CN115305459A - 一种原子层沉积设备 - Google Patents

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CN115305459A CN202211232622.8A CN202211232622A CN115305459A CN 115305459 A CN115305459 A CN 115305459A CN 202211232622 A CN202211232622 A CN 202211232622A CN 115305459 A CN115305459 A CN 115305459A
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Abstract

本发明涉及原子层沉积技术领域,具体是涉及一种原子层沉积设备。包括有机体、反应腔、顶盖、下料组件和旋转驱动组件;反应腔包括有六等分设置的六个六等分反应室,机体内分为六个工作区间,六等分反应室能够与六个工作区间对应,依次为基体上料工位、第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位和基体下料工位;顶盖上设有上料管、第一前驱体进气管、第二前驱体进气管、惰性气体进气管和抽真空管。本申请节约了生产所需的时间,提高了反应效率,在保证密封效果的同时,将不同的前驱体进气位置以及惰性气体的进气位置分开,提高清扫效率的同时减少碎屑颗粒物产生的可能。下料过程中不会堵塞下料口,提高基体下料效率。

Description

一种原子层沉积设备
技术领域
本发明涉及原子层沉积技术领域,具体是涉及一种原子层沉积设备。
背景技术
采用原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,简称ALD)进行Al2O3薄膜工艺研究,获得85℃低温Al2O3薄膜ALD的最佳工艺条件。目前,通常可利用原子层沉积装置,例如以三甲基铝(TMA)和H2O为前驱体以制备Al2O3薄膜,在半导体领域或薄膜封装领域均有应用。
然而,这些成膜积攒到一定程度会发生破碎脱落,产生较多的微纳颗粒,造成产品良率降低。
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术。当前驱体达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。原子层沉积时形成的薄膜厚度非常小,可以达到纳米级别,且一致性较好,因此被广泛应用于微纳米电子器件与太阳能电池等领域。
在原子层沉积时,通常将前驱体通入反应腔内,当其通过反应腔时包裹于粉末表面,以完成沉积包覆,沉积结束后,打开出料口的出料阀,将粉末取出。现有技术中,不同的反应气体源通常是通在一个反应腔内,成膜反应会发生在反应腔的内壁或连接处,在持续运行过程中容易造成成膜脱落产生颗粒物,对基体造成污染。粉料下料过程中容易下料不畅或堵塞下料口,容易产生物料堆积的情况,导致反应腔内部密封状态遭到破坏,现有的原子层沉积装置在进行吹扫清洗时,所需的清洗时间较长,从而造成产品生产周期长,生产成本增加。
发明内容
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种原子层沉积设备。
为解决现有技术问题,本发明采用的技术方案为:
本发明提供了一种原子层沉积设备,包括有机体、反应腔、顶盖、下料组件和旋转驱动组件;
旋转驱动组件安装在机体上;
顶盖安装在机体顶端,顶盖与机体之间密封连接;
反应腔安装在机体内,反应腔与旋转驱动组件的输出端传动连接;
反应腔包括有六等分设置的六个六等分反应室,机体内分为六个工作区间,六等分反应室能够与六个工作区间对应,依次为基体上料工位、第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位和基体下料工位;
顶盖上设有上料管、第一前驱体进气管、第二前驱体进气管、惰性气体进气管和抽真空管;
上料管的一端位于基体上料工位的上方,上料管的另一端与基体上料箱连通;
第一前驱体进气管的一端位于第一反应工位上方,第一前驱体进气管另一端与第一前驱体供气源连通;
第二前驱体进气管的一端位于第二反应工位上方,第二前驱体进气管另一端与第二前驱体供气源连通;
惰性气体进气管的其中一端分别位于第一清扫工位和第二清扫工位上,惰性气体进气管的另一端与惰性气体源连通;
抽真空管的其中一端分别位于第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位上方,抽真空管的另一端与抽气泵连通。
优选的,机体的内部设有连接机构和外壳;
外壳通过连接机构弹性连接在机体的内部;
反应腔能够转动的安装在外壳内部,顶盖安装在外壳的顶端;
旋转驱动组件安装在外壳的底端,旋转驱动组件的输出端贯穿外壳的中心处向上设置并且与反应腔传动连接。
优选的,连接机构包括有安装环、第一弹性连接架和振动电机;
安装环安装在外壳的外侧壁上,第一弹性连接架设置在安装环和机体之间,第一弹性连接架与安装环固定连接,第一弹性连接架与机体的内侧壁固定连接;
振动电机安装在第一弹性连接架上。
优选的,反应腔还包括六个锥形底座和六个排料管,六个锥形底座、排料管与六个六等分反应室一一对应;
锥形底座安装在六等分反应室的底部,排料管竖直安装在锥形底座的最下方,排料管通过外侧密封环与外壳密封连接,外壳的内侧壁底端设有供排料管底端滑动的导轨,导轨在基体下料工位的对应位置上设有与旋转驱动组件配合的下料开口;
反应腔还包括有六个密封盖,六个密封盖分别与六个排料管一一对应,密封盖的外侧壁与排料管的内侧壁螺纹连接,密封盖的顶端设有与锥形底座底端密封的密封圈。
优选的,六等分反应室的顶端设有接料孔、进气孔和排气孔;
接料孔位于六等分反应室的顶端,接料孔和反应腔中心之间的距离与上料管和反应腔中心之间的距离一致;
接料孔位于六等分反应室的顶端,进气孔位于接料孔的旁侧,进气孔和反应腔中心之间的距离与第一前驱体进气管、第二前驱体进气管、惰性气体进气管和反应腔中心之间的距离一致;
排气孔位于六等分反应室的顶端,排气孔和反应腔中心之间的距离与抽真空管和反应腔中心之间的距离一致。
优选的,下料组件包括有下料管、升降管、升降机构、旋转驱动机构和夹持机构;
下料管固定安装在机体上,下料管位于基体下料工位的下方,下料管的底端与外部收料箱连通;
升降管竖直套设在下料管上,升降管与下料管在竖直方向上滑动设置;
升降机构安装在机体内,升降机构驱动升降管沿着下料管轴线进行升降运动;
旋转驱动机构安装在升降机构的输出端上,驱动升降管进行旋转;
夹持机构安装在升降管的顶端,用于夹持密封盖。
优选的,升降机构包括有固定架、升降架、伸缩限位杆和升降驱动杆;
固定架安装在外壳的正下方;
升降架能够升降的设置在固定架和外壳之间,升降管能够绕着升降管轴线旋转的设置在升降架上;
伸缩限位杆竖直安装在固定架和升降架之间,伸缩限位杆的两端分别与固定架和升降架固定连接;
升降驱动杆竖直固定安装在固定架的底端,升降驱动杆的输出端竖直向上设置,升降驱动杆的输出端与升降架固定连接。
优选的,旋转驱动机构包括有第一旋转驱动器和驱动齿轮;
升降管的外侧壁上设有外圈环齿;
第一旋转驱动器竖直安装在升降架底部;
驱动齿轮能够转动的安装在升降架的顶端,外圈环齿与驱动齿轮处于同一水平高度;
驱动齿轮与外圈环齿啮合。
优选的,夹持机构包括有十字安装架、第二弹性连接架、三爪卡盘和卡接爪;
十字安装架安装在升降管的顶端;
第二弹性连接架竖直安装在十字安装架上,第二弹性连接架的外径长小于升降管的内径长,第二弹性连接架内部设有缓冲弹簧;
三爪卡盘竖直固定安装在第二弹性连接架的顶端,三爪卡盘上设有能够向外扩张的卡接爪,密封盖的内侧壁顶端设有与卡接爪配合的卡接口。
优选的,旋转驱动组件包括有第二旋转驱动器和转动轴;
第二旋转驱动器竖直固定安装在外壳的底端;
转动轴竖直设置,转动轴与反应腔共轴线,转动轴的底端与第二旋转驱动器的输出端固定连接,转动轴的顶端与反应腔的底端固定连接。
本申请相比较于现有技术的有益效果是:
1.本申请节约了生产所需的时间,提高了反应效率,无需等待清扫完成后再进行下一步工序,在保证密封效果的同时,将不同的前驱体进气位置以及惰性气体的进气位置分开,提高清扫效率的同时减少碎屑颗粒物产生的可能。
2.通过下料组件对基体进行下料,下料过程中不会堵塞下料口,通过重力作用和机体对反应腔的振动驱动,使得六等分反应室内部的基体均能顺畅的下料,不会影响后续密封盖对排料管的密封过程,避免反应腔内部密封状态遭到破坏。
附图说明
图1是一种原子层沉积设备的示意图;
图2是一种原子层沉积设备中连接机构的立体结构示意图;
图3是一种原子层沉积设备中顶盖和外壳的立体结构示意图一;
图4是一种原子层沉积设备中顶盖和外壳的立体结构示意图二;
图5是一种原子层沉积设备中顶盖的俯视图;
图6是一种原子层沉积设备中反应腔的俯视图;
图7是一种原子层沉积设备中反应腔的内部立体结构示意图;
图8是图7的俯视图;
图9是一种原子层沉积设备中导轨和下料组件的立体结构示意图;
图10是一种原子层沉积设备中下料组件的立体结构示意图一;
图11是一种原子层沉积设备中下料组件的正视图;
图12是一种原子层沉积设备中下料组件的立体结构示意图二;
图13是一种原子层沉积设备中夹持机构的立体结构示意图。
图中标号为:
1-机体;
11-连接机构;111-安装环;112-第一弹性连接架;113-振动电机;
12-外壳;121-导轨;122-下料开口;
2-反应腔;
21-六等分反应室;211-接料孔;212-进气孔;213-排气孔;
22-锥形底座;
23-排料管;
24-密封盖;241-卡接口;
3-顶盖;
31-上料管;
32-第一前驱体进气管;
33-第二前驱体进气管;
34-惰性气体进气管;
35-抽真空管;
4-下料组件;
41-下料管;
42-升降管;421-外圈环齿;
43-升降机构;431-固定架;432-升降架;433-伸缩限位杆;434-升降驱动杆;
44-旋转驱动机构;441-第一旋转驱动器;442-驱动齿轮;
45-夹持机构;451-十字安装架;452-第二弹性连接架;453-三爪卡盘;454-卡接爪;
5-旋转驱动组件;
51-第二旋转驱动器;
52-转动轴。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
如图1至图13所示的一种原子层沉积设备,包括有机体1、反应腔2、顶盖3、下料组件4和旋转驱动组件5;
旋转驱动组件5安装在机体1上;
顶盖3安装在机体1顶端,顶盖3与机体1之间密封连接;
反应腔2安装在机体1内,反应腔2与旋转驱动组件5的输出端传动连接;
反应腔2包括有六等分设置的六个六等分反应室21,机体1内分为六个工作区间,六等分反应室21能够与六个工作区间对应,依次为基体上料工位、第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位和基体下料工位;
顶盖3上设有上料管31、第一前驱体进气管32、第二前驱体进气管33、惰性气体进气管34和抽真空管35;
上料管31的一端位于基体上料工位的上方,上料管31的另一端与基体上料箱连通;
第一前驱体进气管32的一端位于第一反应工位上方,第一前驱体进气管32另一端与第一前驱体供气源连通;
第二前驱体进气管33的一端位于第二反应工位上方,第二前驱体进气管33另一端与第二前驱体供气源连通;
惰性气体进气管34的其中一端分别位于第一清扫工位和第二清扫工位上,惰性气体进气管34的另一端与惰性气体源连通;
抽真空管35的其中一端分别位于第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位上方,抽真空管35的另一端与抽气泵连通。
粉状基体在机体1的基体上料工位通过上料管31进入至反应腔2内,在旋转驱动组件5的驱动下带动六等分反应室21切换工位,当六等分反应室21位于第一反应工位时,第一前驱体进气管32将第一前驱体导入六等分反应室21内,第一前驱体与基体发生表面反应,在反应完成后抽真空管35将六等分反应室21内抽真空,当六等分反应室21位移至第一清扫工位时,惰性气体通入对六等分反应室21及其内部的基体进行冲洗,接着依次经过第二反应工位和第二清扫工位,在第二反应工位内通入第二前驱体,使其与基体表面的反应物发生置换反应,从而对基体表面形成均匀的单层原子层附膜,并在第二清扫工位中清扫完成后转入基体下料工位,通过下料组件4将六等分反应室21内部的基体排出,完成反应过程。
旋转驱动组件5每次驱动旋转后,六个六等分反应室21分别位于不同的工位上,并分别进行反应的其中一个流程,提高了反应效率,节约了清扫所需的时间,无需等待清扫完成后再进行下一步工序,且避免了第一前驱体与第二前驱体通入同一个原子层沉积反应器时可能在连接处和内部产生覆膜的情况,从而避免了覆膜破裂产生的颗粒污染完成覆膜的基体,提高原子层沉积的效果。
机体1的内部设有连接机构11和外壳12;
外壳12通过连接机构11弹性连接在机体1的内部;
反应腔2能够转动的安装在外壳12内部,顶盖3安装在外壳12的顶端;
旋转驱动组件5安装在外壳12的底端,旋转驱动组件5的输出端贯穿外壳12的中心处向上设置并且与反应腔2传动连接。
通过连接机构11能够将外壳12弹性安装在机体1内部,在基体下料时,能够通过连接机构11振动带动外壳12进行振动,进而带动外壳12内部安装的反应腔2振动,使得内部基体均从下方最低处落入下料组件4内,进行高效下料过程,并避免六等分反应室21内部有残留的基体对后续反应造成污染,且能够使得下料过程更加顺畅,降低下料组件4堵塞的可能。
连接机构11包括有安装环111、第一弹性连接架112和振动电机113;
安装环111安装在外壳12的外侧壁上,第一弹性连接架112设置在安装环111和机体1之间,第一弹性连接架112与安装环111固定连接,第一弹性连接架112与机体1的内侧壁固定连接;
振动电机113安装在第一弹性连接架112上。
安装环111通过第一弹性连接架112将反应腔2安装在机体1内部,振动电机113为安装环111提供振动效果,安装环111的连接部位均设有弹簧,能够使得与之连接的安装环111以及安装在安装环111上的反应腔2产生一定幅度的振动,从而便于反应腔2内部基体实现下料功能。
反应腔2还包括六个锥形底座22和六个排料管23,六个锥形底座22、排料管23与六个六等分反应室21一一对应;
锥形底座22安装在六等分反应室21的底部,排料管23竖直安装在锥形底座22的最下方,排料管23通过外侧密封环与外壳12密封连接,外壳12的内侧壁底端设有供排料管23底端滑动的导轨121,导轨121在基体下料工位的对应位置上设有与旋转驱动组件5配合的下料开口122;
反应腔2还包括有六个密封盖24,六个密封盖24分别与六个排料管23一一对应,密封盖24的外侧壁与排料管23的内侧壁螺纹连接,密封盖24的顶端设有与锥形底座22底端密封的密封圈。
六等分反应室21的底端通过锥形底座22和排料管23进行集料,在基体下料时,通过重力作用使得六等分反应室21内部的基体均沿着排料管23向下排出,密封盖24用于实现六等分反应室21下半部与外壳12的密封状态,在进行反应时,密封盖24与排料管23之间密封连接,当需要下料时,通过下料组件4带动密封盖24旋转并向上顶出,使得密封盖24与排料管23之间解除密封状态,六等分反应室21和锥形底座22内部的基体能够顺着排料管23向下排出,实现排料过程。
六等分反应室21的顶端设有接料孔211、进气孔212和排气孔213;
接料孔211位于六等分反应室21的顶端,接料孔211和反应腔2中心之间的距离与上料管31和反应腔2中心之间的距离一致;
接料孔211位于六等分反应室21的顶端,进气孔212位于接料孔211的旁侧,进气孔212和反应腔2中心之间的距离与第一前驱体进气管32、第二前驱体进气管33、惰性气体进气管34和反应腔2中心之间的距离一致;
排气孔213位于六等分反应室21的顶端,排气孔213和反应腔2中心之间的距离与抽真空管35和反应腔2中心之间的距离一致。
六等分反应室21上的接料孔211用于基体上料工位上与上料管31对接,实现基体的上料功能,进气孔212用于在第一反应工位、第二反应工位、第一清扫工位和第二清扫工位上与第一前驱体进气管32、第二前驱体进气管33和惰性气体进气管34对接,实现前驱体或惰性气体的进气过程,排气孔213用于在第一反应工位、第二反应工位、第一清扫工位和第二清扫工位上与抽真空管35对接,实现抽气过程,在其余工位上保持与顶盖3的密封状态。
在保证密封效果的同时,将不同的前驱体进气位置以及惰性气体的进气位置分开,提高清扫效率的同时减少碎屑颗粒物产生的可能。
下料组件4包括有下料管41、升降管42、升降机构43、旋转驱动机构44和夹持机构45;
下料管41固定安装在机体1上,下料管41位于基体下料工位的下方,下料管41的底端与外部收料箱连通;
升降管42竖直套设在下料管41上,升降管42与下料管41在竖直方向上滑动设置;
升降机构43安装在机体1内,升降机构43驱动升降管42沿着下料管41轴线进行升降运动;
旋转驱动机构44安装在升降机构43的输出端上,驱动升降管42进行旋转;
夹持机构45安装在升降管42的顶端,用于夹持密封盖24。
在反应腔2中的六等分反应室21运动至基体下料工位时,通过下料组件4对六等分反应室21内部的基体进行下料操作,通过升降机构43输出带动升降管42沿着下料管41上升,将升降管42与排料管23连通,夹持机构45深入排料管23内部,夹持机构45输出将密封盖24夹持,在上升过程中,通过旋转驱动机构44输出带动升降管42旋转,进而带动夹持机构45同步旋转,夹持机构45在旋转时带动与之固定连接的密封盖24解除与排料管23的连接,并且在上升过程中将密封盖24向上顶出,使得排料管23的下料口与下料管41连通,使得基体从六等分反应室21内部下料,完成下料过程。
通过下料组件4对基体进行下料,下料过程中不会堵塞下料口,通过重力作用和机体1对反应腔2的振动驱动,使得六等分反应室21内部的基体均能顺畅的下料,不会影响后续密封盖24对排料管23的密封过程,避免反应腔2内部密封状态遭到破坏。
升降机构43包括有固定架431、升降架432、伸缩限位杆433和升降驱动杆434;
固定架431安装在外壳12的正下方;
升降架432能够升降的设置在固定架431和外壳12之间,升降管42能够绕着升降管42轴线旋转的设置在升降架432上;
伸缩限位杆433竖直安装在固定架431和升降架432之间,伸缩限位杆433的两端分别与固定架431和升降架432固定连接;
升降驱动杆434竖直固定安装在固定架431的底端,升降驱动杆434的输出端竖直向上设置,升降驱动杆434的输出端与升降架432固定连接。
在升降机构43工作时,通过固定架431将升降机构43固定在外壳12上,升降驱动杆434输出带动与之传动连接的升降架432进行升降操作,升降架432在升降时带动与之连接的升降管42同步进行升降,伸缩限位杆433为升降架432的升降起到导向和限位的功能。
旋转驱动机构44包括有第一旋转驱动器441和驱动齿轮442;
升降管42的外侧壁上设有外圈环齿421;
第一旋转驱动器441竖直安装在升降架432底部;
驱动齿轮442能够转动的安装在升降架432的顶端,外圈环齿421与驱动齿轮442处于同一水平高度;
驱动齿轮442与外圈环齿421啮合。
当夹持机构45的顶端与密封盖24的盖底抵触并将密封盖24夹持后,通过第一旋转驱动器441输出带动驱动齿轮442旋转,驱动齿轮442带动与之啮合的外圈环齿421旋转,外圈环齿421在旋转时带动与之固定连接的升降管42同步旋转,进而带动安装在升降管42顶端的夹持机构45同步旋转,将密封盖24从排料管23上旋下,解除了密封盖24和排料管23的螺纹连接关系。
夹持机构45包括有十字安装架451、第二弹性连接架452、三爪卡盘453和卡接爪454;
十字安装架451安装在升降管42的顶端;
第二弹性连接架452竖直安装在十字安装架451上,第二弹性连接架452的外径长小于升降管42的内径长,第二弹性连接架452内部设有缓冲弹簧;
三爪卡盘453竖直固定安装在第二弹性连接架452的顶端,三爪卡盘453上设有能够向外扩张的卡接爪454,密封盖24的内侧壁顶端设有与卡接爪454配合的卡接口241。
在需要对密封盖24进行夹持时,当夹持机构45的顶端与密封盖24的盖底抵触后,通过三爪卡盘453输出将卡接爪454插入密封盖24侧壁上的卡接口241内,将密封盖24与夹持机构45固定,从而使得密封盖24跟随夹持机构45同步旋转和升降,进而能够实现对密封盖24的安装与拆卸的过程。
旋转驱动组件5包括有第二旋转驱动器51和转动轴52;
第二旋转驱动器51竖直固定安装在外壳12的底端;
转动轴52竖直设置,转动轴52与反应腔2共轴线,转动轴52的底端与第二旋转驱动器51的输出端固定连接,转动轴52的顶端与反应腔2的底端固定连接。
第二旋转驱动器51输出带动转动轴52旋转,转动轴52在旋转时带动与之固定连接的六等分反应室21同步旋转,使得六等分反应室21能够在外壳12内部进行旋转,从而实现了六等分反应室21的工位切换功能。
以上实施例仅表达了本发明的一种或几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种原子层沉积设备,包括有机体(1)、反应腔(2)、顶盖(3)、下料组件(4)和旋转驱动组件(5);
旋转驱动组件(5)安装在机体(1)上;
顶盖(3)安装在机体(1)顶端,顶盖(3)与机体(1)之间密封连接;
反应腔(2)安装在机体(1)内,反应腔(2)与旋转驱动组件(5)的输出端传动连接;
其特征在于,反应腔(2)包括有六等分设置的六个六等分反应室(21),机体(1)内分为六个工作区间,六等分反应室(21)能够与六个工作区间对应,依次为基体上料工位、第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位和基体下料工位;
顶盖(3)上设有上料管(31)、第一前驱体进气管(32)、第二前驱体进气管(33)、惰性气体进气管(34)和抽真空管(35);
上料管(31)的一端位于基体上料工位的上方,上料管(31)的另一端与基体上料箱连通;
第一前驱体进气管(32)的一端位于第一反应工位上方,第一前驱体进气管(32)另一端与第一前驱体供气源连通;
第二前驱体进气管(33)的一端位于第二反应工位上方,第二前驱体进气管(33)另一端与第二前驱体供气源连通;
惰性气体进气管(34)的其中一端分别位于第一清扫工位和第二清扫工位上,惰性气体进气管(34)的另一端与惰性气体源连通;
抽真空管(35)的其中一端分别位于第一反应工位、第一清扫工位、第二反应工位、第二清扫工位上方,抽真空管(35)的另一端与抽气泵连通。
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,机体(1)的内部设有连接机构(11)和外壳(12);
外壳(12)通过连接机构(11)弹性连接在机体(1)的内部;
反应腔(2)能够转动的安装在外壳(12)内部,顶盖(3)安装在外壳(12)的顶端;
旋转驱动组件(5)安装在外壳(12)的底端,旋转驱动组件(5)的输出端贯穿外壳(12)的中心处向上设置并且与反应腔(2)传动连接。
3.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,连接机构(11)包括有安装环(111)、第一弹性连接架(112)和振动电机(113);
安装环(111)安装在外壳(12)的外侧壁上,第一弹性连接架(112)设置在安装环(111)和机体(1)之间,第一弹性连接架(112)与安装环(111)固定连接,第一弹性连接架(112)与机体(1)的内侧壁固定连接;
振动电机(113)安装在第一弹性连接架(112)上。
4.根据权利要求2所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,反应腔(2)还包括六个锥形底座(22)和六个排料管(23),六个锥形底座(22)、排料管(23)与六个六等分反应室(21)一一对应;
锥形底座(22)安装在六等分反应室(21)的底部,排料管(23)竖直安装在锥形底座(22)的最下方,排料管(23)通过外侧密封环与外壳(12)密封连接,外壳(12)的内侧壁底端设有供排料管(23)底端滑动的导轨(121),导轨(121)在基体下料工位的对应位置上设有与旋转驱动组件(5)配合的下料开口(122);
反应腔(2)还包括有六个密封盖(24),六个密封盖(24)分别与六个排料管(23)一一对应,密封盖(24)的外侧壁与排料管(23)的内侧壁螺纹连接,密封盖(24)的顶端设有与锥形底座(22)底端密封的密封圈。
5.根据权利要求4所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,六等分反应室(21)的顶端设有接料孔(211)、进气孔(212)和排气孔(213);
接料孔(211)位于六等分反应室(21)的顶端,接料孔(211)和反应腔(2)中心之间的距离与上料管(31)和反应腔(2)中心之间的距离一致;
接料孔(211)位于六等分反应室(21)的顶端,进气孔(212)位于接料孔(211)的旁侧,进气孔(212)和反应腔(2)中心之间的距离与第一前驱体进气管(32)、第二前驱体进气管(33)、惰性气体进气管(34)和反应腔(2)中心之间的距离一致;
排气孔(213)位于六等分反应室(21)的顶端,排气孔(213)和反应腔(2)中心之间的距离与抽真空管(35)和反应腔(2)中心之间的距离一致。
6.根据权利要求4所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,下料组件(4)包括有下料管(41)、升降管(42)、升降机构(43)、旋转驱动机构(44)和夹持机构(45);
下料管(41)固定安装在机体(1)上,下料管(41)位于基体下料工位的下方,下料管(41)的底端与外部收料箱连通;
升降管(42)竖直套设在下料管(41)上,升降管(42)与下料管(41)在竖直方向上滑动设置;
升降机构(43)安装在机体(1)内,升降机构(43)驱动升降管(42)沿着下料管(41)轴线进行升降运动;
旋转驱动机构(44)安装在升降机构(43)的输出端上,驱动升降管(42)进行旋转;
夹持机构(45)安装在升降管(42)的顶端,用于夹持密封盖(24)。
7.根据权利要求6所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,升降机构(43)包括有固定架(431)、升降架(432)、伸缩限位杆(433)和升降驱动杆(434);
固定架(431)安装在外壳(12)的正下方;
升降架(432)能够升降的设置在固定架(431)和外壳(12)之间,升降管(42)能够绕着升降管(42)轴线旋转的设置在升降架(432)上;
伸缩限位杆(433)竖直安装在固定架(431)和升降架(432)之间,伸缩限位杆(433)的两端分别与固定架(431)和升降架(432)固定连接;
升降驱动杆(434)竖直固定安装在固定架(431)的底端,升降驱动杆(434)的输出端竖直向上设置,升降驱动杆(434)的输出端与升降架(432)固定连接。
8.根据权利要求7所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,旋转驱动机构(44)包括有第一旋转驱动器(441)和驱动齿轮(442);
升降管(42)的外侧壁上设有外圈环齿(421);
第一旋转驱动器(441)竖直安装在升降架(432)底部;
驱动齿轮(442)能够转动的安装在升降架(432)的顶端,外圈环齿(421)与驱动齿轮(442)处于同一水平高度;
驱动齿轮(442)与外圈环齿(421)啮合。
9.根据权利要求8所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,夹持机构(45)包括有十字安装架(451)、第二弹性连接架(452)、三爪卡盘(453)和卡接爪(454);
十字安装架(451)安装在升降管(42)的顶端;
第二弹性连接架(452)竖直安装在十字安装架(451)上,第二弹性连接架(452)的外径长小于升降管(42)的内径长,第二弹性连接架(452)内部设有缓冲弹簧;
三爪卡盘(453)竖直固定安装在第二弹性连接架(452)的顶端,三爪卡盘(453)上设有能够向外扩张的卡接爪(454),密封盖(24)的内侧壁顶端设有与卡接爪(454)配合的卡接口(241)。
10.根据权利要求2所述的一种原子层沉积设备,其特征在于,旋转驱动组件(5)包括有第二旋转驱动器(51)和转动轴(52);
第二旋转驱动器(51)竖直固定安装在外壳(12)的底端;
转动轴(52)竖直设置,转动轴(52)与反应腔(2)共轴线,转动轴(52)的底端与第二旋转驱动器(51)的输出端固定连接,转动轴(52)的顶端与反应腔(2)的底端固定连接。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202246121U (zh) * 2011-09-14 2012-05-30 多氟多化工股份有限公司 一种流化床
CN102534556A (zh) * 2012-02-20 2012-07-04 姜谦 一种常压多腔原子层沉积设备
CN104233226A (zh) * 2013-06-09 2014-12-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种原子层沉积设备
CN107254675A (zh) * 2017-06-07 2017-10-17 华中科技大学 一种纳米颗粒空间原子层沉积连续包覆装置及方法
CN109868460A (zh) * 2019-03-14 2019-06-11 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种薄膜生长系统及生长方法
CN215251163U (zh) * 2021-04-26 2021-12-21 鑫天虹(厦门)科技有限公司 具有震动装置的粉末原子层沉积机台

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202246121U (zh) * 2011-09-14 2012-05-30 多氟多化工股份有限公司 一种流化床
CN102534556A (zh) * 2012-02-20 2012-07-04 姜谦 一种常压多腔原子层沉积设备
CN104233226A (zh) * 2013-06-09 2014-12-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种原子层沉积设备
CN107254675A (zh) * 2017-06-07 2017-10-17 华中科技大学 一种纳米颗粒空间原子层沉积连续包覆装置及方法
CN109868460A (zh) * 2019-03-14 2019-06-11 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种薄膜生长系统及生长方法
CN215251163U (zh) * 2021-04-26 2021-12-21 鑫天虹(厦门)科技有限公司 具有震动装置的粉末原子层沉积机台

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Denomination of invention: An atomic layer deposition device

Effective date of registration: 20230320

Granted publication date: 20230131

Pledgee: Agricultural Bank of China Limited Suzhou Xiangcheng Sub-branch

Pledgor: Jiangsu sile Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980035481

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