CN115404379A - 一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,该硅合金铜的质量百分比组成为:1.5‑2.5wt%Si;0.05‑0.1wt%Fe;0.03‑0.04wt%P;0.1‑0.4wt%Mn;0.6‑0.8wt%Ni;≤0.03wt%Pb;≤0.5wt%Zn;余量为Cu和不可避免的杂质;包括以下制备步骤:熔炼;水平连铸。本发明生产的铜合金导电率低且稳定,导电率偏差在±1%以内,同时要求600MPa以上的高抗拉强度,200HB以上硬度,耐腐蚀性能优异。
Description
技术领域
本发明涉及铜合金技术领域,具体涉及一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法。
背景技术
近年来,随着我国航空航天、高速轨道列车、微电子和真空电子器件等工业的迅猛发展,对高性能铜及铜合金材料的需求更加紧迫,特别是在许多服役场合下,对铜及铜合金材料的导电性能和力学性能要求较高。电磁弹射器(EMALS)是采用航母飞行甲板下的直线电机弹射舰载机,用于电磁弹射器的铜合金要求导电率低且稳定,导电率偏差在±1%以内,同时要求600MPa以上的高抗拉强度,200HB以上硬度,耐腐蚀性能优异,现有的铜合金不能兼具上述机械性能。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供了一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,用于电磁弹射器的铜合金要求导电率低且稳定,导电率偏差在±1%以内,同时要求600MPa以上的高抗拉强度,200HB以上硬度,耐腐蚀性能优异。
本发明的目的是这样实现的:
该硅合金铜的质量百分比组成为:1.5-2.5wt%Si;0.05-0.1wt%Fe;0.03-0.04wt%P;0.1-0.4wt%Mn;0.6-0.8wt%Ni;≤0.03wt%Pb;≤0.5wt%Zn;余量为Cu和不可避免的杂质;
包括以下制备步骤:
1)熔炼:将Cu加入熔炼炉中升温熔化,熔化后加入Si、Fe、P、Mn、Ni、Pb和Zn,调节温度为1150°C,搅拌均匀;
2)水平连铸;浇铸温度1150-1200℃,拉铸速度300-350转/min,浇铸时间45-55min;保温时间10-15min。
本发明添加1.5-2.5wt%Si,使导电率在12-12.5%IACS,Si含量高于2.5wt%,导电率也在该范围内,但是抗拉强度和硬度明显下降,力学性能恶化;Si含量低于1.5wt%,导电率达不到要求。
虽然添加1.5-2.5wt%Si,可以使导电率维持在12-12.5%IACS,但是会使铜合金开裂,表面有气孔,因此添加0.03-0.04wt%P,保证了熔炼的合金铜既满足了导电率要求,又可以有效的减少了铜合金开裂的风险,保证了铜锭的外观质量,从而使最终的产品质量也能满足要求。
本发明的有益效果是:
本发明在熔炼过程中同时添加Si和P,导电率维持在12-12.5%,导电率偏差在±1%以内,导电率低且稳定,同时要求600MPa以上的高抗拉强度,200HB以上硬度,耐腐蚀性能优异;保证了熔炼的合金铜既满足了导电率要求,又可以有效的减少了铜合金开裂的风险,保证了铜锭的外观质量,从而使最终的产品质量也能满足要求。
具体实施方式
实施例1:
本发明涉及一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,
该硅合金铜的质量百分比组成为:1.6wt%Si;0.08wt%Fe;0.03wt%P;0.2wt%Mn;0.6wt%Ni;0.01wt%Pb;0.2wt%Zn;余量为Cu和不可避免的杂质;
包括以下制备步骤:
1)熔炼:将Cu加入熔炼炉中升温熔化,熔化后加入Si、Fe、P、Mn、Ni、Pb和Zn,调节温度为1150°C,搅拌均匀;
2)水平连铸;浇铸温度1150-1200℃,拉铸速度300-350转/min,浇铸时间45-55min;保温时间10-15min。
实施例2:
本发明涉及一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,
该硅合金铜的质量百分比组成为:2.5wt%Si;0.05wt%Fe;0.04wt%P;0.4wt%Mn;0.8wt%Ni;0.03wt%Pb;0.5wt%Zn;余量为Cu和不可避免的杂质;
包括以下制备步骤:
1)熔炼:将Cu加入熔炼炉中升温熔化,熔化后加入Si、Fe、P、Mn、Ni、Pb和Zn,调节温度为1150°C,搅拌均匀;
2)水平连铸;浇铸温度1150-1200℃,拉铸速度300-350转/min,浇铸时间45-55min;保温时间10-15min。
实施例3:
本发明涉及一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,
该硅合金铜的质量百分比组成为:2.0wt%Si;0.1wt%Fe;0.035wt%P;0.3wt%Mn;0.7wt%Ni;余量为Cu和不可避免的杂质;
包括以下制备步骤:
1)熔炼:将Cu加入熔炼炉中升温熔化,熔化后加入Si、Fe、P、Mn、Ni,调节温度为1150°C,搅拌均匀;
2)水平连铸;浇铸温度1150-1200℃,拉铸速度300-350转/min,浇铸时间45-55min;保温时间10-15min。
对比例1:
硅青铜牌号QSi3-1,Mn1.0~1.5wt%,Si2.7~3.5wt%,Fe0.3wt%,Cu余量。
对比例2:
不添加P,其余成分与实施例1相同。
对比例3:
Si1.0wt%,其余成分与实施例1相同。
对比例4:
Si3.0wt%,其余成分与实施例1相同。
将实施例1-3、对比例1-4的拉伸强度、硬度、导电率、磁导率及耐腐蚀性能进行检测,力学性能测试根据GB6397-86执行,耐腐蚀性能根据GB/T19746-2005执行,结果如下表:
从上表可知,实施例1-3导电率维持在12-12.5%,导电率偏差在±1%以内,导电率低且稳定,同时要求600MPa以上的高抗拉强度,200HB以上硬度,耐腐蚀性能优异。
而对比例1,材料硅含量过高,导致导电率无法满足范围。
对比例2,材料的性能基本满足要求,但产品有开裂情况。
对比例3,材料硅含量偏低,导致导电率偏高,无法满足要求。
对比例4,材料硅含量过高,导致导电率无法满足范围。
除上述实施例外,本发明还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,其特征在于:该硅合金铜的质量百分比组成为:1.5-2.5wt%Si;0.05-0.1wt%Fe;0.03-0.04wt%P;0.1-0.4wt%Mn;0.6-0.8wt%Ni;≤0.03wt%Pb;≤0.5wt%Zn;余量为Cu和不可避免的杂质;
包括以下制备步骤:
1)熔炼:将Cu加入熔炼炉中升温熔化,熔化后加入Si、Fe、P、Mn、Ni、Pb和Zn,调节温度为1150°C,搅拌均匀;
2)水平连铸;浇铸温度1150-1200℃,拉铸速度300-350转/min,浇铸时间45-55min;保温时间10-15min。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定低导电硅合金铜的制备方法,其特征在于:所述步骤1中,先加电解铜,当所有铜都完全熔化后,再加硅和磷。
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