CN115394241A - 像素电路及显示面板 - Google Patents

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CN115394241A CN202211049309.0A CN202211049309A CN115394241A CN 115394241 A CN115394241 A CN 115394241A CN 202211049309 A CN202211049309 A CN 202211049309A CN 115394241 A CN115394241 A CN 115394241A
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Abstract

本申请公开了一种像素电路及显示面板，该像素电路包括驱动晶体管、发光器件以及分流单元，驱动晶体管串接于正电源线与负电源线之间；发光器件串接于驱动晶体管与正电源线或者负电源线之间；分流单元与发光器件并联，通过分流单元与发光器件并联，使得流经发光器件的发光电流变小，此时驱动晶体管的工作点需要负偏，这种情况下对发光电流的影响会变小，进而发光电流的变化幅度得以减小，改善了亮度均一性。

Description

像素电路及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素电路及显示面板。
背景技术
随着发光器件的发光效率不断提升，在低灰阶下工作时流经发光器件的发光电流会急速降低，驱动晶体管的工作点更加接近波动较大的亚阈值(SS)区域，导致低灰阶下亮度均一性不佳及可靠性验证(RA，Reliability Analysis)后显示出现色偏的严重情况。
发明内容
本申请提供一种像素电路及显示面板，以缓解驱动晶体管的工作点正偏导致的亮度均一性不佳的技术问题。
第一方面，本申请提供一种像素电路，该像素电路包括驱动晶体管、发光器件以及分流单元，驱动晶体管串接于正电源线与负电源线之间；发光器件串接于驱动晶体管与正电源线或者负电源线之间；分流单元与发光器件并联，用于减小流经发光器件的发光电流。
在其中一些实施方式中，分流单元包括分流晶体管，分流晶体管的源极/漏极中的一个与发光器件的阳极连接，分流晶体管的源极/漏极中的另一个与发光器件的阴极连接，分流晶体管的栅极与分流控制线连接。
在其中一些实施方式中，分流控制线用于传输直流信号，直流信号用于控制分流晶体管一直处于导通状态；或者，分流控制线用于传输方波信号，方波信号的高电位或者低电位中的一个用于控制分流晶体管处于导通状态，方波信号的高电位或者低电位中的另一个用于控制分流晶体管处于截止状态。
在其中一些实施方式中，像素电路还包括第一发光控制晶体管，第一发光控制晶体管串接于正电源线与负电源线之间，第一发光控制晶体管的控制端与第一发光控制线、分流单元的控制端连接。
在其中一些实施方式中，像素电路还包括第二发光控制晶体管，第二发光控制晶体管串接于正电源线与负电源线之间，第二发光控制晶体管的控制端与第一发光控制线、分流单元的控制端连接。
在其中一些实施方式中，分流单元的控制端与正电源线或者负电源线连接，以控制分流单元的导通程度。
在其中一些实施方式中，分流单元包括分流晶体管，分流晶体管的源极/漏极中的一个与发光器件的阳极连接，分流晶体管的源极/漏极中的另一个与发光器件的阴极连接，分流晶体管为N沟道型薄膜晶体管，分流晶体管的栅极与正电源线连接。
在其中一些实施方式中，分流单元包括分流晶体管，分流晶体管的源极/漏极中的一个与发光器件的阳极连接，分流晶体管的源极/漏极中的另一个与发光器件的阴极连接，分流晶体管为P沟道型薄膜晶体管，分流晶体管的栅极与负电源线连接。
在其中一些实施方式中，分流单元包括分流电阻，分流电阻的一端与发光器件的阳极连接，分流电阻的另一端与发光器件的阴极连接。
第二方面，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括上述至少一实施方式中的像素电路，其中，发光器件为有机发光二极管、迷你发光二极管、微发光二极管或者量子点发光二极管中的一种。
