CN115207069A - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、发光层及像素限定层。发光层包括多个子像素。子像素包括发光材料层。不同颜色子像素的排列方向为第一方向，相同颜色子像素的排列方向为第二方向。像素限定层包括位于相同颜色子像素之间的第一挡墙，以及位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙。沿第一方向排布有多个第一挡墙，每个第一挡墙的宽度小于等于发光材料层在第一方向上的宽度。第二挡墙的延伸方向与第二方向相同。第一挡墙与第二挡墙围成与子像素一一对应的像素开口。第一挡墙包括亲液层，第二挡墙包括亲液层和位于所述亲液层背离衬底一侧的疏液层。第一挡墙背离衬底的表面低于第二挡墙背离衬底的表面。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的像素界定层包括多个挡墙，利用挡墙可以实现界定像素区域的目的，挡墙包括亲液层和位于亲液层上方的疏液层，疏液层可以防止不同颜色像素间的墨水相互流动发生串色。由于材料的限制，疏液层在挡墙中的占比有限，因此挡墙的厚度越小，疏液层的厚度越小。

现有的像素界定层的制备方法中，制备像素区域第一方向上的第一挡墙及第二方向上的第二挡墙时，第二挡墙与第一挡墙产生交叠，由于用于制备像素界定层的光刻胶具有流动性，因此交叠处的第二挡墙相较于其他位置处的第二挡墙厚度较小，交叠处的第二挡墙的疏液层厚度较小，使得交叠处的第二挡墙的疏液能力变差，进而容易使不同颜色像素区域的墨水发生溢流串色。

发明内容

本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

本申请实施例的第一方面提供了一种显示面板。所述显示面板包括：

衬底；

位于所述衬底上的发光层，所述发光层包括多个子像素，所述子像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与第二电极之间的发光材料层；其中不同颜色子像素的排列方向为第一方向，相同颜色子像素的排列方向为第二方向；

位于所述衬底上的像素限定层，所述像素限定层与所述发光层同层设置，所述像素限定层包括位于相同颜色子像素之间的第一挡墙，以及位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙；沿所述第一方向排布有多个所述第一挡墙，每个所述第一挡墙的宽度小于等于所述发光材料层在所述第一方向上的宽度；所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同；所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口；

其中，所述第一挡墙包括亲液层，所述第二挡墙包括亲液层和位于所述亲液层背离所述衬底一侧的疏液层；所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面。

在一个实施例中，所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；或者，所述第一方向为列方向，所述第二方向为行方向；所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素在所述第一方向上交替排布。

在一个实施例中，所述第二挡墙在所述第二方向上贯穿整个显示区域，多个所述第一挡墙彼此间隔地沿所述第一方向排布于所述显示区域。

在一个实施例中，所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层；所述平坦层设有凹陷，所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合；所述第二挡墙的部分亲液层位于所述凹陷中。

在一个实施例中，所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层；所述平坦层设有凹槽，所述凹槽与所述第二挡墙在所述平坦层上的投影重合；所述第二挡墙的亲液层位于所述凹槽中。

在一个实施例中，所述第一挡墙的高度的取值范围为0.2μm～1.0μm；所述第二挡墙的高度的取值范围为1.0μm～1.7μm。

本申请实施例的第二方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

本申请实施例的第三方面提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法用于制备上述的显示面板，所述制备方法包括：

在衬底上形成第一挡墙和第二挡墙；

其中，形成第一挡墙的步骤包括：在衬底上形成第一像素限定材料层，所述第一像素限定材料层为亲液层；

对所述第一像素限定材料层进行图案化以形成位于相同颜色的子像素之间的第一挡墙，所述第一挡墙的排布方向与所述第一方向相同，每个所述第一挡墙的宽度小于等于所述子像素在所述第一方向上的宽度；

形成第二挡墙的步骤包括：在衬底上形成第二像素限定材料层，所述第二像素限定材料层包括亲液层和位于所述亲液层上方的疏液层；

对所述第二像素限定材料层进行图案化以形成位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙，所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同；

所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口，并且所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面，在所述像素开口中添加墨水。

在一个实施例中，形成的所述第一挡墙的宽度小于所述子像素在所述第一方向上的宽度。

在一个实施例中，在衬底上形成第一像素限定材料层之前，在所述平坦层上设置凹陷，所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合；所述第二挡墙的部分亲液层填充于所述凹陷中。

