CN115274741A - 显示装置和用于制造该显示装置的方法 - Google Patents

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朴声国
宋大镐
李太熙
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Abstract

提供了一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；共电极，在发光元件上；波长转换层，在共电极上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及选择性透射膜，在波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射第一光并被构造为透射第二光。

Description

显示装置和用于制造该显示装置的方法
技术领域
本公开涉及显示装置和用于制造该显示装置的方法。
背景技术
随着信息时代的进步，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置。发光显示装置可以包括有机发光显示装置和无机发光显示装置，有机发光显示装置包括有机发光二极管元件作为发光元件，无机发光显示装置包括无机半导体元件作为发光元件或微型发光二极管元件作为发光元件。
最近，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)是虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的眼镜型监视装置，其被用户以眼镜或头盔的形式佩戴，并且其以靠近用户眼睛的距离形成中心点或焦点。
包括微型发光二极管元件的高分辨率微型发光二极管显示面板应用于头戴式显示器。为了减少或防止从微型发光二极管元件发射的光同从与其相邻的另一微型发光二极管元件发射的光混合，可以在微型发光二极管元件之间定位分隔件。然而，因为分隔件的宽度由于微型发光二极管元件的高集成度而应该减小，所以可能难以制造分隔件。
发明内容
本公开的一些实施例的方面提供了显示装置和用于制造该显示装置的方法，在该显示装置中可以在没有单独的分隔件的情况下减少或防止彼此相邻的发光二极管的光混合。
然而，本公开的实施例不限于这里阐述的实施例。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；共电极，在发光元件上；波长转换层，在共电极上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及选择性透射膜，在波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射第一光并被构造为透射第二光。
选择性透射膜可以包括多个奇层和多个偶层，多个奇层具有第一折射率，多个偶层具有比第一折射率低的第二折射率，其中，多个奇层和多个偶层交替地定位。
显示装置还可以包括滤色器，滤色器在选择性透射膜上，被构造为阻挡或吸收第一光，并且被构造为透射第二光的至少一部分。
显示装置还可以包括在选择性透射膜的侧面上的反射膜。
显示装置还可以包括在像素电极与发光元件之间的连接电极。
共电极可以在发光元件的上表面上，并且可以围绕发光元件的侧面和连接电极的侧面。
显示装置还可以包括在基底上的第一绝缘膜，其中，共电极在第一绝缘膜上。
选择性透射膜可以在共电极上。
显示装置还可以包括在发光元件的侧面与共电极之间的第二绝缘膜。
根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电极，在基底上；发光元件，在像素电极上，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发光元件上，并且包括用于将从发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；共电极，在波长转换层上；以及选择性透射膜，在共电极上或上方，并且被构造为反射第一光并透射第二光。
发光元件可以包括：第一半导体层，在像素电极上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
波长转换层还可以包括限定用于容纳波长转换颗粒的多个开口的第三半导体层。
第三半导体层可以包括与第二半导体层的材料相同的材料。
第一半导体层可以包括掺杂有第一导电型掺杂剂的p-GaN，其中，第二半导体层和第三半导体层中的每个包括掺杂有第二导电型掺杂剂的n-GaN。
波长转换层的厚度可以比发光元件的厚度大。
共电极可以在波长转换层的上表面和侧面上，并且围绕发光元件的侧面。
根据本公开的一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：发光元件，在第一光发射区域、第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中，第一光发射区域被构造为发射第一光，第二光发射区域被构造为发射第二光，第三光发射区域被构造为发射第三光；透光层，在第一光发射区域中在发光元件上；波长转换层，在第二光发射区域中在发光元件上并且在第三光发射区域中在发光元件上；以及选择性透射膜，在第一光发射区域中在透光层的侧面上，并且在第二光发射区域中在波长转换层的上表面和侧面上，其中，选择性透射膜被构造为反射从波长转换层入射的第一光，并且被构造为透射第二光。
选择性透射膜可以在第三光发射区域中在波长转换层的上表面和侧面上，并且可以被构造为透射第三光。
显示装置还可以包括：第一滤色器，在第一光发射区域中在透光层上，被构造为透射第一光，并且被构造为吸收或阻挡第二光和第三光；第二滤色器，在第二光发射区域中在波长转换层上，被构造为透射第二光，并且被构造为吸收或阻挡第一光和第三光；以及第三滤色器，在第三光发射区域中在波长转换层上，被构造为透射第三光，并且被构造为吸收或阻挡第一光和第二光。
根据本公开的一些实施例，提供了一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成第一连接电极层；在第二基底的发光材料层上形成第二连接电极层；通过将第一连接电极层接合到第二连接电极层来形成连接电极层；去除第二基底；在发光材料层上形成掩摸图案；根据掩摸图案蚀刻发光材料层和连接电极层，以形成发光元件和连接电极；在发光元件中的每个的侧面上形成绝缘膜；在发光元件中的每个的上表面上和在绝缘膜上形成共电极；在第一光发射区域中在共电极上形成透光层；在第二光发射区域中和在第三光发射区域中在共电极上形成波长转换层，波长转换层被构造为将从发光元件发射的第一光转换为第二光；以及在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个的波长转换层上形成选择性透射膜，选择性透射膜被构造为反射第一光并透射第二光。
根据本公开的前述和其他实施例，透光层在第一光发射区域中的每个中位于发光元件的上表面和侧面上，波长转换层在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中位于发光元件的上表面和侧面上。此外，反射膜在第一光发射区域中的每个中位于透光层的侧面上以及在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中位于波长转换层的侧面上。因此，从发光元件发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光可以被反射膜反射。因此，即使在相邻的光发射区域的发光元件之间不定位单独的分隔件，也可以减少或防止从相邻的光发射区域的发光元件发射的光混合。
根据本公开的前述和其他实施例，波长转换层包括第三半导体层，该第三半导体层包括与发光元件的半导体层的材料相同的材料并且限定用于容纳第一波长转换颗粒的多个开口。此外，反射膜在第一光发射区域中的每个中位于波长转换层的侧面上以及在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中位于波长转换层的侧面上。因此，从发光元件发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光可以被反射膜反射。因此，即使在相邻的光发射区域的发光元件之间不定位单独的分隔件，也可以减少或防止从相邻的光发射区域的发光元件发射的光混合。
根据本公开的前述和其他实施例，选择性透射膜可以在第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中反射从发光元件发射的第一光之中的未被波长转换层的第一波长转换颗粒转换的第一光，并且可以透射被第一波长转换颗粒转换的第四光。被选择性透射膜反射的第一光重新进入波长转换层，并因此可以被波长转换层的第一波长转换颗粒转换为第四光。因此，由于选择性透射膜，可以增强从发光元件发射并被波长转换层的第一波长转换颗粒转换为第四光的第一光的效率。
附图说明
本公开的以上和其他实施例和特征将通过参照附图描述其实施例而变得更加明显，在附图中：
图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的布局图；
图2是示出图1的区域A的详细布局图；
图3是示出图2的区域B的详细布局图；
图4是示出沿着图2的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图；
图5是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图；
图6是示出图5的第二光发射区域的发光元件、波长转换层、选择性透射膜和第二滤色器的放大剖视图；
图7是示出图5的发光元件的示例的放大剖视图；
图8是示出图6的选择性透射膜的示例的放大剖视图；
图9是示出图8的选择性透射膜的反射波长带的曲线图；
图10A是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图10B是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图；
图10C是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图11是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；
图12至图20是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图；
图21是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图；
图22是示出图21的第二光发射区域的发光元件、波长转换层、选择性透射膜和第二滤色器的放大剖视图；
图23是示出图22的发光元件和波长转换层的示例的放大剖视图；
图24A是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图；
图24B是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图24C是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图；
图25是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图；
图26至图32是示出根据本公开的其他实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图；
图33是示出包括根据一些实施例的显示装置的虚拟现实装置的视图；
图34是示出包括根据一些实施例的显示装置的智能装置的视图；
图35是示出包括根据一些实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的视图；
图36是示出包括根据一些实施例的显示装置的透明显示装置的视图；
图37是根据一些实施例的像素电路区域和发光元件的电路图；
图38是根据其他实施例的像素电路区域和发光元件的电路图；以及
图39是根据其他实施例的像素电路区域和发光元件的电路图。
具体实施方式
可以通过参照实施例的详细描述和附图更容易地理解本公开的一些实施例的方面和实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，描述的实施例可以以各种不同的方式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达本公开的方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面不是必需的工艺、元件和技术。
除非另有说明，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记、字符或其组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，为了使描述清楚，可以不示出与一些实施例的描述无关的部件。
在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
这里参照作为实施例和/或居间结构的示意性示图的剖视图来描述各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。此外，为了描述根据本公开的构思的实施例的目的，在这里公开的具体结构或功能描述仅是说明性的。因此，在这里公开的实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而将包括由例如制造引起的形状上的偏差。
