CN115395911B - 一种薄膜体声波谐振器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及微电子技术领域。该所述方法包括：在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层；在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层，在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极；在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化；在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；在所述第二压电层上沉积顶电极层，并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极；释放所述牺牲层，以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。该方法能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
Description
技术领域
本申请涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种薄膜体声波谐振器的制备方法。
背景技术
近年来，随着加工工艺水平的提升和无线通信的快速发展,薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Wave Resonator，FBAR)由于其较高的Q值(大于1000)以及能够与CMOS工艺兼容的优点，得到了较快的发展。其通过压电薄膜的逆压电效应将电能量转换成声波而形成谐振。
现有的薄膜体声波谐振器的压电薄膜主要是通过沉积的方式沉积在电极层上，薄膜质量非常依赖于电极层质量。此方法的问题在于：电极材料与压电单晶晶圆晶格常数不匹配、电极表面不平整等问题会引起压电单晶薄膜形成多晶，薄膜生长质量差且晶轴取向难以控制的问题。这些会大大影响薄膜体声波谐振器的性能。为获得高质量的压电薄膜，现有技术中有采用晶圆键合转移的方法制备压电薄膜，该方法选用单晶晶圆材料或者带有高质量外延压电层的晶圆材料作为压电单晶晶圆，对其进行高能离子注入，然后结合晶圆键合的工艺，在目标衬底上转移制备高质量的压电薄膜。
上述形式中，压电薄膜的生长主要是通过在压电材料与石英基底之间增加缓冲层或牺牲层的方法。这种方法所用到的缓冲层或牺牲层的材料与压电材料不相同，在其上生长压电薄膜也会由于晶格系数不匹配，造成薄膜缺陷、薄膜质量较差。
发明内容
本申请的目的在于提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法，能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
本申请的实施例是这样实现的：
本申请实施例提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法，所述方法包括：
在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层；
在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层，在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极；
在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化；
在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；
在所述第二压电层上沉积顶电极层，并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极；
释放所述牺牲层，以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。
可选地，所述在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层包括：
在所述衬底上设置光刻胶层，对所述光刻胶层图案化处理；
以图案化的所述光刻胶层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成对应图案化的所述光刻胶层的所述凹槽；
去除图案化的所述光刻胶层。
可选地，所述释放所述牺牲层包括：
在所述底电极、所述第一压电层、所述第二压电层和所述顶电极上刻蚀与所述牺牲层导通的释放孔；
通过所述释放孔释放所述牺牲层。
本申请实施例提供还提供另一种薄膜体声波谐振器的制备方法，所述方法包括：
在第一衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上均布刻蚀多个槽孔；
在形成有所述槽孔的所述二氧化硅层上沉积第一压电层并平坦化；
在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；
在第二压电层上沉积底电极层，并图案化以形成底电极；
在图案化的所述底电极上沉积牺牲层；
在牺牲层上沉积支撑层，并平坦化；
在平坦化的所述支撑层上沉积第一连接层；
在第二衬底上沉积形成第二连接层；
将所述第一衬底的第一连接层与所述第二衬底的第二连接层键合，第一连接层和第二连接层键和形成键合层；
去除包括有所述二氧化硅层和所述第一压电层的所述第一衬底，露出所述第二衬底上的第二压电层；
在所述第二压电层上形成顶电极；
刻蚀所述第二压电层，并在刻蚀位置处沉积接引电极，所述接引电极与所述底电极电连接；
释放所述牺牲层，以形成在所述支撑层与所述底电极之间的空腔结构。
可选地，所述去除包括有所述二氧化硅层和所述第一压电层的所述第一衬底包括：
刻蚀去除所述第一衬底和所述二氧化硅层和所述第一压电层；
对刻蚀面进行平坦化处理。
