CN115376956A - 激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法 - Google Patents

激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法。该激光剥离平台，包括：主平台；及至少一个侧平台，设于主平台的边缘，侧平台用于相对主平台在同一平面内移动，以远离或靠近主平台。该激光剥离平台通过设置可移动的侧平台，可在激光发射装置的扫描过程中，使待剥离工件对应侧平台的边缘区相对于对应主平台的主体区往外扩张，进而促使待剥离工件的边缘区和主体区在扫描过程中抵抗应力释放导致的收缩趋势，进而改善了柔性显示器件在该剥离过程中的折皱问题，提高了柔性衬底的平整性，从而提高了柔性显示器件的制备良率。采用上述激光剥离设备进行激光剥离，可无需前段的保护膜贴附工艺，减少了工艺制程，降低了成本。

Description

激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法
技术领域
本发明涉及显示器件技术领域，特别是涉及一种激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法。
背景技术
目前，柔性显示器件的制作工艺，大多都是现在承载基板上涂布一层聚酰亚胺(英文简称PI)作为柔性衬底，然后再在聚酰亚胺上制作形成柔性显示器件。这种柔性衬底在受到特定波长的激光照射后，粘性会发生较大变化，通过激光剥离(LLO)工艺将柔性显示器件与承载基板分离，从而得到柔性显示器件。
聚酰亚胺作为目前制备柔性显示器件技术中常用的与承载基板的粘接过渡层材料，其制作方法主要有旋涂法和刮涂法，使聚酰亚胺溶液均匀涂布在承载基板上，然后进行固化形成一层聚酰亚胺作为柔性衬底，最后再在柔性衬底上制作柔性显示器件；最后使用激光剥离技术将柔性显示器件与承载玻璃分离。然而在激光剥离的过程中聚酰亚胺受到特定波长的激光照射发生交联反应，而交联反应会引起释放应力，柔性显示器件会由于聚酰亚胺的应力释放产生收缩，进而产生折皱，最终导致柔性显示器件的损坏。为了改善柔性显示器件在该剥离过程中的折皱问题，可以在固化的聚酰亚胺上形成一层保护膜，然后再在保护膜上制作形成柔性显示器件。但是，这种方法需要增加贴附保护膜的步骤，使得工艺变复杂，生产成本增加；同时保护膜贴附之后，使得整个柔性显示器件的厚度增加。此外，保护膜贴附的区域需要大于聚酰亚胺溶液的涂布区域，这样对于承载基板的利用率及窄边框的柔性显示器件的制作都会有一定的影响。
发明内容
基于此，有必要提供一种激光剥离平台、激光剥离设备及柔性显示器件的制备方法，能够改善柔性显示器件在剥离中的折皱问题，且无需贴附保护膜。
一种激光剥离平台，包括：
主平台；及
至少一个侧平台，所述侧平台设于所述主平台的边缘，所述侧平台用于相对所述主平台在同一平面内移动，以远离或靠近所述主平台。
在其中的一些实施例中，所述主平台和所述侧平台上均设有真空吸附孔，所述侧平台上的真空吸附孔的吸附力大于所述主平台的真空吸附孔的吸附力；和/或
所述侧平台具有与所述主平台的侧边抵接的闭合状态及与所述主平台分离的扩张状态。
在其中的一些实施例中，所述主平台为矩形，至少有两个所述侧平台分别设于所述主平台的相对两个侧边。
在其中的一些实施例中，所述主平台的四个侧边均设有一所述侧平台，各所述侧平台用于与所述主平台抵接且形成矩形的外轮廓，各所述侧平台形成的外轮廓的各边与所述主平台的外轮廓的相应各边之间等间距。
在其中的一些实施例中，所述激光剥离平台还包括：
滑动导轨，所述侧平台设于所述滑动导轨上且沿所述滑动导轨移动，以使所述侧平台远离或靠近所述主平台。
在其中的一些实施例中，所述主平台的各侧边均设有一个所述侧平台；
所述滑动导轨为两个，相对设置的两个所述侧平台各共用同一滑动导轨，两个所述滑动导轨的延伸方向分别与所述主平台的相邻两边的延伸方向相同。
一种激光剥离设备，包括：
激光发射装置，所述激光发射装置用于发射激光；及
如上述任一项所述的激光剥离平台，所述激光剥离平台的所述主平台和所述侧平台用于承载待剥离工件，所述侧平台还用于在所述激光发射装置发射激光对所述待剥离工件进行扫描时，相对所述主平台在同一平面内远离所述主平台。
一种柔性显示器件的制备方法，采用上述任一项所述的激光剥离设备，包括如下步骤：
将待剥离工件置于所述主平台和所述侧平台上，所述待剥离工件包括承载基板和设置在所述承载基板上的柔性显示器件；
所述激光发射装置发射激光，并依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面时，所述侧平台相对所述主平台在同一平面内远离所述主平台，以使所述待剥离工件对应所述侧平台的边缘区相对于对应所述主平台的主体区往外扩张；及
将所述柔性显示器件与所述承载基板分离。
在其中的一些实施例中，所述主平台和所述侧平台上均设有真空吸附孔，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面时，控制所述侧平台的真空吸附孔的吸附力大于所述主平台的真空吸附孔的吸附力。
在其中的一些实施例中，所述侧平台的吸附压力为5Kpa～20Kpa；
所述主平台的吸附压力为0.3Kpa～0.5Kpa。
在其中的一些实施例中，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面之后，在将所述柔性显示器件与所述承载基板分离的步骤之前，还包括如下步骤：
控制所述侧平台相对于所述主平台停止远离所述主平台移动，并保持与所述主平台相对静止状态。
上述激光剥离设备及其激光剥离平台，通过设置可移动的侧平台，可在激光发射装置的扫描过程中，使待剥离工件对应侧平台的边缘区相对于对应主平台的主体区往外扩张，进而促使待剥离工件的边缘区和主体区在扫描过程中抵抗应力释放导致的收缩趋势，进而改善了柔性显示器件在该剥离过程中的折皱问题，提高了柔性衬底的平整性，从而提高了柔性显示器件的制备良率。
此外，采用含有上述激光剥离平台的激光剥离设备进行激光剥离，可无需前段的保护膜贴附工艺，减少了工艺制程，进而降低了成本。另外，由于无需前段的贴膜工艺，故而避免了保护膜的贴附区域影响承载基板的利用率及窄边框的柔性显示器件的制作的问题，故而可以更大程度地满足窄边框柔性显示器件的制作需求，同时也提高了承载基板的利用率。
附图说明
图1为本发明一实施方式的激光剥离平台的俯视结构示意图；
图2为图1所示的激光剥离平台的另一状态的结构示意图；
图3为图1所示的激光剥离平台的主视图；
图4为图2所示的激光剥离平台的主视图；
图5为传统方法制得的柔性显示器件的柔性衬底的照片；
图6为本发明一实施例制得的柔性显示器件的柔性衬底的照片；
图7为本发明另一实施例制得的柔性显示器件的柔性衬底的照片。
附图标记说明：
10：激光剥离平台； 110：主平台；
120：侧平台； 130：滑动导轨。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施方式提供了一种激光剥离设备及其激光剥离平台10(见图1)。该激光剥离设备包括激光发射装置(图未示)及激光剥离平台10。
激光发射装置用于发射激光。
激光剥离平台10用于承载待剥离工件。
请参阅图1，激光剥离平台10包括主平台110及至少一个侧平台120。激光剥离平台10的主平台110和侧平台120用于承载待剥离工件。具体地，待剥离工件包括主体区及位于主体区边缘的边缘区，主体区置于主平台110上，至少部分的边缘区置于侧平台120上；换言之，待剥离工件的主体区对应主平台110设置，待剥离工件的边缘区对应侧平台120设置。
激光剥离平台10的侧平台120设于主平台110的边缘。如图2所示，侧平台120用于相对主平台110在同一平面内移动，以远离或靠近主平台110。侧平台120还用于在激光发射装置发射激光对待剥离工件进行扫描时，相对主平台110在同一平面内远离主平台110，以使待剥离工件对应侧平台120的边缘区相对于对应主平台110的主体区往外扩张。
上述激光剥离设备及其激光剥离平台10，通过设置可移动的侧平台120，可在激光发射装置的扫描过程中，使待剥离工件对应侧平台120的边缘区相对于对应主平台110的主体区往外扩张，进而促使待剥离工件的边缘区和主体区在扫描过程中抵抗应力释放导致的收缩趋势，进而改善了柔性显示器件在该剥离过程中的折皱问题，提高了柔性衬底的平整性，从而提高了柔性显示器件的制备良率。
此外，采用含有上述激光剥离平台10的激光剥离设备进行激光剥离，可无需前段的保护膜贴附工艺，减少了工艺制程，进而降低了成本。另外，由于无需前段的贴膜工艺，故而避免了保护膜的贴附区域影响承载基板的利用率及窄边框的柔性显示器件的制作的问题，故而可以更大程度地满足窄边框柔性显示器件的制作需求，同时也提高了承载基板的利用率。
本发明还提供了一种柔性显示器件的制备方法，即待剥离工件为形成于承载基板上的柔性显示器件。下文将结合激光剥离设备的结构对柔性显示器件的制备方法进行详细的介绍。
采用上述激光剥离设备剥离待剥离工件，该待剥离工件包括承载基板和设置于承载基板上的柔性显示器件，以制备柔性显示器件，包括如下步骤S10～20：
S10：将待剥离工件置于激光剥离平台10的主平台110和侧平台120上。具体地，待剥离工件以承载基板朝上放置于激光剥离平台10上，柔性显示器件朝下与激光剥离平台10接触。
S20：激光发射装置发射激光，并依次扫描承载基板与柔性显示器件之间的界面，以使柔性显示器件与承载基板分离。具体地，调整激光发射装置，使激光能量从承载基板穿过，激光的聚焦点或焦平面扫在柔性显示器件的柔性衬底上，进行激光扫描，以使柔性显示器件与承载基板分离。在激光发射装置依次扫描承载基板与柔性显示器件之间的界面时，侧平台120相对主平台110在同一平面内远离主平台110，以使待剥离工件对应侧平台120的边缘区相对于对应主平台110的主体区往外扩张。
S30：将柔性显示器件与承载基板分离。
具体地，例如可通过吸附等物理方法吸附承载基板，以将柔性显示器件与承载基板分离。
在其中的一些实施例中，主平台110和侧平台120上均设有真空吸附孔。通过真空吸附孔产生负压，可以吸附待剥离工件。
进一步地，在激光发射装置的扫描过程中，控制侧平台120的真空吸附孔的吸附力大于主平台110的真空吸附孔的吸附力，如此形成主平台110为弱真空吸附，而周围的侧平台120为强真空吸附的结构，可使待剥离工件在侧平台120的扩张过程中不会脱离侧平台120。
进一步地，在一具体示例中，侧平台120的吸附压力为5Kpa～20Kpa；主平台110的吸附压力为0.3Kpa～0.5Kpa。
在其中的一些实施例中，在激光发射装置依次扫描承载基板与柔性显示器件之间的界面之后，将柔性显示器件与承载基板分离的步骤之前，还包括如下步骤：控制侧平台120相对于主平台110停止远离主平台110移动，即停止往外扩张，并保持扩张状态静置，即保持与主平台110相对静止状态。
进一步地，控制侧平台120保持扩张状态静置的时间可为10s～20s。将侧平台120保持在扩张状态下静置一段时间，促使激光扫描后的柔性衬底的应力完全释放，以进一步提高柔性衬底的平整性，进而进一步提高了柔性显示器件的制备良率。
在其中的一些实施例中，侧平台120为多个，多个侧平台120围绕主平台110分布。多个侧平台120可使待剥离工件的边缘区在多个位置相对于主体区往外扩张，进一步有利于改善柔性显示器件在该剥离过程中的折皱问题。
在其中的一些实施例中，主平台110为矩形，主平台110的至少一个侧边设有侧平台120。可理解，主平台110的形状不限于此，可为圆形等。
进一步地，激光扫描是保持激光发射装置的激光出光光束固定不动，而使激光剥离平台10进行移动的方式，完成整面扫描。故而激光扫描的方向即为激光剥离平台10的移动方向。换言之，主平台110可相对激光发射装置移动，激光扫描的方向与主平台110的移动方向相同。
在其中的一些实施例中，上述激光剥离设备还包括第一驱动机构(图未示)，第一驱动机构与主平台110连接，用于驱动主平台110相对激光发射装置沿直线方向移动。
进一步地，至少有一个侧平台120的扩张方向(即相对于主平台110的移动方向)与激光扫描的方向或主平台110相对激光发射装置的移动方向相同。一般地，主平台110相对激光发射装置的移动方向为主平台110的长边方向。
在一具体示例中，激光扫描的速度为30mm/s～80mm/s；侧平台120的扩张速度为0.05mm/s～0.1mm/s。
在其中的一些实施例中，上述激光剥离设备还包括第二驱动机构(图未示)，第二驱动机构与侧平台120连接，用于驱动侧平台120相对主平台110在同一平面内移动，以远离或靠近主平台110。
进一步地，第一驱动机构和/或第二驱动机构可为驱动电机等驱动机构。
进一步地，至少有两个侧平台120分别设于主平台110的相对两个侧边。例如，至少有两个侧平台120分别设于主平台110的相对两个短边，即至少有两个侧平台120相对主平台110沿主平台110的长边方向往外扩张。
可理解，在一具体示例中，仅在主平台110的一短边或一长边设置一个上述侧平台120；也可在主平台110的两个短边各设置一个上述侧平台120；也可以在主平台110的两个长边各设置一个上述侧平台120；也可以在主平台110的两个短边和两个长边各设置一个上述侧平台120。
进一步地，侧平台120能够相对主平台110在同一平面内移动以靠近主平台110复位。具体地，侧平台120能够相对主平台110在同一平面内朝靠近主平台110的方向移动至与主平台110的侧边接触的闭合状态。换言之，在该具体示例中，侧平台120具有与主平台110的侧边接触的闭合状态(如图1所示)及与主平台110分离扩张的扩张状态(如图2所示)。在一具体示例中，先将待剥离置于闭合状态的主平台110和侧平台120上，在开始扫描及扫描过程中，侧平台120由闭合状态调整为扩张状态。
在一具体示例中，主平台110为矩形。主平台110的四个侧边均设有一侧平台120，各侧平台120用于与主平台110抵接且形成矩形的外轮廓，各侧平台120形成的外轮廓的各边与主平台110的外轮廓的相应各边之间等间距。即：在闭合状态，位于主平台110四侧边的四个侧平台120首尾相接，并与主平台110相互抵接形成矩形平台。
请参阅图2，在其中的一些实施例中，激光剥离平台10还包括滑动导轨130，侧平台120设于滑动导轨130上且沿滑动导轨130移动，以使侧平台120远离或靠近主平台110。
请参阅图3～图4，进一步地，滑动导轨130设于主平台110的下方，滑动导轨130的两端露出于主平台110。相对设置的两个侧平台120分别设于同一滑动导轨130的两端。
在其中的一些实施例中，主平台110的各侧边均设有一个侧平台120，以使待剥离工件的边缘区均置于侧平台120上。滑动导轨130为两个，相对设置的两个侧平台120各共用同一滑动导轨130，两个滑动导轨130的延伸方向相互垂直，如图3～图4所示，两个滑动导轨130的延伸方向分别与主平台110的相邻两边的延伸方向相同。
如图5所示，采用传统的不能扩张的激光剥离平台进行激光剥离制备柔性显示器件，在激光剥离之后柔性衬底出现严重的折皱现象。
在一具体示例中，采用上述激光剥离设备剥离形成于承载基板上的柔性显示器件，使设于主平台110的短边的两个侧平台120沿长边方向往外扩张，而剩余的短边两侧的两个侧平台120不做扩张，制得的柔性显示器件的柔性衬底的折皱现象大大减少，如图6所示。
在另一具体示例中，采用上述激光剥离设备剥离形成于承载基板上的柔性显示器件，使设于主平台110的短边的两个侧平台120沿长边方向往外扩张，使设于主平台110的长边的两个侧平台120沿短边方向往外扩张，即设于主平台110四周的侧平台120均往外扩张，制得的柔性显示器件的柔性衬底没有出现折皱现象，如图7所示。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (10)

1.一种激光剥离平台，其特征在于，包括：
主平台；及
至少一个侧平台，所述侧平台设于所述主平台的边缘，所述侧平台用于相对所述主平台在同一平面内移动，以远离或靠近所述主平台。
2.如权利要求1所述的激光剥离平台，其特征在于，所述主平台和所述侧平台上均设有真空吸附孔，所述侧平台上的真空吸附孔的吸附力大于所述主平台的真空吸附孔的吸附力；和/或
所述侧平台具有与所述主平台的侧边抵接的闭合状态及与所述主平台分离的扩张状态。
3.如权利要求1所述的激光剥离平台，其特征在于，所述主平台为矩形，至少有两个所述侧平台分别设于所述主平台的相对两个侧边。
4.如权利要求3所述的激光剥离平台，其特征在于，所述主平台的四个侧边均设有一所述侧平台，各所述侧平台用于与所述主平台抵接且形成矩形的外轮廓，各所述侧平台形成的外轮廓的各边与所述主平台的外轮廓的相应各边之间等间距。
5.如权利要求3所述的激光剥离平台，其特征在于，所述激光剥离平台还包括：
滑动导轨，所述侧平台设于所述滑动导轨上且沿所述滑动导轨移动，以使所述侧平台远离或靠近所述主平台。
6.如权利要求5所述的激光剥离平台，其特征在于，所述主平台的各侧边均设有一个所述侧平台；
所述滑动导轨为两个，相对设置的两个所述侧平台各共用同一滑动导轨，两个所述滑动导轨的延伸方向分别与所述主平台的相邻两边的延伸方向相同。
7.一种激光剥离设备，其特征在于，包括：
激光发射装置，所述激光发射装置用于发射激光；及
如权利要求1至6任一项所述的激光剥离平台，所述激光剥离平台的所述主平台和所述侧平台用于承载待剥离工件，所述侧平台还用于在所述激光发射装置发射激光对所述待剥离工件进行扫描时，相对所述主平台在同一平面内远离所述主平台。
8.一种柔性显示器件的制备方法，其特征在于，采用如权利要求7所述的激光剥离设备，所述制备方法包括如下步骤：
将待剥离工件置于所述主平台和所述侧平台上，所述待剥离工件包括承载基板和设置在所述承载基板上的柔性显示器件；
所述激光发射装置发射激光，并依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面时，所述侧平台相对所述主平台在同一平面内远离所述主平台，以使所述待剥离工件对应所述侧平台的边缘区相对于对应所述主平台的主体区往外扩张；及
将所述柔性显示器件与所述承载基板分离。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述主平台和所述侧平台上均设有真空吸附孔，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面时，控制所述侧平台的真空吸附孔的吸附力大于所述主平台的真空吸附孔的吸附力。
10.如权利要求8至9任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述依次扫描所述承载基板与所述柔性显示器件之间的界面之后，将所述柔性显示器件与所述承载基板分离的步骤之前，还包括如下步骤：
控制所述侧平台相对于所述主平台停止远离所述主平台移动，并保持与所述主平台相对静止状态。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118002910A (zh) * 2024-01-17 2024-05-10 北京晶飞半导体科技有限公司 一种应力增效的激光改质剥离方法和装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203910868U (zh) * 2014-06-25 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种激光剥离设备
US20150202821A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-23 Sourabh Kumar Saha Biaxial tensile stage for fabricating and tuning wrinkles
US20190165272A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device manufacturing method and manufacturing apparatus
CN213210234U (zh) * 2020-11-04 2021-05-14 上海潜利智能科技有限公司 一种pcb板真空吸附平台

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150202821A1 (en) * 2014-01-06 2015-07-23 Sourabh Kumar Saha Biaxial tensile stage for fabricating and tuning wrinkles
CN203910868U (zh) * 2014-06-25 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种激光剥离设备
US20190165272A1 (en) * 2017-11-28 2019-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device manufacturing method and manufacturing apparatus
CN213210234U (zh) * 2020-11-04 2021-05-14 上海潜利智能科技有限公司 一种pcb板真空吸附平台

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118002910A (zh) * 2024-01-17 2024-05-10 北京晶飞半导体科技有限公司 一种应力增效的激光改质剥离方法和装置

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