在一个实施例中，在衬底上形成第一像素限定材料层之前，在所述平坦层上设置凹槽，所述凹槽与所述第二挡墙在所述平坦层上的投影重合，所述第二挡墙的亲液层填充于所述凹槽中。

在一个实施例中，在形成所述第二挡墙时，在所述第二挡墙与所述第一挡墙之间留有间隙，之后由所述第二挡墙的材料自发流动并填充于所述间隙。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1为本申请一实施例提供的显示面板的局部剖视图；

图2为本申请另一实施例提供的显示面板的局部剖视图；

图3为本申请一实施例提供的显示面板的像素界定层及发光层的俯视图；

图4为图3所示的实施例提供的显示面板沿A-A方向的局部剖视图；

图5为图3所示的实施例提供的显示面板沿B-B方向的局部剖视图；

图6为本申请另一实施例提供的显示面板的像素界定层及发光层的俯视图；

图7为图6所示的实施例提供的显示面板沿A-A方向的局部剖视图；

图8为图6所示的实施例提供的显示面板沿B-B方向的局部剖视图；

图9为本申请又一实施例提供的显示面板的像素界定层及发光层的俯视图；

图10为图9所示的实施例提供的显示面板沿A-A方向的局部剖视图；

图11为图9所示的实施例提供的显示面板沿B-B方向的局部剖视图；

图12为本申请再一实施例提供的显示面板的像素界定层及发光层的俯视图；

图13为图9所示的实施例提供的显示面板沿A-A方向的局部剖视图；

图14为图9所示的实施例提供的显示面板沿B-B方向的局部剖视图；

图15为本申请一实施例提供的显示面板的第二挡墙的制备过程的示意图；

图16为本申请又一实施例提供的显示面板的第二挡墙的制备过程的示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。

下面结合附图，对本申请实施例的显示面板、显示装置及显示面板与显示装置的制备方法进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示面板。如图1至图3所示，图1为图3中P区域沿显示面板膜层叠层方向上的剖视图，图2为图3中Q区域沿显示面板膜层叠层方向上的剖视图，所述显示面板包括衬底10、位于所述衬底10上的发光层20，以及与所述发光层20同层设置的像素限定层30。

所述发光层20包括多个子像素21，所述子像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与第二电极之间的发光材料层212，如图3所示，其中不同颜色子像素21的排列方向为第一方向(行方向)，也即是A-A方向；相同颜色子像素21的排列方向为第二方向(列方向)，也即是B-B方向。所述像素限定层30包括位于相同颜色子像素21之间的第一挡墙31，以及位于不同颜色的子像素21之间的第二挡墙32。沿所述第一方向排布有多个所述第一挡墙31，每个所述第一挡墙31的宽度小于等于所述发光材料层212在第一方向上的宽度。所述第二挡墙32的延伸方向与所述第二方向相同。所述第一挡墙31与所述第二挡墙32围成与所述子像素21一一对应的像素开口。

其中，所述第一挡墙31包括亲液层，所述第二挡墙32包括亲液层和位于所述亲液层背离所述衬底10一侧的疏液层；所述第一挡墙31背离所述衬底10的表面低于所述第二挡墙32背离所述衬底10的表面。

由于低表面能(疏水性)的分子在像素限定层30的材料中的添加受到限制，造成第二挡墙32中疏液层部分所占的比例较少，因此可以理解，第二挡墙32的高度(也即是显示面板叠层方向上的厚度)越小时，所述第二挡墙32中疏液层部分的厚度也就越小。已有的显示面板中的像素限定层30，其部分第二挡墙32交叠于第一挡墙31上方；由于工艺本身的影响，位于交叠区域33处的第二挡墙32的厚度总是小于位于交叠区域外的第二挡墙32的厚度，如此会造成交叠区域33处的第二挡墙32的疏液层的厚度较小，使得交叠区域33处的第二挡墙32的疏液能力降低，容易造成子像素21内的墨水攀爬，导致像素串色问题的发生。

本申请实施例提供的显示面板，如图3至图5所示，位于所述相同颜色子像素21之间的第一挡墙31包括亲液层，且所述第一挡墙31背离所述衬底10的表面低于所述第二挡墙32背离所述衬底10的表面，也即是所述第一挡墙31的高度较低，可使得相同颜色子像素21中的墨水相互连通，使相同颜色子像素21的墨水分布更均匀。所述第二挡墙32位于所述不同颜色的子像素21之间，所述第二挡墙32的高度较高，且所述第二挡墙32包括位于上层的疏液层，因此所述第二挡墙32可以避免不同颜色的子像素21的墨水溢流发生串色。并且由于多个所述第一挡墙31的排布方向与所述第一方向相同，每个所述第一挡墙31的宽度小于等于所述发光材料层212在第一方向上的宽度，并且所述第二挡墙32仅遮挡所述发光材料层212在第二方向上的区域，因此所述第一挡墙31与所述第二挡墙32不会发生交叠，也就不会出第二挡墙32的疏液层变薄的情形，从而可以有效防止像素串色现象的发生。

在一个实施例中，所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；或者，所述第一方向为列方向，所述第二方向为行方向；所述多个子像素21包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素在所述第一方向上交替排布。如图3所示，所述第一子像素可以是红色子像素(图中表示为R)，所述第二子像素可以是绿色子像素(图中表示为G)，所述第三子像素可以是蓝色子像素(图中表示为B)。所述红色子像素、绿色子像素与所述蓝色子像素在行方向上交替排布。

在一个实施例中，所述第二挡墙32在所述第二方向上贯穿整个显示区域，多个所述第一挡墙彼此间隔地沿所述第一方向排布于所述显示区域。所述显示区域指的是所述子像素21分布的区域。如此设置，所述第二挡墙制备方便，可以简化显示面板的制备工艺。

在一个实施例中，所述衬底10可以是刚性衬底10，也可以是柔性衬底10。刚性衬底10的材料可以是玻璃。柔性衬底10的材料可以包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚碳酸酯中的一种或多种。

在一个实施例中，所述显示面板包括位于所述衬底10与发光层20之间的像素驱动电路层，像素驱动电路层包括多个像素电路，像素电路可与子像素21一一对应，像素电路驱动对应的子像素21。

在一个实施例中，如图1所示，所述像素电路包括薄膜晶体管40和电容41。薄膜晶体管40包括有源层401、栅电极402、第一极403和第二极404。第一极403与第二极404中的一个为源电极，另一个为漏电极。电容41包括第一电容极板411和位于第一电容极板411背离衬底10一侧的第二电容极板412。

在一个实施例中，如图1及图2所示，像素驱动电路层还可包括栅极绝缘层51、电容绝缘层52、层间介质层53和平坦层54。栅极绝缘层51位于有源层401与栅电极402之间，电容绝缘层52位于第一电容极板411与第二电容极板412之间，层间介质层53位于第二电容极板412与平坦层54之间。第一极403与第二极404的一部分位于层间介质层53与第一平坦化层之间，另一部分通过穿透电容绝缘层52及栅极绝缘层51的通孔与有源层401电连接。

在一个实施例中，如图1所示，所述发光层20的各子像素21包括第一电极211、位于第一电极211背离衬底10一侧的发光材料层212、以及位于发光材料层212背离衬底10一侧的第二电极(未图示)。各子像素21的第一电极211间隔设置，各子像素21的第二电极可以是连成一片的面电极。在一些实施例中，第一电极211为阳极，第二电极为阴极，发光材料层212为有机发光材料层212。

子像素21的第一电极211通过穿透平坦化层54及层间介质层53的通孔与薄膜晶体管40的第二极404电连接。薄膜晶体管40为n型晶体管时，第二极404为源极；薄膜晶体管40为p型晶体管时，第二极404为漏极。

在一个实施例中，所述显示面板还包括位于所述发光层20背离所述衬底10一侧的遮光层(未图示)，以及位于所述遮光层背离所述衬底10一侧的彩色滤光层(未图示)。所述遮光层用于遮挡薄膜晶体管40，尤其是薄膜晶体管40的有源层401，但会暴露所述发光材料层212，以使子像素所发射的光可透出。所述彩色滤光层位于发光材料层212的正上方，对子像素所发射的光进行过滤。

在一个实施例中，如图6至图8所示，所述平坦层54设有凹陷541，所述第一挡墙31的排布方向与所述第二挡墙32的延伸方向的交叠区域33处在所述平坦层54上的投影的位置与所述凹陷541重合，所述第二挡墙322的部分亲液层填充于所述凹陷541中。位于所述凹陷541处的第二挡墙322的厚度为所述凹陷541的底表面至所述凹陷541处的第二挡墙32的顶表面的距离，相较于位于所述凹陷541处以外区域的第二挡墙321，位于所述凹陷541处的第二挡墙322的厚度更大，因此位于所述凹陷541处的第二挡墙322的疏液层的厚度更大，从而避免所述子像素21内的墨水从所述第一挡墙31与所述第二挡墙32的交叠区域33处溢流，导致串色现象的发生。说明一点，位于所述凹陷541处以外区域的第二挡墙321与位于所述凹陷541处的第二挡墙322在图中采用了不同的图案来填充，主要是为了让读者明了两者之间的边界；在具体实施时，两者可采用相同的材料并同步形成。

在一个实施例中，如图9至图11所示，所述平坦层54设有凹槽542，所述凹槽542与所述第二挡墙32在所述平坦层54上的投影重合，所述第二挡墙32的亲液层填充于所述凹槽542中。通过设置所述凹槽542，可以使所述第二挡墙32设置的更厚，从而可以使所述第二挡墙32中的疏液层的厚度更厚，有利于提高所述第二挡墙32的疏液能力，并且，由于所述第二挡墙32在所述平坦层54上的投影处均设置有所述凹槽542，因此所述第二挡墙32各处的疏液层的厚度均更厚，可以更有效的防止不同颜色子像素21的墨水溢流发生串色。

在一个实施例中，所述第一挡墙31的高度的取值范围为0.2μm～1.0μm；所述第二挡墙32的高度的取值范围为1.0μm～1.7μm。所述第一挡墙31的高度的尺寸例如可以是0.2μm、0.4μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm等。所述第二挡墙32的高度的尺寸例如可以是1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.7μm等。如此设置，既可以使得相同颜色子像素21中的墨水相互连通，使相同颜色子像素21的墨水分布更均匀，又可以有效的防止不同颜色子像素21的墨水溢流发生串色。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。

基于同一发明构思，本申请的实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法用于制备上述的显示面板。所述制备方法包括：

步骤100：在衬底上形成第一挡墙和第二挡墙。

形成第一挡墙的步骤包括：

步骤101：在衬底10上形成第一像素限定材料层，所述第一像素限定材料层为亲液层。

步骤102：对所述第一像素限定材料层进行图案化以形成位于相同颜色的子像素21之间的第一挡墙31，所述第一挡墙31的排布方向与所述第一方向相同，每个所述第一挡墙31的宽度小于等于发光材料层212在所述第一方向上的宽度。

形成第二挡墙的步骤包括：

步骤103：在衬底10上形成第二像素限定材料层，所述第二像素限定材料层包括亲液层和位于所述亲液层上方的疏液层。

步骤104：对所述第二像素限定材料层进行图案化以形成位于不同颜色的子像素21之间的第二挡墙32，所述第二挡墙32的延伸方向与所述第二方向相同。

步骤200：所述第一挡墙31与所述第二挡墙32围成与所述子像素21一一对应的像素开口，并且所述第一挡墙31背离所述衬底10的表面低于所述第二挡墙32背离所述衬底10的表面，在所述像素开口中添加墨水。

在步骤100之前，如图1及图2所示，所述制备方法包括在所述衬底10上形成薄膜晶体管40。具体地，在衬底10上形成有源层薄膜，并对有源层薄膜进行构图以形成有源层401；在有源层401上形成栅极绝缘层51；在栅极绝缘层51上形成第一导电薄膜，并对第一导电薄膜进行构图以形成栅电极402；在栅电极402上形成电容绝缘层52，并对电容绝缘层52进行刻蚀形成第一极接触孔和第二极接触孔。

在电容绝缘层52及栅极绝缘层51上形成第二导电薄膜，并对第二导电薄膜进行构图以形成第一极403和第二极404，第一极403通过第一极接触孔与有源层401连接，第二极404通过第二极接触孔与有源层401连接。

在所述电容绝缘层52上形成层间介质层53及平坦层54。

在步骤101中，所述第一像素限定材料层的材料可以为亲液的光刻胶材料，可以通过旋涂的方式将所述亲液的光刻胶材料涂覆于所述平坦层54上。

在步骤102中，可以通过刻蚀工艺对所述第一像素限定材料层进行刻蚀以形成第一挡墙31，所述第一挡墙31形成于相同颜色的子像素21之间，由于第一挡墙31的材料为亲液材料，可以使得相同颜色子像素21的墨水相互连通，使相同颜色子像素21的墨水分布更均匀。并且由于将每个所述第一挡墙31的宽度设置为小于等于发光材料层212在所述第一方向上的宽度，因此在后续形成位于不同颜色子像素21之间的第二挡墙32后，所述第一挡墙31与所述第二挡墙32不会产生交叠，从而防止所述第二挡墙32的疏液层的厚度减薄。

在步骤103中，所述第二像素限定材料层的材料为亲液的光刻胶材料，并在光刻胶材料中添加低表面能的小分子材料，在第二像素限定材料层固化过程中，低表面能的小分子材料上浮，使所述第二像素限定材料层包括亲液层和亲液层上方的疏液层。当所述第二像素限定材料层厚度越大时，第二像素限定材料层固化过程中上浮的低表面能的小分子越多，所述疏液层的厚度越厚，后续形成的第二挡墙32的疏液层的厚度越厚。

在步骤104中，第二挡墙32位于不同颜色的子像素21之间，所述第二挡墙32不会交叠于所述第一挡墙31上，因此所述第二挡墙32的厚度不会受到第一挡墙31的影响，从而保证第二挡墙32具有较厚的疏液层，有利于提高第二挡墙32的疏液能力，防止不同颜色子像素21中的墨水溢出。

在一个实施例中，在步骤102中，如图12至图14所示，形成的所述第一挡墙31的宽度小于所述发光材料层212在所述第一方向上的宽度。后续形成所述第二挡墙32时，部分第二挡墙32在所述第一方向上形成延伸部并与所述第一挡墙31接触，所述延伸部的厚度不大于所述第一挡墙31的厚度。由于第二挡墙32的宽度变窄，在制备所述第二挡墙32时，可以为所述第二像素限定材料层的胶体流动留出空间，同时如此设置，第二挡墙32朝所述第一挡墙31延伸的部分具有一定厚度的疏液层，有利于提高所述第一挡墙31与第二挡墙32接触位置的疏液能力，避免子像素21内的墨水沿所述第一挡墙31与第二挡墙32接触位置溢出。

在一个实施例中，在步骤100之前，如图6至图8所示，在所述平坦层54上设置凹陷541，所述第一挡墙31的排布方向与所述第二挡墙32的延伸方向的交叠区域33处在所述平坦层54上的投影的位置与所述凹陷541重合，所述第二挡墙32的部分亲液层填充于所述凹陷541中。在平坦层54上设置凹陷541后，在所述平坦层54上形成第一像素限定材料层，部分第一像素限定材料层会流入所述凹陷541中，后续在对第一像素限定材料层进行图案化形成第一挡墙31时，需要将所述凹陷541内的第一像素限定材料层去除。之后在平坦层54上上形成第二像素限定材料层，部分第二像素限定材料层流入所述凹陷541中，由于凹陷541的存在，形成所述第二挡墙32后，位于凹陷541位置的部分第二挡墙322的厚度更大，第二挡墙322的疏液层部分更厚，更有利于避免所述子像素21内的墨水从所述第一挡墙31与所述第二挡墙32的交汇处溢流，导致串色现象的发生。

在一个实施例中，在步骤100之前，如图9至图11所示，在所述平坦层54上设置凹槽542，所述凹槽542与所述第二挡墙32在所述平坦层54上的投影重合，所述第二挡墙32的亲液层填充于所述凹槽542中。在平坦层54上设置凹槽542后，在所述平坦层54上形成第一像素限定材料层，部分第一像素限定材料层会流入所述凹陷541中，后续在对第一像素限定材料层进行图案化形成第一挡墙31时，需要将所述凹槽542内的第一像素限定材料层去除。之后在平坦层54上上形成第二像素限定材料层，部分第二像素限定材料层流入所述凹槽542中，由于凹槽542的存在，形成所述第二挡墙32后，第二挡墙32的厚度更大，相应的第二挡墙32的疏液层部分更厚，从而使所述第二挡墙32不仅在第一挡墙31与第二挡墙32的交叠区域33处的疏液能力更强，也使其位置处的第二挡墙32的疏液能力更强。

在一个实施例中，在步骤102中，如图12至图14所示，形成的所述第一挡墙31的宽度小于发光材料层212在所述第一方向上的宽度。后续形成所述第二挡墙32时，部分第二挡墙32在所述第一方向上形成延伸部并与所述第一挡墙31接触，所述延伸部的厚度不大于所述第一挡墙31的厚度。由于第二挡墙32的宽度变窄，在制备所述第二挡墙32时，可以为所述第二像素限定材料层的胶体流动留出空间，同时如此设置，第二挡墙32朝所述第一挡墙31延伸的部分具有一定厚度的疏液层，有利于提高所述第一挡墙31与第二挡墙32接触位置的疏液能力，避免子像素21内的墨水沿所述第一挡墙31与第二挡墙32接触位置溢出。

