CN115274505A - 液体供应装置及半导体沉积设备 - Google Patents
液体供应装置及半导体沉积设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115274505A CN115274505A CN202210920220.0A CN202210920220A CN115274505A CN 115274505 A CN115274505 A CN 115274505A CN 202210920220 A CN202210920220 A CN 202210920220A CN 115274505 A CN115274505 A CN 115274505A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- source tank
- liquid supply
- inlet
- liquid source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 133
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 8
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种液体供应装置及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。液体供应装置包括液态源罐体、制冷件和密封隔热壳体；制冷件设置在液态源罐体上，液态源罐体设置在密封隔热壳体内部；密封隔热壳体上开设有出气口和能够与吹拂气源连通的进气口；液态源罐体上设置有进出管路，且进出管路的一端突出于密封隔热壳体。半导体沉积设备包括液体供应装置。达到了低温液态源的的罐子表面不会出现冷凝水的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体沉积设备技术领域，具体而言，涉及液体供应装置及半导体沉积设备。
背景技术
在半导体沉积工艺中会用到多种反应源，并且这些反应源中存在对人体有害的物质，因此在半导体生产车间内均设置有漏液传感器，漏液传感器用于监测在半导体生产过程中是否有漏液情况，一旦发现漏液情况，会紧急对正在工作的所有半导体生产设备进行停机处理，以保证工作人员的安全，但是如果出现误报的情况，将会造成非常大的经济损失。
然而，为满足某种新的半导体生产工艺要求，液体供应装置中的液体源需要被降温至5℃(低温)，而在此温度条件下，装有5℃(低温)液态源的罐子的表面会有来自环境中的水蒸气冷凝现象发生，这样的现象将会导致漏液传感器误报。
因此，提供一种不会出现冷凝水的液体供应装置及半导体沉积设备成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液体供应装置及半导体沉积设备，以缓解现有技术中装有5℃液态源的罐子的表面有冷凝液误触漏液传感器的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种液体供应装置，包括液态源罐体、制冷件和密封隔热壳体；
所述制冷件设置在所述液态源罐体上，所述液态源罐体设置在所述密封隔热壳体内部；
所述密封隔热壳体上开设有出气口和能够与吹拂气源连通的进气口；
所述液态源罐体上设置有进出管路，且所述进出管路的一端突出于所述密封隔热壳体。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述液体供应装置还包括保温层，所述保温层包覆在所述液态源罐体上。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述保温层采用保温棉。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述密封隔热壳体包括底板、上盖板和外壳；
所述底板密封设置在所述外壳的底部，所述上盖板密封设置在所述外壳的顶部。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述外壳的底部设置有用于冷却所述制冷件的循环液流道。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述进出管路包括进液管、出液管和吹扫管；
所述进液管、所述出液管和所述吹扫管均设置在所述液态源罐体上；
所述进液管伸入所述液态源罐体内的一端位于液面下方。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述液体供应装置还包括液位传感器，所述液位传感器设置在所述液态源罐体上，且所述液位传感器突出于所述密封隔热壳体。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述进气口和所述出气口分别位于所述液态源罐体的相对的两侧。
结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的一种可能的实施方式，其中，上述制冷件采用半导体制冷器。
第二方面，本发明实施例提供了一种半导体沉积设备，包括所述液体供应装置。
有益效果：
本发明提供了一种液体供应装置，包括液态源罐体、制冷件和密封隔热壳体；制冷件设置在液态源罐体上，液态源罐体设置在密封隔热壳体内部；密封隔热壳体上开设有出气口和能够与吹拂气源连通的进气口；液态源罐体上设置有进出管路，且进出管路的一端突出于密封隔热壳体。
具体的，制冷件能够对液态源罐体进行制冷，以使液态源罐体内的液体的温度满足工艺要求，然后根据工艺要求通过进出管路将液态源罐体内的工艺液体传输到反应腔室内，而且，密封隔热壳体上的进气口能够与吹拂气源连通，在生产过程中，吹拂气体从进气口进入到密封隔热壳体内对液态源罐体进行吹拂，能够保持液态源罐体外壁处于干燥状态，并且吹拂气体能够从出气口排出进行收集，避免液态源罐体的外壁出现冷凝水。
本发明提供了一种半导体沉积设备，包括液体供应装置。半导体沉积设备与现有技术相比具有上述的优势，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的液体供应系统的结构示意图。
图标：
100-液态源罐体；110-进出管路；111-进液管；112-出液管；113-吹扫管；
200-制冷件；
300-密封隔热壳体；301-出气口；302-进气口；303-循环液流道；310-底板；320-上盖板；330-外壳；
400-保温层；
500-液位传感器。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面通过具体的实施例并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
参见图1所示，本发明实施例提供了一种液体供应装置，包括液态源罐体100、制冷件200和密封隔热壳体300；制冷件200设置在液态源罐体100上，液态源罐体100设置在密封隔热壳体300内部；密封隔热壳体300上开设有出气口301和能够与吹拂气源连通的进气口302；液态源罐体100上设置有进出管路110，且进出管路110的一端突出于密封隔热壳体300。
具体的，制冷件200能够对液态源罐体100进行制冷，以使液态源罐体100内的液体的温度满足工艺要求，然后根据工艺要求通过出液管112将液态源罐体100内的工艺液体传输到反应腔室内，而且，密封隔热壳体300上的进气口302能够与吹拂气源连通，在生产过程中，吹拂气体从进气口302进入到密封隔热壳体300内对液态源罐体100进行吹拂，能够保持液态源罐体100外壁处于干燥状态，并且吹拂气体能够从出气口301排出进行收集，避免液态源罐体100的外壁出现冷凝水。
其中，吹拂气体可以采用氮气、二氧化碳或者惰性气体，另外，本领域技术人员可应根据实际需求自行选择吹佛气体的类型，在此不再进行赘述。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，液体供应装置还包括保温层400，保温层400包覆在液态源罐体100上。
具体的，在液态源罐体100上包覆有保温层400，通过设置保温层400，能够减小吹佛气体对液态源罐体100的温度的影响。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，保温层400采用保温棉。
具体的，保温层400可以采用保温棉，另外还可以采用硅酸盐保温材料、陶瓷保温材料等。
另外，本领域技术人员还可以根据实际需求自行选择保温层400的材料，在此不再进行赘述。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，密封隔热壳体300包括底板310、上盖板320和外壳330；底板310密封设置在外壳330的底部，上盖板320密封设置在外壳330的顶部。
具体的，底板310、上盖板320和外壳330三者连接形成密封隔热壳体300，并且底板310和上盖板320两者分别与外壳330密封连接，避免密封隔热壳体300内部的气体或者液体泄漏。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，外壳330的底部设置有用于冷却制冷件200的循环液流道303。
具体的，在外壳330的底部开设有循环液流道303，通过循环液流道303的设置，能够对制冷件200进行冷却。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，进出管路110包括进液管111、出液管112和吹扫管113；进液管111、出液管112和吹扫管113均设置在液态源罐体100上；进液管111伸入液态源罐体100内的一端位于液面下方。
具体的，在按照工艺要求进行生产工作时，吹扫管113内会向液态源罐体100内吹如惰性气体，惰性气体可以携带汽化的反应源从储液罐传输出去，从而将低温后的汽化的反应源传送至反应室内进行工艺。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，液体供应装置还包括液位传感器500，液位传感器500设置在液态源罐体100上，且液位传感器500突出于密封隔热壳体300。
具体的，通过液位传感器500的设置，使得工作人员能够方便的获知液态源罐体100内的反应源的剩余量。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，进气口302和出气口301分别位于液态源罐体100的相对的两侧。
具体的，将进气口302和出气口301分别位于液态源罐体100的相对的两侧，可以使得从进气口302吹入密封隔热壳体300的氮气能够最大范围的对液态源罐体100进行吹拂，将液态源罐体100上的冷凝水携带走。
参见图1所示，本实施例的可选方案中，制冷件200采用半导体制冷器。
具体的，制冷件200可以采用半导体制冷器，也可以采用换热器。
另外，本领域技术人员可以根据实际需求自行选择制冷件200的类型。
本实施例提供了一种半导体沉积设备，包括液体供应装置。
具体的，本实施例提供的半导体沉积设备与现有技术相比具有上述液体供应装置的优势，在此不再进行赘述。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种液体供应装置，其特征在于，包括：液态源罐体(100)、制冷件(200)和密封隔热壳体(300)；
所述制冷件(200)设置在所述液态源罐体(100)上，所述液态源罐体(100)设置在所述密封隔热壳体(300)内部；
所述密封隔热壳体(300)上开设有出气口(301)和能够与吹拂气源连通的进气口(302)；
所述液态源罐体(100)上设置有进出管路(110)，且所述进出管路(110)的一端突出于所述密封隔热壳体(300)。
2.根据权利要求1所述的液体供应装置，其特征在于，还包括保温层(400)，所述保温层(400)包覆在所述液态源罐体(100)上。
3.根据权利要求2所述的液体供应装置，其特征在于，所述保温层(400)采用保温棉。
4.根据权利要求1所述的液体供应装置，其特征在于，所述密封隔热壳体(300)包括底板(310)、上盖板(320)和外壳(330)；
所述底板(310)密封设置在所述外壳(330)的底部，所述上盖板(320)密封设置在所述外壳(330)的顶部。
5.根据权利要求4所述的液体供应装置，其特征在于，所述外壳(330)的底部设置有用于冷却所述制冷件(200)的循环液流道(303)。
6.根据权利要求1-5任一项所述的液体供应装置，其特征在于，所述进出管路(110)包括进液管(111)、出液管(112)和吹扫管(113)；
所述进液管(111)、所述出液管(112)和所述吹扫管(113)均设置在所述液态源罐体(100)上；
所述进液管(111)伸入所述液态源罐体(100)内的一端位于液面下方。
7.根据权利要求6所述的液体供应装置，其特征在于，还包括液位传感器(500)，所述液位传感器(500)设置在所述液态源罐体(100)上，且所述液位传感器(500)突出于所述密封隔热壳体(300)。
8.根据权利要求1-5任一项所述的液体供应装置，其特征在于，所述进气口(302)和所述出气口(301)分别位于所述液态源罐体(100)的相对的两侧。
9.根据权利要求1-5任一项所述的液体供应装置，其特征在于，所述制冷件(200)采用半导体制冷器。
10.一种半导体沉积设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的液体供应装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210920220.0A CN115274505A (zh) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 液体供应装置及半导体沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210920220.0A CN115274505A (zh) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 液体供应装置及半导体沉积设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115274505A true CN115274505A (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=83747929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210920220.0A Pending CN115274505A (zh) | 2022-08-02 | 2022-08-02 | 液体供应装置及半导体沉积设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115274505A (zh) |
-
2022
- 2022-08-02 CN CN202210920220.0A patent/CN115274505A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108820581B (zh) | 一种生物样本存储系统 | |
| US3371499A (en) | Cryosorption vacuum pumping system | |
| WO2002088611A1 (en) | Chiller tank system and method for chilling liquids | |
| CN115274505A (zh) | 液体供应装置及半导体沉积设备 | |
| CN214399817U (zh) | 一种制氢装置 | |
| US3820598A (en) | Apparatus for cooling liquids | |
| CN116287709A (zh) | 一种真空热还原制备铷或铯的制备装置和制备方法 | |
| US3306058A (en) | Cryostat | |
| CN212391423U (zh) | 高温冷凝液降温装置及电导率监测机构及换热系统 | |
| CN114893994A (zh) | 一种可使炉子快速降温及回收炉衬蓄热量的炉衬结构 | |
| CN112098261B (zh) | 一种用于高温高压下液体金属钠蒸发的装置及操作方法 | |
| CN208835029U (zh) | 具有管道加热功能的半导体制造装置 | |
| JP4246951B2 (ja) | 冷却装置 | |
| CN212741503U (zh) | 一种可以高效冷却的节能氮化炉 | |
| CN215372090U (zh) | 一种具有冷却装置的有机废气缓冲罐及废气收集输送系统 | |
| KR200394749Y1 (ko) | 가스운반선용 컴프레셔룸의 냉각제습장치 | |
| CN215451720U (zh) | 一种电解液输送装置 | |
| CN220079179U (zh) | 一种耐高温高压密封坩埚组件 | |
| CN110732216A (zh) | 一种含氯废气处理装置 | |
| CN215812618U (zh) | 真空装置 | |
| CN217275132U (zh) | 一种新型反应釜降温装置 | |
| JP2015031543A (ja) | 漏えい検出装置および原子力設備 | |
| CN107401674A (zh) | 列管式汽化装置 | |
| EP4230983A1 (en) | Low temperature pipe system testing | |
| CN216870491U (zh) | 一种杂质积聚特性评估装置及系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |