CN115332129A - 一种晶圆增粘装置 - Google Patents
一种晶圆增粘装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115332129A CN115332129A CN202211264017.9A CN202211264017A CN115332129A CN 115332129 A CN115332129 A CN 115332129A CN 202211264017 A CN202211264017 A CN 202211264017A CN 115332129 A CN115332129 A CN 115332129A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vacuum
- wafer
- accommodating groove
- cover
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及晶圆表面处理技术领域,具体而言,涉及一种晶圆增粘装置,本发明解决的问题:晶圆疏水化处理时,增粘装置的密封圈无法保证气密性的问题,为解决上述问题,本发明提供一种晶圆增粘装置,增粘装置包括:盘盖;保温壳,保温壳靠近盘盖一侧设有第一容纳槽和第二容纳槽;密封组件,密封组件设于第一容纳槽与第二容纳槽的内部;真空隔离带,真空隔离带设于第一容纳槽和第二容纳槽之间。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆表面处理技术领域,具体而言,涉及一种晶圆增粘装置。
背景技术
增粘工艺单元是晶圆在匀胶前做表面处理的重要工艺,在工艺进行时需要通入HMDS(六甲基二硅氮烷)气体,但是HMDS存在一定的生殖毒性与腐蚀性,且在进行疏水化处理后生成附属物NH3,为了避免HMDS气体与氨气的泄露,相关技术中采用双层密封圈进行密封,但是随着使用时间的增加,气密性依然无法保证。
发明内容
本发明解决的问题:晶圆疏水化处理时,增粘装置的密封圈无法保证气密性的问题。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种晶圆增粘装置,增粘装置包括:盘盖;保温壳,保温壳靠近盘盖一侧设有第一容纳槽和第二容纳槽;密封组件,密封组件设于第一容纳槽与第二容纳槽的内部;真空隔离带,真空隔离带设于保温壳上,并位于第一容纳槽和第二容纳槽之间。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:通过让盘盖、密封组件、第一容纳槽与第二容纳槽之间形成容纳空间,并通过将容纳空间转换为真空隔离带的方式,在大气压的作用下,让盘盖受到朝向密封组件方向的作用力,使得盘盖与密封组件之间更加贴合,大气压的作用力远远大于盘盖或其他重物所带来的压力,提升了保温壳与盘盖之间的气密性。
在本发明的一个技术方案中,真空隔离带包括:真空槽,真空槽与第一容纳槽并列且间隔设置,真空槽与第一容纳槽和第二容纳槽之间;真空管道,真空管道与真空槽连接,真空管道贯穿保温壳。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:真空槽的设置,让真空隔离带的形成更加便捷,真空管道贯穿保温壳的设置,让真空槽内的空气能够从保温壳的下方抽出,从而使盘盖受到一个向下的作用力,同时,真空槽位于第一容纳槽和第二容纳槽之间,让位于密封组件上方的盘盖受到的朝向保温壳方向的压力更加均匀。
在本发明的一个技术方案中,密封组件包括:第一密封圈,第一密封圈的至少部分设于第一容纳槽内,第一密封圈靠近盘盖一侧具有突出部,突出部具有相对的第一端和第二端,第一端与盘盖接触,第二端与保温壳接触。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:突出部的设置增加了盘盖与第一容纳槽之间的距离,在真空槽内形成真空后,第一密封圈能够具有形变的距离,通过形变让盘盖与突出部之间的的接触面积增大,达到更好的密封效果。
在本发明的一个技术方案中,第一端呈弧形,第二端关于第一容纳槽的中心对称。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:在真空槽内形成真空的过程中,弧形的设置让盘盖与第一段的贴合面积能够逐渐的增大,第二端关于第一容纳槽的中心对称的设置让让突出部两侧的受力更加均匀,避免第一密封圈整体朝向保温壳中心的一侧倾斜,起到了保持第一密封圈位置稳定的作用。
在本发明的一个技术方案中,密封组件还包括:第二密封圈,第二密封圈的至少部分设于第二容纳槽内,第二容纳槽靠近盘盖的一端朝远离第一容纳槽的方向倾斜。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:倾斜设置的第二密封圈的包裹效果更好,更容易形成容纳空间,在真空形成的过程中,上半部分能够获得一个垂直于第二密封圈的倾斜方向的作用力,与盘盖获得的向下的作用力相适配,进一步的提升第二密封圈与盘盖之间的气密性。