在一个实施例中，如图15及图16所示，在形成所述第二挡墙32时，在所述第二挡墙32与所述第一挡墙31之间留有间隙，之后由所述第二挡墙32的材料自发流动并填充于所述间隙。如图15所示，在制备所述凹陷541处的第二挡墙322时，可以在所述凹陷541处的第二挡墙322与所述第一挡墙之间设置间隙，由于材料的特性，在所述凹陷541处的第二挡墙322的材料自动流平并填充所述凹陷541与所述间隙。如图16所示，所述第一挡墙31的宽度小于发光材料层212在所述第一方向上的宽度，在制备所述第二挡墙32时，在所述第二挡墙32与所述第一挡墙31之间设置间隙，由于材料的特性，所述第二挡墙322的材料自动流平并填充所述凹陷541与所述间隙。如此设置，操作简便，有利于简化制作工艺。

以上所述仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请做任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。

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Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底；

位于所述衬底上的发光层，所述发光层包括多个子像素，所述子像素包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与第二电极之间的发光材料层；其中不同颜色子像素的排列方向为第一方向，相同颜色子像素的排列方向为第二方向；

位于所述衬底上的像素限定层，所述像素限定层与所述发光层同层设置，所述像素限定层包括位于相同颜色子像素之间的第一挡墙，以及位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙；沿所述第一方向排布有多个所述第一挡墙，每个所述第一挡墙的宽度小于等于所述发光材料层在所述第一方向上的宽度；所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同；所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口；

其中，所述第一挡墙包括亲液层，所述第二挡墙包括亲液层和位于所述亲液层背离所述衬底一侧的疏液层；所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向；或者，所述第一方向为列方向，所述第二方向为行方向；所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素在所述第一方向上交替排布。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二挡墙在所述第二方向上贯穿整个显示区域，多个所述第一挡墙彼此间隔地沿所述第一方向排布于所述显示区域。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层；所述平坦层设有凹陷，所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合；所述第二挡墙的部分亲液层位于所述凹陷中。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述衬底与所述像素限定层之间的平坦层；所述平坦层设有凹槽，所述凹槽与所述第二挡墙在所述平坦层上的投影重合；所述第二挡墙的亲液层位于所述凹槽中。

6.根据权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙的高度的取值范围为0.2μm～1.0μm；所述第二挡墙的高度的取值范围为1.0μm～1.7μm。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至6任一项所述的显示面板。

8.一种显示面板的制备方法，所述制备方法用于制备权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述制备方法包括:

在衬底上形成第一挡墙和第二挡墙；

其中，形成第一挡墙的步骤包括：在衬底上形成第一像素限定材料层，所述第一像素限定材料层为亲液层；

对所述第一像素限定材料层进行图案化以形成位于相同颜色的子像素之间的第一挡墙，所述第一挡墙的排布方向与所述第一方向相同，每个所述第一挡墙的宽度小于等于发光材料层在所述第一方向上的宽度；

形成第二挡墙的步骤包括：在衬底上形成第二像素限定材料层，所述第二像素限定材料层包括亲液层和位于所述亲液层上方的疏液层；

对所述第二像素限定材料层进行图案化以形成位于不同颜色的子像素之间的第二挡墙，所述第二挡墙的延伸方向与所述第二方向相同；

所述第一挡墙与所述第二挡墙围成与所述子像素一一对应的像素开口，并且所述第一挡墙背离所述衬底的表面低于所述第二挡墙背离所述衬底的表面，在所述像素开口中添加墨水。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成的所述第一挡墙的宽度小于发光材料层在所述第一方向上的宽度。

10.根据权利要求8所示的制备方法，其特征在于，在衬底上形成第一像素限定材料层之前，在所述平坦层上设置凹陷，所述第一挡墙的排布方向与所述第二挡墙的延伸方向的交汇处在所述平坦层上的投影的位置与所述凹陷重合；所述第二挡墙的部分亲液层填充于所述凹陷中。

11.根据权利要求8所示的制备方法，其特征在于，在衬底上形成第一像素限定材料层之前，在所述平坦层上设置凹槽，所述凹槽与所述第二挡墙在所述平坦层上的投影重合，所述第二挡墙的亲液层填充于所述凹槽中。

12.根据权利要求10或权利要去11所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二挡墙时，在所述第二挡墙与所述第一挡墙之间留有间隙，之后由所述第二挡墙的材料自发流动并填充于所述间隙。

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