CN115244718A - 具有微型led芯片的修理用部件、及其制造方法、修理方法、发光装置的制造方法、以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种修理用部件，其具备：具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置的、具有与上述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层。

Description

具有微型LED芯片的修理用部件、及其制造方法、修理方法、发 光装置的制造方法、以及发光装置
技术领域
本发明涉及具有微型LED芯片的修理用部件、及其制造方法、修理方法、发光装置的制造方法、以及发光装置。
背景技术
使用了微小尺寸的微型LED芯片的微型LED显示器作为下一代的显示装置而受到关注。微型LED显示器是指各个像素为微细的发光二极管(以下，称为LED)芯片，该LED芯片以高密度敷设于显示器基板的表面的显示装置。
在这样的微型LED显示器的制造中，对于显示器基板的表面而言，精度良好地确实地排列LED芯片是重要的。
基板与LED等元件的电连接利用了各向异性导电粘接剂(例如，参照专利文献1～3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平2-177547号公报
专利文献2：日本特开2017-157724号公报
专利文献3：日本特开2014-65765号公报
发明内容
发明所要解决的课题
将基板与微型LED芯片的电连接使用各向异性导电粘接剂进行之后，发现不良的微型LED芯片的情况下，没有适当的修理方法。例如，在将不良的微型LED芯片利用激光等除去各个各向异性导电层的情况下，由于微型LED微小，因此不能使良好的微型LED芯片以单体的方式，与已经连接有微型LED芯片的基板进行电连接。例如，在使用焊料糊料、糊状的各向异性导电粘接剂等接合剂的情况下，微型LED芯片的间隔窄(例如，10μm左右)，因此如果要使用该接合剂将基板与更换用的微型LED芯片进行电连接，则即使在相邻的微型LED芯片中，接合剂会接触，会短路的可能性高。
本发明的课题在于实现以下目的。即，本发明的目的在于提供能够容易更换不良的微型LED芯片的修理用部件、其制造方法、使用了上述修理用部件的修理方法、发光装置的制造方法、以及发光装置。
用于解决课题的方法
作为用于解决上述课题的方法，如以下那样。即，
＜1＞一种修理用部件，其特征在于，具备：
具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及
与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置的、具有与上述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层。
＜2＞根据上述＜1＞所述的修理用部件，其具有：上述各向异性导电层的与上述微型LED芯片侧相反侧的表面相接而配置的基材。
＜3＞根据上述＜2＞所述的修理用部件，上述基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃。
＜4＞根据上述＜2＞或＜3＞中任一项所述的修理用部件，在上述基材上，上述各向异性导电层与上述微型LED芯片的层叠物分离地配置多个。
＜5＞根据上述＜4＞所述的修理用部件，上述基材为带状。
＜6＞一种修理用部件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
在配置于基材上的各向异性导电层上，分离地配置多个微型LED芯片的工序，
除去位于上述微型LED芯片的上述各向异性导电层侧的面的周围的上述各向异性导电层的工序。
＜7＞根据上述＜6＞所述的修理用部件的制造方法，上述各向异性导电层的除去通过对于上述各向异性导电层照射激光来进行。
＜8＞根据上述＜6＞或＜7＞中任一项所述的修理用部件的制造方法，上述基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃。
＜9＞一种修理方法，其特征在于，包括下述工序：
从发光板除去不良的微型LED芯片的工序，所述发光板具备：具有多个电极的配线基板，以及具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片，上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行了电连接，
在上述发光板中的曾存在被除去的上述不良的微型LED芯片的位置，载置修理用部件的工序，
上述修理用部件具备：具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置的、具有与上述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层，
上述修理用部件中的上述微型LED芯片的上述电极与上述配线基板的上述电极介由上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
＜10＞一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
从发光板除去不良的微型LED芯片的工序，所述发光板具备：具有多个电极的配线基板，以及具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片，上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行了电连接，
在上述发光板中的曾存在被除去的上述不良的微型LED芯片的位置，载置修理用部件的工序，
上述修理用部件具备：具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置的、具有与上述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层，
上述修理用部件中的上述微型LED芯片的上述电极与上述配线基板的上述电极介由上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
＜11＞一种发光装置，其特征在于，具有发光板，所述发光板具备：
具有多个电极的配线基板；具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片；将上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行了各向异性导电连接的向异性导电层；以及上述＜1＞所述的修理用部件，
上述修理用部件与上述配线基板介由上述修理用部件的上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
发明的效果
根据本发明，能够提供能够容易地更换不良的微型LED芯片的修理用部件，其制造方法，使用了上述修理用部件的修理方法，发光装置的制造方法，以及发光装置。
附图说明
图1为微型LED芯片的一例的示意图。
图2为微型LED芯片的另一例的示意图。
图3为修理用部件的一例的截面示意图。
图4为修理用部件的另一例的截面示意图。
图5A为修理用部件的另一例的截面示意图。
图5B为修理用部件的另一例的上面示意图。
图6A为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其1)。
图6B为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其2)。
图6C为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其3)。
图6D为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其4)。
图6E为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其5)。
图6F为用于说明修理用部件的制造方法的一例的概略图(其6)。
图7A为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其1)。
图7B为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其2)。
图7C为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其3)。
图7D为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其4)。
图7E为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其5)。
图7F为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其6)。
图7G为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其7)。
图7H为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其8)。
图7I为用于说明修理用部件的制造方法的另一例的概略图(其9)。
图8A为用于说明修理方法的一例的概略图(其1)。
图8B为用于说明修理方法的一例的概略图(其2)。
图8C为用于说明修理方法的一例的概略图(其3)。
图8D为用于说明修理方法的一例的概略图(其4)。
图8E为用于说明修理方法的一例的概略图(其5)。
具体实施方式
(具有微型LED芯片的修理用部件)
本发明的具有微型LED芯片的修理用部件具备：微型LED芯片以及各向异性导电层，进一步根据需要具有基材等其它构件。
＜微型LED芯片＞
上述微型LED(light emitting diode)芯片为发光二极管的微小芯片。
上述微型LED芯片为从上面发出规定的波长带的光的固体发光元件。
上述微型LED芯片例如，是在平面形状中一边为5μm以上100μm以下的尺寸。
作为上述微型LED芯片的平面形状，可举出例如，正方形等。
上述微型LED芯片为薄片状，上述微型LED芯片的长宽比(高度H/宽度W)为例如，0.1以上1以下。
上述微型LED芯片具有配置有电极的电极面。
例如，如图1所示那样，微型LED芯片1具有将第1导电型层101、活性层102和第2导电型层103依次层叠而成的层叠结构。活性层102发出规定的波长带的光。
在发出蓝色带或绿色带的光的微型LED芯片中，第1导电型层101、活性层102和第2导电型层103例如，由InGaN系的半导体材料来构成。
在发出红色带的光的微型LED芯片中，第1导电型层101、活性层102和第2导电型层103例如，由AlGaInP系的半导体材料来构成。
第1电极104和第2电极105例如，包含Ag(银)等高反射性的金属材料而构成。另外，微型LED芯片1没有图示，但是可以具有被覆侧面以及上面中第2电极105的未形成区域的绝缘膜。
微型LED芯片1的侧面例如，如图1所示那样，成为与层叠方向正交的面。另外，考虑到光取出效率，微型LED芯片1的侧面可以成为与层叠方向交叉的倾斜面。例如，如图2所示那样，微型LED芯片1可以在侧面具有该微型LED芯片1的截面成为倒梯形形状那样的倾斜面。
在第1导电型层101的下面设置有第1电极104。第1电极104与第1导电型层101相接的同时，与第1导电型层101进行了电连接。
另一方面，第2导电型层103的上面设置有第2电极105。第2电极105与第2导电型层103相接的同时，与第2导电型层103进行了电连接。
第1电极104和第2电极105各自可以由单一电极而构成，也可以由多个电极而构成。图1或图2中，第1电极104由2个电极形成，第2电极105由单一电极形成。
＜各向异性导电层＞
上述各向异性导电层为用于进行将上述微型LED芯片的上述电极面的上述电极与配线基板等电极的各向异性导电连接的构件。
上述修理用部件中，上述各向异性导电层与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置。
上述修理用部件中的上述各向异性导电层具有与上述电极面的面积相当的面积。
作为上述各向异性导电层的面积，例如，为与上述电极面的面积大致相同的面积。这里，所谓大致相同的面积，是指从上述电极面几乎没有露出的程度的面积，例如，上述电极面的面积的±10％以内的面积。
上述各向异性导电层例如，至少含有膜形成树脂、固化性树脂、固化剂以及导电性粒子，进一步根据需要含有其它成分。
＜＜膜形成树脂＞＞
作为上述膜形成树脂，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，苯氧基树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等。上述膜形成树脂可以单独使用1种，也可以并用2种以上。这些之中，从制膜性、加工性、连接可靠性方面考虑，优选为苯氧基树脂。
作为上述苯氧基树脂，可举出例如，由双酚A和表氯醇合成的树脂等。
上述苯氧基树脂可以使用适当合成的产物，也可以使用市售品。
作为上述各向异性导电层中的上述膜形成树脂的含量，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为20质量％以上70质量％以下，更优选为30质量％以上60质量％以下。
＜＜固化性树脂＞＞
作为上述固化性树脂(固化成分)，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，例如，可举出自由基聚合性化合物、环氧树脂等。
-自由基聚合性化合物-
作为上述自由基聚合性化合物，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸异丁酯、环氧丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二甘醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二羟甲基三环癸烷二丙烯酸酯、1,4-丁二醇四丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二丙烯酰氧基丙烷、2,2-双[4-(丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、二环戊烯基丙烯酸酯、三环癸基丙烯酸酯、三(丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等。它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
此外，可举出使上述丙烯酸酯为丙烯酸甲酯的自由基聚合性化合物，它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
-环氧树脂-
作为上述环氧树脂，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、它们的改性环氧树脂、脂环式环氧树脂等。它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
作为上述各向异性导电层中的上述固化性树脂的含量，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为20质量％以上70质量％以下，更优选为30质量％以上60质量％以下。
＜＜固化剂＞＞
作为上述固化剂，只要具有通过热使上述固化性树脂固化的作用，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，热自由基系固化剂、热阳离子系固化剂等。
-自由基系固化剂-
作为上述自由基系固化剂，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，有机过氧化物等。
作为上述有机过氧化物，可举出例如，过氧化月桂酰、过氧化丁基、过氧化二月桂酰、过氧化二丁基、过氧化二碳酸酯、过氧化苯甲酰等。
上述自由基系固化剂优选与作为上述固化性树脂的自由基聚合性化合物并用。
-阳离子系固化剂-
作为上述阳离子系固化剂，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，锍盐、鎓盐等。这些之中，优选为芳香族锍盐。
上述阳离子系固化剂优选与作为上述固化性树脂的环氧树脂并用。
作为上述各向异性导电层中的上述固化剂的含量，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为1质量％以上10质量％以下，更优选为3质量％以上7质量％以下。
＜＜导电性粒子＞＞
作为上述导电性粒子，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，金属粒子、金属被覆树脂粒子等。
作为上述金属粒子，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，镍、钴、银、铜、金、钯、焊锡等。它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
这些之中，优选为镍、银、铜。这些金属粒子以防止氧化为目的，可以含有金、钯。进一步，可以使用表面利用金属突起、有机物实施了绝缘皮膜的产物。
作为上述金属被覆树脂粒子，只要为将树脂粒子的表面利用金属进行了被覆的粒子，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，将树脂粒子的表面利用镍、银、焊锡、铜、金和钯的至少任一金属进行了被覆的粒子等。进一步，可以使用表面利用金属突起、有机物实施了绝缘皮膜的产物。在考虑了低电阻的连接的情况下，优选为将树脂粒子的表面利用金进行了被覆的粒子。
作为金属对于上述树脂粒子的被覆方法，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，非电解镀覆法、溅射法等。
作为上述树脂粒子的材质，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、苯胍胺树脂、交联聚苯乙烯树脂、丙烯酸系树脂、苯乙烯-二氧化硅复合树脂等。
上述导电性粒子只要在各向异性导电连接时，具有导电性即可。例如，即使为对于金属粒子的表面实施了绝缘皮膜的粒子，如果在各向异性导电连接时上述粒子变形，上述金属粒子露出，则为上述导电性粒子。
作为上述导电性粒子的平均粒径，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为1μm以上50μm以下，更优选为2μm以上30μm以下，特别优选为3μm以上15μm以下。
上述平均粒径为对于任意10个导电性粒子进行了测定的粒径的平均值。
上述粒径例如，能够通过扫描型电子显微镜观察来测定。
作为上述各向异性导电层中的上述导电性粒子的含量，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为0.5质量％以上10质量％以下，更优选为3质量％以上8质量％以下。
＜＜其它成分＞＞
作为上述其它成分，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，硅烷偶联剂等。
-硅烷偶联剂-
作为上述硅烷偶联剂，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，环氧系硅烷偶联剂、丙烯酸系硅烷偶联剂、硫醇系硅烷偶联剂、胺系硅烷偶联剂等。
作为上述硅烷偶联剂的含量，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。
作为上述各向异性导电层的平均厚度，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为1μm以上50μm以下，更优选为3μm以上30μm以下，特别优选为5μm以上20μm以下。
这里，在本说明书中所谓平均厚度，为测定任意的地方10处时的算术平均值。
＜基材＞
上述基材与上述各向异性导电层的与上述微型LED芯片侧相反侧的表面相接而配置。
作为上述基材，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、玻璃等。
上述基材可以实施脱模处理。
上述基材例如，为带状。
在上述基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯的情况下，作为上述基材的平均厚度，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可以为10μm以上100μm以下，可以为20μm以上80μm以下。
在上述基材为玻璃的情况下，作为上述基材的平均厚度，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可以为0.05mm以上10mm以下，可以为0.2mm以上8mm以下。
上述修理用部件例如，可以为在上述基材上，上述各向异性导电层与上述微型LED芯片的层叠物分离地配置多个的方式。
在该情况下，上述基材为带状，上述层叠物可以在上述基材的长度方向上以一列的方式配置，也可以以多列的方式配置。
这里，使用图以说明修理用部件的一例。
图3为本发明的修理用部件的一例的截面示意图。
图3的修理用部件具有微型LED芯片1和各向异性导电层2。微型LED芯片1具有配置有电极1A的电极面1B。各向异性导电层2与微型LED芯片1的配置于电极面1B的电极1A相接而配置。各向异性导电层2的面积相当于电极面1B的面积。
图3中，电极面1B和各向异性导电层2的电极面1B侧的面2A为相同形状和相同面积，但是不需要为完全相同形状和相同面积，形状、大小可以在一定程度上不同。
另外，图3的修理用芯片中，电极面1B与各向异性导电层2没有相接，但是修理用芯片如图4所示那样，可以电极1A埋没于各向异性导电层2，电极面1B与各向异性导电层2相接。
图5A和图5B为本发明的修理用部件的另一例的示意图。
图5A为截面示意图。图5B为上面示意图。
图5A和图5B所示的修理用部件中，在带状的基材3上，多个层叠物X分开以一列的方式配置。
层叠物X具有微型LED芯片1；与微型LED芯片1的配置于电极面1B的电极1A相接而被配置的、具有与电极面1B的面积相当的面积的各向异性导电层2。
图5A和图5B所示的修理用部件中，在2个层叠物X之间和基材3的端部，具有没有配置微型LED芯片1的各向异性导电层2。这来源于后述修理用部件的制造方法的一方式。本发明的修理用部件中，可以具有这样的没有配置微型LED芯片1的各向异性导电层2，也可以不具有。
图5A和图5B所示的修理用部件中，层叠物X中的各向异性导电层2的面积与微型LED芯片1的电极面的面积相同，因此将层叠物X从基材3剥离时，能够容易剥离。
(修理用部件的制造方法)
本发明的修理用部件的制造方法包含配置工序和除去工序，进一步根据需要包含其它工序。
＜配置工序＞
作为上述配置工序，只要为在配置于基材上的各向异性导电层上，将多个微型LED芯片分离地配置的工序，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。
＜＜基材＞＞
作为上述基材，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述基材。
＜＜各向异性导电层＞＞
作为上述各向异性导电层，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述各向异性导电层。然而，上述配置工序中的上述各向异性导电层的面积不是相当于上述电极面的面积的面积。
＜＜微型LED芯片＞＞
作为上述微型LED芯片，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述微型LED芯片。
作为在上述各向异性导电层上，将上述多个微型LED芯片分离地配置的方法，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，使用能够将多个微型LED芯片分开并把持的构件，在上述各向异性导电层上，将上述多个微型LED芯片分开并配置等。
＜除去工序＞
作为上述除去工序，只要为除去位于上述微型LED芯片的上述各向异性导电层侧的面的周围的上述各向异性导电层的工序，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选通过照射激光来进行。
作为激光的波长，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，从易于将树脂激光消融除去方面考虑优选为266nm。
作为激光照射时的激光能量强度，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为5％以上100％以下，更优选为5％以上50％以下。
所谓激光能量强度，是指使激光照射强度10,000mJ/cm2为100时的输出％所表示的强度。例如，所谓激光能量强度10％，是指激光照射强度1,000mJ/cm2。
此外，作为激光的照射次数，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为1次～10次。
作为激光照射时的总激光照射强度，优选为500mJ/cm2以上10,000mJ/cm2以下，更优选为1,000mJ/cm2以上5,000mJ/cm2以下。
这里，所谓总激光照射强度，为作为激光照射时的n次的激光照射强度的总和而算出的照射强度。这里“n”表示激光的照射次数。
作为用于除去各向异性导电层的激光照射装置，能够使用LMT-200(TorayEngineering公司制)、C.MSL-LLO1.001(TAKANO公司制)、DFL7560L(DISCO公司制)等能够利用脉冲激光消融的装置。
以下，使用图6A～图6G，说明修理用部件的制造方法的一例。
首先，准备在带状的基材3上配置有各向异性导电层2的各向异性导电膜(图6A和图6B)。图6A为各向异性导电膜的截面示意图。图6B为各向异性导电膜的上面示意图。
接下来，在各向异性导电层2上将多个微型LED芯片1分开来配置(图6C和图6D)。图6C为截面示意图。图6D为上面示意图。图6C和图6D中，多个微型LED芯片在带状的基材的长度方向上以一列的方式配置，但是可以以多列的方式配置。微型LED芯片1具有电极1A。微型LED芯片1中，以使电极1A与各向异性导电层2相接的方式，配置于各向异性导电层2上。
接下来，从激光照射源50照射激光51。激光51从微型LED芯片1侧，照射于位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面(电极面)的周围的各向异性导电层2(图6E)。图6F表示位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面的周围的一部分的各向异性导电层2被除去后的状态。重复同样的操作，如果除去位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面的周围的各向异性导电层2，则获得图5A和图5B所示的修理用部件。
以下，使用图7A～图7I，说明修理用部件的制造方法的另一例。
首先，准备在带状的基材3上配置有各向异性导电层2的各向异性导电膜(图7A和图7B)。图7A为各向异性导电膜的截面示意图。图7B为各向异性导电膜的上面示意图。
接下来，在各向异性导电层2上，将多个微型LED芯片1分开来配置(图7C和图7D)。图7C为截面示意图。图7D为上面示意图。图7C和图7D中，多个微型LED芯片在带状的基材的长度方向上以一列的方式配置，但是可以以多列的方式配置。微型LED芯片1具有电极1A。微型LED芯片1中，以使电极1A与各向异性导电层2相接的方式，配置于各向异性导电层2上。
接下来，从激光照射源50照射激光51。激光51从微型LED芯片1侧，照射于位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面(电极面)的周围的各向异性导电层2(图7E)。这里，激光51的点径相对于要除去的各向异性导电层2大，因此激光51隔着光掩模52而照射于各向异性导电层2。光掩模52在与微型LED芯片1的形状相当的光非透过区域52A及其周围具有开口部。由此，位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面(电极面)的周围的各向异性导电层2被除去(图7F和图7G)。重复同样的操作，如果除去位于微型LED芯片1的各向异性导电层2侧的面的周围的各向异性导电层2，则获得图7H和图7I所示的修理用部件。图7H为截面示意图。图7I为上面示意图。
(修理方法和发光装置的制造方法)
本发明的修理方法包含除去工序和载置工序，进一步根据需要包含检查工序、加热推压工序等其它工序。
本发明的发光装置的制造方法包含除去工序和载置工序，进一步根据需要包含检查工序、加热推压工序等其它工序。
上述修理方法例如，在发光装置的制造时得以实施。
上述发光装置例如，能够用于显示装置(微型LED显示器)、照明装置(LED照明)等。
上述修理方法和上述发光装置的制造方法中，修理用部件中的微型LED芯片的电极和配线基板的电极介由各向异性导电层而被各向异性导电连接。
＜除去工序＞
作为上述除去工序，只要为从发光板除去不良的微型LED芯片的工序，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。
作为从上述发光板除去上述不良的微型LED芯片的方法，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，将上述不良的微型LED芯片利用夹具把持，向上方提升的方法等。
＜＜发光板＞＞
上述发光板具有配线基板和多个微型LED芯片。
上述配线基板具有电极。
上述多个微型LED芯片具有配置有电极的电极面。
上述发光板中，上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行了电连接。
优选上述发光板中，上述配线基板的电极与上述微型LED芯片的上述电极介由各向异性导电层而被各向异性导电连接。
-配线基板-
作为上述配线基板，只要具有多个电极，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。
作为上述配线基板的材质、形状、大小、结构，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，玻璃基板、玻璃环氧基板、聚酰亚胺膜基板等。
作为上述配线基板中的上述电极的材质、形状、大小、结构，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。
-微型LED芯片-
上述微型LED芯片具有配置有电极的电极面。
作为上述微型LED芯片，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述微型LED芯片。
＜载置工序＞
作为上述载置工序，只要为在上述发光板中的具有被除去的上述不良的微型LED芯片的位置，载置修理用部件的工序，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，使用能够把持微型LED芯片的构件，在具有上述不良的微型LED芯片的位置，载置上述修理用部件的方法等。
＜＜修理用部件＞＞
上述修理用部件具有微型LED芯片和各向异性导电层，进一步根据需要具有基材等其它构件。
上述微型LED芯片具有配置有电极的电极面。
作为上述微型LED芯片，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述微型LED芯片。
上述修理用部件中，上述各向异性导电层与上述微型LED芯片的配置于上述电极面的上述电极相接而配置。
上述修理用部件中的上述各向异性导电层具有与上述电极面的面积相当的面积。
作为上述各向异性导电层的面积，例如，为与上述电极面的面积大致相同的面积。这里，所谓大致相同的面积，为从上述电极面几乎没有露出的程度的面积，例如，为上述电极面的面积的±10％以内的面积。
作为上述各向异性导电层，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述各向异性导电层。
＜检查工序＞
作为上述检查工序，只要为确认配置于上述发光板的上述多个微型LED芯片的任一者是否为上述不良的微型LED的工序，就没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，对于配置于上述发光板的上述多个微型LED芯片通电，观察微型LED芯片的发光状态从而进行检查的方法等。
＜加热和推压工序＞
作为上述加热工序，如果为在上述载置工序之后，将上述修理用部件进行加热和推压的工序，则没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，例如，使用加热推压构件来进行。
作为上述加热推压构件，例如，可举出具有加热机构的推压构件等。作为具有上述加热机构的推压构件，可举出例如，热工具等。
上述修理方法和上述发光装置的制造方法中，上述修理用部件中的上述微型LED芯片的上述电极与上述配线基板的上述电极介由固化的上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。上述各向异性导电连接例如，通过进行上述加热推压工序而实施。通过加热和推压上述各向异性导电层，从而上述微型LED芯片的上述电极与上述配线基板的上述电极介由上述各向异性导电层中的导电性粒子而被电连接，并且，上述各向异性导电层通过加热进行固化，从而上述微型LED芯片与上述配线基板被粘接。
作为上述加热的温度，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为150℃以上200℃以下。
作为上述推压的压力，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，优选为0.1MPa以上50MPa以下。
作为上述加热和推压的时间，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，例如，可举出0.5秒以上120秒以下。
以下，使用图8A～图8E，说明修理方法的一例。另外，该方法为发光装置的制造方法的一例。
图8A为发光板10的概略截面图。
发光板10具备：具有多个电极11A的配线基板11，以及具有配置有电极1A的电极面的多个微型LED芯片。图8A所示的发光板10的5个微型LED芯片中的1个为不良的微型LED芯片1Y。配线基板11的电极11A与微型LED芯片1、1Y的电极1A介由固化的各向异性导电层12而被各向异性导电连接。
对于发光板10中的多个微型LED芯片，检查是否具有不良的微型LED芯片。
将通过检查观察到的不良的微型LED芯片1Y如图8B所示那样，从发光板10除去。此时，优选与不良的微型LED芯片1Y一起，与不良的微型LED芯片1Y的电极面1B接触的固化的各向异性导电层12也除去。对于不良的微型LED芯片1Y的周围的固化的各向异性导电层12照射激光，将不良的微型LED芯片1Y的周围的固化的各向异性导电层12通过激光来除去。这样操作，从而能够将与不良的微型LED芯片1Y的电极面1B接触的固化的各向异性导电层12与不良的微型LED芯片1Y一起，从发光板10容易地除去。
另外，在将不良的微型LED芯片1Y从发光板10除去时，在与不良的微型LED芯片1Y的电极面1B接触的固化的各向异性导电层12残留于发光板10的情况下，优选将该固化的各向异性导电层12从发光板10除去。作为除去的方法，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可以物理地削掉，也可以照射激光来除去。
接下来，如图8C和图8D所示那样，在发光板10中具有被除去的不良的微型LED芯片1Y的位置，载置修理用部件100。
修理用部件100具有微型LED芯片1X和各向异性导电层2。微型LED芯片1X具有配置有电极1A的电极面1B。各向异性导电层2与微型LED芯片1的配置于电极面1B的电极1A相接而配置。各向异性导电层2的面积相当于电极面1B的面积。
修理用部件100例如，为从图5A和图5B所示的修理用部件取出的层叠物X。
接下来，将修理用部件100进行加热和推压。通过这样，从而如图8E所示那样，修理用部件100中的微型LED芯片1X的电极1A与配线基板11的电极11A介由固化的各向异性导电层12被各向异性导电连接。
通过以上完成修理。
(发光装置)
本发明的发光装置具有发光板，进一步根据需要具有其它部件。
上述发光板具有配线基板、多个微型LED芯片、各向异性导电层以及本发明的上述修理用部件，进一步根据需要具有其它部件。
上述配线基板具有电极。
上述微型LED芯片具有配置有电极的电极面。
上述各向异性导电层中，将上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行各向异性导电连接。换句话说，上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极介由上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
上述修理用部件与上述配线基板介由上述修理用部件的上述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
作为上述配线基板，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，本发明的修理方法和发光装置的制造方法中说明的上述配线基板。
作为上述微型LED芯片，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述微型LED芯片。
作为将上述配线基板的上述电极与上述微型LED芯片的上述电极进行了各向异性导电连接的上述各向异性导电层，作为其大小、形状、材质、结构，没有特别限制，能够根据目的进行适当选择。作为上述各向异性导电层的材质，可举出例如，本发明的修理用部件所说明的上述各向异性导电层的材质等。
实施例
以下，对于本发明的具体的实施例进行说明。另外，本发明并不限定于这些实施例。
(使用构件)
＜微型LED芯片＞
DEXERIALS公司制微型LED芯片
尺寸：18μm×40μm
电极尺寸：15μm×15μm
＜各向异性导电膜1(ACF1)＞
在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯：20mm×20mm，平均厚度50μm)上形成有各向异性导电层(平均厚度8μm)的各向异性导电膜(DEXERIALS公司制的粒子排列型各向异性导电膜，PAF700系列)
＜各向异性导电膜2(ACF2)＞
在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯：20mm×20mm，平均厚度50μm)上形成有各向异性导电层(平均厚度8μm)的各向异性导电膜(DEXERIALS公司制的自由基固化系各向异性导电膜)
-各向异性导电层-
·主构成成分
··丙烯酸酯化合物
··膜形成树脂(苯氧基树脂)
··过氧化物系固化剂
··导电性粒子(平均粒径3μm)：粒子通常分散型＜各向异性导电膜3(ACF3)＞
在玻璃(30mm×30mm，平均厚度1mm)上形成有各向异性导电层(平均厚度8μm)的各向异性导电膜(DEXERIALS公司制的阳离子固化系各向异性导电膜)-各向异性导电层-
·主构成成分
··环氧树脂
··膜形成树脂(苯氧基树脂)
··阳离子系固化剂
··导电性粒子(平均粒径3μm)：粒子通常分散型(实施例1)
使用各向异性导电膜1和上述微型LED芯片，与使用图6A～图6F进行了说明的修理用部件的制造方法同样地操作，制作出图5A和图5B所示的修理用部件。
激光的照射使用了利用脉冲激光照射能够消融的装置。此时的激光的照射条件如下。
·激光照射条件
··激光种类：YAG Laser
··激光波长：266nm
··激光能量强度：10％
··激光照射次数：1次
对于获得的修理用部件，进行以下评价。将结果显示于表1。
＜ACF能否除去＞
激光照射后，利用金属显微镜确认激光照射部的各向异性导电层的除去有无，按照以下评价基准进行了判断。
〔评价基准〕
○：应当除去的地方的各向异性导电层被完全除去。
△：应当除去的地方的各向异性导电层略微残留。
×：应当除去的地方的各向异性导电层不能完全除去。
＜拾取性＞
从获得的修理用部件拾取层叠物X。
具体而言，如以下那样操作来进行。图5A所示的修理用部件中，使层叠物X的微型LED芯片1的上面吸附于吸附喷嘴。然后，使吸附喷嘴向上方移动，从基材3(PET)拾取层叠物X。
对于10个层叠物X进行拾取。利用金属显微镜观察此时的样子，按照以下评价基准进行评价。
〔评价基准〕
○：拾取了10个全部的层叠物X。即，10个全部的层叠物X中，与微型LED芯片相接的各向异性导电层2没有残留于基材3。
△：1个～9个层叠物X的拾取中，与微型LED芯片1相接的各向异性导电层2有时残留于基材3。
×：10个全部的层叠物X的拾取中，仅微型LED芯片1被拾取，与微型LED芯片1相接的各向异性导电层2残留于基材3。
＜LED点亮性＞
作为评价用配线基板，使用了以下的基板。
·基板规格：玻璃基板+ITO配线，图案/间隙＝50μm/8μm
将从制作的修理用部件利用与拾取性评价同样的方法进行了拾取的层叠物X以使电极1A与评价用配线基板的电极对置的方式，载置于评价用配线基板上。然后，使用接合装置，以以下加热推压条件将层叠物X按压于评价用配线基板，进行了各向异性导电连接。
·加热推压条件：150℃，10sec，10MPa
然后，对于评价用配线基板流动电流，目视确认LED的点亮的有无。
对于合计10个的修理用部件，进行上述操作。
按照以下评价基准进行了评价。
〔评价基准〕
○：10个全部LED点亮了。
△：1～9个LED点亮了。
×：10个全部LED没有点亮。
(实施例2～8、10～11)
实施例1中，将各向异性导电膜的种类、激光波长、激光能量强度和激光照射次数变更为表1和表2所示的各向异性导电膜的种类、激光波长、激光能量强度和激光照射次数，除此以外，与实施例1同样地操作，制作出修理用部件。
对于获得的修理用部件，与实施例1同样地操作进行了评价。将结果显示于表1和表2。
(实施例9)
使用各向异性导电膜1和上述微型LED芯片，与使用图7A～图7G进行了说明的修理用部件的制造方法同样地操作，制作出图5A和图5B所示的修理用部件。
激光的照射使用了利用脉冲激光照射能够消融的装置。此时的激光的照射条件如下。
·激光照射条件
··激光种类：YAG Laser
··激光波长：266nm
··激光能量强度：10％
··激光照射次数：1次
对于获得的修理用部件，与实施例1同样地操作进行了评价。将结果显示于表2。
(比较例1)
在各向异性导电膜1上载置上述微型LED芯片，制作出修理用部件。即，比较例1的修理用部件中，各向异性导电层的面积不是相当于微型LED芯片的电极面的面积的面积。
对于获得的修理用部件，进行以下评价。将结果显示于表2。
＜拾取性＞
从获得的修理用部件拾取微型LED芯片。
具体而言，如以下那样操作来进行。使修理用部件的微型LED芯片的上面吸附于吸附喷嘴。然后，使吸附喷嘴向上方移动，从基材(PET)拾取微型LED芯片。
对于10个微型LED芯片进行拾取。利用金属显微镜观察此时的样子，按照以下评价基准进行了评价。
〔评价基准〕
○：10个全部微型LED芯片与各向异性导电层一起被拾取。即，10个全部的微型LED芯片的拾取中，各向异性导电层没有残留于基材。
△：1个～9个微型LED芯片的拾取中，各向异性导电层有时残留于基材。
×：10个全部微型LED芯片的拾取中，仅微型LED芯片被拾取，各向异性导电层残留于基材。
＜LED点亮性＞
拾取性为“×”。即，拾取的微型LED芯片上没有附着各向异性导电层。因此，不能使拾取的微型LED与实施例1所使用的评价用配线基板进行各向异性导电连接。因此，不能进行实施例1所进行的LED点亮性的评价。
[表1]
Figure BDA0003832187900000231
[表2]
Figure BDA0003832187900000241
与比较例1相比，实施例1～11中，拾取性优异。
激光照射时的总激光照射强度为1,000mJ/cm2以上5,000mJ/cm2以下的实施例1、3～5、7～11中，ACF的除去性、拾取性和LED点亮性都非常优异。
产业可利用性
本发明的修理用部件能够容易地更换不良的微型LED芯片，由此能够适合用于显示装置的制造。
符号的说明
1 微型LED芯片
1Y 不良的微型LED芯片
1A 电极
1B 电极面
2 各向异性导电层
2A 面
3 基材
10 发光板
11 配线基板
11A 电极
12 固化的各向异性导电层
50 激光照射源
51 激光
52 光掩模
100 修理用部件
X 层叠物

Claims (11)

1.一种修理用部件，其特征在于，具备：
具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及
与所述微型LED芯片的配置于所述电极面的所述电极相接而配置的、具有与所述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层。
2.根据权利要求1所述的修理用部件，其特征在于，具有：
所述各向异性导电层的与所述微型LED芯片侧相反侧的表面相接而配置的基材。
3.根据权利要求2所述的修理用部件，其特征在于，
所述基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃。
4.根据权利要求2或3所述的修理用部件，其特征在于，
在所述基材上，所述各向异性导电层与所述微型LED芯片的层叠物分离地配置有多个。
5.根据权利要求4所述的修理用部件，其特征在于，
所述基材为带状。
6.一种修理用部件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
在配置于基材上的各向异性导电层上，分离地配置多个微型LED芯片的工序，
除去位于所述微型LED芯片的所述各向异性导电层侧的面的周围的所述各向异性导电层的工序。
7.根据权利要求6所述的修理用部件的制造方法，其特征在于，
所述各向异性导电层的除去通过对于所述各向异性导电层照射激光来进行。
8.根据权利要求6或7所述的修理用部件的制造方法，其特征在于，
所述基材为聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃。
9.一种修理方法，其特征在于，包括下述工序：
从发光板除去不良的微型LED芯片的工序，所述发光板具备：具有多个电极的配线基板，以及具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片，所述配线基板的所述电极与所述微型LED芯片的所述电极进行了电连接，
在所述发光板中的曾存在被除去的所述不良的微型LED芯片的位置，载置修理用部件的工序，
所述修理用部件具备：具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及与所述微型LED芯片的配置于所述电极面的所述电极相接而配置的、具有与所述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层，
所述修理用部件中的所述微型LED芯片的所述电极与所述配线基板的所述电极介由所述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
10.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
从发光板除去不良的微型LED芯片的工序，所述发光板具备：具有多个电极的配线基板，以及具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片，所述配线基板的所述电极与所述微型LED芯片的所述电极进行了电连接，
在所述发光板中的曾存在被除去的所述不良的微型LED芯片的位置，载置修理用部件的工序，
所述修理用部件具备：具有配置有电极的电极面的微型LED芯片，以及与所述微型LED芯片的配置于所述电极面的所述电极相接而配置的、具有与所述电极面的面积相当的面积的各向异性导电层，
所述修理用部件中的所述微型LED芯片的所述电极与所述配线基板的所述电极介由所述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
11.一种发光装置，其特征在于，具有发光板，所述发光板具备：
具有多个电极的配线基板；具有配置有电极的电极面的多个微型LED芯片；将所述配线基板的所述电极与所述微型LED芯片的所述电极进行了各向异性导电连接的各向异性导电层；以及权利要求1所述的修理用部件，
所述修理用部件与所述配线基板介由所述修理用部件的所述各向异性导电层而被各向异性导电连接。
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