可选地，所述释放所述牺牲层包括：
在所述顶电极、所述第二压电层、和所述底电极上刻蚀与所述牺牲层导通的释放孔；
通过所述释放孔释放所述牺牲层。
可选地，所述平坦化的处理方式采用化学机械抛光工艺。
可选地，所述压电材料包括AlN、LiNbO3、LiTaO3、PZT和ZnO中的任意一种。
可选地，所述槽孔的深度为1nm至100nm，所述槽孔的最大宽度为1nm至10nm，相邻所述槽孔之间的距离为1um至10um。
可选的，槽孔为上宽下窄型结构，且槽孔的侧壁与水平面的夹角小于40度。
可选的，槽孔的横截面形状为圆形、正三角和正五边形中的一种。
可选地，所述第一压电层的厚度为1nm至150nm。
本申请实施例的有益效果包括：
本申请实施例提供的薄膜体声波谐振器的制备方法，通过先沉积第一压电层，且沉积第一压电层的基体，也即底电极，采用均布刻蚀多个槽孔的形式，有利于降低第一压电层自身的应力。同时，通过对第一压电层进行平坦化处理，在第一压电层上沉积第二压电层时，第二压电层具有更好的质量。另外，由于第一压电层和第二压电层的材料相同，晶格系数也相同，使得沉积的第二压电层晶轴取向的一致性更高。因此，采用上述方式能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之一；
图2为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之二；
图3为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之三；
图4为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之四；
图5为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之五；
图6为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之六；
图7为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之七；
图8为本申请实施例的一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之八；
图9为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之一；
图10为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之二；
图11为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之三；
图12为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之四；
图13为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之五；
图14为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之六；
图15为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之七；
图16为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之八；
图17为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之九；
图18为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之十；
图19为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之十一；
图20为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之十二；
图21为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之十三；
图22为本申请实施例的另一种薄膜体声波谐振器制备方法的状态示意图之十四。
图标：110-衬底；112-凹槽；114-光刻胶层；120-牺牲层；130-底电极；132-槽孔；140-第一压电层；150-第二压电层；160-顶电极；170-释放孔；210-第一衬底；220-二氧化硅层；230-支撑层；240-键合层；242-第一连接层；244-第二连接层；250-第二衬底；260-接引电极。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
第一实施例
如图1至图8所示，本实施例提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法，该方法包括：
S110、在衬底110上刻蚀凹槽112，在凹槽112内填充牺牲层120。
具体的，如图1至图3所示，通过在衬底110上刻蚀凹槽112，并在凹槽112内填充牺牲层120，以便于在后续步骤中释放牺牲层120以形成所需的空腔结构。
S120、在填充有牺牲层120的衬底110上沉积底电极层，在底电极层上均布刻蚀多个槽孔132以形成底电极130。
具体的，如图4所示，本申请实施例对槽孔132的形状不做具体限制，示例的，槽孔132的横截面可以设置为圆形，也可以设置为正多边形或长方形等形状，通过设置槽孔132的结构形式，能够提高了第一压电层140生长时不同材料之间晶格匹配的容错度，进一步的可以将横向的拉或缩应力分成平行于第一压电层140方向以及垂直于衬底110两个方向的应力矢量，降低横向的应力以便于在形成的底电极130上设置第一压电层140时，能够降低第一压电层140的应力。
S130、在底电极130上沉积第一压电层140并平坦化。
具体的，如图5和图6所示，由于底电极130上具有多个槽孔132，在底电极130上沉积第一压电层140时，第一压电层140表面具有较多的凹陷结构，为了保证在第一压电层140上沉积第二压电层150的质量，需要对第一压电层140进行平坦化处理。
S140、在平坦化的第一压电层140上沉积第二压电层150，其中，第一压电层140和第二压电层150所采用的压电材料相同。
具体的，如图7所示，通过将第一压电层140和第二压电层150的材料设置为相同，两者具有同样的晶格系数，在生成第二压电层150时，能够具有更高的质量，且晶轴取向的一致性更高。另外，在对第一压电层140平坦化处理时，会减薄第一压电层140的厚度，不会影响到第二压电层150的谐振效果。
S150、在第二压电层150上沉积顶电极层，并对顶电极层图案化处理以形成顶电极160。
S160、释放牺牲层120，以形成衬底110与底电极130之间的空腔结构。
具体的，如图8所示，通过在第二压电层150上沉积顶电极160，并且释放牺牲层120，形成所需的空腔结构，以便于顶电极160和底电极130分别于第二压电层150配合形成所需的谐振结构，从而保证薄膜体声波谐振器的正常使用。
本申请实施例提供的薄膜体声波谐振器的制备方法，通过先沉积第一压电层140，且沉积第一压电层140的基体(底电极130)采用均布刻蚀多个槽孔132的形式，有利于降低第一压电层140自身的应力。同时，通过对第一压电层140进行平坦化处理，在第一压电层140上沉积第二压电层150时，第二压电层150具有更好的质量。另外，由于第一压电层140和第二压电层150的材料相同，晶格系数也相同，使得沉积的第二压电层150晶轴取向的一致性更高。因此，采用上述方式能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
在本申请的可选实施例中，上述在衬底110上刻蚀凹槽112，在凹槽112内填充牺牲层120包括：
S112、在衬底110上设置光刻胶层114，对光刻胶层114图案化处理；
S114、以图案化的光刻胶层114为掩模，对衬底110进行刻蚀，以在衬底110上形成对应图案化的光刻胶层114的凹槽112。
S116、去除图案化的光刻胶层114。
具体的，采用上述方法，就可以形成所需的凹槽112，以便于在凹槽112内填充牺牲层120，便于底电极130的沉积，以保证薄膜体声波谐振器的顺利制备。
在本申请的可选实施例中，上述释放牺牲层120包括：
S162、在底电极130、第一压电层140、第二压电层150和顶电极160上刻蚀与牺牲层120导通的释放孔170。
S164、通过释放孔170释放牺牲层120。
具体的，采用上述方式，就可以通过酸性气体的方式，将牺牲层120从释放孔170释放，从而形成所需的空腔结构。
第二实施例
如图9至图22所示，本实施例提供还提供另一种薄膜体声波谐振器制备方法，该方法包括：
S210、在第一衬底210上沉积二氧化硅层220，在二氧化硅层220上均布刻蚀多个槽孔132。
具体的，如图9所示，二氧化硅层220可采用单晶的形式，这样一来，在二氧化硅层220上沉积第一压电层140时，第一压电层140也可以形成单晶结构。另外，在二氧化硅层220上均布刻蚀多个槽孔132，以便于在形成的二氧化硅层220上设置第一压电层140时，能够降低第一压电层140的应力。
S220、在形成有槽孔132的二氧化硅层220上沉积第一压电层140并平坦化。
具体的，如图10和图11所示，由于二氧化硅层220上具有多个槽孔132，在二氧化硅层220上沉积第一压电层140时，第一压电层140表面具有较多的凹陷结构，为了保证在第一压电层140上沉积第二压电层150的质量，需要对第一压电层140进行平坦化处理。
S230、在平坦化的第一压电层140上沉积第二压电层150，其中，第一压电层140和第二压电层150所采用的压电材料相同。
具体的，如图12所示，通过将第一压电层140和第二压电层150的材料设置为相同，两者具有同样的晶格系数，在生成第二压电层150时，能够具有更高的质量，有利于提升谐振效果。
S240、在第二压电层150上沉积底电极层，并图案化以形成底电极130。
具体的，如图13所示，与第一实施例的区别点在于，第一实施例采用正装的形式，本实施例采用倒装的形式，因此，在第二压电层150上沉积底电极130。
S250、在图案化的底电极130上沉积牺牲层120。
具体的，如图14所示，通过在在图案化的底电极130上沉积牺牲层120，后续将牺牲层120释放之后，以便于在底电极130处形成所需的空腔结构。
S260、在牺牲层120上沉积支撑层230，并平坦化。
具体的，如图15所示，通过在牺牲层120上沉积支撑层230，后续将牺牲层120释放之后，以便于在底电极130和支撑层230之间形成所需的空腔结构。另外，通过将支撑层230平坦化，以便于在支撑层230上沉积第一连接层242。
S270、在平坦化的支撑层230上沉积第一连接层242。
S280、在第二衬底250上沉积形成第二连接层244。
S290、将第一衬底210的第一连接层242与第二衬底250的第二连接层244键合，第一连接层242和第二连接层244键和形成键合层240。
具体的，如图17、图18和图19所示，采用上述方式以便于完成倒装的制备过程，实现所需的连接形式。
S300、去除包括有二氧化硅层220和第一压电层140的第一衬底210，露出第二衬底250上的第二压电层150。
具体的，如图20所示，二氧化硅层220和第一压电层140是为了制备出所需的第二压电层150，此时，可以将二氧化硅层220和第一压电层140去除，以形成制备薄膜体声波谐振器的结构。
S310、在第二压电层150上形成顶电极160。
S320、刻蚀第二压电层150，并在刻蚀位置处沉积接引电极260，接引电极260与底电极130电连接。
具体的，如图21所示，采用上述形式，就可以形成与第二压电层150配合的顶电极160和底电极130，以保证谐振所需的电性连接。
S330、释放牺牲层120，以形成在支撑层230与底电极130之间的空腔结构。
具体的，如图22所示，采用上述形式，以便于顶电极160和底电极130分别于第二压电层150配合形成所需的谐振结构，从而保证薄膜体声波谐振器的正常使用。