例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形的(倒圆的)或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域可以引起在掩埋区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并不意图是限制性的。另外，如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。
在详细描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
为了易于解释，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了在附图中描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部件被描述为布置“在”第二部件“上”时，这表示第一部件基于重力方向布置在第二部件的上侧或下侧处，而不限于其上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”指从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称作“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、居间层、居间区域或居间组件。例如，当层、区域或组件被称作“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接或直接电结合到所述另一层、区域或组件，或者可以存在居间层、居间区域或居间组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或结合另一组件而没有居间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其他表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“相邻于”和“直接相邻于”。另外，还将理解的是，当元件或层被称作“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
为了本公开的目的，当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”、“X、Y或Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X；仅Y；仅Z；X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)；或者它们的任何变型。类似地，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表述可以包括A、B或者A和B。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
在这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”和其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”、“近似地”和类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的“大约(约)”或“近似地”包括所陈述的值并且表示在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。
当可以不同地实施一个或更多个实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
此外，在这里公开和/或记载的任何数值范围意图包括包含在记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在记载的最小值1.0与记载的最大值10.0之间(并包括记载的最小值1.0和记载的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。在这里记载的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低数值限制，而在本说明书中记载的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地记载包含在这里明确记载的范围内的任何子范围。所有这样的范围意图在本说明书中固有地描述，使得修改以明确记载任何这样的子范围将符合要求。
根据在这里描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在一个基底上。
此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行的进程或线程，其执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以执行这里描述的各种功能。计算机程序指令存储在可以使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现的存储器。计算机程序指令也可以存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应认识到的是，在不脱离本公开的一些实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或更多个其他计算装置分布。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或者过于形式化的意义来解释，除非在这里如此明确地定义。
图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的布局图。图2是示出图1的区域A的详细布局图。图3是示出图2的区域B的详细布局图。
尽管在图1至图3中根据本公开的一些实施例的显示装置是包括微型发光二极管作为发光元件LE的微型发光二极管显示装置(或纳米发光二极管显示装置)，但是本公开不限于此。
尽管在图1至图3中根据本公开的一些实施例的显示装置是具有发光二极管作为发光元件LE的硅上发光二极管(LEDoS)，所述发光二极管位于使用硅晶圆通过半导体工艺形成的半导体电路板110(参见图4)上，但是本公开不限于此。
另外，在图1至图3中，第一方向DR1表示显示面板100的水平方向(例如，在平面图中)，第二方向DR2表示显示面板100的竖直方向(例如，在平面图中)，第三方向DR3表示显示面板100的厚度方向或半导体电路板110的厚度方向。在这种情况下，“左(侧)”、“右(侧)”、“上(侧)”和“下(侧)”表示在从平面观看显示面板100时的方向。例如，“右(侧)”表示第一方向DR1的一侧，“左(侧)”表示第一方向DR1的另一侧，“上(侧)”表示第二方向DR2的一侧，“下(侧)”表示第二方向DR2的另一侧。另外，“上(侧)”表示第三方向DR3的一侧，“下(侧)”表示第三方向DR3的另一侧。
参照图1至图3，根据一些实施例的显示装置10包括显示面板100，显示面板100包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示面板100可以具有矩形平面形状，该矩形平面形状具有第一方向DR1(例如，在第一方向DR1上延伸)的长边和第二方向DR2(例如，在第二方向DR2上延伸)的短边，但是显示面板100的平面形状不限于此，显示面板100可以具有除了矩形形状之外的其他多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则平面形状。
显示区域DA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。显示区域DA的平面形状可以遵循显示面板100的平面形状。在图1中，显示区域DA的平面形状是矩形形状。显示区域DA大体上可以位于显示面板100的中心区域中。非显示区域NDA可以位于显示区域DA的附近。非显示区域NDA可以被定位为围绕显示区域DA。
显示面板100的显示区域DA可以包括多个像素PX。像素PX可以被限定为能够显示白光的最小光发射单元。
多个像素PX中的每个可以包括发射光的多个光发射区域EA1、EA2和EA3。在本公开的一些实施例中，多个像素PX中的每个包括三个光发射区域EA1、EA2和EA3，但不限于此。例如，多个像素PX中的每个可以包括四个光发射区域。多个光发射区域EA1、EA2和EA3中的每个可以包括用于发射第一光的发光元件LE。
第一光发射区域EA1中的每个表示用于发射第一光的区域。第一光发射区域EA1中的每个可以原样地输出从发光元件LE输出的第一光。第一光可以是蓝色波长带的光。蓝色波长带可以近似地在约370nm至约460nm的范围内，但是本公开不限于此。
第二光发射区域EA2中的每个表示用于发射第二光的区域。第二光发射区域EA2中的每个可以将从发光元件LE输出的第一光的部分转换为第二光，并且可以输出第二光。第二光可以是绿色波长带的光。绿色波长带可以近似地在约480nm至约560nm的范围内，但是本公开不限于此。
第三光发射区域EA3中的每个表示用于发射第三光的区域。第三光发射区域EA3中的每个可以将从发光元件LE输出的第一光的部分转换为第三光，并且可以输出第三光。第三光可以是红色波长带的光。红色波长带可以近似地在约600nm至约750nm的范围内，但本公开不限于此。
第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3可以在第一方向DR1上交替地布置。例如，第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3可以以适当的顺序在第一方向DR1上定位。
第一光发射区域EA1可以在第二方向DR2上布置。第二光发射区域EA2可以在第二方向DR2上布置。第三光发射区域EA3可以在第二方向DR2上布置。
第一光发射区域EA1中的每个可以包括发光元件LE、透光层TPL和第一滤色器CF1。发光元件LE、透光层TPL和第一滤色器CF1可以在第三方向DR3上彼此叠置。透光层TPL可以原样地透射从发光元件LE输出的第一光，并且第一滤色器CF1可以透射第一光。因此，第一光发射区域EA1中的每个可以发射第一光。
第二光发射区域EA2中的每个可以包括发光元件LE、波长转换层QDL和第二滤色器CF2。发光元件LE、波长转换层QDL和第二滤色器CF2可以在第三方向DR3上彼此叠置。波长转换层QDL可以将从发光元件LE输出的第一光的部分转换为第四光，并且可以发射第四光。例如，第四光可以是黄色波长带的光。第四光可以包括绿色波长带和红色波长带两者。也就是说，第四光可以是第二光和第三光的混合光。第二滤色器CF2可以透射第二光。因此，第二光发射区域EA2中的每个可以发射第二光。
第三光发射区域EA3中的每个可以包括发光元件LE、波长转换层QDL和第三滤色器CF3。发光元件LE、波长转换层QDL和第三滤色器CF3可以在第三方向DR3上彼此叠置。波长转换层QDL可以将从发光元件LE输出的第一光的部分转换为第四光，并且可以发射第四光。第三滤色器CF3可以透射第三光。因此，第三光发射区域EA3中的每个可以发射第三光。
透光层TPL的面积和波长转换层QDL的面积中的每个可以比发光元件LE的面积大。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每个的面积可以比发光元件LE的面积大。另外，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每个的面积可以比透光层TPL的面积和波长转换层QDL的面积中的每个大。
在第一光发射区域EA1中，发光元件LE可以被透光层TPL完全地覆盖，并且透光层TPL可以被第一滤色器CF1完全地覆盖。另外，在第二光发射区域EA2中，发光元件LE可以被波长转换层QDL完全地覆盖，并且波长转换层QDL可以被第二滤色器CF2完全地覆盖。此外，在第三光发射区域EA3中，发光元件LE可以被波长转换层QDL完全地覆盖，并且波长转换层QDL可以被第三滤色器CF3完全地覆盖。
透光层TPL的平面形状、波长转换层QDL的平面形状、第一滤色器CF1的平面形状、第二滤色器CF2的平面形状和第三滤色器CF3的平面形状遵循发光元件LE的平面形状。例如，当发光元件LE具有矩形平面形状时，透光层TPL、波长转换层QDL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每个可以具有矩形平面形状。
可选地，发光元件LE可以具有除了矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。在这种情况下，透光层TPL、波长转换层QDL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3也可以具有除了矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
除此之外，透光层TPL的平面形状、波长转换层QDL的平面形状、第一滤色器CF1的平面形状、第二滤色器CF2的平面形状和第三滤色器CF3的平面形状可以不遵循发光元件LE的平面形状。在这种情况下，透光层TPL的平面形状、波长转换层QDL的平面形状、第一滤色器CF1的平面形状、第二滤色器CF2的平面形状和第三滤色器CF3的平面形状可以与发光元件LE的平面形状不同。另外，透光层TPL的平面形状和波长转换层QDL的平面形状中的每个可以与第一滤色器CF1的平面形状、第二滤色器CF2的平面形状和第三滤色器CF3的平面形状中的每个不同。
非显示区域NDA可以包括第一共连接区域CCA1、第二共连接区域CCA2、第一垫(pad，或被称为“焊盘”)区域PDA1和第二垫区域PDA2。
第一共连接区域CCA1可以位于第一垫区域PDA1与显示区域DA之间。第二共连接区域CCA2可以位于第二垫区域PDA2与显示区域DA之间。第一共连接区域CCA1和第二共连接区域CCA2中的每个可以包括连接到共电极(图4和图5的CE)的多个共连接电极CCE。结果，可以通过多个共连接电极CCE将共电压供应到共电极(图4和图5的CE)。第一共连接区域CCA1的多个共连接电极CCE可以电连接到第一垫区域PDA1的第一垫PD1中的任何一个。第二共连接区域CCA2的多个共连接电极CCE可以电连接到第二垫区域PDA2的第二垫PD2中的任何一个。
第一垫区域PDA1可以位于显示面板100的顶部附近。第一垫区域PDA1可以包括连接到外部电路板(图4的CB)的第一垫PD1。
第二垫区域PDA2可以位于显示面板100的底部附近。第二垫区域PDA2可以包括用于与外部电路板(图4的CB)连接的第二垫。在其他实施例中，可以省略第二垫区域PDA2。
图4是示出沿着图2的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图。图5是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图。图6是示出图5的第二光发射区域的发光元件、波长转换层、选择性透射膜和第二滤色器的放大剖视图。图7是示出图5的发光元件的示例的放大剖视图。
参照图4至图7，显示面板100可以包括半导体电路板110和发光元件层120。
半导体电路板110可以包括第一基底SUB1、多个像素电路区域PXC、像素电极111、第一垫PD1、第一绝缘膜INS1和共连接电极CCE的第一共连接电极CCE1。
第一基底SUB1可以是硅晶圆基底。第一基底SUB1可以由单晶硅制成。
多个像素电路区域PXC中的每个可以位于第一基底SUB1上。多个像素电路区域PXC中的每个可以包括使用半导体工艺形成的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。多个像素电路区域PXC中的每个可以包括通过半导体工艺形成的至少一个晶体管。多个像素电路区域PXC中的每个还可以包括通过半导体工艺形成的至少一个电容器。
多个像素电路区域PXC可以位于显示区域DA中。多个像素电路区域PXC中的每个可以连接到对应的像素电极111。也就是说，多个像素电路区域PXC和多个像素电极111可以以一一对应而彼此连接。像素电路区域PXC中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
像素电极111中的每个可以位于对应的像素电路区域PXC上。像素电极111中的每个可以是从像素电路区域PXC暴露的暴露电极。也就是说，像素电极111中的每个可以从像素电路区域PXC的上表面突出。像素电极111中的每个可以与像素电路区域PXC一体地形成。像素电极111中的每个可以被供应有来自于像素电路区域PXC的像素电压或阳极电压。像素电极111可以包括铝(Al)。
第一垫PD1和第一共连接电极CCE1中的每个可以是从第一基底SUB1暴露的暴露电极。第一垫PD1和第一共连接电极CCE1可以包括与像素电极111的材料相同的材料。例如，第一垫PD1和第一共连接电极CCE1可以包括铝(Al)。
因为第二垫区域PDA2的第二垫PD2可以与参照图4描述的第一垫PD1基本上相同，所以将省略它们的描述。
第一绝缘膜INS1可以位于第一基底SUB1上(例如，在其中未定位有像素电极111、第一垫PD1和第一共连接电极CCE1的区域处)。第一绝缘膜INS1的上表面、像素电极111中的每个的上表面、第一垫PD1中的每个的上表面和第一共连接电极CCE1中的每个的上表面可以彼此连接或彼此相邻以基本上平坦。可选地，第一绝缘膜INS1可以被定位为覆盖像素电极111、第一垫PD1和第一共连接电极CCE1。在这种情况下，像素电极111、第一垫PD1和第一共连接电极CCE1中的每个的至少部分可以通过穿过第一绝缘膜INS1的接触孔暴露(例如，不被第一绝缘膜INS1覆盖)。第一绝缘膜INS1可以由无机膜(诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜)形成。
发光元件层120可以包括多个光发射区域EA1、EA2和EA3，并因此可以是发射光的层。发光元件层120可以包括连接电极112、垫连接电极PDE、共连接电极CCE的第二共连接电极CCE2、发光元件LE、第二绝缘膜INS2、共电极CE、波长转换层QDL、选择性透射膜RTF、反射膜RF以及多个滤色器CF1、CF2和CF3。
连接电极112中的每个可以位于对应的像素电极111上。也就是说，连接电极112可以以一一对应而连接到像素电极111。连接电极112可以用作接合金属，以在制造工艺中将像素电极111与发光元件LE接合。例如，连接电极112可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一种。可选地，连接电极112可以包括包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的任何一种的第一层以及包含金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的一种的第二层。在这种情况下，第二层可以位于第一层上。
垫连接电极PDE可以位于第一垫PD1上，并且第二共连接电极CCE2可以位于第一共连接电极CCE1上。垫连接电极PDE可以与第一垫PD1的上表面接触，第二共连接电极CCE2可以与第一共连接电极CCE1的上表面接触。垫连接电极PDE和第二共连接电极CCE2可以包括与连接电极112的材料相同的材料。例如，垫连接电极PDE和第二共连接电极CCE2中的每个可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一种。当连接电极112中的每个包括第一层和第二层时，垫连接电极PDE和第二共连接电极CCE2中的每个可以包括第一层和第二层。
垫连接电极PDE可以通过诸如布线WR的导电连接构件连接到电路板CB的垫CPD。也就是说，第一垫PD1、垫连接电极PDE、布线WR和电路板CB的垫CPD可以彼此电连接。
半导体电路板110和电路板CB可以位于基体基底BSUB上。半导体电路板110和电路板CB可以通过粘合构件(诸如压敏粘合剂)附着到基体基底BSUB的上表面。
电路板CB可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路(FPC)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
发光元件LE中的每个可以位于连接电极112上。发光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸的竖直发光二极管元件。也就是说，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以比在水平方向上的长度长。水平方向上的长度可以表示在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以近似地为约1μm至约5μm。
如图7中所示，发光元件LE可以是微型发光二极管元件或纳米发光二极管元件。发光元件LE包括在第三方向DR3上的第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2可以在第三方向DR3上顺序地沉积。
第一半导体层SEM1可以位于连接电极112上。第一半导体层SEM1可以掺杂有第一导电型掺杂剂，诸如Mg、Zn、Ca和Ba。例如，第一半导体层SEM1可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第一半导体层SEM1的厚度Tsem1可以近似地为约30nm至约200nm。
电子阻挡层EBL可以位于第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止太多电子流到活性层MQW的层。例如，电子阻挡层EBL可以是掺杂有p型Mg的p-AlGaN。电子阻挡层EBL的厚度Tebl可以近似地为约10nm至约50nm。在一些实施例中，可以省略电子阻挡层EBL。
活性层MQW可以位于电子阻挡层EBL上。活性层MQW可以根据通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2施加的电信号通过使电子-空穴对结合来发射光。活性层MQW可以发射具有范围从约450nm至约495nm的主峰波长带的第一光，即，蓝色波长带的光。
活性层MQW可以包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料。当活性层MQW包括多量子阱结构材料时，多个阱层和多个势垒层可以交替地沉积。在这种情况下，阱层可以由但不限于InGaN形成，势垒层可以由但不限于GaN或AlGaN形成。阱层的厚度可以近似地为约1nm至约4nm，势垒层的厚度可以近似地为约3nm至约10nm。此外，活性层MQW的厚度Tmqw可以近似地为约1nm至约14nm。
可选地，活性层MQW可以具有其中交替地沉积有具有大能带隙的半导体材料和具有低能带隙的半导体材料的结构，并且可以根据发射的光的波长带包括不同的III族至V族半导体材料。从活性层MQW发射的光可以不限于第一光(蓝色波长带的光)，而是可以视情况而可以发射第二光(绿色波长带的光)或第三光(红色波长带的光)。
超晶格层SLT可以位于活性层MQW上。超晶格层SLT可以是用于减缓第二半导体层SEM2与活性层MQW之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN或GaN形成。超晶格层SLT的厚度Tslt可以近似地为约50nm至约200nm。在其他实施例中，可以省略超晶格层SLT。
第二半导体层SEM2可以位于超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以掺杂有诸如Si、Ge、Se和Sn的第二导电型掺杂剂。例如，第二半导体层SEM2可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第二半导体层SEM2的厚度Tsem2可以近似地为约500nm至约1μm。
第二绝缘膜INS2可以位于发光元件LE中的每个的侧面上。第二绝缘膜INS2可以不位于发光元件LE中的每个的上表面上。另外，第二绝缘膜INS2可以位于发光元件LE和连接电极112中的每个的侧面上。第二绝缘膜INS2可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜的无机膜形成，但不限于此。
共电极CE可以位于发光元件LE中的每个的上表面、第一绝缘膜INS1的上表面和第二绝缘膜INS2的上表面上。共电极CE可以被定位为完全地覆盖发光元件LE中的每个。
共电极CE可以包括透明导电材料。例如，共电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
透光层TPL可以在第一光发射区域EA1中的每个中位于共电极CE上。透光层TPL可以在第一光发射区域EA1中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。透光层TPL可以被定位为在第一光发射区域EA1中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
透光层TPL可以包括光透射有机材料。例如，透光层TPL可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
波长转换层QDL可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于共电极CE上。波长转换层QDL可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。波长转换层QDL可以被定位为在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
波长转换层QDL可以包括第一基体树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1。第一基体树脂BRS1可以包括光透射有机材料。例如，第一基体树脂BRS1可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
第一波长转换颗粒WCP1可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第四光。例如，第一波长转换颗粒WCP1可以将蓝色波长带的光转换为黄色波长带的光。第一波长转换颗粒WCP1可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或它们的组合。
量子点可以包括核和覆盖核的壳。例如，核可以是但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种。壳可以包括但不限于ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
波长转换层QDL还可以包括用于使发光元件LE的光在任意方向上散射的散射体。在这种情况下，散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2)。另外，有机颗粒可以包括丙烯酸树脂或聚氨酯类树脂。散射体的直径可以是几纳米到几十纳米。
选择性透射膜RTF可以在第一光发射区域EA1中的每个中位于透光层TPL的侧面上，而选择性透射膜RTF可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于波长转换层QDL的上表面和侧面上。选择性透射膜RTF可以被定位为在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中完全地覆盖波长转换层QDL。选择性透射膜RTF可以位于定位在第一绝缘膜INS1上的共电极CE上。
如图6中所示，选择性透射膜RTF在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中反射从发光元件LE发射的第一光LT1之中的未被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换的第一光LT1，并且透射被第一波长转换颗粒WCP1转换的第四光LT4。因为被选择性透射膜RTF反射的第一光LT1重新进入波长转换层QDL，所以第一光LT1可以被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4。此外，因为第四光LT4是第二光LT2和第三光LT3的混合，所以第二光LT2可以透射通过第二滤色器CF2。因此，由于选择性透射膜RTF，可以增强从发光元件LE发射并被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4的第一光LT1的效率。
选择性透射膜RTF可以是分布式布拉格反射器，稍后将参照图8和图9描述选择性透射膜RTF的详细说明。
反射膜RF可以位于选择性透射膜RTF的位于透光层TPL的侧面和波长转换层QDL的侧面上的部分上。反射膜RF可以位于定位在第一绝缘膜INS1上的共电极CE上。反射膜RF用于反射从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光。反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(Al)。反射膜RF的厚度可以近似地为约0.1μm。
多个滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以在第一光发射区域EA1中位于透光层TPL上。第一滤色器CF1中的每个可以透射第一光，并且吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器CF1中的每个可以透射蓝色波长带的光，并且可以吸收或阻挡绿色波长带的光和红色波长带的光。因此，第一滤色器CF1中的每个可以透射从发光元件LE发射的第一光。也就是说，从第一光发射区域EA1中的发光元件LE发射的第一光不被单独的波长转换层转换，并且可以透射通过第一滤色器CF1和透射通过透光层TPL。因此，第一光发射区域EA1中的每个可以发射第一光。
第二滤色器CF2中的每个可以在第二光发射区域EA2中位于波长转换层QDL上。第二滤色器CF2中的每个可以透射第二光，并且可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2中的每个可以透射绿色波长带的光，并且可以吸收或阻挡蓝色波长带的光和红色波长带的光。因此，第二滤色器CF2中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第二滤色器CF2中的每个可以透射被波长转换层QDL转换的第四光之中的与绿色波长带对应的第二光，并且可以吸收或阻挡与红色波长带对应的第三光。因此，第二光发射区域EA2中的每个可以发射第二光。
第三滤色器CF3中的每个可以在第三光发射区域EA3中位于波长转换层QDL上。第三滤色器CF3中的每个可以透射第三光，并且可以吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3中的每个可以透射红色波长带的光，并且可以吸收或阻挡蓝色波长带的光和绿色波长带的光。因此，第三滤色器CF3中的每个可以吸收或阻挡从发光元件LE发射的第一光之中的未被波长转换层QDL转换的第一光。另外，第三滤色器CF3中的每个可以透射被波长转换层QDL转换的第四光之中的与红色波长带对应的第三光，并且可以吸收或阻挡与绿色波长带对应的第二光。因此，第三光发射区域EA3中的每个可以发射第三光。
黑矩阵可以位于多个滤色器CF1、CF2和CF3之间。例如，黑矩阵可以位于第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的相邻的滤色器之间、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的相邻的滤色器之间以及第一滤色器CF1和第三滤色器CF3中的相邻的滤色器之间。黑矩阵可以包括无机黑色颜料或有机黑色颜料，诸如炭黑。
在图5中，为了简化制造工艺，代替透光层TPL，波长转换层QDL可以位于第一光发射区域EA1中的每个中。
如图4至图7中所示，透光层TPL在第一光发射区域EA1中的每个中位于发光元件LE的上表面和侧面上，波长转换层QDL在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于发光元件LE的上表面和侧面上。另外，反射膜RF在第一光发射区域EA1中的每个中位于透光层TPL的侧面上以及在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于波长转换层QDL的侧面上。因此，从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光可以被反射膜RF反射。因此，即使在彼此相邻的光发射区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE之间不定位单独的分隔件，也可以减少或防止从相邻的光发射区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE发射的光混合。
此外，如图4至图7中所示，选择性透射膜RTF可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中反射从发光元件LE发射的第一光LT1之中的未被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换的第一光，并且可以透射被第一波长转换颗粒WCP1转换的第四光。因为被选择性透射膜RTF反射的第一光重新进入波长转换层QDL，所以第一光可以被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光。因此，由于选择性透射膜RTF，可以增强从发光元件LE发射并被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光的第一光的效率。
图8是示出图6的选择性透射膜的示例的放大剖视图，图9是示出图8的选择性透射膜的反射波长带的曲线图。图8中示出了图6的区域C的放大剖视图。
参照图8和图9，选择性透射膜RTF可以包括多个层以用作分布式布拉格反射器。多个层可以包括第一层L1、第二层L2、第三层L3、第四层L4、第五层L5、第六层L6、第七层L7和第八层L8。
在第一层L1、第二层L2、第三层L3、第四层L4、第五层L5、第六层L6、第七层L7和第八层L8之中，奇层(奇数层)(即，第一层L1、第三层L3、第五层L5和第七层L7)中的每个的折射率可以比偶层(偶数层)(即，第二层L2、第四层L4、第六层L6和第八层L8)中的每个的折射率高。总之，第一层L1、第三层L3、第五层L5和第七层L7可以是高折射层，第二层L2、第四层L4、第六层L6和第八层L8可以是低折射层。选择性透射膜RTF可以具有其中高折射层和低折射层交替地定位的结构。例如，低折射层可以是近似地具有约1.46488的折射率的氧化硅(SiO2)膜，高折射层可以是近似地具有约2.40695的折射率的氧化钛(TiO2)膜。
可以通过调节第一层L1、第二层L2、第三层L3、第四层L4、第五层L5、第六层L6、第七层L7和第八层L8的厚度来设定其中反射进入选择性透射膜RTF的光的波长带。例如，当第一层L1的厚度Tl1、第二层L2的厚度Tl2、第三层L3的厚度Tl3、第四层L4的厚度Tl4、第五层L5的厚度Tl5、第六层L6的厚度Tl6、第七层L7的厚度Tl7和第八层L8的厚度Tl8被设定为如表1中所列时，如图9中所示，近似地在约400nm至约500nm范围内的波长带的光的90％或更多可以被反射。
[表1]
第一层L1的厚度Tl1 49.49nm
第二层L2的厚度Tl2 63.38nm
第三层L3的厚度Tl3 62.74nm
第四层L4的厚度Tl4 63.38nm
第五层L5的厚度Tl5 60.44nm
第六层L6的厚度Tl6 63.33nm
第七层L7的厚度Tl7 50.86nm
第八层L8的厚度Tl8 49.56nm
因此，从发光元件LE发射的第一光LT1之中的未被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换的第一光的大部分可以被选择性透射膜RTF反射。另外，从发光元件LE发射的第一光LT1之中的被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换的第四光的大部分可以透射通过选择性透射膜RTF而不被选择性透射膜RTF反射。因此，由于选择性透射膜RTF，可以增强从发光元件LE发射并被波长转换层QDL的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光的第一光的效率。
图10A是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图。图10A的实施例与图5的实施例的不同之处在于，第一波长转换层QDL1位于第二光发射区域EA2中的每个中，并且第二波长转换层QDL2位于第三光发射区域EA3中的每个中。在图10A中，将省略先前关于图5的实施例描述的说明。
参照图10A，第一波长转换层QDL1可以在第二光发射区域EA2中的每个中位于共电极CE上。第一波长转换层QDL1可以在第二光发射区域EA2中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。第一波长转换层QDL1可以被定位为在第二光发射区域EA2中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
第一波长转换层QDL1可以包括第二基体树脂BRS2和第二波长转换颗粒WCP2。第二基体树脂BRS2可以与第一基体树脂BRS1基本上相同。第二基体树脂BRS2可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第二波长转换颗粒WCP2可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第二光。例如，第二波长转换颗粒WCP2可以将蓝色波长带的光转换为绿色波长带的光。
第二波长转换层QDL2可以在第三光发射区域EA3中的每个中位于共电极CE上。第二波长转换层QDL2可以在第三光发射区域EA3中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。第二波长转换层QDL2可以被定位为在第三光发射区域EA3中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
第二波长转换层QDL2可以包括第三基体树脂BRS3和第三波长转换颗粒WCP3。第三基体树脂BRS3可以与第一基体树脂BRS1基本上相同。第三基体树脂BRS3可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。第三波长转换颗粒WCP3可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第三光。例如，第三波长转换颗粒WCP3可以将蓝色波长带的光转换为红色波长带的光。
从第二光发射区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的被第一波长转换层QDL1的第二波长转换颗粒WCP2转换的第二光可以透射通过第二滤色器CF2。从第二光发射区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的未被第一波长转换层QDL1转换的第一光可以被第二滤色器CF2吸收或阻挡。因此，第二光发射区域EA2可以发射第二光。
从第三光发射区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的被第二波长转换层QDL2转换的第三光可以透射通过第三滤色器CF3。从第三光发射区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的未被第二波长转换层QDL2转换的第一光可以被第三滤色器CF3吸收或阻挡。因此，第三光发射区域EA3可以发射第三光。
图10B是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图。
图10B的实施例与图5的实施例的不同之处在于，选择性透射膜RTF不位于相邻的光发射区域之间。在图10B中，将省略先前关于图5的实施例描述的说明。
参照图10B，选择性透射膜RTF可以不位于第一光发射区域EA1和第二光发射区域EA2中的相邻的光发射区域之间、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的相邻的光发射区域之间或者第一光发射区域EA1和第三光发射区域EA3中的相邻的光发射区域之间的共电极CE上。因此，可以防止(或减少)从第一光发射区域EA1的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第二光发射区域EA2移动，或者可以防止(或减少)从第二光发射区域EA2的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第一光发射区域EA1移动。另外，可以防止(或减少)从第二光发射区域EA2的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第三光发射区域EA3移动，或者可以防止(或减少)从第三光发射区域EA3的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第二光发射区域EA2移动。另外，可以防止从第一光发射区域EA1的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第三光发射区域EA3移动，或者可以防止(或减少)从第三光发射区域EA3的发光元件LE发射的光通过选择性透射膜RTF向第一光发射区域EA1移动。也就是说，可以防止选择性透射膜RTF用作相邻的光发射区域之间的光波导。
图10C是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图10C的实施例与图5的实施例的不同之处在于，除去了反射膜RF，在第一光发射区域EA1中增加了覆盖透光层TPL和第一滤色器CF1的第一透镜图案LEN1，在第二光发射区域EA2中增加了覆盖波长转换层QDL和第二滤色器CF2的第二透镜图案LEN2，并且在第三光发射区域EA3中增加了覆盖波长转换层QDL和第三滤色器CF3的第三透镜图案LEN3。在图10C中，将省略先前关于图5的实施例描述的说明。
参照图10C，第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3中的每个可以在向上方向上具有凸出的剖面形状。第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3中的每个的折射率可以与图8中所示的选择性透射膜RTF的第八层L8的折射率基本上相同。可选地，第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3中的每个的折射率与图8中所示的选择性透射膜RTF的第八层L8的折射率之间的差可以为约0.1或更小。第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3中的每个可以包括有机材料。例如，透光层TPL可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
从第一光发射区域EA1中的发光元件LE发射的光之中的向透光层TPL的侧面移动的光可以在第一透镜图案LEN1与空气之间的界面处被折射，并且可以在向上方向上移动。另外，从第二光发射区域EA2中的发光元件LE发射的光之中的向波长转换层QDL的侧面移动的光可以在第二透镜图案LEN2与空气之间的界面处被折射，并且可以在向上方向上移动。此外，从第三光发射区域EA3中的发光元件LE发射的光之中的向波长转换层QDL的侧面移动的光可以在第三透镜图案LEN3与空气之间的界面处被折射，并且在向上方向上移动。因此，即使除去了反射膜RF，也可以通过第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3减少或防止相邻的光发射区域之间的光混合。
图11是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。图12至图20是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。在图12至图20中，示出了沿着图3的线B-B'截取的显示面板的剖视图。在下文中，将参照图11至图20详细描述根据本公开的一些实施例的用于制造显示面板的方法。
第一，如图12中所示，在第一基底SUB1的像素电极111和第一绝缘膜INS1上或在第一基底SUB1的像素电极111和第一绝缘膜INS1上方的层处形成第一连接电极层112L_1，在第二基底SUB2的发光材料层LEML上形成第二连接电极层112L_2(图11的S110)。
在其中未定位有像素电极111、第一垫PD1和第一共连接电极CCE1的第一基底SUB1上形成第一绝缘膜INS1。第一绝缘膜INS1的上表面、像素电极111中的每个的上表面、第一垫PD1中的每个的上表面和第一共连接电极CCE1中的每个的上表面可以彼此连接或彼此相邻以基本上平坦。也就是说，可以通过第一绝缘膜INS1减小或基本上除去第一基底SUB1的上表面与像素电极111的上表面之间的高度差。第一绝缘膜INS1可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜的无机膜形成。
然后，在像素电极111和第一绝缘膜INS1上沉积第一连接电极层112L_1。第一连接电极层112L_1可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或锡(Sn)。
可以在第二基底SUB2的一个表面上形成缓冲膜BF。第二基底SUB2可以是硅基底或蓝宝石基底。缓冲膜BF可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜的无机膜形成。
可以在缓冲膜BF上定位发光材料层LEML。发光材料层LEML可以包括第一半导体材料层LEMD和第二半导体材料层LEMU。可以在缓冲膜BF上定位第二半导体材料层LEMU，可以在第二半导体材料层LEMU上定位第一半导体材料层LEMD。第二半导体材料层LEMU的厚度可以比第一半导体材料层LEMD的厚度大。
类似于图7中所示的发光元件LE，第一半导体材料层LEMD可以包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第二半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的半导体层，即，未掺杂的半导体层。例如，第二半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的未掺杂GaN。
可以在第一半导体材料层LEMD上沉积第二连接电极层112L_2。第二连接电极层112L_2可以包括金(Au)、铜(Cu)、铝(Al)或锡(Sn)。
第二，如图13中所示，将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2彼此附着，并且去除第二基底SUB2(图11的S210)。
使第一基底SUB1的第一连接电极层112L_1和第二基底SUB2的第二连接电极层112L_2彼此接触。然后，在相应的温度(例如，预定的温度)下使第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2经受熔接，以形成一个连接电极层112L。也就是说，连接电极层112L位于第一基底SUB1的像素电极111与第二基底SUB2的发光材料层LEML之间，并且用作用于将第一基底SUB1的像素电极111接合到第二基底SUB2的发光材料层LEML的接合金属层。
然后，可以通过抛光工艺(诸如化学机械抛光(CMP)工艺)和/或蚀刻工艺去除第二基底SUB2和缓冲膜BF。另外，可以通过抛光工艺(诸如CMP工艺)去除发光材料层LEML的第二半导体材料层LEMU。
第三，如图14中所示，在发光材料层LEML上形成掩模图案MP(图11的S310)。
在发光材料层LEML的上表面上形成掩模图案MP。发光材料层LEML的上表面可以是第一半导体材料层LEMD的通过去除第二基底SUB2、缓冲膜BF和第二半导体材料层LEMU而暴露的上表面。掩模图案MP可以位于将要形成发光元件LE的区域中。结果，掩模图案MP可以在第三方向DR3上与像素电极111叠置。掩模图案MP可以包括诸如镍(Ni)的导电材料。掩模图案MP的厚度可以近似地为约0.01μm至约1μm。
第四，如图15中所示，根据掩模图案MP蚀刻发光材料层LEML和连接电极层112L以形成发光元件LE和连接电极112，并且去除掩模图案MP(图11的S410)。
掩模图案MP可以不被用于蚀刻发光材料层LEML的第一蚀刻材料蚀刻，或者不被用于蚀刻连接电极层112L和第一绝缘膜INS1的第二蚀刻材料蚀刻。为此，可以不蚀刻定位有掩模图案MP的区域的发光材料层LEML和连接电极层112L。因此，可以在像素电极111中的每个的上表面上形成连接电极112和发光元件LE。然后去除掩模图案MP。
第五，如图16中所示，在发光元件LE中的每个的侧面上形成第二绝缘膜INS2，在第二绝缘膜INS2和发光元件LE中的每个的上表面上形成共电极CE(图11的S510)。
在发光元件LE中的每个的上表面和侧面上沉积第二绝缘膜层。可以在发光元件LE中的每个的上表面和侧面上、连接电极112的侧面上以及第一绝缘膜INS1上定位第二绝缘膜层。第二绝缘膜层可以由诸如氧化硅(SiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜或氧化铪(HfOx)膜的无机膜形成。
在没有单独的掩模的情况下相对于第三方向DR3形成相对大的电压差，并且可以通过第一蚀刻材料蚀刻第二绝缘膜层。在这种情况下，第一蚀刻材料可以在沿第三方向DR3移动的同时(例如，在从顶部移动到底部的同时)蚀刻第二绝缘膜层。为此，去除了位于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的水平面上的第二绝缘膜层被，而可以不去除位于由第三方向DR3定义或与第三方向DR3对应的竖直面上的第二绝缘膜层。因此，可以去除位于发光元件LE中的每个的上表面上和位于第一绝缘膜INS1的上表面上的第二绝缘膜层。相反，可以不去除位于发光元件LE中的每个的侧面上和位于连接电极112的侧面上的第二绝缘膜层。因此，第二绝缘膜INS2可以形成在发光元件LE中的每个的侧面上和连接电极112的侧面上。
然后，在第二绝缘膜INS2和发光元件LE中的每个的上表面上沉积共电极CE。此外，如图4中所示，共电极CE可以在非显示区域NDA中位于第二共连接电极CCE2的上表面和侧面上。共电极CE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。
第六，如图17中所示，在第一光发射区域EA1中的每个中在共电极CE上形成透光层TPL(图11的S610)。
可以在第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的发光元件LE上完全地形成透光层TPL，然后使用光刻工艺使透光层TPL图案化。随着发光元件LE变厚，透光层TPL可能难以在发光元件LE上流动，由此透光层TPL可能难以完全地形成在第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的发光元件LE上。为了避免这种情况，发光元件LE中的每个的厚度可以近似地为约1μm或更小。在这种情况下，发光元件LE中的每个的第二半导体层SEM2的厚度可以近似地为约500nm至约1μm，但不限于此。透光层TPL可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
透光层TPL可以在第一光发射区域EA1中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。透光层TPL可以被定位为在第一光发射区域EA1中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
第七，如图18中所示，在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中在共电极CE上形成波长转换层QDL(图11的S710)。
可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的发光元件LE上形成波长转换层QDL，然后使用光刻工艺使波长转换层QDL图案化。随着发光元件LE变厚，波长转换层QDL可能难以流动，由此波长转换层QDL可能难以完全地形成在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的发光元件LE上。为了避免这种情况，发光元件LE中的每个的厚度可以近似地为约1μm或更小。在这种情况下，发光元件LE中的每个的第二半导体层SEM2的厚度可以近似地为约500nm，但不限于此。
波长转换层QDL可以包括第一基体树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1。例如，第一基体树脂BRS1可以包括环氧类树脂、丙烯酸树脂、卡多类树脂或酰亚胺类树脂。
波长转换层QDL可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中在第三方向DR3上与发光元件LE叠置。波长转换层QDL可以被定位为在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中完全地覆盖发光元件LE。
通过光刻工艺形成的图案的宽度的工艺误差可以随着通过光刻工艺形成的图案的厚度变薄而减小。当发光元件LE是微型发光二极管元件或纳米发光二极管元件时，发光元件LE之间的间隔非常窄，在约几微米的范围内。因此，为了减小通过光刻工艺形成的图案的宽度的工艺误差，透光层TPL和波长转换层QDL的厚度可以近似地为约1μm至约2μm。
第八，如图19中所示，在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中在波长转换层QDL上形成选择性透射膜RTF(图11的S810)。
可以在第一光发射区域EA1中的每个的透光层TPL的上表面和侧面上、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个的波长转换层QDL的上表面上和侧面上以及共电极CE上(例如，共电极CE的部分上)沉积选择性透射膜RTF。
然后，形成掩模图案，以覆盖位于第一光发射区域EA1中的每个的透光层TPL的侧面以及第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个的波长转换层QDL的上表面和侧面上的选择性透射膜RTF。
然后，可以去除位于第一光发射区域EA1中的每个的透光层TPL的未被掩模图案覆盖的上表面上的选择性透射膜RTF。
然后，去除掩模图案。
第九，如图20中所示，形成反射膜RF以及多个滤色器CF1、CF2和CF3(图11的S910)。
沉积反射层，以覆盖选择性透射膜RTF和第一光发射区域EA1中的每个的透光层TPL的上表面。
然后，在没有单独的掩模的情况下相对于第三方向DR3形成相对大的电压差，并且通过第二蚀刻材料蚀刻反射层。在这种情况下，第二蚀刻材料可以在电压的控制下在第三方向DR3上移动的同时(例如，在从顶部移动到底部的同时)蚀刻反射层。为此，可以去除位于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的水平面上的反射层，而可以不去除位于由第三方向DR3定义的竖直面上的反射层。因此，可以去除位于透光层TPL的上表面和波长转换层QDL的上表面上的反射层。相反，可以不去除位于透光层TPL的侧面和波长转换层QDL的侧面上的反射层。因此，反射膜RF可以位于定位在透光层TPL的侧面和波长转换层QDL的侧面上的选择性透射膜RTF上。
反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(Al)。反射膜RF的厚度可以近似地为约0.1μm。
然后，可以在第一光发射区域EA1中的每个中在透光层TPL上形成第一滤色器CF1，可以在第二光发射区域EA2中的每个中在波长转换层QDL上形成第二滤色器CF2，可以在第三光发射区域EA3中的每个中在波长转换层QDL上形成第三滤色器CF3。
图21是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的另一示例的剖视图。图22是示出图21的第二光发射区域的发光元件、波长转换层、选择性透射膜和第二滤色器的放大剖视图。图23是示出图22的发光元件和波长转换层的示例的放大剖视图。
图21至图23的实施例与图5至图7的实施例的不同之处在于，波长转换层QDL_1包括第三半导体层SEM3而不是第一基体树脂BRS1。在图21至图23中，将省略先前关于图5至图7的说明而描述的说明。
参照图21和图22，在第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中，波长转换层QDL_1可以位于发光元件LE上。波长转换层QDL_1可以与发光元件LE的上表面接触。如图23中所示，波长转换层QDL_1的厚度Tqdl可以比发光元件LE的厚度厚。
波长转换层QDL_1可以包括第三半导体层SEM3和第一波长转换颗粒WCP1。因为第一波长转换颗粒WCP1与参照图5至图7描述的第一波长转换颗粒WCP1基本上相同，所以将省略它们的重复描述。
第三半导体层SEM3可以包括与第二半导体层SEM2的材料相同的材料。第三半导体层SEM3可以掺杂有诸如Si、Ge和Sn的第二导电型掺杂剂。例如，第三半导体层SEM3可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第三半导体层SEM3的厚度Tqdl可以比第二半导体层SEM2的厚度Tsem2大。第三半导体层SEM3的厚度Tqdl可以近似地为约3μm。第三半导体层SEM3可以包括用于容纳第一波长转换颗粒WCP1的多个开口OP。
第二绝缘膜INS2可以位于发光元件LE的侧面和波长转换层QDL_1的侧面上。
共电极CE可以位于第二绝缘膜INS2和波长转换层QDL_1的上表面上。共电极CE可以被定位为完全地覆盖发光元件LE和波长转换层QDL_1。因为波长转换层QDL_1的第三半导体层SEM3是掺杂有第二导电型掺杂剂的半导体层，所以共电极CE的共电压可以通过波长转换层QDL_1的第三半导体层SEM3供应到发光元件LE的第二半导体层SEM2。
选择性透射膜RTF可以位于第一光发射区域EA1的波长转换层QDL_1的侧面上，而选择性透射膜RTF可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于波长转换层QDL_1的上表面和侧面两者上。选择性透射膜RTF可以被定位为在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中覆盖共电极CE。相反，选择性透射膜RTF可以在第一光发射区域EA1中不覆盖位于透光层TPL的上表面上的共电极CE。
如图22中所示，选择性透射膜RTF在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中反射从发光元件LE发射的第一光LT1之中的未被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换的第一光LT1，并且透射被第一波长转换颗粒WCP1转换的第四光LT4。因为被选择性透射膜RTF反射的第一光LT1重新进入波长转换层QDL_1，所以第一光LT1可以被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4。此外，因为第四光LT4是第二光LT2和第三光LT3的混合光，所以第二光LT2可以透射通过第二滤色器CF2。因此，由于选择性透射膜RTF，可以增强从发光元件LE发射并被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4的第一光LT1的效率。
如参照图8和图9所描述的，选择性透射膜RTF可以是分布式布拉格反射器，以反射第一光并透射第四光。
反射膜RF可以位于定位在发光元件LE的侧面上或围绕发光元件LE的侧面(例如，在反射膜RF与发光元件LE之间有共电极CE和第二绝缘膜INS2)、定位在透光层TPL的侧面上(在一些实施例中)以及定位在波长转换层QDL的侧面上或围绕波长转换层QDL的侧面(例如，在反射膜RF与波长转换层QDL之间有共电极CE和第二绝缘膜INS2)的选择性透射膜RTF上。此外，反射膜RF可以位于定位在第一绝缘膜INS1(例如，在反射膜RF与第一绝缘膜INS1之间有选择性透射膜RTF)上的共电极CE上(例如，上方)。反射膜RF用于反射从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光。反射膜RF可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(Al)。反射膜RF的厚度可以近似地为约0.1μm。
如图21至图23中所示，波长转换层QDL_1包括第三半导体层SEM3，该第三半导体层SEM3包括与发光元件LE的第二半导体层SEM2的材料相同的材料并且具有用于容纳第一波长转换颗粒WCP1的多个开口OP。另外，反射膜RF在第一光发射区域EA1中的每个中位于波长转换层QDL_1的侧面上或围绕波长转换层QDL_1的侧面(例如，在反射膜RF与波长转换层QDL_1之间有选择性透射膜RTF、共电极CE和第二绝缘膜INS2)，并且在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于波长转换层QDL_1的侧面上。因此，在从发光元件LE发射的光之中的向上侧和下侧移动以及向左侧和右侧移动而不在向上方向上移动的光可以被反射膜RF反射。因此，即使在彼此相邻的光发射区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE之间不定位单独的分隔件，也可以防止从相邻的光发射区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE发射的光混合，或者也可以减少从相邻的光发射区域EA1、EA2和EA3的发光元件LE发射的光混合。
此外，如图21至图23中所示，选择性透射膜RTF可以在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中反射从发光元件LE发射的第一光LT1之中的未被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换的第一光LT1，并且可以透射被第一波长转换颗粒WCP1转换的第四光LT4。因为被选择性透射膜RTF反射的第一光LT1重新进入波长转换层QDL_1，所以被选择性透射膜RTF反射的第一光LT1可以被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4。因此，由于选择性透射膜RTF，可以增强从发光元件LE发射并被波长转换层QDL_1的第一波长转换颗粒WCP1转换为第四光LT4的第一光LT1的效率。
图24A是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的再一示例的剖视图。
图24A的实施例与图21的实施例的不同之处在于，第一波长转换层QDL1_1位于第一光发射区域EA1中的每个中，第二波长转换层QDL2_1位于第二光发射区域EA2中的每个中，并且第三波长转换层QDL3_1位于第三光发射区域EA3中的每个中。在图24A中，将省略先前关于图21的实施例描述的说明。
参照图24A，第一波长转换层QDL1_1可以在第一光发射区域EA1中的每个中位于发光元件LE上。第一波长转换层QDL1_1可以在第一光发射区域EA1中的每个中与发光元件LE的上表面接触。
第一波长转换层QDL1_1可以包括第三半导体层SEM3。因为第三半导体层SEM3与参照图21描述的第三半导体层SEM3基本上相同，所以将省略其重复描述。尽管图24A示出了第一波长转换层QDL1_1不包括波长转换颗粒，但是本公开不限于此。第一波长转换层QDL1_1可以包括波长转换颗粒。
第二波长转换层QDL2_1可以在第二光发射区域EA2中的每个中位于发光元件LE上。第二波长转换层QDL2_1可以在第二光发射区域EA2中的每个中与发光元件LE的上表面接触。
第二波长转换层QDL2_1可以包括第三半导体层SEM3和第二波长转换颗粒WCP2。第二波长转换颗粒WCP2可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第二光。例如，第二波长转换颗粒WCP2可以将蓝色波长带的光转换为绿色波长带的光。
第三波长转换层QDL3_1可以在第三光发射区域EA3中的每个中位于发光元件LE上。第三波长转换层QDL3_1可以在第三光发射区域EA3中的每个中与发光元件LE的上表面接触。
第三波长转换层QDL3_1可以包括第三半导体层SEM3和第三波长转换颗粒WCP3。第三波长转换颗粒WCP3可以将从发光元件LE发射的第一光转换为第三光。例如，第三波长转换颗粒WCP3可以将蓝色波长带的光转换为红色波长带的光。
从第二光发射区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的被第二波长转换层QDL2_1的第二波长转换颗粒WCP2转换的第二光可以透射通过第二滤色器CF2。(从第二光发射区域EA2中的发光元件LE发射的第一光之中的)未被第二波长转换层QDL2_1转换的第一光可以被第二滤色器CF2吸收或阻挡。因此，第二光发射区域EA2可以发射第二光。
(从第三光发射区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的)被第三波长转换层QDL3_1转换的第三光可以透射通过第三滤色器CF3。(从第三光发射区域EA3中的发光元件LE发射的第一光之中的)未被第三波长转换层QDL3_1转换的第一光可以被第三滤色器CF3吸收或阻挡。因此，第三光发射区域EA3可以发射第三光。
图24B是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图24B的实施例与图21的实施例的不同之处在于，选择性透射膜RTF不位于相邻的光发射区域之间。因为图24B的实施例中的选择性透射膜RTF与参照图10B描述的选择性透射膜RTF基本上相同，所以将省略其重复描述。
图24C是示出沿着图3的线B-B'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图24C的实施例与图21的实施例的不同之处在于，除去了反射膜RF，并且增加了第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3，第一透镜图案LEN1在第一光发射区域EA1中覆盖发光元件LE、透光层TPL(或波长转换层QDL_1)和第一滤色器CF1，第二透镜图案LEN2在第二光发射区域EA2中覆盖发光元件LE、波长转换层QDL和第二滤色器CF2，第三透镜图案LEN3在第三光发射区域EA3中覆盖发光元件LE、波长转换层QDL和第三滤色器CF3。在图24C中，因为第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3与参照图10C描述的第一透镜图案LEN1、第二透镜图案LEN2和第三透镜图案LEN3基本上相同，所以将省略它们的重复描述。
图25是示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。图26至图32是示出根据本公开的其他实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。在图26至图32中，示出了沿着图3的线B-B'截取的显示面板的剖视图。在下文中，将参照图25至图32详细描述根据本公开的一些实施例的用于制造显示面板的方法。
第一，如图26中所示，在位于第一基底SUB1上或上方的像素电极111和第一绝缘膜INS1上形成第一连接电极层112L_1，在第二基底SUB2的发光材料层LEML_1上形成第二连接电极层112L_2(图25的S120)。
图25的操作S120可以与图11的操作S110的不同之处在于，发光材料层LEML_1包括第一半导体材料层LEMD、第二半导体材料层LEMQ和第三半导体材料层LEMU。在图25的操作S120中，将省略先前关于图11的操作S110描述的说明。
发光材料层LEML_1可以包括第一半导体材料层LEMD、第二半导体材料层LEMQ和第三半导体材料层LEMU。第三半导体材料层LEMU可以位于缓冲膜BF上(例如，接触缓冲膜BF或在缓冲膜BF下方)，第二半导体材料层LEMQ可以位于第三半导体材料层LEMU上，第一半导体材料层LEMD可以位于第二半导体材料层LEMQ上。在一些实施例中，第二半导体材料层LEMQ的厚度可以比第一半导体材料层LEMD的厚度大。
如图23和图26中所示，第一半导体材料层LEMD(例如，发光元件LE)可以包括第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、活性层MQW、超晶格层SLT和第二半导体层SEM2。第二半导体材料层LEMQ(例如，第三半导体层SEM3)可以包括多个开口OP。第二半导体材料层LEMQ可以包括与第二半导体层SEM2的材料相同的材料。第三半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的半导体层，即，未掺杂的半导体层。例如，第三半导体材料层LEMU可以是未掺杂有掺杂剂的未掺杂GaN。
第二，如图27中所示，将第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2彼此接合，并且去除第二基底SUB2(图25的S220)。
在相应的温度(例如，预定的温度)下使第一连接电极层112L_1和第二连接电极层112L_2经受熔接，以形成一个连接电极层112L。也就是说，连接电极层112L位于第一基底SUB1的像素电极111与第二基底SUB2的发光材料层LEML_1之间，从而用作用于将第一基底SUB1的像素电极111接合到第二基底SUB2的发光材料层LEML_1的接合金属层。
然后，可以通过抛光工艺(诸如化学机械抛光CMP工艺)和/或蚀刻工艺去除第二基底SUB2和缓冲膜BF。另外，可以通过抛光工艺(诸如CMP工艺)去除发光材料层LEML_1的第三半导体材料层LEMU。
第三，如图28中所示，在发光材料层LEML_1上形成掩模图案MP(图25的S320)。
在发光材料层LEML_1的上表面上形成掩模图案MP。发光材料层LEML_1的上表面可以是第二半导体材料层LEMQ的通过去除第二基底SUB2、缓冲膜BF和第三半导体材料层LEMU而暴露的上表面。
第四，如图29A和图29B中所示，根据掩模图案MP蚀刻发光材料层LEML_1和连接电极层112L以形成发光元件LE、连接电极112和波长转换层QDL_1，并且去除掩模图案MP(图25的S420)。
掩模图案MP可以不被用于蚀刻发光材料层LEML_1的第一蚀刻材料蚀刻，或者不被用于蚀刻连接电极层112L和第一绝缘膜INS1的第二蚀刻材料蚀刻。为此，可以不蚀刻定位有掩模图案MP的区域的发光材料层LEML_1和连接电极层112L。因此，可以在像素电极111中的每个的上表面上形成连接电极112、发光元件LE和波长转换层QDL_1。
然后，去除掩模图案MP，在波长转换层QDL_1的第三半导体层SEM3的开口OP中形成第一波长转换颗粒WCP1。当将包括第一波长转换颗粒WCP1的有机材料(例如，预定的有机材料)注入到第三半导体层SEM3的开口OP中时，可以在第三半导体层SEM3的开口OP中定位第一波长转换颗粒WCP1。第一波长转换颗粒WCP1可以具有约几纳米至约几十纳米的直径。例如，第一波长转换颗粒WCP1可以近似地为约10nm。
第五，如图30中所示，在发光元件LE和波长转换层QDL_1中的每个的侧面上形成第二绝缘膜INS2，在第二绝缘膜INS2和波长转换层QDL_1中的每个的上表面上形成共电极CE(图25的S520)。
在发光元件LE中的每个的侧面以及波长转换层QDL_1中的每个的上表面和侧面上沉积第二绝缘膜层。第二绝缘膜层可以位于波长转换层QDL_1中的每个的上表面和侧面、发光元件LE中的每个的侧面、连接电极112中的每个的侧面以及第一绝缘膜INS1上。
然后，在没有单独的掩模的情况下在第三方向DR3上形成相对大的电压差，并且通过第一蚀刻材料蚀刻第二绝缘膜层。在这种情况下，第一蚀刻材料可以在沿第三方向DR3(即，从顶部到底部)移动的同时蚀刻第二绝缘膜层。为此，去除了位于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的水平面上的第二绝缘膜层，而可以不去除位于由第三方向DR3定义的竖直面上的第二绝缘膜层。因此，可以去除位于波长转换层QDL_1中的每个的上表面和第一绝缘膜INS1的上表面上的第二绝缘膜层。相反，可以不去除位于波长转换层QDL_1中的每个的侧面、发光元件LE中的每个的侧面和连接电极112中的每个的侧面上的第二绝缘膜层。因此，第二绝缘膜INS2可以形成在波长转换层QDL_1中的每个的侧面、发光元件LE中的每个的侧面和连接电极112中的每个的侧面上。
然后，在第二绝缘膜INS2和波长转换层QDL_1中的每个的上表面上沉积共电极CE。
第六，如图31中所示，在第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中在波长转换层QDL_1上形成选择性透射膜RTF(图25的S620)。
在一些实施例中，可以在共电极CE以及第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个的波长转换层QDL_1的上表面和侧面上沉积选择性透射膜RTF。
然后，形成掩模图案，以覆盖位于第一光发射区域EA1中的每个的波长转换层QDL_1的侧面以及第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个的波长转换层QDL_1的上表面和侧面上的选择性透射膜RTF。
然后，去除位于第一光发射区域EA1中的每个的波长转换层QDL_1的上表面上的未被掩模图案覆盖的选择性透射膜RTF。
然后，去除掩模图案。
第七，如图32中所示，形成反射膜RF以及多个滤色器CF1、CF2和CF3(图25的S720)。
沉积反射层，以覆盖选择性透射膜RTF和第一光发射区域EA1中的每个的波长转换层QDL_1的上表面。
然后，在没有单独的掩模的情况下，在第三方向DR3上或相对于第三方向DR3形成相对大的电压差，并且通过第二蚀刻材料蚀刻反射层。在这种情况下，第二蚀刻材料可以在电压的控制下在第三方向DR3上移动的同时(例如，在从顶部移动到底部的同时)蚀刻反射层。为此，去除了位于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的水平面上的反射层，而可以不去除位于由第三方向DR3定义的竖直面上的反射层。因此，可以去除位于第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中的波长转换层QDL_1的上表面上的反射层。相反，可以不去除位于第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中的波长转换层QDL_1的侧面上的反射层。因此，反射膜RF可以在第一光发射区域EA1、第二光发射区域EA2和第三光发射区域EA3中的每个中位于定位在波长转换层QDL_1的侧面上或围绕波长转换层QDL_1的侧面(例如，在反射膜RF与波长转换层QDL_1之间有共电极CE和第二绝缘膜INS2)的选择性透射膜RTF上。
然后，可以在第一光发射区域EA1中的每个中在波长转换层QDL_1上形成第一滤色器CF1，可以在第二光发射区域EA2中的每个中在波长转换层QDL_1上形成第二滤色器CF2，可以在第三光发射区域EA3中的每个中在波长转换层QDL_1上形成第三滤色器CF3。
图33是示出包括根据一些实施例的显示装置的虚拟现实装置的视图。在图33中，示出了根据一些实施例的显示装置10_1应用到其的虚拟现实装置1。
参照图33，根据一些实施例的虚拟现实装置1可以是眼镜型装置。根据一些实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10_1、左眼透镜10a、右眼透镜10b、支撑架20、眼镜架腿(或者弓或臂)30a和30b、反射构件40以及显示装置容纳部50。
尽管图33示出了包括眼镜架腿30a和30b的虚拟现实装置1，但是根据一些实施例的虚拟现实装置1可以应用于包括可以安装在头部上的头戴带而不是眼镜架腿30a和30b的头戴显示器。也就是说，根据一些实施例的虚拟现实装置1不限于图33中所示的虚拟现实装置，并且可应用于呈各种形式的各种电子装置。
显示装置容纳部50可以包括显示装置10_1和反射构件40。显示在显示装置10_1上的图像可以被反射构件40反射并通过右眼透镜10b提供到用户的右眼。为此，用户可以通过右眼观看到显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
尽管图33示出了显示装置容纳部50位于支撑架20的右端处，但是本公开不限于此。例如，显示装置容纳部50可以位于支撑架20的左端处，在这种情况下，显示在显示装置10_1上的图像可以被反射构件40反射并通过左眼透镜10a提供到用户的左眼。为此，用户可以通过左眼观看到显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。可选地，显示装置容纳部50可以位于支撑架20的左端和右端两者处，在这种情况下，用户可以通过左眼和右眼两者观看到显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
图34是示出包括根据一些实施例的显示装置的智能装置的视图。
参照图34，根据一些实施例的显示装置10_2可以应用于智能手表2，智能手表2是智能装置的一个示例。
图35是示出包括根据一些实施例的显示装置的车辆仪表板和中央仪表盘的视图。图35中示出了根据一些实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e应用到其的车辆。
参照图35，根据一些实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表板，应用于车辆的中央仪表盘，或者应用于位于车辆的仪表板上的中央信息显示器(CID)。另外，根据一些实施例的显示装置10_d和10_e可以应用于替代车辆的侧视镜的室内镜显示器。
图36是示出包括根据一些实施例的显示装置的透明显示装置的视图。
参照图36，根据一些实施例的显示装置10_3可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以显示图像IM，并且同时可以透射光。因此，位于透明显示装置的前表面前面的用户不仅可以观看到显示在显示装置10_3上的图像IM，而且可以观看到位于透明显示装置的后表面上或后面的物体RS或背景。当显示装置10_3应用于透明显示装置时，图5中所示的显示装置10的第一基底SUB1可以包括能够透射光的透光部，或者可以由能够透射光的材料形成。
图37是根据一些实施例的像素电路区域和发光元件的电路图。
图37中示出了图5的像素电路区域PXC和发光元件LE的示例。
参照图37，发光元件LE根据驱动电流发射光。发光元件LE的发射量可以与驱动电流成比例。发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极和位于阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。例如，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极电极可以连接到驱动晶体管DT的源电极，发光元件LE的阴极电极可以连接到比高电位电压低的低电位电压供应到其的第二电力线VSL。
驱动晶体管DT根据驱动晶体管DT的栅电极与源电极之间的电压差来调节从第一电力电压供应到其的第一电力线VDL流到发光元件LE的电流。驱动晶体管DT的栅电极可以连接到第一晶体管ST1的第一电极，驱动晶体管DT的源电极可以连接到发光元件LE的阳极电极，驱动晶体管DT的漏电极可以连接到高电位电压施加到其的第一电力线VDL。
第一晶体管ST1通过扫描线SL的扫描信号导通，以将数据线DL连接到驱动晶体管DT的栅电极。第一晶体管ST1的栅电极可以连接到扫描线SL，第一晶体管ST1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，第一晶体管ST1的第二电极可以连接到数据线DL。
第二晶体管ST2通过感测信号线SSL的感测信号导通，以将初始化电压线(或被称为第三电力线)VIL连接到驱动晶体管DT的源电极。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到感测信号线SSL，第二晶体管ST2的第一电极可以连接到初始化电压线VIL，第二晶体管ST2的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的源电极。
尽管第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是源电极，并且第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第二电极可以是漏电极，但是应注意的是，它们不限于此。也就是说，在一些实施例中，第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第一电极可以是漏电极，第一晶体管ST1和第二晶体管ST2中的每个的第二电极可以是源电极。
电容器Cst形成在驱动晶体管DT的栅电极与源电极之间。电容器Cst存储驱动晶体管DT的栅极电压与源极电压之间的电压差。
尽管在图37中驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成，但是应注意的是，晶体管不限于此。驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1和第二晶体管ST2可以由P型MOSFET形成。
图38是根据其他实施例的像素电路区域和发光元件的电路图。
图38中示出了图5的像素电路区域PXC和发光元件LE的另一示例。
参照图38，发光元件LE根据驱动电流发射光。发光元件LE的发射量可以与驱动电流成正比。发光元件LE可以是包括阳极电极、阴极电极和位于阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。例如，发光元件LE可以是微型发光二极管。
发光元件LE的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极，发光元件LE的阴极电极可以连接到第一电力线VDL。在发光元件LE的阳极电极与阴极电极之间可以形成寄生电容Cel。
像素电路区域PXC包括驱动晶体管DT、开关元件和电容器C1。开关元件包括第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。
驱动晶体管DT包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到栅电极的数据电压控制在驱动晶体管DT的第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流(以下称为“驱动电流”)。
电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极与第一电力线VDL之间。电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，电容器C1的另一个电极可以连接到第一电力线VDL。
当第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是源电极时，其第二电极可以是漏电极。可选地，当第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是漏电极时，其第二电极可以是源电极。
第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任何一种形成。当第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的半导体层由多晶硅形成时，形成它们的工艺可以是低温多晶硅(LTPS)工艺。
尽管在图38中第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT由P型MOSFET形成，但是晶体管不限于此，其一个或更多个可以由N型MOSFET形成。此外，第一晶体管ST1包括串联连接的第一子晶体管ST1-1和第二子晶体管ST1-2。第三晶体管ST3包括串联连接的第三子晶体管ST3-1和第四子晶体管ST3-2。
此外，可以考虑驱动晶体管DT的特性和发光元件LE的特性等来设定第一电力线VDL的第一电力电压、第二电力线VSL的第二电力电压和第三电力线VIL的第三电力电压。
图39是根据其他实施例的像素电路区域和发光元件的电路图。
图39中示出了图5的像素电路区域PXC和发光元件LE的其他示例。
图39的实施例与图38的实施例的不同之处在于，驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6由P型MOSFET形成，第一晶体管ST1和第三晶体管ST3由N型MOSFET形成。
参照图39，由P型MOSFET形成的驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个的有源层可以由多晶硅形成，由N型MOSFET形成的第一晶体管ST1和第三晶体管ST3中的每个的有源层可以由氧化物半导体形成。
图39的实施例与图38的实施例的不同之处在于，第二晶体管ST2的栅电极和第四晶体管ST4的栅电极连接到写入扫描线GWL，第一晶体管ST1的栅电极连接到控制扫描线GCL。在图39中，因为第一晶体管ST1和第三晶体管ST3由N型MOSFET形成，所以栅极高电压的扫描信号可以施加到控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。相反，因为第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6由P型MOSFET形成，所以栅极低电压的扫描信号可以施加到写入扫描线GWL和光发射线EL。
应注意的是，根据本公开的实施例的像素电路区域PXC不限于图37至图39中所示的像素电路区域PXC。除了图37至图39中所示的实施例之外，根据本公开的一些实施例的像素电路区域PXC可以以本领域技术人员已知并且可以采用的其他电路结构形成。
然而，本公开的方面不限于这里阐述的方面。通过参考权利要求以及将包括在权利要求中的其功能等同物，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电极，在所述基底上；
发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
共电极，在所述发光元件上；
波长转换层，在所述共电极上，并且包括用于将从所述发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；以及
选择性透射膜，在所述波长转换层的上表面上和侧面上，并且被构造为反射所述第一光并被构造为透射所述第二光。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述选择性透射膜包括多个奇层和多个偶层，所述多个奇层具有第一折射率，所述多个偶层具有比所述第一折射率低的第二折射率，并且
其中，所述多个奇层和所述多个偶层交替地定位。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括滤色器，所述滤色器在所述选择性透射膜上，被构造为阻挡或吸收所述第一光，并且被构造为透射所述第二光的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述选择性透射膜的侧面上的反射膜。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述像素电极与所述发光元件之间的连接电极。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述共电极在所述发光元件的上表面上，并且围绕所述发光元件的侧面和所述连接电极的侧面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述基底上的第一绝缘膜，其中，所述共电极在所述第一绝缘膜上。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述选择性透射膜在所述共电极上。
9.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述发光元件的所述侧面与所述共电极之间的第二绝缘膜。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
像素电极，在所述基底上；
发光元件，在所述像素电极上，并且在所述基底的厚度方向上延伸；
波长转换层，在所述发光元件上，并且包括用于将从所述发光元件发射的第一光转换为第二光的波长转换颗粒；
共电极，在所述波长转换层上；以及
选择性透射膜，在所述共电极上或上方，并且被构造为反射所述第一光并透射所述第二光。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述发光元件包括：
第一半导体层，在所述像素电极上；
活性层，在所述第一半导体层上；以及
第二半导体层，在所述活性层上。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述波长转换层还包括限定用于容纳所述波长转换颗粒的多个开口的第三半导体层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第三半导体层包括与所述第二半导体层的材料相同的材料。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一半导体层包括掺杂有第一导电型掺杂剂的p-GaN，并且
其中，所述第二半导体层和所述第三半导体层中的每个包括掺杂有第二导电型掺杂剂的n-GaN。
15.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述波长转换层的厚度比所述发光元件的厚度大。
16.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述共电极在所述波长转换层的上表面和侧面上，并且围绕所述发光元件的侧面。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件，在第一光发射区域、第二光发射区域和第三光发射区域中的每个中，所述第一光发射区域被构造为发射第一光，所述第二光发射区域被构造为发射第二光，所述第三光发射区域被构造为发射第三光；
透光层，在所述第一光发射区域中在所述发光元件上；
波长转换层，在所述第二光发射区域中在所述发光元件上并且在所述第三光发射区域中在所述发光元件上；以及
选择性透射膜，在所述第一光发射区域中在所述透光层的侧面上，并且在所述第二光发射区域中在所述波长转换层的上表面和侧面上，
其中，所述选择性透射膜被构造为反射从所述波长转换层入射的所述第一光，并且被构造为透射所述第二光。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述选择性透射膜在所述第三光发射区域中在所述波长转换层的上表面和侧面上，并且被构造为透射所述第三光。
19.根据权利要求18所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一滤色器，在所述第一光发射区域中在所述透光层上，被构造为透射所述第一光，并且被构造为吸收或阻挡所述第二光和所述第三光；
第二滤色器，在所述第二光发射区域中在所述波长转换层上，被构造为透射所述第二光，并且被构造为吸收或阻挡所述第一光和所述第三光；以及
第三滤色器，在所述第三光发射区域中在所述波长转换层上，被构造为透射所述第三光，并且被构造为吸收或阻挡所述第一光和所述第二光。
20.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第一基底上形成第一连接电极层；
在第二基底的发光材料层上形成第二连接电极层；
通过将所述第一连接电极层接合到所述第二连接电极层来形成连接电极层；
去除所述第二基底；
在所述发光材料层上形成掩摸图案；
根据所述掩摸图案蚀刻所述发光材料层和所述连接电极层，以形成发光元件和连接电极；
在所述发光元件中的每个的侧面上形成绝缘膜；
在所述发光元件中的每个的上表面上和在所述绝缘膜上形成共电极；
在第一光发射区域中在所述共电极上形成透光层；
在第二光发射区域中和在第三光发射区域中在所述共电极上形成波长转换层，所述波长转换层被构造为将从所述发光元件发射的第一光转换为第二光；以及
在所述第二光发射区域和所述第三光发射区域中的每个的所述波长转换层上形成选择性透射膜，所述选择性透射膜被构造为反射所述第一光并透射所述第二光。
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