在本发明的一个技术方案中,第二密封圈包括:固定部,固定部设于第二容纳槽内;延伸部,延伸部与固定部连接,延伸部朝远离第一容纳槽且靠近盘盖的一侧倾斜。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:固定部的设置,让第二密封圈能够更好的固定于第二容纳槽内,延伸部朝远离第一容纳槽并倾斜设置的方式,让延伸部受到第三方向的作用力时,能够更好的迎合受到的来自第四方向的作用力,同时,也预留了往第一容纳槽的方向偏离的距离。
在本发明的一个技术方案中,增粘装置还包括:加热盘,加热盘与保温壳配合连接,并设于保温壳的内部,加热盘与盘盖之间形成反应腔室;第一出气口,第一出气口设于保温壳靠近加热盘一侧,反应腔室内的气体通过第一出气口排出。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:加热盘的设置让反应腔室内的温度能够升高,同时与盘盖之间形成反应腔室,便于增粘工作的进行,第一出气口的设置,让通入反应腔室的气体能够直接通过保温壳排出,让增粘装置的清理更加便捷。
在本发明的一个技术方案中,保温壳包括:真空接口,真空接口设于保温壳远离盘盖的一侧,并与真空隔离带连通;排气接口,排气接口设于保温壳远离盘盖的一侧,并与第一出气口接通,真空接口有多个,多个真空接口均布于保温壳远离盘盖的一侧,排气接口有多个,多个排气接口均布于保温壳远离盘盖的一侧。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:真空接口的设置,让真空槽内能够形成真空隔离带,排气接口的设置,让反应腔室内工作完毕后能够将产生的气体排出,避免有害气体的泄露,多个真空接口的设置,让真空隔离带形成的速度更快,同时在拆卸盘盖时,往真空槽内通入空气的速度也能加快,多个排气接口均布的设置让,反应腔室内气体在排出时,各个位置的空气流速相同,保证气体排出速率的同时也保证了没有气体残留在反应腔室内,提升了增粘装置的安全性。
在本发明的一个技术方案中,加热盘还包括:定位件,定位件设于加热盘靠近盘盖的一侧,定位件用于定位放置于加热盘上的晶圆;突起件,突起件设于加热盘靠近盘盖的一侧,并向盘盖一侧突起,晶圆放置于突起件上,推动部,推动部设于加热盘远离盘盖的一端,推动部用于推动放置于突起件上的晶圆。
与现有技术相比,采用该技术方案所达到的技术效果:定位件的设置让晶圆在放置时定位更加准确,突起件的设置能够保证加热盘与晶圆之间具有距离,避免晶圆直接与加热盘接触,推动部的设置让晶圆的拿取更加便捷。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中待要使用的附图作简单介绍,显而易见的,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图;
图1为本发明增粘装置整体结构示意图;
图2为本发明保护壳整体结构示意图;
图3为图2的仰视图;
图4为本发明加热盘的正视图;
图5为发明加热盘与保护壳配合示意图;
图6为图5中A-A处截面图;
图7为图6中A处放大图;
图8为图5中B-B处截面图;
图9为第一密封圈截面示意图;
图10为第二密封圈截面示意图;
附图标记说明:
100-增粘装置;110-盘盖;120-保温壳;121-第一容纳槽;122-第二容纳槽;123-第一出气口;124-真空接口;125-排气接口;130-加热盘;131-推动部;132-突起件;133-定位件;140-反应腔室;150-真空隔离带;151-真空槽;152-真空管道;160-密封组件;161-第一密封圈;161a-突出部;161b-第一端;161c-第二端;162-第二密封圈;162a-固定部;162b-延伸部;170-进气装置;180-抽气装置;190-容纳空间;D1-第一方向;D2-第二方向;D3-第三方向;D4-第四方向;α-第一夹角。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
【第一实施例】
参见图1至图8,在一个具体的实施例中,提供一种晶圆增粘装置100,增粘装置100包括:盘盖110;保温壳120,保温壳120靠近盘盖110一侧设有第一容纳槽121和第二容纳槽122;密封组件160,密封组件160设于第一容纳槽121与第二容纳槽122的内部;真空隔离带150,真空隔离带150设于保温壳120上,并位于第一容纳槽121和第二容纳槽122之间。
盘盖110位于保温壳120的上方,盘盖110下表面的边缘设有凸起,保温壳120的侧壁呈圆环状,凸起处的面积与圆环的厚度相适配,盘盖110的上方设有进气装置170,进气装置170设置于盘盖110的中心,进气装置170与盘盖110连通,用于向盘盖110内部输送气体,第一容纳槽121与第二容纳槽122均位于圆环的上表面且呈环状,第一容纳槽121相对第二容纳槽122更靠近圆环的中心位置,第一容纳槽121与第二容纳槽122内均设置有密封组件160,盘盖110、密封组件160、第一容纳槽121与第二容纳槽122之间围成容纳空间190,通过外部的抽气装置180对容纳空间190内部的空气进行抽取,形成真空隔离带150。
增粘装置100在使用时,首先将盘盖110覆盖于保温壳120上,盘盖110的下表面与密封组件160的上表面接触,形成容纳空间190,随后将容纳空间190内的空气从下方进行抽取,直至形成真空隔离带150,在真空隔离带150形成的过程中,保温壳120圆环内部的气压与容纳空间190内的气压差逐渐增大,第一容纳槽121内的密封组件160会受到第一方向D1的作用力和第二方向D2的作用力,第二容纳槽122内的密封组件160会受到第三方向D3的作用力和第四方向D4的作用力,第二方向D2与第四方向D4相同,第二方向D2的作用力不会让第一容纳槽121内的密封组件160脱离第一容纳槽121,第四方向D4的作用力也不让第二容纳槽122内的密封组件160脱离第二容纳槽122第二方向D2与第四方向D2的作用力能够让盘盖110凸起的部分与密封组件160的贴合更加紧密,提升密封效果,在气压的作用下,即使密封组件160经过长时间的使用,密封性能下降,也能够轻松的达到密封的效果,确保盘盖110与密封组件160之间的气密性,让增粘工作能够正常进行。
优选的,第一容纳槽121与第二容纳槽122可以分段设置,密封组件160的结构也随之进行修改,并对盘盖110的凸起处的厚度进行增加,让凸起处能够与分段的连接处相适配,同时,每一段的第一容纳槽121与第二容纳槽122之间均设置真空隔离带150,确保增粘工作进行时每一段的气密性均良好。
需要说明的是,从盘盖110通入保温壳120内的气体通常为HMDS气体。
通过让盘盖110、密封组件160、第一容纳槽121与第二容纳槽122之间形成容纳空间190,并通过将容纳空间190转换为真空隔离带150的方式,在大气压的作用下,让盘盖110受到朝向密封组件160方向的作用力,使得盘盖110与密封组件160之间更加贴合,大气压的作用力远远大于盘盖110或其他重物所带来的压力,提升了保温壳120与盘盖110之间的气密性。
【第二实施例】
在一个具体的实施例中,真空隔离带150包括:真空槽151,真空槽151与第一容纳槽121并列且间隔设置,并位于第一容纳槽121和第二容纳槽122之间;真空管道152,真空管道152与真空槽151连接,真空管道152贯穿保温壳120。
真空槽151位于第一容纳槽121与第二容纳槽122之间,且与第一容纳槽121和第二容纳槽122的轮廓一致,真空管道152位于真空槽151的下方,真空管道152贯穿保温壳120并在保温壳120的下方形成一个真空接口124,同时也在真空槽151的下表面形成一个抽气口,抽气装置180与真空接口124连接,用于将真空槽151内的空气抽出。
通常情况下,真空槽151距离第一容纳槽121的距离和真空槽151距离第二容纳槽122的距离相同,当真空槽151内的空气被抽走形成真空时,第一容纳槽121内的密封组件160与第二容纳槽122内的密封组件160所受到的大气压力相同,避免出现其中一个容纳槽内的密封组件160受力过大或过小,密封组件160发生形变,导致气密性不佳。
优选的,真空槽151内可以设置多个真空管道152,从不同的位置同时进行抽气,确保真空隔离带150形成的速率。
真空槽151的设置,让真空隔离带150的形成更加便捷,真空管道152贯穿保温壳120的设置,让真空槽151内的空气能够从保温壳120的下方抽出,从而使盘盖110受到一个向下的作用力,同时,真空槽151位于第一容纳槽121和第二容纳槽122之间,让位于密封组件160上方的盘盖110受到的朝向保温壳120方向的压力更加均匀。
【第三实施例】
参见图9,在一个具体的实施例中,密封组件160包括:第一密封圈161,第一密封圈161的至少部分设于第一容纳槽121内,第一密封圈161靠近盘盖110一侧具有突出部161a,突出部161a具有相对的第一端161b和第二端161c,第一端161b与盘盖110接触,第二端161c与保温壳120接触。
第一密封圈161的下表面与第一容纳槽121的下表面贴合,第一密封圈161的宽度与第一容纳槽121的宽度相同,确保第一密封圈161的下半部分与第一容纳槽121的下表面和侧面贴合,第一密封圈161的上半部分为突出部161a,突出部161a的上端为第一端161b,下端为第二端161c,第一端161b与盘盖110接触,第二端161c与保温壳120的上表面接触。
第一密封圈161为软性材料,在受到压力时能够发生形变,当真空槽151内被抽成真空时,突出部161a的第一端161b受到的第二方向D2的压力增大,第二端161c发生形变并增加与保温壳120上表面之间的贴合面积,以此来增加气密性。
优选的,在第二容纳槽122的内部也可以设置第一密封圈161。
突出部161a的设置增加了盘盖110与第一容纳槽121之间的距离,在真空槽151内形成真空后,第一密封圈161能够具有形变的距离,通过形变让盘盖110与突出部161a之间的接触面积增大,达到更好的密封效果。
【第四实施例】
在一个具体的实施例中,包括:第一端161b呈弧形,第二端161c关于第一容纳槽121的中心对称。
突出部161a整体呈半球形,在竖直方向上的截面为半圆形,半圆形的圆心与第一容纳槽121的下表面的中心位置位于同一竖直线上,半圆形的两侧距离第一容纳槽121中心的距离相等,当真空槽151内有空气时,第一端161b与盘盖110的接触面积较小,在真空槽151内形成真空的过程中,第一端161b与盘盖110直接的接触面积逐渐增大,第二端161c受到第一方向D1的作用力,此时,上方的盘盖110的在第二方向D2上给第一端161b的压力增大,第二端161c与盘盖110上表面之间的摩擦力也随之增大,以此来避免第一密封圈161发生变形,中心对称的设置能够避免两侧的摩擦力大小不一致,而导致第二端161c整体朝第一方向D1倾斜。
优选的,突出部161a在竖直方向上的截面还可以是长方形,三角形,梯形等形状。
在真空槽151内形成真空的过程中,弧形的设置让盘盖110与第一段的贴合面积能够逐渐的增大,第二端161c的中心对称的设置让让突出部161a两侧的受力更加均匀,避免第一密封圈161整体朝向保温壳120中心的一侧倾斜,起到了保持第一密封圈161位置稳定的作用。
【第五实施例】
在一个具体的实施例中,密封组件160还包括:第二密封圈162,第二密封圈162的至少部分设于第二容纳槽122内,第二容纳槽122靠近盘盖110的一端朝远离第一容纳槽121的方向倾斜。
第二密封圈162的下半部分与第一密封圈161相同,第二密封圈162的上半部分位于第二容纳槽122的外部,且上半部分朝远离保温壳120中心的一侧倾斜,倾斜的末端与盘盖110的下表面接触,随着盘盖110的下压,上半部分与盘盖110的接触面积逐渐增大,当真空槽151内形成真空后,倾斜部分受到一个垂直于倾斜面且朝向盘盖110方向的作用力。
倾斜设置的第二密封圈162的包裹效果更好,更容易形成容纳空间190,在真空形成的过程中,上半部分能够获得一个垂直于第二密封圈162的倾斜方向的作用力,并与盘盖110获得的向下的作用力相适配,进一步的提升第二密封圈162与盘盖110之间的气密性。
【第六实施例】
参见图10,在一个具体的实施例中,第二密封圈162包括:固定部162a,固定部162a设于第二容纳槽122内;延伸部162b,延伸部162b与固定部162a连接,延伸部162b朝远离第一容纳槽121且靠近盘盖110的一侧倾斜。
固定部162a位于第二容纳槽122的内部,固定部162a的侧面与第二容纳槽122的侧壁相贴合,延伸部162b位于固定部162a的上方,延伸部162b与固定部162a之间具有第一夹角α,延伸部162b整体呈倒“八”字形环绕真空槽151,第一夹角α在15°至60°之间,通常为30°,在盘盖110覆盖的过程中,盘盖110先与延伸部162b的最上端接触,在盘盖110重力的作用下,延伸部162b的最上端发生部分形变,在真空隔离带150形成的过程中,延伸部162b整体受到一个第三方向D3的作用力,将延伸部162b整体朝盘盖110的方向挤压,让形变量进一步的增大,受到的第三方向D3的作用力与第四方向D4的作用力相互配合,进一步的增加了延伸部162b与盘盖110之间的贴合面积,在形变量变化的过程中,第一夹角α的角度逐渐减小。
固定部162a的设置,让第二密封圈162能够更好的固定于第二容纳槽122内,延伸部162b朝远离第一容纳槽121并倾斜设置的方式,让延伸部162b受到第三方向D3的作用力时,能够更好的迎合受到的来自第四方向D4的作用力,同时,也预留了往第一容纳槽121的方向偏离的距离。
【第七实施例】
在一个具体的实施例中,增粘装置100还包括:加热盘130,加热盘130与保温壳120配合连接,并设于保温壳120的内部,加热盘130与盘盖110之间形成反应腔室140;第一出气口123,第一出气口123设于保温壳120靠近加热盘130一侧,反应腔室140内的气体通过第一出气口123排出。
加热盘130与保温壳120之间采用间隙配合,加热盘130的上表面与保温壳120的上表面平齐或略低于保温壳120的上表面,第一出气口123设于保温壳120的内壁的下半部分,用于排出保温壳120内部的气体,增粘工作进行时,将当进气装置170将HMDS气体通入后,HMDS气体在反应腔室140内进行反应,反应完毕后通过配合的间隙进入保温壳120与加热盘130之间,随后从第一出气口123中排出保温壳120的外部。
加热盘130的设置让反应腔室140内的温度能够升高,同时与盘盖110之间形成反应腔室140,便于增粘工作的进行,第一出气口123的设置,让通入反应腔室140的气体能够直接通过保温壳120排出,让增粘装置100的清理更加便捷。
【第八实施例】
在一个具体的实施例中,保温壳120包括:真空接口124,真空接口124设于保温壳120远离盘盖110的一侧,并与真空隔离带150连通;排气接口125,排气接口125设于保温壳120远离盘盖110的一侧,并与第一出气口123接通,真空接口124有多个,多个真空接口124均布于保温壳120远离盘盖110的一侧,排气接口125有多个,多个排气口均布于保温壳120远离盘盖110的一侧。
真空接口124与排气接口125均设置于保温壳120的下表面,真空接口124与真空槽151直接通过真空管路连接,真空接口124与排气接口125均与抽气装置180连接,且每个真空接口124和每个排气接口125均对应一个抽气装置180,真空接口124的位置位于排气接口125的下方。
通常情况下,真空接口124有两个,两个真空接口124关于保温壳120的中心对称设置,且两个真空接口124的中心与保温壳120的中心位于同一直线上,排气接口125有四个,四个排气接口125均布与下表面且与真空接口124不干涉,在进行增粘工作时,首先通过真空接口124抽气,当盘盖110与保温壳120之间密封后,往反应腔室140内通入气体,反应完毕后打开排气接口125,将内部产生的气体排放至指定的位置,避免有害气体的泄露,随后再通过真空接口124往真空槽151内送入空气,便于盘盖110的打开,打开盘盖110后取出晶圆,完成一次晶圆的增粘工作。
真空接口124的设置,让真空槽151内能够形成真空隔离带150,排气接口125的设置,让反应腔室140内工作完毕后能够将产生的气体排出,避免有害气体的泄露,多个真空接口124的设置,让真空隔离带150形成的速度更快,同时在打开盘盖110时,往真空槽151内通入空气的速度也能加快,多个排气接口125均布的设置让反应腔室140内的气体在排出时,各个位置的空气流速相同,保证气体排出速率的同时也保证了没有气体残留在反应腔室140内,提升了增粘装置100的安全性。
【第九实施例】
在一个具体的实施例中,加热盘130还包括:定位件133,定位件133设于加热盘130靠近盘盖110的一侧,定位件133用于定位放置于加热盘130上的晶圆;突起件132,突起件132设于加热盘130靠近盘盖110的一侧,并向盘盖110一侧突起,晶圆放置于突起件132上,推动部131,推动部131设于加热盘130远离盘盖110的一端,推动部131用于推动放置于突起件132上的晶圆。
定位件133位于加热盘130上表面,在上表面均布在以加热盘130中心为圆心的第一圆弧上,通过定位件133让晶圆在放置时定位更加准确,突起件132位于加热盘130上表面,在上表面均布在以加热盘130中心为圆心的第二圆弧上,第二圆弧的半径大于第一圆弧的半径,晶圆通过定位件133定位完毕后,在放置与加热盘130上时,突起件132能够保证加热盘130与晶圆之间具有距离,避免晶圆直接与加热盘130接触,推动部131与加热盘130的下表面连接,推动部131的至少部分能够向上移动,穿过加热盘130上的通孔将放置在突起件132的上的晶圆顶起,让晶圆的拿取更加便捷。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种晶圆增粘装置,其特征在于,所述增粘装置(100)包括:
盘盖(110);
保温壳(120),所述保温壳(120)靠近所述盘盖(110)一侧设有第一容纳槽(121)和第二容纳槽(122);
密封组件(160),所述密封组件(160)设于所述第一容纳槽(121)与所述第二容纳槽(122)的内部;
真空隔离带(150),所述真空隔离带(150)设于所述保温壳(120)上,并位于所述第一容纳槽(121)和所述第二容纳槽(122)之间。
2.根据权利要求1所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述真空隔离带(150)包括:
真空槽(151),所述真空槽(151)与所述第一容纳槽(121)并列且间隔设置,并位于所述第一容纳槽(121)和所述第二容纳槽(122)之间;
真空管道(152),所述真空管道(152)与所述真空槽(151)连接,所述真空管道(152)贯穿所述保温壳(120)。
3.根据权利要求1所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述密封组件(160)包括:
第一密封圈(161),所述第一密封圈(161)的至少部分设于所述第一容纳槽(121)内,所述第一密封圈(161)靠近所述盘盖(110)一侧具有突出部(161a),所述突出部(161a)具有相对的第一端(161b)和第二端(161c),所述第一端(161b)与所述盘盖(110)接触,所述第二端(161c)与所述保温壳(120)接触。
4.根据权利要求3所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述第一端(161b)呈弧形,所述第二端(161c)关于所述第一容纳槽(121)的中心对称。
5.根据权利要求1所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述密封组件(160)还包括:
第二密封圈(162),所述第二密封圈(162)的至少部分设于所述第二容纳槽(122)内,所述第二容纳槽(122)靠近所述盘盖(110)的一端朝远离所述第一容纳槽(121)的方向倾斜。
6.根据权利要求5所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述第二密封圈(162)包括:
固定部(162a),所述固定部(162a)设于所述第二容纳槽(122)内;
延伸部(162b),所述延伸部(162b)与所述固定部(162a)连接,所述延伸部(162b)朝远离所述第一容纳槽(121)且靠近所述盘盖(110)的一侧倾斜。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述增粘装置(100)还包括:
加热盘(130),所述加热盘(130)与所述保温壳(120)配合连接,并设于所述保温壳(120)的内部,所述加热盘(130)与所述盘盖(110)之间形成反应腔室(140);
第一出气口(123),所述第一出气口(123)设于所述保温壳(120)靠近所述加热盘(130)一侧,所述反应腔室(140)内的气体通过所述第一出气口(123)排出。
8.根据权利要求7所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述保温壳(120)包括:
真空接口(124),所述真空接口(124)设于所述保温壳(120)远离所述盘盖(110)的一侧,并与所述真空隔离带(150)连通;
