端，并连接于所述第一电流源S1的输入端，所述第一电流源S1的输出端连接于电源地。
在本公开实施例中，所述控制单元的所述第一电流源S1的电流在正常工作状态下由输入电压提供，以使所述控制单元在所述电压调整电路正常工作时具有较小的静态电流。在本公开的一个具体实施方式中，所述控制单元在所述电压调整电路正常工作时的静态电流可以小于250nA。
在本公开实施例中，当所述电压调整电路正常工作时，通过所述第五二极管D5和第六二极管D6的下拉作用，使得施加于所述高压开关的控制端，即晶体管Q3的栅极的电压小于施加于所述输出功率器件的控制端的电压，以确保所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持打开，所述功率器件以及电压调整电路中的关键控制电路均能够正常工作。
在本公开实施例中，由于在所述电压调整电路正常工作时，高压开关即晶体管Q3的栅压低于所述输出功率器件的控制端的电压，因此可以设置所述第一电压检测器中的第一电阻R1的阻值小于所述第二电压检测器中的第二电阻R2的阻值，以使所述电压调整电路的输出电压Vout出现反向时，所述第一电压检测器输出的第一控制信号的电压值大于所述第二电压检测器输出的第二控制信号的电压值，从而提高所述高压开关的关闭速度，以使所述高压开关与所述输出功率器件同时关闭，或者所述高压开关早于所述输出功率器件关闭。
图3示出具有本公开实施例的电压调整电路的原理图。如图3所示，本公开实施例提供的电压调整电路包括如图1或图2所示的功率控制电路，还包括：
带隙基准电路，所述带隙基准电路基于所述输入电压Vin生成第一参考电压Vref和第二参考电压Vsup；
误差放大器，所述误差放大器接收所述第一参考电压Vref和对所述输出电压Vout分压后的反馈电压Vfb，输出第一放大信号；
所述输出功率器件接收所述第一放大信号，并输出所述输出电压Vout。
在本公开实施例中，所述输出功率器件经所述高压开关连接于所述电压调整电路的输入电压Vin，当所述高压开关接收到电压检测器输出的第一控制信号时，所述高压开关关断，所述输出功率器件与输入电压Vin断开连接，实现了对所述电压调整电路中关键控制电路的功率控制，进而实现了对所述关键控制点路的反向电压保护；且当所述输出功率器件接收到电压检测器输出的第二控制信号时，所述输出功率器件关断，实现了对所述输出功率器件的功率控制，进而实现了对所述输出功率器件的反向电压保护。
在本公开实施例中，所述电压调整电路还包括负载电容Cload和负载电流支路Iload，用于为所述电压调整电路提供负载。
根据本公开实施例的技术方案，通过采用电压检测器的输出信号来控制高压开关和电压调整电路中的输出功率器件，在所述电压调整电路的输出电压Vout反向时同时关断所述高压开关和输出功率器件以实现反向电压保护，关断速度快，静态功耗小，实现简单占用面积小，工艺兼容性好且可靠性高。
图4A-图4C示出具有本公开实施例的功率控制电路的仿真图形。
如图4A所示，图中曲线示出了所述功率控制电路中的控制单元在不同温度条件下的静态电流，从图4A可以看出，所述控制单元的静态电流最大约为250nA，满足控制单元在电压调整电路正常工作时需要有较小的静态电流的要求。
如图4B所示，图中曲线示出了包括所述功率控制电路的电压调整电路的输入电压Vin在1us内下降至0后，不同温度条件下负载电容Cload上的电荷损失情况，从图4B可以看出，所述负载电容Cload上的电荷损失最多为接近20uC，满足需要有较小电荷损失的要求。
如图4C所示，图中曲线示出了tt工艺角仿真下关断反向支路最慢的仿真情况，其中曲线1示出高压开关的栅极电压变化情况，曲线2示出输出功率器件的栅极电压变化情况，从图4B可以看出，所述高压开关的栅极电压和输出功率器件的栅极电压反应时间约为5us，满足需要快速关断高压开关和输出功率器件的要求。
本公开还公开了一种电子装置，图5示出根据本公开的实施例的电子装置的结构框图。
在本公开实施例中，所述电子装置包括本公开实施例提供的功率控制电路，所述电子装置可以是稳压装置，用以实现稳压功能，也可以是包括稳压装置的其他电子装置，此处不做限制。
本公开还公开了另一种电子装置，图6示出根据本公开的实施例的另一种电子装置的结构框图。
在本公开实施例中，所述电子装置包括本公开实施例提供的电压调整电路，所述电子装置可以是稳压装置，用以实现稳压功能，也可以是包括稳压装置的其他电子装置，此处不做限制。
本公开实施例还提供了一种芯片，所述芯片包括本公开实施例提供的功率控制电路。
本公开实施例还提供了另一种芯片，所述芯片包括本公开实施例提供的电压调整电路。
以上描述仅为本公开的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本公开中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本公开中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (15)

1.一种功率控制电路，应用于电压调整电路，所述电压调整电路具有输出功率器件，其特征在于，所述功率控制电路包括：
电压检测器，所述电压检测器检测所述电压调整电路的输出电压Vout，并在检测到反向电压时由第一输出端输出第一控制信号，由第二输出端输出第二控制信号，所述第二输出端连接于所述输出功率器件的控制端，在所述电压检测器输出第二控制信号时关断所述输出功率器件以实现反向电压保护；
高压开关，所述高压开关的控制端连接于所述电压检测器的第一输出端，在所述电压检测器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述高压开关以实现反向电压保护；以及
控制单元，所述控制单元控制所述高压开关的控制端，使所述高压开关在所述电压调整电路正常工作时保持闭合。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述检测到反向电压包括：
所述电压检测器检测到所述电压调整电路的输出电压Vout大于所述电压调整电路的输入电压Vin。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述电压检测器包括第一电压检测器和第二电压检测器，所述第一电压检测器用于输出所述第一控制信号，所述第二电压检测器用于输出所述第二控制信号。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，
所述第一电压检测器包括第一晶体管Q1、第一二极管D1、第二二极管D2和第一电阻R1，所述第一晶体管Q1的第一极连接于所述高压开关的控制端，第二极连接于所述第一二极管D1的阴极，并连接于所述第一电阻R1的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第一二极管D1的阳极连接于所述第二二极管D2的阴极，所述第二二极管D2的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第一电阻R1的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin；
所述第二电压检测器包括第二晶体管Q2、第三二极管D3、第四二极管D4和第二电阻R2，所述第二晶体管Q2的第一极连接于所述输出功率器件的控制端，第二极连接于所述第三二极管D3的阴极，并连接于所述第二电阻R2的第一端，第三极连接于所述输出电压Vout，所述第三二极管D3的阳极连接于所述第四二极管D4的阴极，所述第四二极管D4的阳极连接于所述输出电压Vout，所述第二电阻R2的第二端连接于所述电压调整电路的输入电压Vin。
5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，
所述第一电阻小于所述第二电阻。
6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，
所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均为双极型晶体管。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，
所述高压开关为P型金属氧化物半导体场效应开关晶体管Q3，所述P型金属氧化物半导体场效应开关晶体管Q3的栅极为所述高压开关的控制端，漏极连接于所述电压调整电路的输入电压Vin，源极连接于所述输出功率器件的源极。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，
所述第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和晶体管开关Q3均为耐高压器件。
9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述控制单元包括第五二极管D5、第六二极管D6和第一电流源S1；
所述第五二极管D5的阳极连接于所述输出功率器件的栅极，所述第五二极管D5的阴极连接于所述第六二极管D6的阳极，所述第六二极管D6的阴极连接于所述高压开关的控制端，并连接于所述第一电流源S1的输入端，所述第一电流源S1的输出端连接于电源地。
10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，
所述第一电流源S1的电流在正常工作状态下由输入电压Vin提供。
11.一种电压调整电路，其特征在于，
所述电压调整电路包括如权利要求1-10中任一项所述的功率控制电路。
12.一种电子装置，其特征在于，
所述电子装置包括如权利要求1-10中任一项所述的功率控制电路。
13.一种电子装置，其特征在于，
所述电子装置包括如权利要求11所述的电压调整电路。
14.一种芯片，其特征在于，
所述芯片包括如权利要求1-10中任一项所述的功率控制电路。
15.一种芯片，其特征在于，
所述芯片包括如权利要求11所述的电压调整电路。
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