CN115321835A - 一种平弯搭配双银玻璃及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种平弯搭配双银玻璃及其制备方法，所述平弯搭配双银玻璃包括平面部分和弯面部分；所述弯面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干子膜层，所述子膜层至少包括Cr、Ti合金层和AZO层Ⅲ，所述Cr、Ti合金层的厚度为1‑6nm；所述平面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干子膜层，所述子膜层至少包括Ag、Cu合金层和NiCr层Ⅱ，所述NiCr层Ⅱ设于所述Ag、Cu合金层远离所述玻璃基片一侧表面。所述弯面部分采用先镀后钢工艺；所述平面部分采用先钢后镀工艺。本发明的平弯搭配双银玻璃能够保证平弯搭配双银玻璃的弯玻璃部分和平玻璃部分的透过色及反射颜色的一致性。
Description
技术领域
本发明涉及双银镀膜玻璃技术领域，具体涉及一种平弯搭配双银玻璃及其制备方法。
背景技术
磁控溅射镀膜技术是目前工业镀膜生产中最主要的技术之一，磁控溅射具有膜层厚度均匀性高，基板温度低、沉降速度快等一系列优点。以磁控溅射作为成膜技术生产的低辐射镀膜玻璃，具有表面辐射率低、红外反射率高、可见光透过率适中的特点，它既可满足建筑物良好的采光要求，又可有效地阻挡玻璃以辐射形式传递热量，具有很好的隔热性能，是在当前技术条件下实现门窗节能的最佳材质，广泛应用于大面积建筑玻璃镀膜行业。现有技术中的Low-E玻璃的生产工艺是在优质浮法基片上镀制以Ag为功能层，包含介质层和其它金属层的多层膜系。若按照功能层银的层数来进行划分，Low-E玻璃可以分为单银Low-E玻璃、双银Low-E玻璃、三银Low-E玻璃。目前，双银是建筑玻璃领域比较成熟的节能方案，其性能远高于单银产品，略低于成本较高的三银产品，随着市场形势的变化，越来越多的客户追求颜色整体的一致性，尤其体现在弯玻璃上面。现有技术中，弯玻璃通常采用先镀后钢，平玻璃通常采用先钢后镀。因为加工工艺不同，造成弯部分和平部分的颜色差别比较大，并且在室外的反射颜色和透过色不一致，不够美观，难以被客户采纳。
因此，亟需提供一种平弯搭配双银玻璃及其制备方法，以保证产品的弯玻璃部分和平玻璃部分的透过色及反射颜色的一致性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种平弯搭配双银玻璃，实现弯玻璃部分和平玻璃部分的透过色及反射颜色的保持一致性。
本发明还提供一种平弯搭配双银玻璃的制备方法。
根据本发明的第一方面实施例的一种平弯搭配双银玻璃，包括叠加设置的玻璃基片和膜层结构，
所述平弯搭配双银玻璃包括平面部分和弯面部分；
所述弯面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干弯面子膜层，所述弯面子膜层至少包括Cr、Ti合金层和AZO层Ⅲ，所述AZO层Ⅲ设于所述Cr、Ti合金层远离所述玻璃基片一侧表面，且所述AZO层Ⅲ位于所述膜层结构的次外层；所述Cr、Ti合金层的厚度为1-6nm；
所述平面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干平面子膜层，所述平面子膜层至少包括Ag、Cu合金层和NiCr层Ⅱ，所述NiCr层Ⅱ设于所述Ag、Cu合金层远离所述玻璃基片一侧表面；
所述弯面部分采用先镀后钢工艺；
所述平面部分采用先钢后镀工艺。
根据本发明的第一方面的实施例至少具有以下有益效果：
1、不同厚度的Cr、Ti合金层对可见光的透过率不同，从而在视觉上呈现出不同的颜色，本发明通过新增弯面部分的Cr、Ti合金的膜厚在1-6nm来实现弯面部分的透过色调整，保证了弯面部分钢化前后的透过率、透过色、反射色变化更小(传统技术中，弯钢双银膜系没有此层)，从而提高了平面部分的颜色向弯玻璃颜色靠拢调整的可行性，平面部分根据弯面部分的颜色增加了可用于调整透过色及反射色的Ag、Cu合金层进行吸收绿色，增加黄色。最后平面部分和弯面部分的透过色、膜面、玻面、侧面60°颜色保持一致，从而保证了产品的弯玻璃部分和平玻璃部分的透过色及反射颜色的一致性。
具体的，本发明的产品通过在弯面部分增加Cr、Ti合金层和AZO层Ⅲ的晶床介质层，实现了弯面部分在钢化时，阻挡膜层外的O2进入膜层结构内，影响到内部其他层。因而大幅度减少了弯面部分中先镀后钢时产生的颜色变化，钢化前降低了内反，钢化后形成弯钢玻璃，内反又回增。进一步的当增加Cr、Ti合金层和AZO层Ⅲ的晶床介质层，钢化前随着此层厚度增加，其透过色的a*、b*往负偏，钢化后透过色的a*、b*又回正偏；大幅降低了钢化前后弯面部分的透过率变化量，以及降低透过色、膜面、玻面反射的色a*、b*回归变化量及变化趋势。平面部分根据弯面部分的颜色增加了可用于调整透过色及反射色的Ag、Cu合金层进行吸收绿色，增加黄色，通过平面部分和弯面部分相互拟合调整从而达到平面部分和弯面正面与小角度颜色，透过色基本一致。
2、弯面部分中，Cr、Ti合金层的厚度在1-6nm时，对玻面反射影响很小，几乎可不计，但对膜面反射影响较大，Cr、Ti合金层的厚度在1-6nm内，随着厚度的增加，膜面反射率快速降低，同时钢化后透过率的变化减小，膜面反射率在钢化后又快速增加，利于将弯面部分还原到钢化前颜色。
3、本发明的弯面部分中的Cr、Ti合金层不易氧化，具有良好的结合力，耐擦，并起到良好的阻挡保护效果。
根据本发明的一些优选地实施例，所述弯面部分中，所述Cr、Ti合金层的厚度为4-6nm。
Cr、Ti合金层的厚度为4-6nm时，膜面反射更低，钢化后增加幅度更小，透过率升高也更小。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述膜层结构自所述玻璃基片向外依次包括：第一电介质组合层，第一阻挡保护层,第一功能层，第二阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，第三阻挡保护层，第二晶床介质层，第三电介质层,Cr、Ti合金层，AZO层Ⅲ，第四电介质层。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第三晶床介质层为所述晶床介质层。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第一电介质组合层，自玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅰ和ZnO层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第一阻挡保护层为NiCr层Ⅰ，所述第二阻挡保护层为NiCr层Ⅱ，所述第三阻挡保护层为NiCr层Ⅲ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第一功能层为Ag层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第一晶床介质层为AZO层Ⅰ，所述第二晶床介质层为AZO层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第二电介质组合层，自玻璃基片向外依次为：ZnSnOx层Ⅰ和ZnO层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第一功能层为Ag层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第三电介质组合层为SiNx层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述第四电介质组合层为SiNx层Ⅲ。
本发明的弯面部分的具体结构如表1所示：
表1所述弯面部分的结构示意
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述膜层结构自所述玻璃基片向外依次包括：第一电介质层，第一功能层，第一阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，Ag、Cu合金层，NiCr层Ⅱ，第二晶床介质层，第三电介质组合层，第三阻挡保护层，第三晶床介质层，第四电介质层。
根据本发明的一些实施例，所述NiCr层Ⅱ的厚度为1-4nm。
根据本发明的一些实施例，所述Ag、Cu合金层的厚度为2-6nm。
本发明配合将NiCr层Ⅱ膜厚控制为1-4nm，Ag、Cu合金层的厚度控制在2-6nm，增加了整体透过率，有利于平面部分和弯面部分进一步的相互拟合调整从而达到平面部分和弯面正面与小角度颜色，透过色基本一致。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第一电介质组合层自玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅰ，ZnO层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第一功能层为Ag层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第一阻挡保护层为NiCr层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第一晶床介质层为AZO层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，第二电介质组合层自玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅱ、ZnSnOⅠ和ZnO层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第二功能层为Ag层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述功能层为所述第三功能层，所述功能层的厚度为2-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第二阻挡保护层为NiCr层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第二晶床介质层为AZO层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述平面部分中，第三电介质组合层自玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅱ和ZnO层Ⅱ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第三阻挡保护层为Cr、Ti金属层Ⅰ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第三晶床介质层为AZO层Ⅲ。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述第四电介质层为SiNx层Ⅳ。
本发明的平面部分的具体结构如表2所示：
表2所述平面部分的结构示意
根据本发明的第二方面实施例的一种平弯搭配双银玻璃的制备方法包括：于所述玻璃基片的弯面部分的表面依次叠加设置若干弯面子膜层；于所述玻璃基片的平面部分的表面依次溅射叠加设置若干平面子膜层。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分的制备方法包括：于所述玻璃基片表面依次溅射第一电介质组合层，第一阻挡保护层,第一功能层，第二阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，第三阻挡保护层，第二晶床介质层，第三电介质层,第四阻挡保护层，第三晶床介质层，第四电介质层。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅰ的制备中，所述SiNx层Ⅰ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅰ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅰ的膜层厚度为25-30nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，所述ZnO层Ⅰ的靶材料为锌铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅰ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氩氧氛围中，氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅰ的制备中，所述NiCr层Ⅰ的靶材料为镍铬合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅰ的膜层厚度为0.5-1nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅰ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅰ的制备中，所述Ag层Ⅰ的靶材料为银。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅰ的膜层厚度为5-6nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅰ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，所述NiCr层Ⅱ的靶材料为镍铬合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的膜层厚度为0.5-1nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅰ的制备中，所述AZO层Ⅰ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅰ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的制备中，所述ZnSnOx层Ⅰ的靶材料为锌锡合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的膜层厚度为40-45nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，所述ZnO层Ⅱ的靶材料为锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅱ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，按体积比，所述氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅱ的膜层厚度为25-35nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅱ的制备中，所述Ag层Ⅱ的靶材料为银。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅱ的膜层厚度为10-15nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Ag层Ⅱ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，所述NiCr层Ⅱ的靶材料为镍铬合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的膜层厚度为5-10nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅱ的制备中，所述AZO层Ⅱ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅱ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，所述SiNx层Ⅱ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅱ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅱ的膜层厚度为30-35nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述保护层的制备中，所述Cr、Ti、NiCr合金层的靶材料为铬、钛铝/NiCr合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Cr、Ti合金层于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Cr、Ti合金层的膜层厚度为1-6nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述Cr、Ti合金层的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅲ的制备中，所述AZO层Ⅲ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅲ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅲ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述AZO层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，所述SiNx层Ⅲ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅲ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅲ的膜层厚度为25-30nm。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述弯面部分的制备如表3所示：
表3弯面部分的制备
本发明中，弯面部分的SiNx层Ⅲ，不吸收O2，AZO层Ⅱ在纯A氩气的氛围下溅射，属于缺氧溅射，可以吸收部分O2；Cr、Ti合金层同样可以吸收部分O2，通过上述的膜层设计，需再经过一轮吸收，经过双层吸收，到达内部膜层中的O2减少，从而大幅降弯面部分中(先钢后镀)钢化前后颜色变化。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分的制备方法包括：于所述玻璃基片表面依次溅射自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干子膜层。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分的制备方法包括：于所述玻璃基片表面依次溅射第一电介质层，第一功能层，第一阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，第三功能层，第二阻挡保护层，第二晶床介质层，第三电介质组合层，第三阻挡保护层，第三晶床介质层，第四电介质层。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅰ的制备中，所述SiNx层Ⅰ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅰ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅰ的膜层厚度为25-30nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，所述ZnO层Ⅰ的靶材料为锌铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅰ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅰ的膜层厚度为15-20nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅰ的制备中，所述Ag层Ⅰ的靶材料为银。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅰ的膜层厚度为5-6nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅰ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅰ的制备中，所述NiCr层Ⅰ的靶材料为镍铬合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅰ的膜层厚度为0.5-1nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅰ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅰ的制备中，所述AZO层Ⅰ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅰ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅰ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，所述SiNx层Ⅱ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅱ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅱ的膜层厚度为30-35nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的制备中，按体积比，所述氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的膜层厚度为40-45nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnSnOx层Ⅰ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，所述ZnO层Ⅱ的靶材料为锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅱ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，按体积比，所述氩气和所述氧气的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅱ的膜层厚度为25-35nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅱ的制备中，所述Ag层Ⅱ的靶材料为银。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅱ的膜层厚度为10-15nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag层Ⅱ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag、Cu合金层的制备中，所述Ag、Cu合金层于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag、Cu合金层的膜层厚度为2-6nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Ag、Cu合金层的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，所述NiCr层Ⅱ的靶材料为镍铬合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅱ的膜层厚度为1-4nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅱ的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述NiCr层Ⅱ为所述阻挡保护层。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅱ的制备中，所述AZO层Ⅱ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅱ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅱ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅱ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的膜层厚度为12-18nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅲ于氩氧氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅲ的制备中，按流量比，所述氩气和氧气所述的比为1:1.5。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅲ的膜层厚度为12-18nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述ZnO层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述保护层的制备中，所述Cr、Ti合金层的靶材料为铬、钛铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Cr、Ti合金层于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Cr、Ti合金层的膜层厚度为0-6nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述Cr、Ti合金层的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅲ的制备中，所述AZO层Ⅲ的靶材料为氧化锌铝合金。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅲ于氩氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅲ的膜层厚度为6-8nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述AZO层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，所述SiNx层Ⅲ的靶材料为硅铝合金靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ于氩氮氛围中溅射。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，按体积比，所述氮气和所述氩气的比为1:1。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的膜层厚度为25-30nm。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分中，所述SiNx层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。
根据本发明的一些实施例，所述平面部分的制备条件如表4所示：
表4平面部分的制备
1、本发明先确定弯面部分的颜色，平面部分的膜层结构，在弯面部分(先镀后钢)的标准颜色基础上进行调试，通过降低平面部分的Cr、Ti合金层的膜厚，增加了Ag、Cu合金/其它金属物层，同时减少层NiCr层Ⅱ的厚度，从而整体增加了平面部分的透过率，最后完成平面部分和弯面部分的颜色一致。本发明采用双向调整拟合方法，相比传统单向调整方法具有更佳的实用性及可行性，能更好的完成平弯搭配。
2、本发明平弯搭配双银玻璃采用真空磁控溅射镀膜技术进行制备，在高真空背景下，依次镀制而成的，产品的可加性强，调试简单，质量稳定，可实时监控颜色变化，从而保证产品的弯玻璃部分和平玻璃部分的透过色及反射颜色的一致性，同时提高了夹层产品的性能和改善后续钢化成像工艺，大大提高了生产效率，降低废品率，节省生产成本，该制备方法简单、成熟、适合工业化生产，可广泛推广应用。
3、现有平弯搭配双银玻璃的制备工艺中的采用先镀后钢工艺加工，其中，镀膜钢化后才能调试颜色，造成镀膜调试时间长，且调试成本高；镀膜后还需要切割、钢化，导致膜层容易受损伤，成品率低；同时带膜钢化时间长，钢化耗电量，钢化成本高；钢化时易变形，得到的产品用于后续夹层后，吻合度差，容易开胶；本发明的平弯搭配双银玻璃的制备工艺中，弯面部分的先钢后镀工艺中，在镀膜调试时，不需要进行钢化实验验证颜色，所以镀膜调试时间大幅缩短。平面部分的先镀后钢工艺中，平面部分的制备避免了镀膜后的切割，避免了后续出现产品吻合度差，容易开胶的情况。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制，实施例中所使用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到的试剂和材料。
实施例1
本实施例提供了一种平弯搭配双银玻璃，弯面部分的具体组成如表5所示，平面部分的组成如表6所示，本实施例的弯面部采用先镀后钢工艺；平面部分采用先钢后镀工艺。
表5实施例1的弯面部分的组成
表6实施例2的平面部分的组成
实施例2
本实施例提供了一种平弯搭配双银玻璃的制备方法，本实施例按照实施例1的弯面部分的具体组成制备弯面部分，方法如表7所示，本实施例按照实施例1的平面部分的具体组成制备平面部分，方法如表8所示：
表7实施例1的弯面部分的制备方法
表8实施例2的平面部分的制备方法
实施例3
本实施例提供了一种平弯搭配双银玻璃的制备方法，本实施例和实施例2的区别在于弯面部分的Cr、Ti合金层的厚度为2nm，其余条件相同。
实施例4
本实施例提供了一种平弯搭配双银玻璃的制备方法，本实施例和实施例2的区别在于弯面部分的Cr、Ti合金层的厚度为4nm，其余条件相同。
对比例1
本对比例公开了一种平弯搭配双银玻璃，本对比例和实施例1的区别在于弯面部分中不包括实施例1中的Cr、Ti合金层，其余条件和实施例1相同。
对比例2
本对比例公开了一种平弯搭配双银玻璃，本对比例2和测试实施例2的区别在于平面部分中不包括实施例2中的Ag、Cu合金层，其余条件和实施例2相同。
测试例
根据《GB T 36142-2018建筑玻璃颜色及色差的测量方法》，对上述实施例及对比例制得的平弯搭配双银玻璃分别进行弯面部分先镀后钢，钢化前后透过色T、a*、b*、膜面R、Lf*、af*、bf*玻面R、Lg*、ag*、bf*；侧面面的Lg*、ag*、bf*，平面部分先钢后镀，得到的测量数据如表9，10所示。
表9颜色测试结果
表10颜色测试结果
由表9、10数据可知：
实施例1钢化前和钢化后(有Cr、Ti合金层)，与对比例1(无Cr、Ti合金层)，实施例1钢化趋势透过率变化较对比例1缩小50％，并实施例1透过色a*/b*变化与对比例1方向相反往正偏，朝有利于平弯搭配方向变化(平的可通过增加Ag/Cu实现吸收绿色，增加黄色)。说明Cr、Ti合金层的设置对于平弯搭配透过色调整起到重要作用。
实施例4与实施例3对比，随着Cr、Ti合金层膜层厚度增加，实施例4钢化前对比实施例3钢化前膜面反射更低，降幅较大，钢化后增加幅度更小，透过率升高也更小，说明Cr、Ti合金层膜层不同厚度会较大影响平弯搭配颜色的调整，从而对调整起到较大作用。
实施例2增加了Ag/Cu合金层，与对比例2未增加Ag/Cu合金层比较，实施例2其透过色明显比对比例2更红，更黄，说明Ag/Cu合金层对于平钢玻璃透过色调整，吸收绿色，增加黄色起到重要作用，从而利于实现与弯玻璃钢化后透过色一致。
实施例1、实施例2，与对比例1、对比例2比较，实施例1与实施例2平弯搭配颜色综合色差是在透过色，玻面，膜面反射色，其综合色差△E都在国标范围内，从而实现平弯颜色高度匹配。同时Cr、Ti合金层为新增第四层保护层，对弯钢玻璃后续加工而言，增强了产品的抗氧化性，有利于后期加工废品的减少。
上面结合对本发明实施例作了详细说明，但本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (10)
1.一种平弯搭配双银玻璃，其特征在于，包括叠加设置的玻璃基片和膜层结构，
所述平弯搭配双银玻璃包括平面部分和弯面部分；
所述弯面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干弯面子膜层，所述弯面子膜层至少包括Cr、Ti合金层和AZO层Ⅲ，所述AZO层Ⅲ设于所述Cr、Ti合金层远离所述玻璃基片一侧表面，且所述AZO层Ⅲ位于所述膜层结构的次外层；所述Cr、Ti合金层的厚度为1-6nm；
所述平面部分的膜层结构包括自所述玻璃基片而始依次叠加设置的若干平面子膜层，所述平面子膜层至少包括Ag、Cu合金层和NiCr层Ⅱ，所述NiCr层Ⅱ设于所述Ag、Cu合金层远离所述玻璃基片一侧表面；
所述弯面部分采用先镀后钢工艺；
所述平面部分采用先钢后镀工艺。
2.根据权利要求1所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述弯面部分中，所述Cr、Ti合金层的厚度为4-6nm。
3.根据权利要求1所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述弯面部分中，所述膜层结构自所述玻璃基片向外依次包括：第一电介质组合层，第一阻挡保护层，第一功能层，第二阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，第三阻挡保护层，第二晶床介质层，第三电介质层，Cr、Ti合金层，AZO层Ⅲ，第四电介质层。
4.根据权利要求3所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述弯面部分中，所述第一阻挡保护层为NiCr层Ⅰ，所述第二阻挡保护层为NiCr层Ⅱ，所述第三阻挡保护层为NiCr层Ⅲ。
5.根据权利要求3所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述弯面部分中，所述第一晶床介质层为AZO层Ⅰ，所述第二晶床介质层为AZO层Ⅱ。
6.根据权利要求1所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述弯面部分中，所述膜层结构的厚度为190-220nm。
7.根据权利要求1所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述平面部分中，所述膜层结构自所述玻璃基片向外依次包括：第一电介质层，第一功能层，第一阻挡保护层，第一晶床介质层，第二电介质组合层，第二功能层，Ag、Cu合金层，NiCr层Ⅱ，第二晶床介质层，第三电介质组合层，第三阻挡保护层，第三晶床介质层，第四电介质层。
8.根据权利要求7所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述平面部分中，所述NiCr层Ⅱ的厚度为1-4nm；优选地所述Ag、Cu合金层的厚度为2-6nm。
9.如权利要求7所述的平弯搭配双银玻璃，其特征在于，所述平面部分中，第二电介质组合层自玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅱ、ZnSnOⅠ和ZnO层Ⅱ；优选地，第三电介质组合层自所述玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅱ、ZnSnOⅠ和ZnO层Ⅱ。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的平弯搭配双银玻璃的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：于所述玻璃基片的弯面部分的表面依次叠加设置若干弯面子膜层；于所述玻璃基片的平面部分的表面依次溅射叠加设置若干平面子膜层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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