排气接口(125),所述排气接口(125)设于所述保温壳(120)远离所述盘盖(110)的一侧,并与所述第一出气口(123)接通。
9.根据权利要求8所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述真空接口(124)有多个,多个所述真空接口(124)均布于所述保温壳(120)远离所述盘盖(110)的一侧,所述排气接口(125)有多个,多个所述排气接口(125)均布于所述保温壳(120)远离所述盘盖(110)的一侧。
10.根据权利要求7所述的晶圆增粘装置,其特征在于,所述加热盘(130)还包括:
定位件(133),所述定位件(133)设于所述加热盘(130)靠近所述盘盖(110)的一侧,所述定位件(133)用于定位放置于所述加热盘(130)上的晶圆;
突起件(132),所述突起件(132)设于所述加热盘(130)靠近所述盘盖(110)的一侧,并向所述盘盖(110)一侧突起,所述晶圆放置于所述突起件(132)上;
推动部(131),所述推动部(131)设于所述加热盘(130)远离所述盘盖(110)的一端,所述推动部(131)用于推动放置于所述突起件(132)上的晶圆。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211264017.9A CN115332129B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种晶圆增粘装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211264017.9A CN115332129B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种晶圆增粘装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115332129A true CN115332129A (zh) | 2022-11-11 |
CN115332129B CN115332129B (zh) | 2023-02-21 |
Family
ID=83915436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211264017.9A Active CN115332129B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种晶圆增粘装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115332129B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348316A (en) * | 1992-07-16 | 1994-09-20 | National Semiconductor Corporation | Die collet with cavity wall recess |
JP2011253845A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tsubaki-Seiko Co Ltd | テープ接着装置およびテープ接着方法 |
US20150069723A1 (en) * | 2012-03-28 | 2015-03-12 | ACM Research (Shanghai) Inc,. | Vacuum chuck |
WO2015184628A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Apparatus and method for removing film on edge of backside of wafer |
CN108080220A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-05-29 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种单片硅晶圆气相hmds涂布装置 |
WO2019093609A1 (ko) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 주식회사 미코 | 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치 |
CN113075859A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-07-06 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | 一种负压式纳米压印设备及其压印方法 |
-
2022
- 2022-10-17 CN CN202211264017.9A patent/CN115332129B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348316A (en) * | 1992-07-16 | 1994-09-20 | National Semiconductor Corporation | Die collet with cavity wall recess |
JP2011253845A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tsubaki-Seiko Co Ltd | テープ接着装置およびテープ接着方法 |
US20150069723A1 (en) * | 2012-03-28 | 2015-03-12 | ACM Research (Shanghai) Inc,. | Vacuum chuck |
WO2015184628A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Apparatus and method for removing film on edge of backside of wafer |
CN107615443A (zh) * | 2014-06-06 | 2018-01-19 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法 |
WO2019093609A1 (ko) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 주식회사 미코 | 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치 |
CN108080220A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-05-29 | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 | 一种单片硅晶圆气相hmds涂布装置 |
CN113075859A (zh) * | 2021-04-01 | 2021-07-06 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | 一种负压式纳米压印设备及其压印方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115332129B (zh) | 2023-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR890005831A (ko) | 모듀울 웨이퍼 가공기용 스퍼터 모듀울 | |
CN105925960B (zh) | 一种用于太阳能电池片生产的原子层沉积真空镀膜装置 | |
JP2007239103A5 (zh) | ||
WO2001045843A3 (en) | Flow-thru chip cartridge, chip holder, system and method thereof | |
TW200512793A (en) | Substrate heating apparatus and multi-chamber substrate processing system | |
CN115332129B (zh) | 一种晶圆增粘装置 | |
CN111029282B (zh) | 热处理装置 | |
KR20140036260A (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서 유용한 진공 씨일 어레인지먼트 | |
JP2000070664A (ja) | 加熱型トラップ装置および成膜装置 | |
KR101765754B1 (ko) | 샤워헤드 및 이를 포함하는 반도체 기판 가공 장치 | |
KR20030080687A (ko) | Cvd 장치의 샤워헤드 | |
WO2018072560A1 (zh) | 尿素泵模块 | |
CN217788365U (zh) | 一种微型气旋式吸头 | |
CN100414101C (zh) | 用来关闭封闭式压缩机的吸入消声器的系统 | |
US10879090B2 (en) | High temperature process chamber lid | |
CN216898958U (zh) | 一种用于测试装置的密封装置、透明罩和底座装置 | |
CN210012899U (zh) | 一种平板式pecvd设备反应腔室特气耦合输送装置 | |
CN109075109A (zh) | 全区域逆流热交换基板支撑件 | |
CN207940870U (zh) | 一种水槽式清洗装置 | |
JP2000349064A (ja) | 半導体ウェハーの片面エッチング装置 | |
CN212230405U (zh) | 一种应用于硅片转移用机械手的吸盘 | |
JPS58110874A (ja) | 化学反応ガス排気装置 | |
CN219010451U (zh) | 一种晶圆气相沉积装置 | |
CN109161871A (zh) | 炉管装置及其工作方法 | |
CN210540801U (zh) | 一种蒸汽加热用烹饪锅具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |