CN115362562A - 光电装置 - Google Patents

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法伊纳·埃塞尔
克劳斯·耶格
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Abstract

一种光电装置，尤其是用于检测光，包括：光检测器(11)，具有底侧(13)、上侧(15)以及在上侧(15)与底侧(13)之间延伸的至少一个侧壁(17)；载体(19)，具有上表面(21)，光检测器(11)布置在该上表面上使得底侧(13)面向载体(19)；滤波器(23)，覆盖光检测器(11)的上侧(15)，滤波器(23)具有将第一波长区域与相邻的第二波长区域分离的第一阈值波长，滤波器(23)对于在第一波长区域中的波长的光比对于在第二波长区域中的波长的光具有更低的透射率；以及第一材料层(27)，覆盖滤波器(23)，其中第一材料层(27)配置为对于在第三波长区域中的波长的光比对于在相邻的第四波长区域中的波长的光具有更高的吸收率，第二阈值波长使第三波长区域和第四波长区域彼此分离，并且第一阈值波长至少近似对应于第二阈值波长。

Description

光电装置
本发明要求日期为2020年3月24日的DE申请号10 2020 203 805.8的优先权，其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及一种光电装置，尤其用于检测光。本发明还涉及一种具有至少一个光电装置的光学系统。
背景技术
DE 10 2017 111 802 A1公开了一种光电装置，该光电装置包括基于半导体的光检测器，该光检测器具有底侧、上侧以及在上侧与底侧之间延伸的侧壁。光检测器被布置在由壳体设置的腔中。滤波器覆盖光检测器的上侧。阻挡层被布置在载体中以覆盖光检测器的侧壁。此外，浇注层被布置在滤波器和阻挡层上的腔中。浇注层对于应由光检测器检测的信号辐射是透明的。
WO 2010/103047 A1公开了一种光电装置，包括光检测器、覆盖光检测器的辐射进入表面的滤波层以及至少在光检测器的辐射进入表面处覆盖光检测器的灌封体，其中，灌封体包含辐射吸收材料。
光检测器用于多个可能的应用中。然而，例如，对于包括发光的光谱应用，必须处理来自研究样本的非常低的光信号。因此，需要以非常高的信噪比操作的光检测器以良好的精度读取所研究的信号。尤其是，应尽可能减少杂散光，因为它会影响测量的精度。该要求可加强使用旨在使关注的波长范围内的光透射最大化的滤波器，同时应使在不是来自样本的其他波长处产生的信号最小化。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种改进的光电装置，尤其是允许执行高性能测量的光电装置。
该目的是通过根据权利要求1的特征的光电装置来满足。从属权利要求中公开了本发明的优选实施方式。
根据本发明的至少一些实施方式有助于优化光检测器的信噪比，尤其是封装级的信噪比。
至少在一些实施方式中，根据本发明的光电装置包括光检测器，该光检测器具有底侧、上侧以及在上侧和底侧之间延伸的至少一个侧壁。该装置还包括具有上表面的载体，光检测器布置在该上表面上，使得底侧面向载体。该装置还包括覆盖光检测器的上侧的滤波器。滤波器具有使第一波长区域与相邻的第二波长区域分离的第一阈值波长。此外，滤波器对于第一波长区域中的波长的光比对于第二波长区域中的波长的光具有更低的透射率。该装置也包括覆盖滤波器的第一材料层。第一材料层被配置为对于在第三波长区域中的波长的光比对于在相邻的第四波长区域中的波长的光具有更高的吸收率。第二阈值波长使第三波长区域与第四波长区域彼此分离，并且第一阈值波长至少近似对应于第二阈值波长。具体地，第一阈值波长与第二阈值波长相差最多+20nm，或最多+15nm，或最多+10nm，或最多+5nm。
光检测器可以是光电二极管，尤其是半导体光电二极管。
滤波器可以例如是长通滤波器，并且第一阈值波长可以对应于长通滤波器的前截止波长。第一波长区域然后可对应于阻带并且第二波长区域可涉及长通滤波器为其提供高透射率的波长区域。
可以介电滤波器的形式实现诸如长通滤波器的滤波器。滤波器可集成在光检测器的上侧上。
诸如介电滤波器的滤波器的透射率通常取决于光的入射角。例如发光测量的一些应用需要使用光检测器，该光检测器在一个或多个光谱带中高度敏感，光在从法线到掠入射光的宽角度范围内入射在光检测器上。在所公开的装置中，第一材料层被配置为在至少实质上对应于第一波长区域的第三波长区域中具有高吸收率，而具有高透射率的第四波长区域至少实质上对应于第二波长区域。
第一材料层可通过针对大入射角使波长依赖性平滑化来补偿光检测器上的滤波器的问题且同时允许在阻带中达到非常高的光抑制。例如，它们可以提供高达5或6的光学密度OD。此外，第一材料层和滤波器可以提供对入射光的入射角较不敏感的组合透射率。
可容易地且成本有效地制造和加工诸如光学滤波器的滤波器以及第一材料层，例如，该第一材料层包括环氧树脂或硅酮且吸收剂颗粒充当长通滤波器。因此，该装置可以以成本有效的方式制造。
在一些实施方式中，该装置包括布置在载体的表面上的至少一个外壁。外壁和载体形成具有开口的腔。光检测器位于腔中，并且来自外部的光可以通过开口进入腔。载体和外壁可形成一侧上具有开口的壳体。该侧壁可以具有圆形的、方形的或矩形的环的横截面形式。
在一些实施方式中，外壁围绕光检测器的至少一个侧壁在圆周方向上间隔开地延伸。
外壁可被配置为吸收光，优选地吸收波长小于或大于第一阈值波长的光。优选地，外壁变黑或变暗。由此，可减少或最小化通过侧壁到达光检测器的无用光的量。可以避免或减少串扰和无用光的检测。
第二材料层可布置在第一材料层与载体之间，并且第二材料层可尤其完全覆盖光检测器的至少一个侧壁和/或载体的上表面。
第二材料层可以布置在由第一材料层、载体的上表面和至少一个外壁形成的体积中，至少一个外壁在载体的上表面上围绕光检测器的至少一个侧壁在圆周方向上延伸。
在一些实施方式中，第二材料层被配置为吸收光，优选地吸收波长小于或大于第一阈值波长的光。例如，第二材料层可以由高吸收性浇注材料组成或包括高吸收性浇注材料，例如包括环氧树脂或硅酮的黑色浇注材料。第二材料层可以保护光检测器的侧壁免于杂散光吸收。
在一些实施方式中，滤波器由覆盖光检测器的上侧和至少一个侧壁的第三材料层形成。例如，滤波器可由高吸收性抗蚀材料形成，该高吸收性抗蚀材料还可占据该体积并因此取代先前描述实施方式的第二材料层。
优选地，第三材料层是布置在第一材料层与载体之间的唯一层。第三材料层可具有大于光检测器的高度的厚度。
第四材料层可布置在第一材料层上方。第四材料层可以由抗蚀材料组成或包括抗蚀材料。第四材料层可以分配在第一材料层的顶部上，并且可以完全覆盖第一材料层。
第四材料层对于在第五波长区域内的波长的光比对于在相邻的第六波长区域内的波长的光可以具有更高的吸收率，并且第三阈值波长使第五和第六波长区域彼此分离，并且第一阈值波长至少近似对应于第三阈值波长。
第一阈值波长可与第三阈值波长相差最多+20nm，或最多+15nm，或最多+10nm。
第一材料层、第二材料层、第三材料层或第四材料层中的至少一者并且优选地所有这些材料层完全覆盖由载体和至少一个外壁形成的腔的开口的整个长度和宽度。
在一些实施方式中，在第二波长区域中，相对于入射光的强度，滤波器和第一材料层的组合具有至少10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、75％、或80％的透射率。
在一些实施方式中，滤波器和第一材料层在第一波长区域中的组合具有小于10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、75％、或80％的透射率。
滤波器和第一材料层可以充当具有前截止或后截止波长的组合滤波器，对于0°至60°范围内的入射角，前截止或后截止波长相对于第一阈值波长偏移最多20nm，并且对于0°至90°范围内的入射角，前截止或后截止波长相对于第一阈值波长偏移最多30nm。
该装置可以包括光学隔膜，该光学隔膜被配置为将光检测器的上侧上的入射角减小至最大角度，诸如30°。
所描述的装置的实施方式可用于小型化光学检测器。检测器的滤波器可以是高光密度滤波器，例如长通滤波器，且检测器可明显降低光学检测特性在宽入射范围内对入射角(甚至高达掠入射角)的依赖性。
此外，该装置的实施方式可以明显降低从检测器侧壁吸收杂散光。
所描述的装置的实施方式可以被实现为低成本方案，并且它们可以与针对消费级应用的小型化需求相兼容。
本发明还涉及一种光电系统，诸如封装模块，包括一个或多个光源和根据本发明的实施方式的一个或多个光电装置。
在一些实施方式中，光源中的至少一个被配置为提供具有第一波长区域中的波长的光。
在一些实施方式中，一个或多个光源不提供具有在第二波长区域中的波长的光。
附图说明
为了可以更全面地理解本发明，现在将参考附图仅通过实例的方式描述本发明的示例性实施方式，在附图中：
图1示意性地示出了根据本发明的光电装置的第一示例性实施方式的横截面图。
图2示意性地示出了图1的光电装置的立体图。
图3示意性地示出了根据本发明的光电装置的第二示例性实施方式的横截面图。
图4示意性地示出了根据本发明的光电装置的第三示例性实施方式的横截面图。
图5示出了在y轴上使用线性标度根据针对不同入射角的标准化相对功率和波长的透射率曲线。
图6示出了在y轴上使用对数标度的图5的透射率曲线。
图7示出了考虑所有入射角根据以人为单位计的信号功率和以纳米计的波长的示例性透射率曲线，以及示出独立光电二极管的光学响应的曲线。
具体实施方式
图1和图2中所示的光电装置包括光检测器11，例如光电二极管。光检测器11包括底侧13、上侧15以及在圆周方向CD上且在上侧15和下侧13之间延伸的至少一个侧壁17。
光检测器11可布置在壳体中。该壳体可包括底侧13和侧壁17，而上侧15的至少一部分包括开口，光可通过该开口入射在光检测器11上。可替换地，光检测器11不具有壳体。例如，光检测器11可以是芯片，诸如光电二极管芯片，并且底侧13、上侧15和侧壁17可以对应于未安置的光检测器11的表面。
该装置包括具有上表面21的载体19，例如引线框架。光检测器11布置在载体19上，使得光检测器11的底侧13搁置在载体19的上表面21上。
滤波器23被布置在上侧15上，使得其至少部分地覆盖光检测器11的上侧15。例如，滤波器覆盖上侧15的中心部分，但不覆盖接合线25连接的接触片。接合线25将接触片电连接至载体19的电导体39。
滤波器23可以尤其被布置成覆盖光检测窗口(未示出)，该光检测窗口位于上侧15上并且用作入射光的检测区域。
此外，第一材料层27覆盖滤波器23和光检测器11的上侧15。
如图1和图2所示，该装置可包括至少一个外壁29，该外壁布置在载体19的上表面21上并且围绕光检测器11的侧壁17在圆周方向CD上延伸。在示出的实例中，外壁29具有正方形的或矩形的环的截面形状。
载体19和外壁29形成腔，光检测器11位于该腔中并且该腔在顶部具有开口31。如图1所示，载体19的上表面21形成该腔的底部，并且第一材料层27封闭开口31且在开口31的整个长度和宽度上延伸。
第二材料层33被布置在第一材料层27下方，在位于第一材料层27、载体层19、光检测器11的侧壁17以及外壁29之间的体积35中。第二材料层33覆盖光检测器11的侧壁17。在一些实施方式中，第二材料层33完全覆盖侧壁17。第二材料层33的高度然后可以对应于光检测器11的侧壁17的高度。可替换地，如图1所示，在一些实施方式中，第一材料层33可以覆盖侧壁17的顶部小部分，而第二材料层33覆盖侧壁17的大部分。
一些应用需要使用在一个或多个光谱带中具有高选择性的光电检测器。例如，在一些应用中，理想的是能够检测波长等于或大于后截止波长的光，而波长短于后截止波长的光可能干扰检测并不利地影响信噪比，使得其检测是不理想的。
滤波器23被配置为具有位于第一波长区域与相邻的第二波长区域之间的第一阈值波长。因此，第一阈值波长使第一波长区域与第二波长区域分离。滤波器对于第一波长区域中的波长的光比对于第二波长区域中的波长的光可具有更低的透射率。
在一些实施方式中，滤波器23是长通滤波器并且第一阈值波长对应于透射率增加至50％通过量的前截止波长。第一波长区域中的透射率小于50％，并且第一波长区域包括小于第一阈值波长的波长。滤波器在第二波长区域内的透射率高于50％，并且第二波长区域对应于大于第一阈值波长的波长。
在一些实施方式中，滤波器23在第一阈值波长周围的波长区域中的透射函数可以具有高斜率。术语“斜率”可用于指定滤波器从高阻挡过渡到高透射的波长中的带宽。例如，给定为前截止波长的百分比，可以从各种起始点和终点定义斜率。斜率可以被指定为从10％透射点到90％透射点的距离。使用这种定义，例如，具有1％斜率的500nm长通滤波器将预期在5nm带宽上从10％透射过渡到90％透射，其中5nm对应于500nm的1％。
在一些实施方式中，滤波器23是长通滤波器并且具有关于预定第一阈值波长的5％、2.5％、或1％的斜率。
第一材料层27被配置为对于在第三波长区域中的波长的光比对于在相邻的第四波长区域中的波长的光具有更高的吸收率。第二阈值波长使第三和第四波长区域分离。滤波器23的第一阈值波长至少近似对应于第二阈值波长。因此，滤波器23的第一阈值波长和第一材料层27的第二阈值波长彼此至少近似匹配。
此外，至少在一些实施方式中，第三波长区域可以对应于滤波器23的第一波长区域，并且第四波长区域可以对应于滤波器23的第二波长区域。在滤波器23对应于长通滤波器的实施方式中，第一材料层27因此可作为第三波长区域中的波长的光的吸收体。如果未被吸收，这种光被滤波器23阻挡。此外，第一材料层27吸收非常少的第四波长区域中的波长的光。因此，长通滤波器23具有高透射率的光同样没有被第一材料层27吸收或以非常低的速率被第一材料层27吸收。因此，第一材料层27可有助于改善滤波器23的过滤功能。
例如长通滤波器形式的滤波器23可以是介电滤波器，其包括具有不同折射率的介电和可选地金属材料的多个薄层。介电滤波器可具有大约10μm的厚度。可替换地，长通滤波器可由抗蚀材料制成。抗蚀材料可具有大约1μm的厚度。
滤波器23的特性可以取决于光的入射角。如下面关于图5至图7进一步概述的，第一材料层27与滤波器23的组合使用可以是有利的，因为第一材料层27可补偿对入射角的依赖性并且因此改进总体过滤特性。
第一材料层27可使用例如环氧树脂和/或硅酮制成铸件的形式，其包括例如颗粒形式的吸收体材料。吸收体材料可被配置为提供所描述的在第三波长区域中比在相邻第四波长区域中具有更高的吸收率的特性。
第一材料层27可例如具有在200μm至300μm范围内的厚度。
第二材料层33被配置为吸收波长小于或大于第一阈值波长的光，以防止光检测器11的侧壁17处的光吸收，和/或防止通过封装件和/或载体19的光泄漏。第二材料层33可以制成例如包括环氧树脂和/或硅酮的铸件的形式。优选地，铸件包括黑色填充材料。
第二材料层33可以具有例如200μm的厚度。在一些实施方式中，厚度可以在200μm至300μm的范围内。在一些实施方式中，厚度至少近似等于光检测器11的厚度。
外壁29优选地变黑或变暗。外壁29因此还可以充当吸收体。
在一些实施方式中，可以在光检测器11和滤波器23以及由第一材料层27形成的浇注滤波器之间使用透明树脂(未示出)。透明树脂可以具有例如50μm的厚度，并且在滤波器23和由第一材料层27提供的滤波器的通带和阻带中对于辐射可以是透明的。其功能可以是避免浇注和滤波器在它们彼此接触时失去其功能。在这种情况下，透明树脂可以作为一种去耦层。
图3所示的装置与图1和图2的装置的不同之处在于滤波器23由第三材料层37组成，该第三材料层还取代图3的实施方式中不存在的第二材料层33。第三材料层37可完全嵌入光检测器11，并且第三材料层37的厚度大于光检测器11的厚度。例如，第三材料层37的厚度可以是200μm以上。
如图4中所示的装置与图1和图2的装置不同之处在于其包括附加的第四材料层41，例如其厚度在1μm至100μm的范围内。第四材料层41可被配置为对于第五波长区域内的波长的光比对于相邻的第六波长区域内的波长的光具有更高的吸收率。第三阈值波长使第五和第六波长区域分隔。滤波器23的第一阈值波长可以至少近似对应于第三阈值波长，并且第五波长区域可以对应于第一波长区域，而第六波长区域可以对应于第二波长区域。
第四材料层41可由抗蚀材料制成，且可包括吸收体材料颗粒，该吸收体材料颗粒可被配置为在第五波长区域中比在相邻的第六波长区域中提供所描述的更高的吸收率的特性。
如图1至图4中所示的示例性装置中的每一个包括用于检测第二波长区域中的光的滤波器23和第一材料层27。检测实质上独立于入射角。此外，滤波器23和第一材料层27用于避免检测第一波长区域中的光。另外，变暗或变黑的外壁29以及吸收第二材料层33(对于图1、图2和图4的实施方式)用于避免检测无用光、串扰和光泄漏到装置中。
对于图1和2的实施方式，图5示出了在y轴上使用线性标度的对于0°、10°、20°、30°、40°、50°和60°的入射角的根据标准化相对功率和波长的计算组合透射率曲线。图6示出了在y轴上使用对数标度的图5的透射率曲线。相对于滤波器23的顶表面43上的表面法线测量入射角。组合透射率曲线考虑了滤波器23和第一材料层27的过滤特性。
图5和图6示出对于小于第一阈值波长的波长，透射率低，在此对应于前截止波长λc≈750nm，但实质上独立于入射角。具有小于λc的波长的波长区域对应于第一和第三波长区域。此外，图5和图6示出对于高于λc的波长，透射率高。对入射角的低依赖性是可接受的。
针对图1和2的实施方式，图7示出了根据以人为单位计的信号功率和波长的计算检测信号51。信号51考虑了所有入射角。图7另外示出了其上放置有相应滤波器23的独立光电二极管的参考信号53。图7表明对于小于前截止波长λc的波长，检测信号51比参考信号53低至多个数量级。此外，对于大于前截止波长λc的波长，检测信号51至少近似等于参考信号53。
参考标号列表
11 光检测器
13 底侧
15 上侧
17 侧壁
19 载体
21 上表面
23 滤波器
25 接合线
27 第一材料层
29 外壁
31 开口
33 第二材料层
35 体积
37 第三材料层
39 电导体
41 第四材料层
43 顶表面
51 检测信号
53 参考信号
CD 圆周方向
λc 前截止波长。

Claims (18)

1.一种光电装置，尤其是用于检测光，所述装置包括：
光检测器(11)，具有底侧(13)、上侧(15)以及在所述上侧(15)与所述底侧(13)之间延伸的至少一个侧壁(17)；
载体(19)，具有上表面(21)，所述光检测器(11)被布置在所述上表面上使得所述底侧(13)面向所述载体(19)；
滤波器(23)，覆盖所述光检测器(11)的所述上侧(15)，所述滤波器(23)具有使第一波长区域与相邻的第二波长区域分离的第一阈值波长，所述滤波器(23)对于在所述第一波长区域中的波长的光比对于在所述第二波长区域中的波长的光具有更低的透射率；以及
第一材料层(27)，覆盖所述滤波器(23)，
其中，所述第一材料层(27)被配置为对于在第三波长区域中的波长的光比对于在相邻的第四波长区域中的波长的光具有更高的吸收率，第二阈值波长将所述第三波长区域和所述第四波长区域彼此分离，并且所述第一阈值波长至少近似对应于所述第二阈值波长。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于，所述第一阈值波长与所述第二阈值波长相差最多±20nm，或最多±15nm，或最多±10nm，或最多±5nm。
3.根据权利要求1或2所述的光电装置，其特征在于，
所述滤波器(23)是介电滤波器，或者由抗蚀材料组成或包括抗蚀材料，和/或
所述第一材料层(27)包括环氧树脂或硅酮以及充当诸如长通滤波器的滤波器的吸收剂颗粒。
4.根据权利要求1、2或3所述的光电装置，其特征在于，所述装置包括布置在所述载体(19)的表面(21)上的至少一个外壁(29)，并且所述外壁(29)和所述载体(19)形成具有开口(31)的腔，所述光检测器(11)位于所述腔中。
5.根据权利要求4所述的光电装置，其特征在于，所述外壁(29)围绕所述光检测器(11)的所述至少一个侧壁(17)在圆周方向上间隔开地延伸，和/或所述外壁(29)被配置为吸收光，优选为波长小于或大于所述第一阈值波长的光，和/或所述外壁(29)变黑或变暗。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，在所述第一材料层(27)与所述载体(19)之间布置有第二材料层(33)，所述第二材料层优选地由高吸收性浇注材料组成或包括高吸收性浇注材料，诸如包括环氧树脂或硅酮的黑色浇注材料，并且所述第二材料层(33)尤其完全地覆盖所述光检测器(11)的所述至少一个侧壁(17)和/或所述载体(19)的所述上表面(21)。
7.根据权利要求6所述的光电装置，其特征在于，所述第二材料层(33)被布置在由所述第一材料层(27)、所述载体(19)的所述上表面(21)以及至少一个外壁(29)形成的体积中，所述至少一个外壁在所述载体(19)的所述上表面(21)上围绕所述光检测器(11)的所述至少一个侧壁(17)在圆周方向(CD)上延伸。
8.根据权利要求6或7所述的光电装置，其特征在于，所述第二材料层(33)被配置为吸收光，优选地吸收波长小于或大于所述第一阈值波长的光。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的光电装置，其特征在于，所述滤波器(23)由优选地由抗蚀材料制成的第三材料层(37)形成，并且所述第三材料层(37)覆盖所述光检测器(11)的所述上侧(15)和所述至少一个侧壁(17)。
10.根据权利要求9所述的光电装置，其特征在于，
所述第三材料层(37)被布置在所述第一材料层(27)与所述载体(19)之间，和/或
所述第三材料层(37)是布置在所述第一材料层(27)与所述载体(19)之间的唯一层，和/或
所述第三材料层(37)的厚度大于所述光检测器(11)的高度。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，优选地由抗蚀剂制成的第四材料层(41)被布置在所述第一材料层(27)上方。
12.根据权利要求11所述的光电装置，其特征在于，所述第四材料层(41)对于在第五波长区域中的波长的光比对于在相邻的第六波长区域中的波长的光具有更高的吸收率，并且第三阈值波长将所述第五波长区域和所述第六波长区域彼此分离，并且所述第一阈值波长至少近似对应于所述第三阈值波长，其中，优选地，所述第一阈值波长与所述第三阈值波长相差最多±20nm，或最多±15nm，或最多±10nm。
13.根据权利要求2至12中任一项所述的光电装置，其特征在于，第一材料层、第二材料层、第三材料层或第四材料层中的至少一者并且优选地是所有的材料层(27，33，37，41)完全地覆盖由所述载体(19)和所述至少一个外壁(19)形成的腔的开口(31)的全部宽度和高度。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，
在所述第二波长区域内，所述滤波器(23)和所述第一材料层(27)的组合相对于入射光的强度具有至少10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、75％或80％的透射率，和/或
所述滤波器(23)和所述第一材料层(27)的组合在所述第一波长区域中具有小于10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、75％或80％的透射率。
15.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，所述滤波器(23)和所述第一材料层(27)用作具有前截止波长或后截止波长的组合滤波器，对于在0°至60°范围内的入射角，所述前截止波长或后截止波长相对于所述第一阈值波长偏移最多20nm，并且对于在0°至90°范围内的入射角，所述前截止波长或后截止波长相对于所述第一阈值波长偏移最多30nm。
16.根据前述权利要求中任一项所述的光电装置，其特征在于，在所述光检测器(11)与所述滤波器(23)以及所述第一材料层(27)之间布置有透明树脂。
17.一种光电系统，诸如封装模块，包括：
一个或多个光源，以及
一个或多个根据前述权利要求中任一项所述的光电装置。
18.根据权利要求17所述的光电系统，其特征在于，
所述光源中的至少一个被配置为提供具有所述第一波长区域中的波长的光，和/或
所述一个或多个光源不提供具有所述第二波长区域中的波长的光。
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