CN115332291A - 三维霍尔传感器结构及制备方法 - Google Patents
三维霍尔传感器结构及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115332291A CN115332291A CN202211237679.7A CN202211237679A CN115332291A CN 115332291 A CN115332291 A CN 115332291A CN 202211237679 A CN202211237679 A CN 202211237679A CN 115332291 A CN115332291 A CN 115332291A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- hall
- functional layer
- hall sensor
- semiconductor structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 183
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 47
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 33
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 27
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 26
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 5
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- 229910001035 Soft ferrite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
本发明提供了一种三维霍尔传感器结构及制备方法，涉及化合物半导体的技术领域，包括：一复合半导体结构，所述复合半导体结构上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件，N≥2；所述2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布成一预设的对称关系。解决了现有技术中三维霍尔传感器需要复杂封装工艺来实现的技术问题，达到了通过简单的工艺实现三维霍尔传感器的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及化合物半导体技术领域，尤其是涉及一种三维霍尔传感器结构及制备方法。
背景技术
霍尔器件是一种利用霍尔效应的磁传感器，一般用于检测磁场及其变化，广泛应用于工业级与消费级电子产品中。其中霍尔效应是指当磁场作用于金属导体、半导体中的载流子时，使载流子发生偏转，从而在垂直于电流和磁场的方向产生一个附加电场，使半导体两端产生横向电位差的物理现象。根据霍尔效应制造的霍尔传感器，可将探测到的磁场信号转换为电信号进行输出。
不同类型的霍尔传感器在包括汽车电子、生物医学、工业传感、消费电子等等领域有着广泛的应用，是传感产业的重要组成部分。随着科学技术发展，用于探测一维磁场的常规一维霍尔传感器已无法满足多维磁场的探测需求。与一维霍尔传感器相比，三维霍尔传感器拥有多维方向的磁场探测能力与更广泛的应用场景。在特定三维空间内，即便存在不同方向的磁场信号，三维霍尔传感器仍然可以完成磁场信号的探测，并将其转变为电信号进行输出，经过后续信号处理后，为相关应用提供多元数据。
现有的三维霍尔传感器通常使用三个相互正交的一维霍尔传感器来实现三维传感，因此要实现该种三维霍尔传感器就必须使用多块芯片的三维集成封装，在封装时需要精确的使三个一维霍尔传感器保持相互垂直才能实现三维霍尔传感器的测量精确性，不但工艺成本高，制造工艺复杂。并且该种封装形式造成结构稳定性差，对外部冲击的耐受度低，极易导致封装体内部结构失衡，影响测量精度与功能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种三维霍尔传感器结构及制备方法，以解决现有技术中存在的三维霍尔传感器需要复杂封装工艺来实现的技术问题。
本发明提供一种三维霍尔传感器结构，其中，包括：
一复合半导体结构，所述复合半导体结构上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件，N≥2；
所述2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布成一预设的对称关系。
进一步的，所述预设的对称关系包括：
2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布关于所述复合半导体结构的底面形状的中心对称；或者
2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影的中心之间不交叉的连线围成的闭合图形为中心对称图形；或者
2N个霍尔器件中每一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称；或者
2N个霍尔器件中至少一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称。
进一步的，所述复合半导体结构的底面形状的每两条相对的边关于所述复合半导体结构底面的中心对称。
进一步的，所述复合半导体结构的底面形状为矩形。
进一步的，所述复合半导体结构的底面形状为正方形。
进一步的，每个所述霍尔器件靠近所述复合半导体结构的底面形状的边设置。
进一步的，每个所述霍尔器件包括激励电极组及检测电极组，所述激励电极组中激励电极的连线与所述检测电极组中检测电极的连线相互正交。
进一步的，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边正交。
进一步的，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边的中点正交。
进一步的，相对的一组霍尔器件的激励电流方向相反；和/或
相对的一组霍尔器件的检测方向相反。
进一步的，所述复合半导体结构包括：
一基底；
一粘附层，所述粘附层覆盖所述基底的上表面；
一功能层，所述功能层位于所述粘附层上，并使所述功能层两侧的粘附层暴露；
一金属电极层，设置于所述功能层四周金属电极对应的位置，所述金属电极层覆盖所述功能层四周的所述粘附层的上表面的部分，以及覆盖所述功能层靠近所述金属电极层的上表面的部分；
一钝化结构，覆盖所述金属电极层的上表面及背所述向功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面。
进一步的，还包括金属引线层，所述金属引线层与所述金属电极层一体形成，并配置成与对应的所述电极层的预定位置连接。
进一步的，所述基底为磁导率大于100的铁氧体；和/或
所述基底厚度为100um-1000um；和/或
所述粘附层材质包括，聚酰亚胺、环氧树脂中的一种；和/或
所述金属电极层为金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属薄膜层。
进一步的，所述功能层包括：
一磁感应功能层，位于所述粘附层上表面；
一隔离层，覆盖所述磁感应功能层的上表面。
进一步的，所述磁感应功能层的材质包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。
进一步的，所述钝化结构包括：
一无机钝化层，覆盖所述金属电极层的上表面及背所述向功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面靠近所述金属电极层的部分；
一有机钝化层，覆盖所述无机钝化层的上表面，两侧以及所述粘附层暴露的上表面。
进一步的，所述无机钝化层包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜；和/或
所述有机钝化层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
进一步的，2N个所述霍尔器件中每个所述霍尔器件顶部设置有一聚磁部件。
进一步的，所述聚磁部件材质包括磁性材质；和/或
所述聚磁部件通过粘附材质粘贴于对应的所述霍尔器件顶部；和/或
所述聚磁部件的位置与对应的所述霍尔器件的所述功能层未被所述金属电极层覆盖的上表面的区域适配。
还提供，一种三维霍尔传感器结构的制备方法，其中，用以制备如上述的三维霍尔传感器结构，包括以下步骤：
步骤S1，提供一化合物半导体衬底；
步骤S2，于所述化合物半导体衬底的上表面形成一隔离层；
步骤S3，于所述隔离层上表面制备一磁感应功能层；
步骤S4，于所述磁感应功能层上表面形成一粘附层；
步骤S5，通过所述粘附层将所述磁感应功能层上表面与一基底键合，以形成一复合结构；
步骤S6，翻转所述复合结构，并刻蚀去除所述化合物半导体衬底；
步骤S7，刻蚀所述磁感应功能层及所述隔离层，形成复数个制备区，使每个制备区容纳2N个霍尔器件的制备位置；
步骤S8，形成图案化的金属层，以形成对应每个所述霍尔器件位置的金属电极及引线；
步骤S9，形成一钝化结构，使所述钝化结构覆盖所述金属层的上表面及背向所述功能层的外侧上表面，所述隔离层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面；
步骤S10，于每个所述霍尔器件顶部粘贴一聚磁部件，使所述聚磁部件的位置与对应的所述霍尔器件的所述隔离层未被所述金属层覆盖的上表面的区域适配。
进一步的，所述步骤S1中，所述化合物半导体衬底材质为砷化镓、磷化铟、氮化镓及单晶硅中的一种；和/或
所述化合物半导体衬底的尺寸与所述步骤S5中的所述基底的尺寸相同。
进一步的，
所述隔离层的厚度为20nm-200nm；和/或
所述隔离层通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
进一步的，所述步骤S3中，所述磁感应功能层的材质包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种；和/或
所述磁感应功能层的厚度为20nm-2000nm；和/或
形成所述磁感应功能层通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
进一步的，所述步骤S4中，所述粘附层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种；和/或
所述粘附层通过旋涂工艺形成。
进一步的，所述步骤S5中，所述基底的材质包括磁导率大于100的铁氧体；和/或
所述基底的厚度为100um-1000um；和/或
所述基底通过面对面键合工艺与所述磁感应功能层键合。
进一步的，所述步骤S6中，通过湿法刻蚀工艺选择性的去除所述化合物半导体衬底；或者
所述步骤S6中，通过机械研磨去除所述化合物半导体衬底。
进一步的，所述步骤S7中，通过一图案化的第一掩膜层刻蚀所述磁感应功能层及所述隔离层，以形成复数个所述制备区。
进一步的，所述步骤S8中，所述金属层为金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属薄膜层；和/或
所述步骤S8中，通过一图案化的第二掩膜层以金属蒸镀工艺形成所述金属层。
进一步的，所述步骤S9中，形成所述钝化结构的方法包括：
步骤S91，于所述金属层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面靠近所述金属层的部分形成一无机钝化层；
步骤S92，于所述无机钝化层的上表面，两侧以及所述粘附层暴露的上表面形成一有机钝化层。
进一步的，所述无机钝化层包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜；和/或
所述有机钝化层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
进一步的，所述步骤S10中，所述聚磁部件的厚度为100um-1000um；和/或
所述聚磁部件的材质为磁导率大于100的铁氧体；和/或
通过于所述聚磁部件底部或者所述有机钝化层顶部涂覆粘合剂，粘贴所述聚磁部件。
本发明提供的三维霍尔传感器结构,通过在同一个复合半导体结构上形成三维霍尔传感器所需要的全部霍尔器件，因而不在需要复杂的封装工艺，降低了工艺成本及制造难度。
本发明提供的三维霍尔传感器结构的制备方法，通过在同一个复合半导体结构上形成三维霍尔传感器所需要的全部霍尔器件，因而不在需要复杂的封装工艺，降低了工艺成本及制造难度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的三维霍尔传感器结构的一种霍尔器件分布方式的实施例的俯视图 ；
图2为本发明提供的三维霍尔传感器结构的实施例的复合半导体结构的剖面结构示意图；
图3为本发明提供的三维霍尔传感器结构的实施例中使用聚磁部件时与不使用聚磁部件时的实验数据对比图；
图4为本发明提供的三维霍尔传感器结构的制备方法的实施例的步骤流程图；
图5为本发明提供的三维霍尔传感器结构的制备方法的实施例完成步骤S5后形成的复合结构的剖面示意图；
图6为本发明提供的三维霍尔传感器结构的制备方法的实施例中步骤S9的步骤流程图；
图7为本发明提供的三维霍尔传感器结构的实施例的俯视图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请记载的实施方式及实施方式中的技术特征，在不矛盾的前提下可以相互组合。
如图7所示，本发明的技术方案中包括一种三维霍尔传感器结构，其中，可以包括：
一复合半导体结构1，复合半导体结构1上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件2，N≥2；
2N个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影分布成一预设的对称关系。
该技术方案中，通过在一个复合半导体结构1上形成2N个霍尔器件2，并使2N个霍尔器件2在复合半导体结构1的底面上的投影形成一种预设的对称关系，以实现三维霍尔传感器，因而不再需要复杂的三维封装工艺，降低了工艺成本及生产难度。
上述技术方案中，一个复合半导体结构1中可设置2N个霍尔器件2，较佳的，当复合半导体结构1的底面形状为正四边形时，可以设置4个霍尔器件2，正四边形的每边设置一个霍尔器件2，可将与霍尔传感器平面非垂直方向的磁场按照固定系数转换为与霍尔传感器件平面垂直方向的磁场，因而可以捕捉到三维空间内不同方向的磁场信号。在某些场合，也可以设置更多的霍尔器件2，比如，将复合半导体结构1的底面设置为正六边形时，则可以设置六个霍尔器件2，将复合半导体结构1的底面设置为正八边形时可以设置八个霍尔器件2，以此类推，设置更多的霍尔器件2可以检测到更多方向的磁场，只要提供合适的信号转换权值，即可实现更多方向的磁场检测或者在基础的四个霍尔器件2的基础上提供冗余校验以提高检测精度。在提供冗余校验的场合也可以在复合半导体结构1的底面形状的一条边上设置多个霍尔器件2，这种方式可以是均匀的，如正四边形的每条边上均设置两个或以上的霍尔器件2，当然也可以是不均匀的，如相对的一组对边可以设置两个或以上的霍尔器件2，其他边还是设置一个霍尔器件2。当一条边上设置两个或以上的霍尔器件2时，可以是沿着边均匀间隔的设置，也可以是以正交于对应的边的中心的方式以均匀间隔逐渐向整个底面图形的中心延伸，或者是以一个预定的图形设置在对应的边所在的复合半导体结构1的底面形状范围内。在某些场合，复合半导体结构1的底面形状并非必须要设置成正多边形，如在四边形的场合可以设置成矩形，可以结合一组对边设置两个或以上的霍尔器件2的形式来设置，其他正多边形的场合也可据此类推。
需要说明的是，复合半导体结构1底面的形状理想状态下可以是一个正多边形或者一个规则的多边形，如中心对称图形，每一组对边均平行的图形，每两条相对的边均关于复合半导体结构1的底面的中心对称的图形，或者关于至少一条图形内的对称轴对称的图形，但是在某些场合，如适应产品其他设计需求，或者封装需求，可能将复合半导体结构1的底面设置成不规则图形，此时可将本文记载的复合半导体结构1的底面图形理解为一个虚拟的图形，如在不规则底面形状中的满足前文记载霍尔器件2设置形式的图形区域。
于上述技术方案基础上，进一步的，上文中已经描述了几种对称设置的形式，其中预设的对称关系还可以包括：
2N个霍尔器2件于复合半导体结构1的底面上的投影分布关于复合半导体结构1的底面形状的中心对称；或者
2N个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影的中心之间不交叉的连线围成的闭合图形为中心对称图形，需要说明的是，此处的连线指的是图形上虚拟的连线，并非物理上存在的连接线；或者
2N个霍尔器件2中每一个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影均关于复合半导体结构1的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件2中另一个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影对称；或者
2N个霍尔器件2中至少一个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影均关于复合半导体结构1的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件2中另一个霍尔器件2于复合半导体结构1的底面上的投影对称。
于上述技术方案基础上，进一步的，每个霍尔器件2靠近复合半导体结构1的底面形状的边设置。
再次基础上，进一步的，每个霍尔器件2可以包括激励电极组及检测电极组，激励电极组中激励电极201的连线与检测电极组中检测电极202的连线相互正交。需要说明的是，此处的连线指的是图形上虚拟的连线，并非物理上存在的连接线。
于上述技术方案基础上，进一步的，每个霍尔器件的激励电极组中激励电极201的连线与所属的霍尔器件2靠近的复合半导体结构1的底面形状的边正交。
进一步优选的，每个霍尔器件2的激励电极组中激励电极201的连线与所属的霍尔器件靠近的复合半导体结构1的底面形状的边的中点正交。
该技术方案中，当复合半导体结构1的底面形状为正四边形，并在每边设置一个霍尔器件2的场合，结合图1所示，将复合半导体结构1的底面形状的横向定义为X轴方向，纵向定义为Y轴方向，垂直于X轴Y轴所在平面的方向定义为Z轴方向，纵向设置的第一霍尔器件21、第二霍尔器件22可以探测Y轴方向的磁场，横向设置的第三霍尔器件23、第四霍尔器件24可以探测X轴方向的磁场，第一霍尔器件21、第二霍尔器件22、第三霍尔器件23及第四霍尔器件24均可以探测Z轴方向的磁场。
于一种优选的实施方式中，相对的一组霍尔器件的激励电流方向可以相反的设置，如图1中第一霍尔器件21、第二霍尔器件22的激励电流方向可以相反的设置，第三霍尔器件23、第四霍尔器件24的激励电流方向可以相反的设置，通过将相对的霍尔器件的激励电流方向相反的设置从而在一个X轴及Y轴方向上获得一组相反的磁场信号，根据相反的磁场信号强度进而可以对磁场的方向进行判断。
在此基础上，相对的一组霍尔器件的检测方向也可以相反的设置以便于获取相反的磁场信号。
于上述技术方案基础上，进一步的，如图2所示，复合半导体结构1可以包括：
一基底101；
一年粘附层102，粘附层102覆盖基底101的上表面；
一功能层103，功能层103位于粘附层上，并使功能层103两侧的粘附层102暴露；
一金属电极层104，设置于功能层103四周金属电极对应的位置，金属电极层104覆盖功能层103四周的粘附层102的上表面的部分，以及覆盖功能层103靠近金属电极层104的上表面的部分；
一钝化结构105，覆盖金属电极层104的上表面及背向功能层的外侧表面，功能层暴露的上表面以及粘附层暴露的上表面。
于上述技术方案基础上，进一步的，还包括金属引线层106，金属引线层106与金属电极层104一体形成，并配置成与对应的金属电极层104的预定位置连接。
以上技术方案用以说明本申请霍尔器件结构的可行性，本申请技术方案并不排除其他可以形成于同一复合结构内的霍尔器件结构。
于上述技术方案基础上，进一步的，2N个霍尔器件2中每个霍尔器件2顶部设置有一聚磁部件3，在此基础上，聚磁部件3的材质可采用磁导率大于100的软质的铁氧体，进一步优选的，聚磁部件3的厚度可以是100um-1000um。
再次基础上，进一步的，基底101可采用磁导率大于100的软质的铁氧体；在此基础上，基底厚度可以是100um-1000um。
该技术方案中，通过在每个霍尔器件2顶部设置与基底101采用相同的软磁材质的聚磁部件3，可以使霍尔器件2捕捉到的磁场信号更稳定，从而提高霍尔器件2的灵敏度和稳定性，聚磁部件3对霍尔器件的影响如图3所示。
在此基础上，为使聚磁部件3发挥更大的作用，聚磁部件3可通过粘附材质粘贴于对应的霍尔器件2的顶部；进一步优选的，聚磁部件3的位置可与对应的霍尔器件2的功能层103未被金属电极层104覆盖的上表面的区域适配。
于上述技术方案基础上，进一步的，粘附层102材质可以包括，聚酰亚胺、环氧树脂中的一种，功能层103可以通过面对面键合工艺与基地101键合在一起，粘附层102可以采用键合设备适配的胶水。
于上述技术方案基础上，进一步的，金属电极层104可采用金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属薄膜层。本申请并不限制金属电极的材质及结构形式，因此本领域常用金属电极形式均可被使用。
于上述技术方案基础上，进一步的，功能层103可以包括：
一磁感应功能层1031，位于粘附层102上表面；
一隔离层1032，覆盖磁感应功能层1031的上表面。
在此基础上，优选的，磁感应功能层1031的材质可以包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。
在此基础上，隔离层1032的材质可以包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。通常使隔离层1032的材质与磁感应功能层1031的材质不同以起到隔离的作用。
优选的，当磁感应功能层1031的材质为砷化镓时，隔离层材质可采用GaxIn1-xP合金。进一步优选的，隔离层材质可采用Ga0.5In0.5P合金。
于上述技术方案基础上，进一步的，钝化结构105可以包括：
一无机钝化层1051，覆盖金属电极层104的上表面及背向功能层103的外侧表面，功能层103暴露的上表面以及粘附层102暴露的上表面靠近金属电极层104的部分；
一有机钝化层1052，覆盖无机钝化层1051的上表面，两侧以及粘附层102暴露的上表面。
此处可以理解的是，上文中记载的外侧，两侧为如图2所示的剖面结构所表示的情况，在器件整体中外侧和两侧均应被理解为在多个平行的，以及正交的剖面视图中均被满足的情况。
在此基础上，进一步的，无机钝化层1051可以包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜。
在此基础上，可选的，有机钝化层1052材质可以包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
上述技术方案记载的霍尔传感器结构在配合其优选实施方式时可以达到如下表中的试验结果。
上表中，外界磁场方向采用定义为X轴方向，Y轴方向以及Z轴方向，基底101与聚磁部件3均采用铁氧体，基于基底101与聚磁部件3的厚度与气隙控制，此处基底101与聚磁部件3组成的磁系统对X轴或Y轴方向磁场的放大倍数为4，对Z轴方向磁场的放大倍数为2。
此处设定单颗霍尔传感芯片(无磁感应基底与聚磁部件)的灵敏度为10mV（垂直于芯片表面的方向的磁场10mT,驱动电流为1mA）。
本发明的技术方案中，还提供一种三维霍尔传感器结构的制备方法，其中，用以制备如上述的三维霍尔传感器结构，如图4所示，可以包括以下步骤：
步骤S1，如图5所示，提供一化合物半导体衬底4；
步骤S2，于化合物半导体衬底4的上表面形成一隔离层1032；
步骤S3，于隔离层1032上表面制备一磁感应功能层1031；
步骤S4，于磁感应功能层1031上表面形成一粘附层102；
步骤S5，通过粘附层102将磁感应功能层1031上表面与一基底101键合，以形成一复合结构；
步骤S6，翻转复合结构，并刻蚀去除化合物半导体衬底4；
步骤S7，刻蚀磁感应功能层1031及隔离层1032，形成复数个制备区，使每个制备区容纳2N个霍尔器件的制备位置；
步骤S8，形成图案化的金属层，以形成对应每个霍尔器件位置的金属电极及引线，其中金属层即金属电极层104；
步骤S9，形成一钝化结构105，使钝化结构覆盖金属层的上表面及背向功能层103的外侧表面，隔离层1032暴露的上表面以及粘附层102暴露的上表面；
步骤S10，于每个霍尔器件顶部粘贴一聚磁部件3，使聚磁部件3的位置与对应的霍尔器件的隔离层1032未被金属层覆盖的上表面的区域适配。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S1中，化合物半导体衬底4的材质可采用砷化镓、磷化铟、氮化镓及单晶硅中的一种。
在此基础上，进一步的，化合物半导体衬底4的尺寸可与步骤S5中的基底101的尺寸相同，从而便于隔离层1032，磁感应功能层1031，及粘附层102的形成。
进一步的，步骤S2中，隔离层1032的材质可以包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。通常使隔离层1032的材质与磁感应功能层1031的材质不同以起到隔离的作用。
优选的，当磁感应功能层1031的材质为砷化镓时，隔离层1032的材质可以包括GaxIn1-xP合金，进一步优选的，隔离层1032的材质可以包括Ga0.5In0.5P合金。
进一步可选的，隔离层1032的厚度可以是20nm-200nm。
作为较优的实施方式，步骤S2中，隔离层1032可以通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
在此基础上，进一步的，步骤S3中，磁感应功能层1031的材质可以包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。
进一步的，磁感应功能层1031的厚度可以是20nm-2000nm。
作为较优的实施方式，形成磁感应功能层1031可以通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S4中，粘附层102的材质可以包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
进一步优选的，粘附层102可以采用键合磁感应功能层1031与基地101的键合设备适配的胶水。
作为较优的实施方式，粘附层102通过旋涂工艺形成。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S5中，基底101的材质可以包括磁导率大于100的软质铁氧体。
进一步优选的，基底101的厚度可以是100um-1000um。
作为较优的实施方式，基底101可以通过面对面键合工艺与磁感应功能层1031键合。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S6中，可以通过湿法刻蚀工艺选择性的去除化合物半导体衬底，在此基础上，进一步优选的，湿法刻蚀可采用磷酸和双氧水混合溶液，或者盐酸溶液作为刻蚀液。
作为可选的实施方式，步骤S6中，也可以通过机械研磨去除化合物半导体衬底。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S7中，可以通过一图案化的第一掩膜层刻蚀磁感应功能层1031及隔离层1032，以形成复数个制备区。
作为优选的实施方式，上述的第一掩膜层可以是光刻胶层，可通过曝光显影工艺图案化该光刻胶层，并在刻蚀过后使用灰化工艺去除光刻胶层。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S8中，金属层为金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属薄膜层。
作为优选的实施方式，步骤S8中，可以通过一图案化的第二掩膜层以金属蒸镀工艺形成金属层。
作为优选的实施方式，上述的第二掩膜层可以采用光刻胶层，光刻胶层的使用方式上文已经描述，因此不再赘述。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S9中，如图6所示，形成钝化结构105的方法可以包括：
步骤S91，于金属层的上表面及背向功能层103的外侧表面，功能层103暴露的上表面以及粘附层102暴露的上表面靠近金属层的部分形成一无机钝化层1051；
步骤S92，于无机钝化层1051的上表面，两侧以及粘附层102暴露的上表面形成一有机钝化层1052。
此处可以理解的是，上文中记载的外侧，两侧为如图5所示的剖面结构所表示的情况，在器件整体中外侧和两侧均应被理解为在多个平行的，以及正交的剖面视图中均被满足的情况。
于上述技术方案基础上，进一步的，无机钝化层1051可以包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜。
在此基础上，可选的，有机钝化层材质可以包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
于上述技术方案基础上，进一步的，步骤S10中，聚磁部件3的材质可以是磁导率大于100的铁氧体。进一步优选的，聚磁部件3的厚度可以是100um-1000um。进一步优选的，聚磁部件3的材质及厚度可以与基底101相同。
作为较优的实施方式，可以通过于聚磁部件3底部或者有机钝化层1052顶部涂覆粘合剂，粘贴聚磁部件3。进一步优选的，粘合剂可以是聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (31)
1.一种三维霍尔传感器结构，其特征在于，包括：
一复合半导体结构，所述复合半导体结构上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件，N≥2；
所述2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布成一预设的对称关系。
2.如权利要求1所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述预设的对称关系包括：
2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布关于所述复合半导体结构的底面形状的中心对称；或者
2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影的中心之间不交叉的连线围成的闭合图形为中心对称图形；或者
2N个霍尔器件中每一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称；或者
2N个霍尔器件中至少一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影均关于所述复合半导体结构的底面形状的至少一条对称轴与2N个霍尔器件中另一个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影对称。
3.如权利要求2所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状的每两条相对的边关于所述复合半导体结构底面的中心对称。
4.如权利要求3所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状为矩形。
5.如权利要求4所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构的底面形状为正方形。
6.如权利要求2所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件靠近所述复合半导体结构的底面形状的边设置。
7.如权利要求6所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件包括激励电极组及检测电极组，所述激励电极组中激励电极的连线与所述检测电极组中检测电极的连线相互正交。
8.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边正交。
9.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，每个所述霍尔器件的所述激励电极组中激励电极的连线与所属的所述霍尔器件靠近的所述复合半导体结构的底面形状的边的中点正交。
10.如权利要求7所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，相对的一组霍尔器件的激励电流方向相反；和/或
相对的一组霍尔器件的检测方向相反。
11.如权利要求1所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述复合半导体结构包括：
一基底；
一粘附层，所述粘附层覆盖所述基底的上表面；
一功能层，所述功能层位于所述粘附层上，并使所述功能层两侧的粘附层暴露；
一金属电极层，设置于所述功能层四周金属电极对应的位置，所述金属电极层覆盖所述功能层四周的所述粘附层的上表面的部分，以及覆盖所述功能层靠近所述金属电极层的上表面的部分；
一钝化结构，覆盖所述金属电极层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面。
12.如权利要求11所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，还包括金属引线层，所述金属引线层与所述金属电极层一体形成，并配置成与对应的所述电极层的预定位置连接。
13.如权利要求11所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述基底为磁导率大于100的铁氧体；和/或
所述基底厚度为100um-1000um；和/或
所述粘附层材质包括，聚酰亚胺、环氧树脂中的一种；和/或
所述金属电极层为金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属箔膜层。
14.如权利要求13所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述功能层包括：
一磁感应功能层，位于所述粘附层上表面；
一隔离层，覆盖所述磁感应功能层的上表面。
15.如权利要求14所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述磁感应功能层的材质包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种。
16.如权利要求13所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述钝化结构包括：
一无机钝化层，覆盖所述金属电极层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面靠近所述金属电极层的部分；
一有机钝化层，覆盖所述无机钝化层的上表面，两侧以及所述粘附层暴露的上表面。
17.如权利要求16所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述无机钝化层包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜；和/或
所述有机钝化层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
18.如权利要求11所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，2N个所述霍尔器件中每个所述霍尔器件顶部设置有一聚磁部件。
19.如权利要求18所述的三维霍尔传感器结构，其特征在于，所述聚磁部件材质包括磁性材质；和/或
所述聚磁部件通过粘附材质粘贴于对应的所述霍尔器件顶部；和/或
所述聚磁部件的位置与对应的所述霍尔器件的所述功能层未被所述金属电极层覆盖的上表面的区域适配。
20.一种三维霍尔传感器结构的制备方法，其特征在于，用以制备如权利要求1-19中任一所述的三维霍尔传感器结构，包括以下步骤：
步骤S1，提供一化合物半导体衬底；
步骤S2，于所述化合物半导体衬底的上表面形成一隔离层；
步骤S3，于所述隔离层上表面制备一磁感应功能层；
步骤S4，于所述磁感应功能层上表面形成一粘附层；
步骤S5，通过所述粘附层将所述磁感应功能层上表面与一基底键合，以形成一复合结构；
步骤S6，翻转所述复合结构，并刻蚀去除所述化合物半导体衬底；
步骤S7，刻蚀所述磁感应功能层及所述隔离层，形成复数个制备区，使每个制备区容纳2N个霍尔器件的制备位置；
步骤S8，形成图案化的金属层，以形成对应每个所述霍尔器件位置的金属电极及引线；
步骤S9，形成一钝化结构，使所述钝化结构覆盖所述金属层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述隔离层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面；
步骤S10，于每个所述霍尔器件顶部粘贴一聚磁部件，使所述聚磁部件的位置与对应的所述霍尔器件的所述隔离层未被所述金属层覆盖的上表面的区域适配。
21.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述化合物半导体衬底材质为砷化镓、磷化铟、氮化镓及单晶硅中的一种；和/或
所述化合物半导体衬底的尺寸与所述步骤S5中的所述基底的尺寸相同。
22.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，
所述隔离层的厚度为20nm-200nm；和/或
所述隔离层通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
23.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述磁感应功能层的材质包括砷化镓、砷化铟、磷化铟、锑化铟、铟镓砷或镓铟磷中的一种；和/或
所述磁感应功能层的厚度为20nm-2000nm；和/或
形成所述磁感应功能层通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长形成。
24.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述粘附层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种；和/或
所述粘附层通过旋涂工艺形成。
25.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述基底的材质包括磁导率大于100的铁氧体；和/或
所述基底的厚度为100um-1000um；和/或
所述基底通过面对面键合工艺与所述磁感应功能层键合。
26.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，通过湿法刻蚀工艺选择性的去除所述化合物半导体衬底；或者
所述步骤S6中，通过机械研磨去除所述化合物半导体衬底。
27.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S7中，通过一图案化的第一掩膜层刻蚀所述磁感应功能层及所述隔离层，以形成复数个所述制备区。
28.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中，所述金属层为金、铜、锗、镍及钛中的一种或几种形成的金属薄膜层；和/或
所述步骤S8中，通过一图案化的第二掩膜层以金属蒸镀工艺形成所述金属层。
29.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S9中，形成所述钝化结构的方法包括：
步骤S91，于所述金属层的上表面及背向所述功能层的外侧表面，所述功能层暴露的上表面以及所述粘附层暴露的上表面靠近所述金属层的部分形成一无机钝化层；
步骤S92，于所述无机钝化层的上表面，两侧以及所述粘附层暴露的上表面形成一有机钝化层。
30.如权利要求29所述的制备方法，其特征在于，所述无机钝化层包括氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧化硅与氮化硅的组合薄膜；和/或
所述有机钝化层材质包括聚酰亚胺、环氧树脂中的一种。
31.如权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S10中，所述聚磁部件的厚度为100um-1000um；和/或
所述聚磁部件的材质为磁导率大于100的铁氧体；和/或
通过于所述聚磁部件底部或者所述钝化结构顶部涂覆粘合剂，粘贴所述聚磁部件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211237679.7A CN115332291A (zh) | 2022-10-11 | 2022-10-11 | 三维霍尔传感器结构及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211237679.7A CN115332291A (zh) | 2022-10-11 | 2022-10-11 | 三维霍尔传感器结构及制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115332291A true CN115332291A (zh) | 2022-11-11 |
Family
ID=83914964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211237679.7A Pending CN115332291A (zh) | 2022-10-11 | 2022-10-11 | 三维霍尔传感器结构及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115332291A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1343889A (zh) * | 2000-08-21 | 2002-04-10 | 桑特隆股份公司 | 检测磁场方向用的传感器 |
| JP2004061380A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
| KR20120069264A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 주식회사 아모센스 | 모놀리틱 3축 자기센서 |
| JP2015178956A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ３次元磁気検出装置及び３次元磁気検出方法 |
| CN105405966A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-16 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种霍尔元件及其制备方法 |
| CN109100665A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-28 | 黑龙江大学 | 一种磁场矢量传感器与制作工艺方法 |
| CN109686837A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-26 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种高灵敏度霍尔元件的制备方法 |
| CN111682104A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-18 | 电子科技大学 | 一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器 |
| CN113299824A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-24 | 苏州矩阵光电有限公司 | 制造化合物半导体霍尔元件的方法 |
-
2022
- 2022-10-11 CN CN202211237679.7A patent/CN115332291A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1343889A (zh) * | 2000-08-21 | 2002-04-10 | 桑特隆股份公司 | 检测磁场方向用的传感器 |
| JP2004061380A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 |
| KR20120069264A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 주식회사 아모센스 | 모놀리틱 3축 자기센서 |
| JP2015178956A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ３次元磁気検出装置及び３次元磁気検出方法 |
| CN105405966A (zh) * | 2015-12-15 | 2016-03-16 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种霍尔元件及其制备方法 |
| CN109100665A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-28 | 黑龙江大学 | 一种磁场矢量传感器与制作工艺方法 |
| CN109686837A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-04-26 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种高灵敏度霍尔元件的制备方法 |
| CN111682104A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-18 | 电子科技大学 | 一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器 |
| CN113299824A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-24 | 苏州矩阵光电有限公司 | 制造化合物半导体霍尔元件的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8134361B2 (en) | Magnetic sensor including magnetic field detectors and field resistors arranged on inclined surfaces | |
| US9123876B2 (en) | Single-package bridge-type magnetic-field angle sensor | |
| US9733316B2 (en) | Triaxial magnetic field sensor | |
| US8418558B2 (en) | Acceleration sensor element and acceleration sensor having same | |
| CN103569956B (zh) | 传感器封装及其形成方法 | |
| US7193288B2 (en) | Magnetoelectric transducer and its manufacturing method | |
| US10429453B2 (en) | Magnetic sensor and method of manufacturing the same | |
| US20070214887A1 (en) | Motion sensor | |
| EP3974846A1 (en) | Current sensor device | |
| US11067643B2 (en) | Magnetic field sensor and method for making same | |
| US6396114B1 (en) | Magneto-electric device | |
| US20130127454A1 (en) | Magnetic field sensor including an anisotropic magnetoresistive magnetic sensor and a hall magnetic sensor | |
| US9741924B2 (en) | Magnetic sensor having a recessed die pad | |
| Sander et al. | Isotropic 3D silicon Hall sensor | |
| JP2004257995A (ja) | ３次元磁気検出装置および半導体装置 | |
| CN115332291A (zh) | 三维霍尔传感器结构及制备方法 | |
| CN105914293B (zh) | 磁传感器及其制造方法 | |
| US12013419B2 (en) | Integrated current sensor with magnetic flux concentrators | |
| JP4180321B2 (ja) | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 | |
| JP4723804B2 (ja) | 磁電変換装置 | |
| KR101176582B1 (ko) | 모놀리틱 3축 자기센서 | |
| US11768230B1 (en) | Current sensor integrated circuit with a dual gauge lead frame | |
| EP4328607A1 (en) | Magnetic sensor device, and method of producing same | |
| US20210311140A1 (en) | Magnetic field sensor and method for making same | |
| KR102419004B1 (ko) | 일체화된 3축 홀 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20221111 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |