CN115250405A - 无线音频输出装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种无线音频输出装置，包括一第一接点、一第二接点、一第三接点及一充电保护电路。第一接点耦接至一稳压电容。第三接点接地。充电保护电路的一第一端耦接至第一接点及充电控制电路。充电保护电路的一第二端耦接至第二接点及信号接收电路。充电保护电路具有一第一状态及一第二状态。于第一状态时，充电保护电路导通以使第二接点耦合至第一接点。于第二状态时，充电保护电路不导通以使第二接点不耦合至第一接点。

Description

无线音频输出装置

技术领域

本发明是有关于一种音频输出装置，特别是关于一种无线音频输出装置。

背景技术

无线耳机因其便利性而受到现代人的喜爱。一般而言，无线耳机是通过搭配的充电盒来进行充电。除了具备充电的功能之外，为了满足使用者的需求，充电盒通常也具有能够与无线耳机进行通信的功能。因应于充电盒的功能配置，无线耳机的电路设计将成为一个重要的课题。

发明内容

本发明实施例提供一种无线音频输出装置，包括一第一接点、一第二接点、一第三接点、一充电控制电路、一信号接收电路及一充电保护电路。第一接点耦接至一稳压电容。第三接点接地。充电保护电路的一第一端耦接至第一接点及充电控制电路。充电保护电路的一第二端耦接至第二接点及信号接收电路。充电保护电路具有一第一状态及一第二状态。于第一状态时，充电保护电路导通以使第二接点耦合至第一接点。于第二状态时，充电保护电路不导通以使第二接点不耦合至第一接点。第一接点及第二接点的其中之一用以耦接至一充电装置用以输出一充电电压或一通信信号的一第一输出端。第三接点用以耦接至充电装置的一第二输出端。当第一接点耦接至第一输出端且第一输出端输出充电电压，充电保护电路切换为第二状态，以令充电电压传递至充电控制电路。当第二接点耦接至第一输出端且充电装置输出充电电压，充电保护电路切换为第一状态，以令充电电压传递至充电控制电路。当第二接点耦接至第一输出端且充电装置输出通信信号，充电保护电路切换为第二状态，以令通信信号传递至充电控制电路。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的无线音频输出装置的方块图。

图2A为根据本发明一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图2B为根据本发明另一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图3为根据本发明又一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图4A为根据本发明又一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图4B为根据本发明又一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图5A为根据本发明又一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图5B为根据本发明又一实施例的充电保护电路的电路方块图。

图6为根据本发明又一实施例的控制信号产生电路的方块图。

其中，附图标记：

10：无线音频输出装置

90：充电装置

102：充电控制电路

104：信号接收电路

106、106a～106g：充电保护电路

C：稳压电容

N1：第一接点

N2：第二接点

N3：第三接点

O1：第一输出端

O2：第二输出端

Vc：充电电压

Sc：通信信号

CS：控制信号

M1：第一晶体管

M2：第二晶体管

M61、M62：晶体管

R61：电阻

EN：信号

D1：第一二极管

D2：第二二极管

R1：第一电阻

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图1为根据本发明一实施例的与充电装置90搭配的无线音频输出装置10的方块图。参照图1，无线音频输出装置10包括一充电控制电路102、一信号接收电路104、一充电保护电路106、一第一接点N1、一第二接点N2、一第三接点N3及一稳压电容C。

无线音频输出装置10通过第一接点N1、第二接点N2及第三接点N3与充电装置90的一第一输出端O1及一第二输出端O2之间的连接进行充电及通信。详言之，连接时，第一接点N1及第二接点N2的其中之一耦接至充电装置90的第一输出端O1，而第三接点N3耦接至充电装置90的第二输出端O2。此外，第三接点N3还耦接至参考接地。

充电保护电路106的一第一端耦接至第一接点N1及充电控制电路102。充电保护电路106的一第二端耦接至第二接点N2及信号接收电路104。第一接点N1耦接稳压电容C的一第一端。充电保护电路106受控于无线音频输出装置10的一控制单元(图未示)提供的一控制信号CS，并视控制信号CS的状态而切换于一第一状态及一第二状态之间。当充电保护电路106切换至第一状态时，充电保护电路106将第二接点N2耦接至第一接点N1及充电控制电路102，亦即令第一接点N1与第二接点N2之间短路。当充电保护电路106切换至第二状态时，充电保护电路106将第二接点N2不耦接至第一接点N1及充电控制电路102，亦即令第一接点N1与第二接点N2之间断路。

充电装置90与无线音频输出装置10之间的操作机制包括一第一应用及一第二应用，视需求来决定。在第一应用中，充电装置90不仅能够对无线音频输出装置10进行充电，还能够与无线音频输出装置10进行通信。在第二应用中，充电装置90可只对无线音频输出装置10进行充电，而不与无线音频输出装置10进行通信。简言之，充电装置90是以第一输出端O1耦接至第一接点N1还是第二接点N2来决定充电装置90是否具能够与无线音频输出装置10进行通信的功能。详细说明如后。

在第一应用中，充电装置90的第一输出端O1用以提供一充电电压Vc或输出一通信信号Sc至无线音频输出装置10。在此实施例中，充电装置90的第一输出端O1会被耦接至第二接点N2。

当充电装置90的第一输出端O1提供充电电压Vc时，充电保护电路106回应于控制信号CS的致能状态而切换为第一状态，以令第一接点N1与第二接点N2之间短路。充电装置90提供的充电电压Vc将经由第一接点N1及充电保护电路106传递至充电控制电路102，充电控制电路102根据充电电压Vc对无线音频输出装置10的一或多个电力存储单元(图未示)进行充电，而稳压电容C作为稳定充电控制电路102接收到的电压之用。

当充电装置90的第一输出端O1输出通信信号Sc时，充电保护电路106回应于控制信号CS的禁能状态而切换为第二状态，以令第一接点N1与第二接点N2之间断路。如此一来，在充电装置90输出通信信号Sc时，通信信号Sc可被传递至用以接收通信信号Sc的信号接收电路104，且由于第一接点N1与第二接点N2之间为断路，充电装置90端的输出负载将不包括稳压电容C，也就是说能够减少充电装置90在与无线音频输出装置10进行通信时需要推动的负载。

在第二应用中，充电装置90的第一输出端O1用以输出充电电压Vc但不输出通信信号Sc。在此实施例中，充电装置90的第一输出端O1会被耦接至第一接点N1。充电保护电路106回应于控制信号CS的禁能状态而维持在第二状态。也就是说，在第二应用中，由于充电装置90与无线音频输出装置10之间不进行信号沟通，故第一接点N1与第二接点N2之间可以维持断路。

此外，在一实施例中，在无线音频输出装置10未与充电装置90连接时，充电保护电路106可维持在第二状态。

在第一应用或第二应用下的充电操作中，充电控制电路102皆用以接收充电电压Vc，并根据充电电压Vc，以适当电压及电流对无线音频输出装置10的电力存储单元进行充电。而在通信操作中，信号接收电路104用以接收通信信号Sc，并将通信信号Sc传送至无线音频输出装置10的一或多个处理单元(图未示)。

在一个实际的例子中，无线音频输出装置10为无线耳机，而充电装置90为无线耳机的充电盒。在这个例子中，充电装置90与无线音频输出装置10之间在接点上的连接方式可以是非固定的。也就是说，在无线音频输出装置10的设计阶段就需要考量到充电电压Vc可能自第一接点N1输入，也可能自第二接点N2输入。无论充电电压Vc自第一接点N1输入或自第二接点N2输入，都要考量到充电保护电路106处于第二状态下如何避免漏电流的产生，以及确保充电保护电路106在正确的时间处于正确的状态(第一状态或第二状态)。

图2A为根据本发明一实施例的充电保护电路106a的电路方块图。为更清楚理解，请同时参照图2A及图1，充电保护电路106a可用以实现图1中的充电保护电路106。充电保护电路106a包括一第一晶体管M1。第一晶体管M1的一第一端耦接至第二接点N2。第一晶体管M1的一第二端耦接至第一接点N1(及充电控制电路102)。第一晶体管M1的一控制端耦接至控制单元。第一晶体管M1的一基极浮接(floating)。当第一晶体管M1导通，充电保护电路106a处于第一状态。当第一晶体管M1截止，充电保护电路106a处于第二状态。

借由将第一晶体管M1的基极浮接可以允许电流能够从第二接点N2流向第一接点N1，也能够从第一接点N1流向第二接点N2。详而言之，由于在连接充电装置90之前，充电保护电路106a无法得知充电电压Vc会由第一接点N1还是第二接点N2输入，即第一晶体管M1的第一端还是第二端的电压会较高，故而将第一晶体管M1的基极浮接可通过第一端及第二端中电压较高者与基极之间的寄生二极管PD1或PD2将基极的电压上拉至接近于第一晶体管M1的第一端及第二端中电压较高者的电压(即第一晶体管M1的第一端及第二端中电压较高者的电压减去寄生二极管PD1或PD2的阈值电压)。随着基极电压升高，第一端及第二端中电压较低者与基极之间的电压差无法达到寄生二极管的阈值电压而使之不导通。如此一来，便得以动态决定第一晶体管M1的基极的电压。当第一晶体管M1的第一端的电压高于第一晶体管M1的第二端的电压时，第一晶体管M1的基极电压会等于第一晶体管M1的第一端的电压减去寄生二极管PD1的阈值电压；反之，当第一晶体管M1的第一端的电压低于第一晶体管M1的第二端的电压时，第一晶体管M1的基极电压会等于第一晶体管M1的第二端的电压减去寄生二极管PD2的阈值电压。为了清楚说明第一晶体管M1的基极浮接相较于将第一晶体管M1的基极耦接至第一晶体管M1的第一端或第二端(即第一接点N1或第二接点N2)带来的有益功效，以下将举出两种情况进行说明。

情况一：第一接点N1的电压高于第二接点N2的电压，且第一晶体管M1不导通。采用上述实施例将第一晶体管M1的基极浮接时，电流会从第一接点N1通过寄生二极管PD2流往基极，并决定基极的电压而使寄生二极管PD1截止。因寄生二极管PD1截止，于是不会有漏电流由基极经寄生二极管PD1流向第二接点N2。相对的，若将第一晶体管M1的基极固定耦接至第一接点N1时，电流会从第一接点N1流往基极，并决定基极的电压而使寄生二极管PD1截止，也不会有漏电流由基极流向第二接点N2。然而，若将第一晶体管M1的基极固定耦接至第二接点N2时，电流会从第一接点N1通过寄生二极管PD2流往基极，再由因固定耦接所建立的路径从基极流往第二接点N2，而产生漏电流。

情况二：第二接点N2的电压高于第一接点N1的电压，且第一晶体管M1不导通。采用上述实施例将第一晶体管M1的基极浮接时，电流会从第二接点N2通过寄生二极管PD1流往基极，并决定基极的电压而使寄生二极管PD2截止。因寄生二极管PD2截止，于是不会有漏电流由基极经寄生二极管PD2流向第一接点N1。相对的，若将第一晶体管M1的基极固定耦接至第二接点N2时，电流会从第二接点N2流往基极，并决定基极的电压而使寄生二极管PD2截止，也不会有漏电流由基极流向第一接点N1。然而，若将第一晶体管M1的基极固定耦接至第一接点N1时，电流会从第二接点N2通过寄生二极管PD1流往基极，再由因固定耦接所建立的路径从基极流往第一接点N1，而产生漏电流。

由上述说明可知，在无法确定第一接点N1及第二接点N2中何者会是电压较高的一方的情况下，将第一晶体管M1的基极固定耦接至第一接点N1或第二接点N2皆可能在特定情况下产生漏电流，而增加不必要的电能损耗。上述实施例借由将第一晶体管M1的基极浮接来有效避免漏电流的产生，从而降低不必要的电能损耗。

请参照图2B，图2B为根据本发明另一实施例的充电保护电路106b的电路方块图。充电保护电路106b与图2A的充电保护电路106a类似，差别在于充电保护电路106b更包括一第一二极管D1及一第二二极管D2，且充电保护电路106b的第一晶体管M1的基极非浮接。在本实施例中，第一二极管D1的一第一端耦接至第一晶体管M1的第一端，第一二极管D1的一第二端耦接至第一晶体管M1的基极，第二二极管D2的一第一端耦接至第一晶体管M1的第二端，第二二极管D2的一第二端耦接至第一晶体管M1的基极。在本实施例中，第一晶体管M1的基极的电压可通过实际设置的第一二极管D1或第二二极管D2来决定，而不是通过第一晶体管M1的第一端与基极之间的寄生二极管PD1或第一晶体管M1的第二端与基极之间的寄生二极管PD2决定。然而，充电保护电路106b与充电保护电路106a在操作上仍是类似的。亦即，当第一晶体管M1的第一端的电压高于第一晶体管M1的第二端的电压时，第一晶体管M1的基极电压会等于第一晶体管M1的第一端的电压减去第一二极管D1的阈值电压；反之，当第一晶体管M1的第一端的电压低于第一晶体管M1的第二端的电压时，第一晶体管M1的基极电压会等于第一晶体管M1的第二端的电压减去第二二极管D2的阈值电压。如此一来，无论第一晶体管M1的第一端与第二端的电压何者较高，都能避免在特定情况下产生漏电流。

请参照图3，图3为根据本发明又一实施例的充电保护电路106c的电路方块图。充电保护电路106c类似于图2B的充电保护电路106b，差别在于充电保护电路106c更包括一或多个第一电阻R1，其中若有多个第一电阻R1，则多个第一电阻R1可通过串联连接、并联连接或串并联混合连接的方式来形成以多个第一电阻R1为基底的电阻电路。此处以串联连接多个第一电阻R1为例。在此实施例中，串接的多个第一电阻R1连接于第一晶体管M1的第一端与第二端之间，而与第一晶体管M1并联。

在一些应用中，需要识别出充电装置90是否接入第一接点N1及第二接点N2中的一者。为此，设置检测电路(未图示)来检测充电装置90是否接入第一接点N1及第二接点N2中的一者。受惠于第一晶体管M1的设置，达成上述目的所需要的检测电路的最低数量相对的少，详细说明如下。

在一检测电路直接耦接于第二接点N2的情况中，若充电装置90接入第二接点N2，由于该检测电路也是耦接于第二接点N2因而能够检测到充电装置90接入第二接点N2；若充电装置90接入第一接点N1，充电装置90在第一接点N1所提供的电压通过第一电阻R1耦合至第二接点N2，据此直接耦接于第二接点N2的该检测电路也能够检测充电装置90接入第一接点N1。因此，达成上述目的，所需要的检测电路的最低数量只要一个。同理，在一检测电路直接耦接于第一接点N1的情况中，也只需要一个检测电路就能够达成上述目的，于此不再赘述。

请参照图4A，图4A为根据本发明又一实施例的充电保护电路106d的电路方块图。充电保护电路106d与图3的充电保护电路106c类似，差别在于充电保护电路106d更包括一第二晶体管M2。第二晶体管M2的一第一端及一基极耦接至第一晶体管M1的基极。第二晶体管M2的一第二端耦接至第一晶体管M1的第二端。第二晶体管M2的一控制端耦接至第一晶体管M1的第一端。

在第二应用中，如上所述，充电装置90由第一接点N1接入，本不应有电流由第一接点N1流向第二接点N2。然而，在一些实施例中，决定控制信号CS的根据包括第二接点N2的电压。在上述情况下，当第二接点N2意外地参考接地时，第一晶体管M1可能会因控制信号CS的电压相依于第二接点N2的电压而使得第一晶体管M1的控制端与第二端(第一接点N1)之间电压差大于第一晶体管M1的阈值电压而非预期导通令电流通过。借由设置第二晶体管M2来增加第一晶体管M1的阈值电压(threshold voltage)，可有效降低甚至避免在第二应用中第二接点N2意外地参考接地时第一晶体管M1有大电流通过的可能性。

具体来说，在一实施例中采用如图6所示的控制信号产生电路60。控制信号产生电路60包括晶体管M61及M62及电阻R61，而控制信号CS是根据信号EN所产生，其中信号EN为用以决定晶体管M62导通或不导通的致能信号。在第二应用中，当致能信号EN令晶体管M62(此例中晶体管M62为NMOS)不导通，第二接点N2为参考接地(第二应用的正常状况下第二接点N2应为浮接)且晶体管M61(此例子中晶体管M61为PMOS)因第一接点N1的电压远大于第二接点N2的电压而导通时，晶体管M61的漏极电压(亦即第一晶体管M1的栅极电压)为晶体管M61(非理想晶体管)的导通电阻与电阻R61的分压结果，其效果是使第一晶体管M1截止而达到短路保护的目的。然而当此分压结果与第一接点N1之间的电压差大于第一晶体管M1的阈值电压时，第一晶体管M1仍将会导通，进而导致大电流流过第一晶体管M1，仍可能造成第一晶体管M1损坏。增加第一晶体管M1的阈值电压可提高需要将第一晶体管M1导通所需的栅极-源极电压差，从而降低第一晶体管M1在上述情况发生时意外导通的机会。具体上，将第二晶体管M2的设置在第一晶体管M1的基极与漏极可增加第一晶体管M1的阈值电压，来解决上述问题。需说明的是，晶体管的源极及漏极是视其所被施加的电压来决定，在上述情境中，虽图6提供控制信号CS的晶体管M61的一端标示为源极，但由于第一节点N1的电压大于第二节点N2，因而所述一端实际上为漏极。

请参照图4B，图4B为根据本发明又一实施例的充电保护电路106e的电路方块图。充电保护电路106e与图4A的充电保护电路106d类似，差别在于充电保护电路106e包括的第一电阻R1为多个，且第二晶体管M2的控制端是耦接至串联连接的第一电阻R1的其中之二之间(即，第二晶体管M2的控制端耦接至两个第一电阻R1之间的串接点)，而不耦接至第一晶体管M1的第一端。第二晶体管M2的控制端通过第一电阻R1中的一或多个耦合至第二接点N2。

相较于第二晶体管M2的控制端耦接至第一晶体管M1的第一端。本实施例可适用于第二晶体管M2的耐压较低的情况。例如，充电电压Vc为5.5V并且该充电电压Vc提供至第二接点N2，而第二晶体管M2的第一端与第二端之间的耐压为5V时，通过将第二晶体管M2的控制端的电压等于第一接点N1与第二接点N2之间的分压来降低第二晶体管M2的源极与漏极之间的跨压，可有效避免第二晶体管M2因耐压不足而损坏，进而提升第二晶体管M2的耐用度。

请参照图5A，图5A为根据本发明又一实施例的充电保护电路106f的电路方块图。充电保护电路106f与图4A的充电保护电路106d类似，差别在于充电保护电路106f更包括一第三晶体管M3。第三晶体管M3的一第一端及一基极耦接至第一晶体管M1的基极。第三晶体管M3的一第二端耦接至第一晶体管M1的第一端。第三晶体管M3的一控制端耦接至第一晶体管M1的第二端。第三晶体管M3的作用类似于第二晶体管M2，可增加第一晶体管M1的阈值电压，进而解决在第一应用中第一接点N1意外地参考接地时第一晶体管M1导通而有大电流通过的问题。

请参照图5B，图5B为根据本发明又一实施例的充电保护电路106g的电路方块图。充电保护电路106g与图5A的充电保护电路106f类似，差别在于充电保护电路106g第二晶体管M2的控制端耦接至串联连接的第一电阻R1的其中之二之间，而不耦接至第一晶体管M1的第一端，第三晶体管M3的控制端耦接至串联连接的第一电阻R1的其中之二之间，而不耦接至第一晶体管M1的第二端。相较于充电保护电路106f，第二晶体管M2的源极与漏极之间的跨压及第三晶体管M3的源极与漏极之间的跨压可被降低，进而提升第二晶体管M2及第三晶体管M3的耐用度。

需要注意的是，上述各实施例可根据需求适当地混搭使用。例如，在充电保护电路106d至106g中，可将第一二极管D1及第二二极管D2取代为图2A的充电保护电路106a的寄生二极管PD1及PD2。再例如，在充电保护电路106c、106d及106f中，可将串联连接于第一晶体管M1的第一端与第二端之间的一或多个第一电阻R1移除，并针对第一接点N1与第二接点N2分别连接一个检测电路来确定是否有充电装置90的接入。

本发明的充电保护电路具有避免漏电流的产生的功效之外，更具有在第二应用下第二接点意外地参考接地时的短路保护功能。此外，借由在第一晶体管的第一端与第二端之间耦接串联连接的一或多个第一电阻，可免除针对第一接点与第二接点分别设计一套检测电路的需求。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种无线音频输出装置，其特征在于，包括：

一第一接点，耦接至一稳压电容；

一第二接点；

一第三接点，耦接至参考接地；

一充电控制电路，耦接至该第一接点；

一信号接收电路，耦接至该第二接点；以及

一充电保护电路，该充电保护电路的一第一端耦接至该第一接点及该充电控制电路，该充电保护电路的一第二端耦接至该第二接点及该信号接收电路，该充电保护电路具有一第一状态及一第二状态，于该第一状态时，该充电保护电路导通以使该第二接点耦合至该第一接点，于该第二状态时，该充电保护电路不导通以使该第二接点不耦合至该第一接点，

其中该第一接点及该第二接点的其中之一用以耦接至一充电装置用以输出一充电电压或一通信信号的一第一输出端，该第三接点用以耦接至该充电装置的一第二输出端，当该第一接点耦接至该第一输出端且该充电装置输出该充电电压，该充电保护电路切换为该第二状态，以令该充电电压传递至该充电控制电路，当该第二接点耦接至该第一输出端且该充电装置输出该充电电压，该充电保护电路切换为该第一状态，以令该充电电压传递至该充电控制电路，当该第二接点耦接至该第一输出端且该充电装置输出该通信信号，该充电保护电路切换为该第二状态，以令该通信信号传递至该信号接收电路。

2.如权利要求1所述的无线音频输出装置，其特征在于，该充电保护电路包括：

一第一晶体管，该第一晶体管的一第一端耦接至该第二接点，该第一晶体管的一第二端耦接至该第一接点，该第一晶体管的一控制端接收一控制信号，该第一晶体管的一基极浮接，当该充电保护电路处于该第一状态时，该第一晶体管受控于该控制信号导通，当该充电保护电路处于该第二状态时，该第一晶体管受控于该控制信号不导通。

3.如权利要求1所述的无线音频输出装置，其特征在于，该充电保护电路包括：

一第一晶体管，该第一晶体管的一第一端耦接至该第二接点，该第一晶体管的一第二端耦接至该第一接点，该第一晶体管的一控制端接收一控制信号，当该充电保护电路处于该第一状态时，该第一晶体管受控于该控制信号导通，当该充电保护电路处于该第二状态时，该第一晶体管受控于该控制信号不导通；

一第一二极管，该第一二极管的一第一端耦接至该第一晶体管的一基极，该第一二极管一第二端耦接至该第一晶体管的该第一端；以及

一第二二极管，该第二二极管的一第一端耦接至该第一晶体管的该基极，该第二二极管一第二端耦接至该第一晶体管的该第二端。

4.如权利要求3所述的无线音频输出装置，其特征在于，该充电保护电路更包括：

一或多个第一电阻，串联连接于该第一晶体管的该第一端与该第二端之间。

5.如权利要求4所述的无线音频输出装置，其特征在于，该充电保护电路更包括：

一第二晶体管，该第二晶体管的一第一端及一基极耦接至该第一晶体管的该基极，该第二晶体管的一第二端耦接至该第一晶体管的该第二端，该第二晶体管的一控制端耦接至该第一晶体管的该第一端。

6.如权利要求4所述的无线音频装置，其特征在于，该充电保护电路更包括：

一第二晶体管，该第二晶体管的一第一端及一基极耦接至该第一晶体管的该基极，该第二晶体管的一第二端耦接至该第一晶体管的该第二端，该第一电阻有多个，该第二晶体管的一控制端耦接至该多个第一电阻的其中之二之间。

7.如权利要求5所述的无线音频输出装置，其特征在于，该充电保护电路更包括：

一第三晶体管，该第三晶体管的一第一端及一基极耦接至该第一晶体管的该基极，该第三晶体管的一第二端耦接至该第一晶体管的该第一端，该第三晶体管的一控制端耦接至该第一晶体管的该第二端。

8.如权利要求6所述的无线音频装置，其特征在于，该充电保护电路更包括：

一第三晶体管，该第三晶体管的一第一端及一基极耦接至该第一晶体管的该基极，该第三晶体管的一第二端耦接至该第一晶体管的该第一端，该第三晶体管的一控制端耦接至该多个第一电阻的其中之二之间。

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