CN115294935A - 电子装置 - Google Patents

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金赫
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Abstract

本发明涉及电子装置。该电子装置包括：像素驱动电路，用于在发光模式或感测模式下操作，并且包括用于接收参考电压的参考电压线，参考电压包括第一参考电压和不同于第一参考电压的第二参考电压；以及包括第一电极、发光元件和第二电极的发光二极管。发光二极管在发光模式下具有导通状态或断开状态；第一参考电压在发光模式下被施加到参考电压线；第一电压在断开状态下被施加到第一电极；第二电压在导通状态下被施加到第一电极；感测模式包括初始化时段和感测时段；并且，第二参考电压在初始化时段中被施加到参考电压线。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年5月3日提交的韩国专利申请第10-2021-0057357号的优先权和权益，为了所有目的，其全部内容通过引用合并于此，如同本文完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施例总体上涉及一种电子装置，并且更具体地，涉及一种在发光模式和感测模式下操作的电子装置。
背景技术
已经开发了应用于诸如电视、移动电话、平板计算机、导航单元和游戏单元的电子装置的各种显示装置。在显示装置当中，有机发光显示装置使用通过电子和空穴的复合而生成光的有机发光二极管来显示图像。有机发光显示装置具有响应速度快和功耗低的优点。
有机发光二极管被驱动晶体管导通或断开。驱动晶体管具有诸如阈值电压和迁移率等的固有特性，并且对于每个驱动晶体管，这些特性值是不同的。另外，驱动晶体管随着驱动时间的流逝而劣化，并且驱动晶体管的固有特性被改变。即使驱动时间相同，驱动晶体管之间的劣化程度也存在差异，并且劣化的差异导致驱动晶体管之间的固有特性的偏差。
驱动晶体管之间的固有特性的偏差导致有机发光显示装置的亮度差异和亮度非均匀性。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的原理构造的电子装置能够通过提供用于感测电子装置的驱动晶体管的固有特性的准确的并且精确的测量来提高并且增强显示质量。
本发明构思的附加特征将在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显而易见，或者可以通过本发明构思的实践而习得。
根据本发明的一方面，一种电子装置，包括：像素驱动电路，用于在发光模式或感测模式下操作，像素驱动电路包括用于接收参考电压的参考电压线，参考电压包括第一参考电压和不同于第一参考电压的第二参考电压；以及包括第一电极、发光元件和第二电极的发光二极管。
发光二极管在发光模式下具有导通状态或断开状态，第一参考电压在发光模式下被施加到参考电压线，第一电压在发光二极管的断开状态下被施加到第一电极，第二电压在发光二极管的导通状态下被施加到第一电极，并且其中：感测模式包括初始化时段和感测时段，并且第二参考电压在初始化时段中被施加到参考电压线。
第二参考电压可以具有在第一电压和第二电压之间的电压电平。
参考电压可以在感测时段中具有浮置状态。
当在平面中观察时，第一电极的至少一部分可以与参考电压线重叠。
第二电压可以比第一电压高。
第二参考电压可以具有通过将第一电压和第二电压的总和除以2而获得的电压电平。
像素驱动电路可以进一步包括：用于驱动发光二极管的驱动晶体管；电连接在驱动晶体管的第一节点和参考电压线之间的感测晶体管；以及电连接在驱动晶体管的第二节点和数据线之间的开关晶体管。
感测晶体管和开关晶体管可以在初始化时段中被导通。
感测晶体管可以在感测时段中被导通，并且开关晶体管可以在感测时段中被断开。
第一电压可以与第一参考电压具有相同的电压电平。
第二参考电压可以比第一参考电压高。
第二参考电压可以比第一电压高并且比第二电压低。
根据本发明的另一方面，一种电子装置，包括：显示面板，包括多个像素，显示面板用于在发光模式或感测模式下操作。多个像素中的每一个像素包括：包括第一电极、发光元件和第二电极的发光二极管；用于驱动发光二极管的驱动晶体管；电连接在驱动晶体管的第一节点和参考电压线之间的感测晶体管；以及电连接在驱动晶体管的第二节点和数据线之间的开关晶体管。第一电压或不同于第一电压的第二电压在发光模式下被施加到第一节点，并且不同于第一电压和第二电压中的每一个的第三电压在感测模式下被施加到参考电压线。
第三电压可以具有在第一电压和第二电压之间的电压电平。
当在平面中观察时，第一电极的至少一部分可以与参考电压线重叠。
第一电压可以比第二电压低。
第三电压可以是在第一电压和第二电压之间的平均值。
发光二极管可以具有导通状态或断开状态，第一电压可以在断开状态下被施加到第一节点，并且第二电压可以在导通状态下被施加到第一节点。
感测模式可以包括初始化时段和感测时段，并且感测晶体管和开关晶体管可以在初始化时段中被导通。
感测晶体管可以在感测时段中被导通，并且开关晶体管可以在感测时段中被断开。
根据本发明的又一方面，一种电子装置，包括：多个像素，每个像素用于在光导通状态模式、光断开状态模式或感测模式下操作，每个像素包括：用于发光的发光二极管；以及用于驱动发光二极管的驱动晶体管，驱动晶体管在第一节点处连接到发光二极管，其中：第一节点在发光二极管不发光的光断开状态模式下以第一电压充电，第一节点在发光二极管发光的光导通状态模式下以比第一电压高的第二电压充电，并且第一节点在测量驱动晶体管的固有特性的感测模式下以比第一电压高并且比第二电压低的第三电压充电。
第三电压可以是在第一电压和第二电压之间的平均值。
根据上述，第二参考电压在感测模式的初始化时段中被施加到参考电压线，并且因此，减小了在显示黑色图像之后形成的寄生电容和在显示红色图像或白色图像之后形成的寄生电容之间的差。因此，减小了寄生电容在感测模式下对感测操作的影响。因此，提高了感测准确性，并且提高了信号控制电路在计算补偿值时的准确性。结果，提高了电子装置的显示质量。
将理解，前面的一般性描述和以下详细描述两者都是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解、并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示本发明的说明性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据本发明的原理构造的电子装置的实施例的透视图。
图2是图1的电子装置的框图。
图3是图1的电子装置的代表像素的布局。
图4是图3的代表像素的等效电路图。
图5A和图5B是图示用于驱动图4的像素的驱动信号的波形图。
图6是图示根据实施例的、图4的像素在感测模式的初始化时段中的驱动操作和第一节点的电压波形的示意图。
图7是图示根据实施例的、图4的像素在感测模式的感测时段中的驱动操作和第一节点的电压波形的示意图。
图8是图示根据实施例的、图4的像素在重写时段中的驱动操作和第一节点的电压波形的示意图。
图9是图示根据实施例的第一电极和参考电压线的示意图。
图10是图示根据实施例的第一电压的电压值、第二电压的电压值、第一参考电压的电压值和第二参考电压的电压值的示意图。
具体实施方式
在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各个实施例或实现方式的透彻理解。如本文所使用的，“实施例”和“实现方式”是可互换的词，其是采用本文所公开的发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或者在具有一个或多个等价设置的情况下来实践各个实施例。在其他实例中，以框图形式示出了众所周知的结构和装置，以便避免不必要地模糊各个实施例。进一步，各个实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，可以在另一实施例中使用或实现实施例的具体形状、配置和特性。
除非另外说明，否则所图示的实施例要被理解为提供了可在实践中实现本发明构思的某些方式的细节变化的说明性特征。因此，除非另外说明，否则，在不脱离本发明构思的情况下，各个实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中，单独或共同被称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新排列。
通常提供附图中交叉影线和/或阴影的使用，以澄清邻近元件之间的边界。因此，除非如此规定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失不传递或指示对于特定材料、材料属性、尺寸、比例、所图示元件之间的共同性和/或元件的任何其他特性、性质、属性等的任何偏好或需求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实现时，可以不同于所述顺序而执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到该另一元件或层，或者可以存在居间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间的元件的物理的、电的和/或流体的连接。进一步，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴，y轴和z轴)，并且可以以更宽泛的意义解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称作第二元件。
诸如“下方”、“下面”、“之下”、“下部”、“上面”、“上部”、“之上”、“高于”和“侧面”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性的目的，并且从而描述如附图中所图示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件将然后被定向在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可以包括上面和下面的定向两者。此外，设备可以另外定向(例如，旋转90度或按照其他定向)，并且因此，相应地解释本文所使用的空间相对描述符。
本文所使用的术语用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还要注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且因此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的在测量、计算和/或提供的数值中的固有偏差。
按照本领域的惯例，一些实施例在附图中以功能框、单元和/或模块来描述和图示。本领域技术人员将理解，这些框、单元和/或模块由电子(或光学)电路物理地实现，电子(或光学)电路诸如逻辑电路、离散部件、微处理器、硬接线电路、存储器元件和布线连接等，其可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成。在框、单元和/或模块由微处理器或其他类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如，微代码)编程并且控制它们以执行本文所讨论的各种功能，并且它们可以可选择地被固件和/或软件驱动。还要考虑到，每个框、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或作为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合。另外，在不脱离本发明构思的范围的情况下，一些实施例的每个框、单元和/或模块可以物理地分离成两个或更多个相互作用并且离散的框、单元和/或模块。进一步，在不脱离本发明构思的范围的情况下，一些实施例的每个框、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的框、单元和/或模块。
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中所限定的那些术语应该解释为具有与相关领域上下文中它们的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
在下文中，将参考附图详细地解释实施例。
图1是示出根据实施例的电子装置ED的透视图。
参考图1，电子装置ED可以包括显示面板DP。显示面板DP可以包括被限定在其中的显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以被限定为与显示区域DA邻近。
显示区域DA可以是其中显示图像的区域。非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。多个像素PX可以在显示区域DA中排列。像素PX可以表示用于显示图像的有效像素。
显示区域DA可以基本上平行于被第一方向DR1以及与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的平面。第三方向DR3可以基本上指示显示区域DA的法线方向，即，显示面板DP的厚度方向DR3。电子装置ED的每个构件的前(例如，上)表面和后(例如，下)表面可以相对于第三方向DR3被限定。表述“当在平面中观察时”可以表示在第三方向DR3上观察的状态。
显示面板DP可以应用于诸如电视机、监视器或户外广告牌的大型显示装置以及诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字助理、汽车导航单元、游戏单元、移动电子装置或照相机的中小型显示装置。然而，这些仅仅是示例，并且显示面板DP可以应用于其他电子装置，只要它们不脱离实施例的构思。
根据实施例，显示面板DP可以是发光型显示面板。然而，实施例不限于此。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型LED显示面板或纳米LED显示面板。有机发光显示面板的发光元件可以包括有机发光材料。无机发光显示面板的发光元件可以包括量子点或量子棒。微型LED显示面板的发光元件可以包括微型LED元件。纳米LED显示面板的发光元件可以包括纳米LED元件。
显示面板DP的边框区域可以被非显示区域NDA限定。非显示区域NDA可以被限定为与显示区域DA邻近。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，实施例不限于此或不受此限制。显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状可以被设计为具有彼此相关的各种形状。根据实施例，可以省略非显示区域NDA。
图2是示出根据实施例的电子装置ED的框图。
参考图2，显示面板DP可以包括多条扫描线GL1至GLn、多条数据线DL1至DLm以及像素PX。像素PX中的每一个可以连接到数据线DL1至DLm当中的对应数据线和扫描线GL1至GLn当中的对应扫描线，然而，这仅仅是一个示例。根据实施例，显示面板DP可以进一步包括发光控制线，并且电子装置ED可以进一步包括用于将控制信号施加到发光控制线的发光驱动电路。显示面板DP的配置不应特别限于此。
电子装置ED可以进一步包括信号控制电路100C1、扫描驱动电路100C2、数据驱动电路100C3和电源100C4。
信号控制电路100C1可以从外部源接收图像数据RGB和控制信号D-CS。控制信号D-CS可以包括多种信号。作为示例，控制信号D-CS可以包括输入垂直同步信号、输入水平同步信号、主时钟和数据使能信号。
信号控制电路100C1可以响应于控制信号D-CS而生成第一控制信号CONT1和垂直同步信号Vsync，并且可以将第一控制信号CONT1和垂直同步信号Vsync输出到扫描驱动电路100C2。垂直同步信号Vsync可以被包括在第一控制信号CONT1中。
信号控制电路100C1可以响应于控制信号D-CS而生成第二控制信号CONT2和水平同步信号Hsync，并且可以将第二控制信号CONT2和水平同步信号Hsync输出到数据驱动电路100C3。水平同步信号Hsync可以被包括在第二控制信号CONT2中。
此外，信号控制电路100C1可以将通过根据显示面板DP的操作条件处理图像数据RGB而生成的数据信号DS输出到数据驱动电路100C3。扫描驱动电路100C2和数据驱动电路100C3的操作需要第一控制信号CONT1和第二控制信号CONT2。然而，实施例不限于此。
扫描驱动电路100C2可以响应于第一控制信号CONT1和垂直同步信号Vsync而驱动扫描线GL1至GLn。根据实施例，扫描驱动电路100C2可以通过与显示面板DP的像素(参考图3)的层相同的工艺形成。然而，实施例不限于此或不受此限制。作为示例，扫描驱动电路100C2可以在被实现为集成电路(IC)之后直接安装在显示面板DP的预定区域中，或者可以以膜上芯片(COF)方法安装在单独的印刷电路板上以电连接到显示面板DP。
数据驱动电路100C3可以响应于来自信号控制电路100C1的第二控制信号CONT2、水平同步信号Hsync和数据信号DS而输出灰度电压以驱动数据线DL1至DLm。数据驱动电路100C3可以在被实现为集成电路(IC)之后直接安装在显示面板DP的预定区域中，或者可以以膜上芯片(COF)方法安装在单独的印刷电路板上以电连接到显示面板DP。然而，实施例不限于此。作为示例，数据驱动电路100C3可以通过与显示面板DP的像素(参考图3)的层相同的工艺形成。