本申请实施例提供的薄膜体声波谐振器的制备方法，通过先沉积第一压电层140，且沉积第一压电层140的基体(二氧化硅层220)采用均布刻蚀多个槽孔的形式，有利于降低第一压电层140自身的应力。同时，通过对第一压电层140进行平坦化处理，在第一压电层140上沉积第二压电层150时，第二压电层150具有更好的质量。另外，由于第一压电层140和第二压电层150的材料相同，晶格系数也相同，使得沉积的第二压电层150晶轴取向的一致性更高。因此，采用上述方式能够降低生成压电薄膜的应力，并提升压电薄膜的质量。
在本申请的可选实施例中，上述去除包括有二氧化硅层220和第一压电层140的第一衬底210包括：
S302、刻蚀去除第一衬底210和二氧化硅层220和第一压电层140；
S304、对刻蚀面进行平坦化处理。
具体的，通过上述形式，可以去除薄膜体声波谐振器不需要的结构，并保证第二压电层150的质量，从而保证所需的谐振效果。
在本申请的可选实施例中，上述释放牺牲层120包括：
S332、在顶电极160、第二压电层150、和底电极130上刻蚀与牺牲层120导通的释放孔170；
S334、通过释放孔170释放牺牲层120。
具体的，在释放牺牲层120时，可以通过酸性气体的方式，将牺牲层120从释放孔170释放，从而形成所需的空腔结构。
在本申请的可选实施例中，平坦化的处理方式采用化学机械抛光工艺。
具体的，化学机械抛光是将旋转的被抛光晶片压在与其同方向旋转的弹性抛光垫上，而抛光液在晶片与抛光布之间连续流动。上下盘高速反向运转，被抛光晶片表面的反应产物被不断地剥离，反应产物随抛光液带走，新抛光液补充进来。新裸露的晶圆平面又发生化学反应，产物再被剥离下来而循环往复，在被抛光面、磨粒和化学反应剂的联合作用下，形成超精表面。
在本申请的可选实施例中，压电材料包括AlN、LiNbO3、LiTaO3、PZT和ZnO中的任意一种。在实际的应用中，可以根据需要灵活设置。
在本申请的可选实施例中，槽孔132的深度为1nm至100nm，槽孔132的最大宽度为1nm至10nm，相邻槽孔132之间的距离为1um至10um。在具体的应用中，可以根据所需薄膜体声波谐振器的功率和其他需要进行灵活设置。
可选的，槽孔为上宽下窄型结构，且槽孔的侧壁与水平面的夹角小于40度，由此，能够有利于第一压电层的生长爬坡。
在本身请的可选实施例中，第一压电层140的厚度为1nm至150nm。示例的，可以设置为10nm、50nm或100nm等。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层；
在填充有所述牺牲层的所述衬底上沉积底电极层，在所述底电极层上均布刻蚀多个槽孔以形成底电极；
在所述底电极上沉积第一压电层并平坦化；
在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；
在所述第二压电层上沉积顶电极层，并对所述顶电极层图案化处理以形成顶电极；
释放所述牺牲层，以形成所述衬底与所述底电极之间的空腔结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述在衬底上刻蚀凹槽，在所述凹槽内填充牺牲层包括：
在所述衬底上设置光刻胶层，对所述光刻胶层图案化处理；
以图案化的所述光刻胶层为掩模，对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成对应图案化的所述光刻胶层的所述凹槽；
去除图案化的所述光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述释放所述牺牲层包括：
在所述底电极、所述第一压电层、所述第二压电层和所述顶电极上刻蚀与所述牺牲层导通的释放孔；
通过所述释放孔释放所述牺牲层。
4.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上均布刻蚀多个槽孔；
在形成有所述槽孔的所述二氧化硅层上沉积第一压电层并平坦化；
在平坦化的所述第一压电层上沉积第二压电层，其中，所述第一压电层和所述第二压电层所采用的压电材料相同；
在第二压电层上沉积底电极层，并图案化以形成底电极；
在图案化的所述底电极上沉积牺牲层；
在牺牲层上沉积支撑层，并平坦化；
在平坦化的所述支撑层上沉积第一连接层；
在第二衬底上沉积形成第二连接层；
将所述第一衬底的第一连接层与所述第二衬底的第二连接层键合，第一连接层和第二连接层键和形成键合层；
去除包括有所述二氧化硅层和所述第一压电层的所述第一衬底，露出所述第二衬底上的第二压电层；
在所述第二压电层上形成顶电极；
刻蚀所述第二压电层，并在刻蚀位置处沉积接引电极，所述接引电极与所述底电极电连接；
释放所述牺牲层，以形成在所述支撑层与所述底电极之间的空腔结构。
5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述去除包括有所述二氧化硅层和所述第一压电层的所述第一衬底包括：
刻蚀去除所述第一衬底和所述二氧化硅层和所述第一压电层；
对刻蚀面进行平坦化处理。
6.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述释放所述牺牲层包括：
在所述顶电极、所述第二压电层、和所述底电极上刻蚀与所述牺牲层导通的释放孔；
通过所述释放孔释放所述牺牲层。
7.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述槽孔的深度为1nm至100nm，所述槽孔的最大宽度为1nm至10nm，相邻所述槽孔之间的距离为1um至10um。
8.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述槽孔为上宽下窄型结构，且所述槽孔的侧壁与水平面的夹角小于40度。
9.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述槽孔的横截面形状为圆形、正三角和正五边形中的一种。
10.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一压电层的厚度为1nm至150nm。
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