本申请提供的像素电路及显示面板，通过分流单元与发光器件并联，使得流经发光器件的发光电流变小，此时驱动晶体管的工作点需要负偏，这种情况下对发光电流的影响会变小，进而发光电流的变化幅度得以减小，改善了亮度均一性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为相关技术中像素电路的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的像素电路的第一种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的像素电路的第二种结构示意图。
图4为阈值电压漂移对发光电流影响的对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为相关技术中像素电路的结构示意图，该像素电路包括写入晶体管T2、驱动晶体管T1、存储电容Cst以及发光器件D1。驱动晶体管T1的源极/漏极中的一个与正电源线电性连接，驱动晶体管T1的源极/漏极中的另一个与发光器件D1的阳极电性连接，发光器件D1的阴极与负电源性连接。写入晶体管T2的源极/漏极中的一个与数据线电性连接，写入晶体管T2的栅极与第一控制线电性连接；写入晶体管T2的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管T1的栅极电性连接。存储电容Cst的一端与驱动晶体管T1的栅极电性连接，存储电容Cst的另一端与正电源线电性连接。
在其中一个实施例中，写入晶体管T2的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管T1的源极/漏极中的一个电性连接，该像素电路还可以包括补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T5以及第二发光控制晶体管T6，第一发光控制晶体管T5的源极/漏极中的一个与正电源线电性连接，第一发光控制晶体管T5的源极/漏极中的另一个与写入晶体管T2的源极/漏极中的另一个、驱动晶体管T1的源极/漏极中的一个电性连接，第一发光控制晶体管T5的栅极与第一发光控制线电性连接。第二发光控制晶体管T6的源极/漏极中的一个与驱动晶体管T1的源极/漏极中的一个、补偿晶体管T3的源极/漏极中的一个电性连接，第二发光控制晶体管T6的源极/漏极中的另一个与发光器件D1的阳极电性连接，第二发光控制晶体管T6的栅极与所述第一发光控制线或者第二发光控制线电性连接。补偿晶体管T3的源极/漏极中的另一个与驱动晶体管T1的栅极电性连接，补偿晶体管T3的栅极与第一控制线连接。
在其中一个实施例中，该像素电路还可以包括第一初始化晶体管T7，第一初始化晶体管T7的源极/漏极中的一个与发光器件D1的阳极电性连接，第一初始化晶体管T7的源极/漏极中的另一个与第一初始化线电性连接，第一初始化晶体管T7的栅极与第二控制线电性连接。
在其中一个实施例中，该像素电路还可以包括第二初始化晶体管T4，第二初始化晶体管T4的源极/漏极中的一个与驱动晶体管T1的栅极电性连接，第二初始化晶体管T4的源极/漏极中的另一个与第二初始化线电性连接，第二初始化晶体管T4的栅极与第二控制线电性连接。
需要进行说明的是，正电源线用于传输电源正信号ELVDD，负电源线用于传输电源负信号ELVSS，电源正信号ELVDD的电位高于电源负信号ELVSS的电位。第一发光控制线用于传输第一发光控制信号，第一发光控制线号可以为发光控制信号EM或者发光控制信号EM1。第二发光控制线用于传输第二发光控制信号，第二发光控制线号可以为发光控制信号EM或者发光控制信号EM2。数据线用于传输数据信号Data。第一控制线用于传输第一控制信号，该第一控制信号可以为扫描信号PScan(n)。第二控制线用于传输第二控制信号，该第二控制信号可以为扫描信号PScan(n-1)。其中，在一帧中，扫描信号PScan(n)的波形与扫描信号PScan(n-1)的波形相同，且扫描信号PScan(n)的相位滞后于扫描信号PScan(n-1)的相位。第一初始化线用于传输第一初始化信号Vi1。第二初始化线用于传输第二初始化信号Vi2。
在其中一个实施例中，写入晶体管T2、驱动晶体管T1、补偿晶体管T3、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一初始化晶体管T7以及第二初始化晶体管T4中的至少一个为P沟道型薄膜晶体管，具体还可以为P沟道型低温多晶硅薄膜晶体管。
然而，图1所示像素电路在低灰阶下工作时，流经发光器件D1的发光电流会急速降低，驱动晶体管T1的工作点更加接近波动较大的亚阈值(SS)区域，这使得驱动晶体管T1的阈值电压会正偏，增大了对发光电流的影响程度，容易导致亮度均一性下降。
有鉴于上述提及的驱动晶体管T1的工作点正偏导致的亮度均一性不佳的技术问题，本实施例提供了一种像素电路，请参阅图2至图4所示，如图2、图3所示，该像素电路包括驱动晶体管T1、发光器件D1以及分流单元100，驱动晶体管T1串接于正电源线与负电源线之间。发光器件D1串接于驱动晶体管T1与正电源线或者负电源线之间。分流单元100与发光器件D1并联，用于减小流经发光器件D1的发光电流。
可以理解的是，本实施例提供的像素电路，通过分流单元100与发光器件D1并联，使得流经发光器件D1的发光电流变小，此时驱动晶体管T1的工作点需要负偏，这种情况下对发光电流的影响会变小，进而发光电流的变化幅度得以减小，改善了亮度均一性；也改善了可靠性验证后显示出现色偏的严重情况。
在其中一个实施例中，发光器件D1为有机发光二极管、迷你发光二极管、微发光二极管或者量子点发光二极管中的一种。
需要进行说明的是，本实施例中的各类型发光二极管均可以适用分流单元100的新增结构，且可以改善亮度均一性。
在其中一个实施例中，如图2所示，分流单元100包括分流晶体管T8，分流晶体管T8的源极/漏极中的一个与发光器件D1的阳极连接，分流晶体管T8的源极/漏极中的另一个与发光器件D1的阴极连接，分流晶体管T8的栅极与分流控制线连接。
需要进行说明的是，本实施例采用分流晶体管T8作为分流单元100的具体构造，不仅可以起到减小流经发光器件D1的发光电流的作用，还能够调整分流晶体管T8的导通角度，以调整流经分流晶体管T8的电流，进而能够更为灵活方便地减小流经发光器件D1的发光电流的大小。为了达到发光器件D1的目标亮度，此时，驱动晶体管T1的工作点需要负偏，如此驱动晶体管T1的工作点将远离亚阈值波动较大的区域，进而降低了驱动晶体管T1的栅极-源极之间的电位差对发光电流的影响，也减小了发光器件D1的亮度波动范围，进而改善了亮度均一性。
在其中一个实施例中，分流控制线用于传输直流信号VGH1，直流信号VGH1用于控制分流晶体管T8一直处于导通状态；或者，分流控制线用于传输方波信号，方波信号的高电位或者低电位中的一个用于控制分流晶体管T8处于导通状态，方波信号的高电位或者低电位中的另一个用于控制分流晶体管T8处于截止状态。
需要进行说明的是，分流晶体管T8受控于直流信号VGH1而一直处于导通状态，不仅可以在像素电路的发光阶段中起到减小流经发光器件D1的发光电流的作用，还可以在像素电路的非发光阶段中短接发光器件D1的阳极与阴极以防止发光器件D1的误点亮。
另外，分流晶体管T8受控于方波信号而在发光阶段中处于导通状态，可以在像素电路的发光阶段中起到减小流经发光器件D1的发光电流的作用；分流晶体管T8受控于方波信号而在非发光阶段中处于截止状态，可以减少分流晶体管T8的工作时长，进而延长了分流晶体管T8的使用寿命并降低了功耗。
其中，分流晶体管T8为N沟道型薄膜晶体管时，方波信号的高电位控制分流晶体管T8处于导通状态，方波信号的低电位控制分流晶体管T8处于截止状态。分流晶体管T8为P沟道型薄膜晶体管时，方波信号的低电位控制分流晶体管T8处于导通状态，方波信号的高电位控制分流晶体管T8处于截止状态。
在其中一个实施例中，像素电路还包括第一发光控制晶体管T5，第一发光控制晶体管T5串接于正电源线与负电源线之间，第一发光控制晶体管T5的控制端与第一发光控制线、分流单元100的控制端连接。
需要进行说明的是，本实施例中第一发光控制晶体管T5的控制端、分流单元100的控制端可以共用第一发光控制线，减少了像素电路所需的信号线数量，有利于提高显示面板的开口率。
在其中一个实施例中，像素电路还包括第二发光控制晶体管T6，第二发光控制晶体管T6串接于正电源线与负电源线之间，第二发光控制晶体管T6的控制端与第一发光控制线、分流单元100的控制端连接。
需要进行说明的是，本实施例中第一发光控制晶体管T5的控制端、分流单元100的控制端以及第二发光控制晶体管T6的控制端可以共用第一发光控制线，进一步减少了像素电路所需的信号线数量，有利于提高显示面板的开口率。
在其中一个实施例中，第二发光控制晶体管T6的控制端也可以与第二发光控制线电性连接，以灵活地分别单独驱动第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6进行开关。
在其中一个实施例中，分流单元100的控制端与正电源线或者负电源线连接，以控制分流单元100的导通程度。
需要进行说明的是，本实施例中复用正电源线或者负电源线为分流单元100的控制端的控制线，同样可以减少像素电路所需的信号线使用数量，进而提高显示面板的像素开口率。
在其中一个实施例中，分流晶体管T8为N沟道型薄膜晶体管，分流晶体管T8的栅极与正电源线连接。
需要进行说明的是，本实施例可以通过调整分流晶体管T8的尺寸、沟道长度、沟道宽度等电性参数来匹配电源正信号ELVDD的电位以实现分流晶体管T8的导通角度的调整。和/或，也可以通过调整电源正信号ELVDD的电位来调整分流晶体管T8的导通角度，以精确减小流经发光器件D1的发光电流。
在其中一个实施例中，分流晶体管T8为P沟道型薄膜晶体管，分流晶体管T8的栅极与负电源线连接。
需要进行说明的是，本实施例可以通过调整分流晶体管T8的尺寸、沟道长度、沟道宽度等电性参数来匹配电源负信号ELVSS的电位以实现分流晶体管T8的导通角度的调整。和/或，也可以通过调整电源负信号ELVSS的电位来调整分流晶体管T8的导通角度，以精确减小流经发光器件D1的发光电流。
在其中一个实施例中，需要进行说明的是，与图2所示像素电路相比，图3所示像素电路作出了如下改变：
1、第一初始化晶体管T7的栅极改为了与第一控制线电性连接。
2、在驱动晶体管T1的栅极与写入晶体管T2的栅极之间增加了电容Cboost。
3、补偿晶体管T3由P沟道型低温多晶硅薄膜晶体管改为了N沟道型铟镓锌氧化物薄膜晶体管，对应地，补偿晶体管T3的栅极接入了扫描信号NScan(n+10)以与写入晶体管T2保持同步导通。可以理解的是，如此可以减少驱动晶体管T1的栅极漏电流。
4、第二初始化晶体管T4由P沟道型低温多晶硅薄膜晶体管改为了N沟道型铟镓锌氧化物薄膜晶体管，对应地，第二初始化晶体管T4的栅极接入了扫描信号NScan(n)以初始化驱动晶体管T1的栅极电位。可以理解的是，如此可以进一步降低驱动晶体管T1的栅极漏电流。
图4为阈值电压漂移对发光电流影响的对比示意图，其中，横坐标Vgs表示驱动晶体管T1的栅极-源极之间的电位差，纵坐标Id1表示流经驱动晶体管T1或者发光器件D1的发光电流，S1表示增加分流单元100后Id1随Vgs变化的曲线图，S2表示增加分流单元100前Id1随Vgs变化的曲线图。
需要进行说明的是，驱动晶体管T1工作于第一工作点Vgs1时，增加分流单元100前后的发光电流的变化量为△I1；驱动晶体管T1工作于第二工作点Vgs2时，增加分流单元100前后的发光电流的变化量为△I2。其中，Vgs1小于Vgs2。△I1小于△I2。如此说明了增加分流单元100之后，为了达到发光器件D1的目标亮度，驱动晶体管T1的工作点需要负偏，在驱动晶体管T1的工作点负偏后，不仅可以增大发光电流，同时还减小了驱动晶体管T1的工作点变化对发光电流的影响程度。
在其中一个实施例中，分流单元100包括分流电阻，分流电阻的一端与发光器件D1的阳极连接，分流电阻的另一端与发光器件D1的阴极连接。
需要进行说明的是，本实施以电阻作为分流单元100的具体构造，不仅可以降低在显示面板中制作电阻的工艺复杂度、成本，同时还能够更容易地实现。
在其中一个实施例中，本实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述至少一实施例中的像素电路。
可以理解的是，本实施例提供的显示面板，通过分流单元100与发光器件D1并联，使得流经发光器件D1的发光电流变小，此时驱动晶体管T1的工作点需要负偏，这种情况下对发光电流的影响会变小，进而发光电流的变化幅度得以减小，改善了亮度均一性；也改善了可靠性验证后显示出现色偏的严重情况。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的像素电路及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管串接于正电源线与负电源线之间；
发光器件，所述发光器件串接于所述驱动晶体管与所述正电源线或者所述负电源线之间；以及
分流单元，所述分流单元与所述发光器件并联，用于减小流经所述发光器件的发光电流。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述分流单元包括分流晶体管，所述分流晶体管的源极/漏极中的一个与所述发光器件的阳极连接，所述分流晶体管的源极/漏极中的另一个与所述发光器件的阴极连接，所述分流晶体管的栅极与分流控制线连接。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述分流控制线用于传输直流信号，所述直流信号用于控制所述分流晶体管一直处于导通状态；或者，
所述分流控制线用于传输方波信号，所述方波信号的高电位或者低电位中的一个用于控制所述分流晶体管处于导通状态，所述方波信号的高电位或者低电位中的另一个用于控制所述分流晶体管处于截止状态。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管串接于所述正电源线与所述负电源线之间，所述第一发光控制晶体管的控制端与第一发光控制线、所述分流单元的控制端连接。
5.根据权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管串接于所述正电源线与所述负电源线之间，所述第二发光控制晶体管的控制端与所述第一发光控制线、所述分流单元的控制端连接。
6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述分流单元的控制端与所述正电源线或者所述负电源线连接，以控制所述分流单元的导通程度。
7.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述分流单元包括分流晶体管，所述分流晶体管的源极/漏极中的一个与所述发光器件的阳极连接，所述分流晶体管的源极/漏极中的另一个与所述发光器件的阴极连接，所述分流晶体管为N沟道型薄膜晶体管，所述分流晶体管的栅极与所述正电源线连接。
8.根据权利要求6所述的像素电路，其特征在于，所述分流单元包括分流晶体管，所述分流晶体管的源极/漏极中的一个与所述发光器件的阳极连接，所述分流晶体管的源极/漏极中的另一个与所述发光器件的阴极连接，所述分流晶体管为P沟道型薄膜晶体管，所述分流晶体管的栅极与所述负电源线连接。
9.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述分流单元包括分流电阻，所述分流电阻的一端与所述发光器件的阳极连接，所述分流电阻的另一端与所述发光器件的阴极连接。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的像素电路，其中，所述发光器件为有机发光二极管、迷你发光二极管、微发光二极管或者量子点发光二极管中的一种。
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CN115482779A (zh) * 2022-09-26 2022-12-16 武汉天马微电子有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置

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