数据驱动电路100C3可以包括模数转换器ADC。将稍后描述模数转换器ADC。
电源100C4可以将电压供应到显示面板DP。电源100C4可以将第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和参考电压Vref供应到像素PX。第一电源ELVDD可以具有比第二电源ELVSS的电压电平高的电压电平。参考电压Vref可以是对第一晶体管的栅电极进行初始化的初始化电压。第一电源ELVDD可以具有从大约3伏(V)到大约6伏(V)的电压，并且第二电源ELVSS可以具有从大约-7伏到大约0伏的电压，然而，这些仅仅是示例。根据实施例，可以在能够驱动显示面板DP的电压范围内以各种方式改变第一电源ELVDD的电压和第二电源ELVSS的电压。
图3是根据实施例的像素的布局，并且图4是示出根据实施例的像素PX_R的等效电路图。
参考图3和图4，像素PX可以包括第一像素PX_R、第二像素PX_G和第三像素PX_B。第一像素PX_R可以发射红光。第二像素PX_G可以发射绿光。第三像素PX_B可以发射蓝光。
数据线DL1至DLm可以包括第一数据线DL_R、第二数据线DL_G和第三数据线DL_B。第一数据线DL_R、第二数据线DL_G和第三数据线DL_B中的每一条可以在第二方向DR2上延伸。例如，第一数据线DL_R、第二数据线DL_G和第三数据线DL_B可以在第一方向DR1上排列。
第一电源线PL1可以在第二方向DR2上延伸。第一电源ELVDD可以被施加到第一电源线PL1。
第二电源线PL2可以在第二方向DR2上延伸。第二电源ELVSS可以被施加到第二电源线PL2。
参考电压线SL可以布置在第一电源线PL1和第二电源线PL2之间。参考电压线SL可以在第二方向DR2上延伸。当在平面中观察时，参考电压线SL可以与第一像素PX_R的第一电极AND_R的至少一部分重叠，然而，像素的布局不应限于此或不应受此限制。例如，参考电压线SL可以与第二像素PX_G的第一电极AND_G的一部分和第三像素PX_B的第一电极AND_B的一部分重叠。
扫描线GL1至GLn可以包括第一扫描线SCL和第二扫描线SSL。
第一扫描线SCL可以在第一方向DR1上延伸。第一扫描线SCL可以接收扫描信号SC。
第二扫描线SSL可以在第一方向DR1上延伸。第二扫描线SSL可以接收感测信号SS。
图4示出第一像素PX_R的等效电路图。进一步，图4的等效电路图可以应用于第二像素PX_G和第三像素PX_B。
第一像素PX_R可以包括像素驱动电路PDC和发光二极管OLED。
根据实施例，像素驱动电路PDC可以包括三个晶体管和一个电容器。如上所述被配置为包括三个晶体管和一个电容器的像素PX_R的结构可以被称为3T1C结构，然而，这仅仅是一个示例。根据实施例，可以改变或修改像素驱动电路PDC的晶体管的数量和电容器的数量。
像素驱动电路PDC可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、感测晶体管T3、电容器Cst和参考电压线SL。
发光二极管OLED可以在导通状态(例如，光导通状态模式)或断开状态(例如，光断开状态模式)下操作。发光二极管OLED可以包括第一电极AND、发光元件EM和第二电极。第一电极AND可以被称为阳极AND。第二电极可以被称为阴极。例如，发光二极管OLED可以在导通状态下发光，并且发光二极管OLED可以在断开状态下不发光。
第一电极AND可以电连接到驱动晶体管T1的源节点或漏节点。第二电源ELVSS可以被施加到第二电极。
驱动晶体管T1可以将驱动电流供应到发光二极管OLED以驱动发光二极管OLED。
驱动晶体管T1可以包括与源节点或漏节点相对应的第一节点N1、与栅节点相对应的第二节点N2以及与漏节点或源节点相对应的第三节点N3。图4示出包括分别与驱动晶体管T1的源节点、栅节点和漏节点相对应的第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3的驱动晶体管T1。
第一节点N1可以电连接到发光二极管OLED的第一电极AND。第一电源ELVDD可以被施加到第三节点N3。
开关晶体管T2可以将数据电压Vdata施加到驱动晶体管T1的第二节点N2。开关晶体管T2可以由被施加到开关晶体管T2的栅节点的扫描信号SC控制，并且可以电连接在驱动晶体管T1的第二节点N2和数据线之间。
电容器Cst可以电连接在驱动晶体管T1的第一节点N1和第二节点N2之间。电容器Cst可以被称为存储电容器Cst。电容器Cst可以在一个帧时段内保持均匀电压(例如，恒定的电压)。
感测晶体管T3可以由被施加到感测晶体管T3的栅节点的感测信号SS控制，并且可以电连接在参考电压线SL和第一节点N1之间。
感测晶体管T3可以被导通，使得经由参考电压线SL被施加到其的参考电压Vref被施加到驱动晶体管T1的第一节点N1。
此外，被导通的感测晶体管T3可以将电连接到参考电压线SL的模数转换器ADC连接到驱动晶体管T1的第一节点N1，使得驱动晶体管T1的第一节点N1的电压被模数转换器ADC感测。
感测晶体管T3可以是用于相对于驱动晶体管T1的固有特性的补偿功能的晶体管。驱动晶体管T1的固有特性可以包括例如阈值电压(Vth)和迁移率等。
感测晶体管T3可以用于通过使用驱动晶体管T1的源跟随操作来感测像素PX中的每一个的驱动晶体管T1的固有特性(例如，阈值电压(Vth))，在源跟随操作中，第一节点N1的电压跟随第二节点N2的电压，第一节点N1的电压和第二节点N2的电压之间的电压差与例如驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)相对应。例如，感测晶体管T3可以用于感测驱动晶体管T1的第一节点N1的电压作为感测电压。在这种情况下，可以基于感测电压来感测驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)的变化。
作为示例，恒定的电压可以被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2以限定驱动晶体管T1的固有特性(例如，阈值电压(Vth)或电流能力)。驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)或电流能力(即，迁移率)可以通过在一定时间内充入的电压量被相对地确定，并且可以基于确定的阈值电压(Vth)或电流能力来计算用于补偿的补偿增益。可以通过花费一定量的时间以用于驱动屏幕，来执行通过迁移率的感测的迁移率的补偿。因此，可以感测并且补偿实时改变的驱动晶体管T1的参数。这将稍后描述。
根据实施例，在像素PX中的每一个中，驱动晶体管T1的固有特性(例如，阈值电压(Vth)、迁移率等)可以通过感测晶体管T3被模数转换器ADC感测。由于可以补偿驱动晶体管T1之间的固有特性，因此可以提高显示面板DP的亮度均匀性。因此，可以提高电子装置ED(参考图1)的显示质量。
像素驱动电路PDC可以电连接到模数转换器ADC。
模数转换器ADC可以感测参考电压线SL的电压、可以将感测到的电压转换为数字值以生成感测数据并且可以将生成的感测数据传输到信号控制电路100C1(参考图2)。
模数转换器ADC可以将感测数据提供到信号控制电路100C1(参考图2)，使得信号控制电路100C1可以在数字基础上计算补偿值并且补偿感测数据。
像素驱动电路PDC可以进一步包括第一开关SW1和第二开关SW2。
第一开关SW1可以响应于第一开关信号而电连接参考电压线SL和参考电压Vref的供应节点。
第二开关SW2可以响应于第二开关信号(采样信号)而电连接参考电压线SL和模数转换器ADC。
当第一开关SW1处于断开状态并且第二开关SW2处于导通状态时，参考电压线SL可以连接到模数转换器ADC，并且因此，模数转换器ADC可以感测参考电压线SL的电压。
图5A和图5B是示出根据实施例的用于驱动像素的驱动信号的波形图。
参考图3、图4、图5A和图5B，像素驱动电路PDC可以在发光模式AM或感测模式SM下操作。发光模式AM可以是其中发光二极管OLED发光的驱动模式。
参考电压Vref可以被施加到参考电压线SL。参考电压Vref可以包括第一参考电压VR1和第二参考电压VR2。第二参考电压VR2可以不同于第一参考电压VR1。第二参考电压VR2可以被称为第三电压VR2。
发光模式可以包括初始化时段A10、记录时段A20和发光时段A30。
驱动晶体管T1的第一节点N1可以在初始化时段A10中被初始化。为此，第一参考电压VR1可以被施加到参考电压线SL以作为初始化电压。作为示例，第一参考电压VR1可以具有大约2伏的电压电平。感测信号SS可以被施加到感测晶体管T3的栅节点。因此，感测晶体管T3可以被感测信号SS导通。第一参考电压VR1可以通过被导通的感测晶体管T3被施加到驱动晶体管T1的第一节点N1。在初始化时段A10期间提供的参考电压Vref可以通过考虑峰值/黑电流和数据驱动电路100C3的电压输出能力被确定。
在记录时段A20中，扫描信号SC可以被施加到开关晶体管T2的栅节点。因此，开关晶体管T2可以被导通。数据电压Vdata可以通过被导通的开关晶体管T2被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2。因此，在记录时段A20中，驱动晶体管T1的第二节点N2和第一节点N1之间可以出现恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)。例如，电容器Cst两端可以出现恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)，并且因此，在记录时段A20中，电荷可以通过恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)被充入电容器Cst中。
当开关晶体管T2和感测晶体管T3在发光时段A30中基本上同时被断开时，驱动晶体管T1的第一节点N1和第二节点N2可以被浮置(例如，处于浮置状态)，并且可以在保持恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)的同时升高电压。因此，当驱动晶体管T1的第一节点N1的电压变得比某个电压(例如，发光二极管OLED的最小阈值电压)高时，电流可以流过发光二极管OLED，并且因此，发光二极管OLED可以发光。
图5A是示出用于驱动在断开状态下(例如，在光断开状态模式下)的发光二极管OLED的驱动信号的波形图。例如，发光二极管OLED可以在断开状态下不发光。
数据电压Vdata可以被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2。在这种情况下，数据电压Vdata可以在断开状态下具有第一电压V1。在断开状态下操作的发光二极管OLED的第一电极AND_R可以具有第一阳极电压AND_VB。由于作为第一电压V1提供的数据电压Vdata，第一像素PX_R可以显示黑色图像。第一电压V1可以具有与第一参考电压VR1的电压电平基本上相同的电压电平。作为示例，第一电压V1可以具有大约2伏的电压电平。因此，可以不出现恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)。例如，恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)可以基本上是0伏，并且因此，发光二极管OLED可以在发光时段A30中不发光。发光二极管OLED可以显示黑色图像。
图5B是示出用于驱动在导通状态下(例如，在光导通状态模式下)操作的发光二极管OLED的驱动信号的波形图。
数据电压Vdata可以在导通状态下被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2。在这种情况下，驱动晶体管T1可以例如通过驱动晶体管T1的源跟随操作，基于数据电压Vdata而将不同于第一电压V1的第二电压V2提供到第一节点N1。例如，第二电压V2可以比第一电压V1高。作为示例，第二电压V2可以具有大约14伏的电压电平。在导通状态下操作的发光二极管OLED的第一电极AND_R可以具有例如与第二电压V2相对应的第二阳极电压AND_VR。由于施加到第二节点N2的数据电压Vdata(通过其在第一节点N1处生成第二电压V2)，第一像素PX_R可以显示红色图像或白色图像。例如，当出现恒定的电位差(例如，Vdata-VR1)并且驱动晶体管T1的第一节点N1的电压变得比某个电压(例如，发光二极管OLED的最小阈值电压)高时，电流可以流过发光二极管OLED，并且因此，发光二极管OLED可以发光。
感测模式SM可以是用于补偿像素PX中的每一个的驱动晶体管T1的阈值电压和迁移率的模式。
感测模式SM可以包括初始化时段S10、感测时段S20和重写时段S30。这将稍后描述。
数据电压Vdata可以通过数据线被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2，以补偿驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)和迁移率。第二参考电压VR2可以经由参考电压线SL被施加到驱动晶体管T1的第一节点N1。第二阳极电压AND_VR可以在第一点P之后被第二参考电压VR2初始化。然后，驱动晶体管T1的第一节点N1可以被浮置(例如，处于浮置状态)，并且因此，第一节点N1的电压可以被改变并且然后可以变得恒定或稳定。模数转换器ADC可以经由参考电压线SL测量变得恒定或稳定的电压(Vdata-Vth)。因此，模数转换器ADC可以基于数据电压Vdata感测驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)。可以通过基于感测的阈值电压(Vth)而将阈值电压(Vth)和每个数据电压Vdata相加来执行补偿。这将稍后描述。
图5A和图5B中示出的波形仅仅是示例，并且用于驱动像素的每个驱动信号的波形不应限于此或不应受此限制，只要它们适合于驱动像素PX。
图6是示出根据实施例的像素在感测模式的初始化时段S10中的驱动操作和第一节点N1的电压波形的视图。在图6中，相同的附图标记表示图4中相同的元件，并且因此，为了描述方便，将省略相同的元件的详细描述。
参考图5A、图5B和图6，驱动晶体管T1的第一节点N1和第二节点N2可以在初始化时段S10中被初始化为某个电压。
在初始化时段S10中，开关晶体管T2和感测晶体管T3可以处于导通状态。第一开关SW1可以处于导通状态，而第二开关SW2可以处于断开状态。例如，参考电压线SL可以接收参考电压Vref，并且可以不连接到模数转换器ADC。
施加到参考电压线SL的第二参考电压VR2可以经由被导通的感测晶体管T3被施加到驱动晶体管T1的第一节点N1。第二参考电压VR2可以比第一参考电压VR1高。第二参考电压VR2可以比第一电压V1高并且可以比第二电压V2低。例如，第二参考电压VR2可以具有在第一电压V1(例如，2伏)和第二电压V2(例如，14伏)之间的值。作为示例，第二参考电压VR2可以具有大约8伏的电压电平。驱动晶体管T1的第一节点N1可以被初始化为第二参考电压VR2。
数据电压Vdata可以经由被导通的开关晶体管T2被施加到驱动晶体管T1的第二节点N2。因此，驱动晶体管T1的第二节点N2可以被初始化为数据电压Vdata。
图7是示出根据实施例的像素在感测模式的感测时段S20中的驱动操作和第一节点N1的电压波形的视图。在图7中，相同的附图标记表示图4中相同的元件，并且因此，为了描述方便，将省略相同的元件的详细描述。
参考图5A、图5B和图7，驱动晶体管T1的第一节点N1的电压可以在感测时段S20中被升高。
在感测时段S20中，开关晶体管T2可以处于导通状态，而感测晶体管T3可以处于断开状态。第一开关SW1和第二开关SW2可以处于断开状态。例如，参考电压线SL可以不接收参考电压Vref，并且可以不连接到模数转换器ADC。
在感测时段S20中，参考电压Vref可以处于浮置状态。
由于第一开关SW1处于断开状态，因此参考电压Vref可以不被施加到驱动晶体管T1的第一节点N1。例如，驱动晶体管T1的第一节点N1可以被浮置(例如，处于浮置状态)。
在感测时段S20中，驱动晶体管T1的第一节点N1的电压可以被升高或增大。
驱动晶体管T1的第一节点N1的电压可以被饱和或被稳定在通过从驱动晶体管T1的第二节点N2的数据电压Vdata中减去驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)而获得的电压(Vdata-Vth)处。
在驱动晶体管T1的第一节点N1的电压被饱和或被稳定之后，可以感测驱动晶体管T1的第一节点N1的电压以感测驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)。
例如，重写时段S30可以在驱动晶体管T1的第一节点N1的电压被饱和或被稳定之后进行。
图8是示出根据实施例的像素在重写时段S30中的驱动操作和第一节点N1的电压波形的视图。在图8中，相同的附图标记表示图4中相同的元件，并且因此，为了描述方便，将省略相同的元件的详细描述。
参考图5A、图5B和图8，第一开关SW1可以在重写时段S30中处于断开状态，而第二开关SW2可以在重写时段S30中处于导通状态。感测晶体管T3可以处于导通状态。
由于第二开关SW2处于导通状态，因此模数转换器ADC可以电连接到参考电压线SL并且可以对参考电压线SL的电压进行采样。
像素PX(参考图1)中的每一个的驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)可以基于被模数转换器ADC感测的电压Vsense而被确定，并且驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)的差可以被确定或被测量。例如，电压Vsense可以是通过从数据电压Vdata中减去驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)而获得的电压电平。
模数转换器ADC可以将感测的电压Vsense转换为数字值并且生成感测数据、可以基于生成的感测数据而确定阈值电压的差并且可以确定且存储相对于像素PX(参考图1)中的每一个的数据补偿值。数据补偿值可以用于补偿阈值电压的差。
信号控制电路100C1(参考图2)可以基于数据补偿值改变图像数据。数据驱动电路100C3(参考图2)可以使用数模转换器(DAC)将补偿的图像数据转换为数据电压，并且可以将数据电压输出到对应的数据线。通过这个，基本上执行了补偿操作。
图6、图7和图8示出作为代表示例的用于补偿阈值电压(Vth)的感测操作，然而，感测模式SM下的感测操作不应限于此或不应受此限制，并且可以应用于各种感测操作。
图9是示意性地示出根据实施例的第一电极AND_R和参考电压线SL的视图，并且图10是示出根据实施例的第一电压V1的电压值、第二电压V2的电压值、第一参考电压VR1的电压值和第二参考电压VR2的电压值的视图。
参考图3、图5A、图5B、图9和图10，当在平面中观察时，第一像素PX_R的第一电极AND_R的至少一部分可以与参考电压线SL重叠。寄生电容Cp可以形成在第一电极AND_R和参考电压线SL之间。
寄生电容Cp可以包括第一寄生电容Q2和第二寄生电容Q1。
在第一像素PX_R显示黑色图像之后，第一寄生电容Q2可以形成在第一电极AND_R和参考电压线SL之间。
在显示黑色图像的发光模式AM的发光时段A30中，第一电压V1可以被施加到第一像素PX_R的第一电极AND_R。第一电压V1可以具有与第一参考电压VR1的电压电平基本上相同的电压电平。例如，第一电压V1可以具有大约2伏的电压电平。
在感测模式SM的初始化时段S10中，第二参考电压VR2可以被施加到参考电压线SL。
第二参考电压VR2可以具有比第一参考电压VR1的电压电平高的电压电平。第二参考电压VR2可以具有比第一电压V1的电压电平高并且比第二电压V2的电压电平低的电压电平。例如，第二参考电压VR2可以具有在第一电压V1和第二电压V2之间的电压电平。
第二参考电压VR2可以具有在第一电压V1和第二电压V2之间的平均值。例如，第二参考电压VR2可以具有通过将第一电压V1和第二电压V2的总和除以2而获得的值。例如，第二参考电压VR2可以具有大约8伏的电压电平。
第一寄生电容Q2可以由第一电压V1和第二参考电压VR2形成。
在第一像素PX_R显示红色图像或白色图像之后，第二寄生电容Q1可以形成在第一电极AND_R和参考电压线SL之间。
在用于显示红色图像或白色图像的发光模式AM的发光时段A30中，第二电压V2可以被施加到第一像素PX_R的第一电极AND_R。第二电压V2可以具有比第一电压V1的电压电平高的电压电平。例如，第二电压V2可以具有大约14伏的电压电平。
在感测模式SM的初始化时段S10中，第二参考电压VR2可以被施加到参考电压线SL。由于在发光时段A30中编程的第二电压V2，寄生电容可以在初始化时段S10中形成。例如，第二寄生电容Q1可以由第二电压V2和第二参考电压VR2形成。
根据实施例，具有在第一电压V1和第二电压V2之间的电压电平的第二参考电压VR2可以在感测模式SM的初始化时段S10中被施加到参考电压线SL，并且因此，可以减小在显示其中提供第一电压V1的黑色图像之后形成的第一寄生电容Q2和在显示其中提供第二电压V2的红色图像或白色图像之后形成的第二寄生电容Q1之间的差。因此，当在感测模式SM下执行感测操作时，可以减少寄生电容Cp对感测操作的影响。因此，可以提高感测准确性，并且可以提高信号控制电路100C1在计算补偿值时的准确性。结果，可以提高电子装置ED(参考图1)的显示质量。
与实施例相比，在感测模式SM的初始化时段S10中第一参考电压VR1被施加到参考电压线SL的情况下，由于由第一电压V1和第一参考电压VR1形成的第一电容与由第二电压V2和第一参考电压VR1形成的第二电容之间的差，相对于同一驱动晶体管T1，在显示黑色图像之后感测的固有特性和在显示红色图像或白色图像之后感测的固有特性可能彼此不同。因此，可能降低感测准确性，并且当计算补偿值时，信号控制电路100C1可能会获得不正确的补偿值。结果，尽管为改善亮度差进行了补偿，但是图像质量可能劣化或退化。
然而，根据实施例，具有在第一电压V1和第二电压V2之间的电压电平的第二参考电压VR2可以在感测模式SM的初始化时段S10中被施加到参考电压线SL，并且因此，与第一电容和第二电容之间的差相比，可以减小第一寄生电容Q2和第二寄生电容Q1之间的差。因此，当在感测模式SM下执行感测操作时，可以减少寄生电容Cp对感测操作的影响。因此，可以提高感测准确性，并且可以提高信号控制电路100C1在计算补偿值时的准确性。结果，可以提高电子装置ED(参考图1)的显示质量。
图3和图9示出了当在平面中观察时参考电压线SL与第一像素PX_R重叠的结构，然而，根据实施例的显示面板DP(参考图1)的像素的布局不应限于此或不应受此限制。作为示例，参考电压线SL可以根据第一像素PX_R、第二像素PX_G和第三像素PX_B的排列而与第二像素PX_G或第三像素PX_B重叠，并且第一像素PX_R的以上描述可以应用于第二像素PX_G或第三像素PX_B。
尽管本文已经描述了某些实施例和实现方式，但是根据本说明书，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施例，而是相反，限于所附权利要求的更宽范围以及对于本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显的修改和等价设置。

Claims (22)

1.一种电子装置，包括：
像素驱动电路，用于在发光模式或感测模式下操作，所述像素驱动电路包括用于接收参考电压的参考电压线，所述参考电压包括第一参考电压和不同于所述第一参考电压的第二参考电压；以及
包括第一电极、发光元件和第二电极的发光二极管，其中：
所述发光二极管在所述发光模式下具有导通状态或断开状态，
所述第一参考电压在所述发光模式下被施加到所述参考电压线，
第一电压在所述发光二极管的所述断开状态下被施加到所述第一电极，并且
第二电压在所述发光二极管的所述导通状态下被施加到所述第一电极，并且其中：
所述感测模式包括初始化时段和感测时段，并且
所述第二参考电压在所述初始化时段中被施加到所述参考电压线。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二参考电压具有在所述第一电压和所述第二电压之间的电压电平。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述参考电压在所述感测时段中具有浮置状态。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当在平面中观察时，所述第一电极的至少一部分与所述参考电压线重叠。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二电压比所述第一电压高。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二参考电压具有通过将所述第一电压和所述第二电压的总和除以2而获得的电压电平。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述像素驱动电路进一步包括：
用于驱动所述发光二极管的驱动晶体管；
电连接在所述驱动晶体管的第一节点和所述参考电压线之间的感测晶体管；以及
电连接在所述驱动晶体管的第二节点和数据线之间的开关晶体管。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中，所述感测晶体管和所述开关晶体管在所述初始化时段中被导通。
9.根据权利要求7所述的电子装置，其中：
所述感测晶体管在所述感测时段中被断开，并且
所述开关晶体管在所述感测时段中被导通。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一电压与所述第一参考电压具有相同的电压电平。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二参考电压比所述第一参考电压高。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的电子装置，其中，所述第二参考电压比所述第一电压高并且比所述第二电压低。
13.一种电子装置，包括：
显示面板，包括多个像素，所述显示面板用于在发光模式或感测模式下操作，所述多个像素中的每一个像素包括：
包括第一电极、发光元件和第二电极的发光二极管；
用于驱动所述发光二极管的驱动晶体管；
电连接在所述驱动晶体管的第一节点和参考电压线之间的感测晶体管；以及
电连接在所述驱动晶体管的第二节点和数据线之间的开关晶体管，其中：
第一电压或不同于所述第一电压的第二电压在所述发光模式下被施加到所述第一节点，并且
不同于所述第一电压和所述第二电压中的每一个的第三电压在所述感测模式下被施加到所述参考电压线。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第三电压具有在所述第一电压和所述第二电压之间的电压电平。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中，当在平面中观察时，所述第一电极的至少一部分与所述参考电压线重叠。
16.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第一电压比所述第二电压低。
17.根据权利要求13所述的电子装置，其中，所述第三电压是在所述第一电压和所述第二电压之间的平均值。
18.根据权利要求13所述的电子装置，其中：
所述发光二极管具有导通状态或断开状态，
所述第一电压在所述断开状态下被施加到所述第一节点，并且
所述第二电压在所述导通状态下被施加到所述第一节点。
19.根据权利要求13至18中任一项所述的电子装置，其中：
所述感测模式包括初始化时段和感测时段，并且
所述感测晶体管和所述开关晶体管在所述初始化时段中被导通。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其中：
所述感测晶体管在所述感测时段中被断开，并且
所述开关晶体管在所述感测时段中被导通。
21.一种电子装置，包括：
多个像素，每个像素用于在光导通状态模式、光断开状态模式或感测模式下操作，每个像素包括：
用于发光的发光二极管；以及
用于驱动所述发光二极管的驱动晶体管，所述驱动晶体管在第一节点处连接到所述发光二极管，其中：
所述第一节点在所述发光二极管不发光的光断开状态模式下以第一电压充电，
所述第一节点在所述发光二极管发光的光导通状态模式下以比所述第一电压高的第二电压充电，并且
所述第一节点在测量所述驱动晶体管的固有特性的所述感测模式下以比所述第一电压高并且比所述第二电压低的第三电压充电。
22.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述第三电压是在所述第一电压和所述第二电压之间的平均值。
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