CN115202116B - 阵列基板、显示装置和驱动电路 - Google Patents

阵列基板、显示装置和驱动电路 Download PDF

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CN115202116B CN202210904747.4A CN202210904747A CN115202116B CN 115202116 B CN115202116 B CN 115202116B CN 202210904747 A CN202210904747 A CN 202210904747A CN 115202116 B CN115202116 B CN 115202116B
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Abstract

本申请公开了一种阵列基板、显示装置和驱动电路,阵列基板包括衬底、像素电极层、第一绝缘层、多条数据线、第二绝缘层、公共电极层和多个屏蔽层,像素电极层设置在衬底上;第一绝缘层设置在衬底上且覆盖像素电极层;数据线设置在第一绝缘层上;第二绝缘层设置在第一绝缘层上且覆盖数据线;公共电极层设置在第二绝缘层上,公共电极层包括一公共屏蔽电极层;屏蔽层设置在第二绝缘层内且位于公共屏蔽电极层和数据线之间,一个所述屏蔽层对应一条所述数据线设置;其中,屏蔽层的电压信号为直流信号,屏蔽层的电压值大于数据线的电压信号的绝对值,改善了显示面板容易因数据线的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题。

Description

阵列基板、显示装置和驱动电路
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示装置和驱动电路。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,在平板显示领域中占主导地位。
常规的液晶面板的工作原理是通过向像素电极和公共电极上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面,在阵列基板上设有多条数据线(Data),数据线上的电压变化会影响到位于数据线上方的公共电极的电压,数据线上方的公共电极的电压急剧增大或者急剧减少,使得整个阵列基板上的公共电极电压值与期望的正常公共电极电压值产生偏差,从而使得像素电极与公共电极无法形成正常显示画面所需要的电场,进而容易造成水平串扰(H-crosstalk)或亮度不均匀等不良现象。
发明内容
本申请的目的是提供一种阵列基板、显示装置和驱动电路,改善了显示面板容易因数据线的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题。
本申请公开了一种阵列基板,包括衬底、像素电极层、第一绝缘层、多条数据线、第二绝缘层、公共电极层和多个屏蔽层,所述像素电极层设置在所述衬底上;所述第一绝缘层设置在所述衬底上且覆盖所述像素电极层;所述数据线设置在所述第一绝缘层上;所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上且覆盖所述数据线;所述公共电极层设置在所述第二绝缘层上,所述公共电极层包括一公共屏蔽电极层;所述屏蔽层设置在所述第二绝缘层内且位于所述公共屏蔽电极层和所述数据线之间,一个所述屏蔽层对应一条所述数据线设置;其中,所述屏蔽层的电压信号为直流信号,所述屏蔽层的电压值大于所述数据线的电压信号的绝对值。
可选的,所述公共电极层包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极,所述公共屏蔽电极层包括位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,且小于所述第二公共电极的宽度;沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述第二公共电极的投影覆盖所述屏蔽层的投影,所述屏蔽层的投影覆盖所述数据线的投影。
可选的,沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述屏蔽层与所述公共电极层之间的距离等于所述屏蔽层到所述数据线之间的距离。
可选的,沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述屏蔽层与所述公共电极层之间的距离为a,所述屏蔽层与所述数据线之间的距离为b,所述a大于b;或所述a小于b。
可选的,所述屏蔽层一侧设有第一辅助电极,所述屏蔽层的另一侧设有第二辅助电极,所述屏蔽层与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极组合形成倒U型结构以覆盖所述数据线;其中,所述第一辅助电极、所述第二辅助电极与所述屏蔽层的材料相同。
可选的,所述公共电极层包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极和位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,所述第二公共电极的宽度小于所述屏蔽层的宽度,所述第二公共电极的中心点与所述屏蔽层的中心点重合。
可选的,沿所述数据线的延伸方向上,所述屏蔽层的长度与所述数据线的长度相同,所述屏蔽层的材料可以是ITO、金属等其中一种;所述屏蔽层的电压信号与所述公共电极层的电压信号相等。
本申请还公开了一种显示装置,包括彩膜基板和如上任意一项所述的阵列基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
可选的,所述公共电极包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极和位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,所述第二公共电极的宽度小于所述屏蔽层的宽度,所述第二公共电极的中心点与所述屏蔽层的中心点重合;所述彩膜基板上对应所述第二公共电极的位置设有第一预设空间,所述彩膜基板上设有黑色矩阵,所述黑色矩阵设有两个,两个所述黑色矩阵分别位于所述第一预设空间的两侧。
本申请还公开了一种驱动电路,用于驱动如上所述的阵列基板,所述驱动电路包括驱动芯片,所述驱动芯片上设有多组引脚,一组所述引脚包括第一引脚和第二引脚,所述第一引脚与所述屏蔽层连接,所述第二引脚与所述数据线连接,所述第一引脚输出直流信号至所述屏蔽层,所述第二引脚输出数据电压信号至所述数据线,其中,所述直流信号大于所述数据电压信号的绝对值。
本申请通过设置屏蔽层,屏蔽层与公共电极形成的寄生电容对公共电极产生的影响,相较于不设置屏蔽层的方案中数据线与公共电极形成的寄生电容对公共电极的影响较弱,屏蔽层降低了因数据线的电信号变化而对公共电极的电压产生偏移的影响,进而改善了显示面板容易因数据线的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本申请的第一实施例的一种阵列基板的结构示意图;
图2是本申请的第二实施例的一种阵列基板的结构示意图;
图3是本申请的第三实施例的一种阵列基板和彩膜基板的结构示意图;
图4是本申请的第四实施例的一种显示装置的部分结构示意图;
图5是本申请的第五实施例的一种制作方法的步骤流程图。
其中,100、衬底;200、像素电极层;300、第一绝缘层;400、数据线;500、第二绝缘层;600、公共电极层;610、第一公共电极;620、第二公共电极;700、屏蔽层;710、第一辅助电极;720、第二辅助电极;800、阵列基板;900、彩膜基板;910、黑色矩阵。
具体实施方式
需要理解的是,这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节,仅仅是为了描述具体实施例,是代表性的,但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示相对重要性,或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,除非另有说明,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征;“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形,意为不排他的包含,可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外,“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语,是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
常规的液晶面板设置中,在阵列基板上设有多条数据线和扫描线,由于数据线的电压变化会对位于数据线上方区域的液晶造成影响而使得该区域的显示画面出现异常,故此,通常在彩膜基板上设置与数据线位置对应的黑色矩阵来遮挡该区域,但是这样就会造成显示面板的开口率较低的问题,采用Top com架构的显示面板,Top com架构的显示面板中是将公共电极层设置在数据线的上方,将像素电极层设置在公共电极层的下方,通过公共电极层覆盖数据线,以改善数据线对位于数据线上方的液晶造成的影响,从而能够将彩膜基板上设置的黑色矩阵的宽度缩小,提高显示面板的开口率;然而,发明人发现这种Topcom架构中,虽然能够增加显示面板的开口率,但是数据线上的电压变化会影响到位于数据线上方的公共电极,使数据线与公共电极之间产生寄生电容而导致该区域内的公共电极的电压偏移,容易造成水平串扰或亮度不均匀等不良现象,因此,发明人考虑上述方案中出现的问题,在不断的研究和实验下得到了本申请的改进方案,具体如下所述:
如图1所示,作为本申请的第一实施例,公开了一种阵列基板800,所述阵列基板800包括衬底100、像素电极层200、第一绝缘层300、多条数据线400、第二绝缘层500、公共电极层600和多个屏蔽层700,所述像素电极层200设置在所述衬底100上,所述第一绝缘层300设置在所述衬底100上且覆盖所述像素电极层200,所述数据线400设置在所述第一绝缘层300上,所述第二绝缘层500设置在所述第一绝缘层300上且覆盖所述数据线400,所述公共电极层600设置在所述第二绝缘层500上,所述公共电极层600包括一公共屏蔽电极层,所述屏蔽层700设置在所述第二绝缘层500内且位于所述公共屏蔽电极层和所述数据线400之间,一个所述屏蔽层700对应一条所述数据线400设置,所述屏蔽层700的电压信号为直流信号,所述屏蔽层700的电压值大于所述数据线400的电压信号的绝对值。
当数据线400的电信号发生变化时,即突然拔高或突然降低,数据线400与位于数据线400上方的屏蔽层700形成寄生电容,使屏蔽层700的电压发生偏移,屏蔽层700的电压发生偏移后,屏蔽层700与位于屏蔽层700上方的公共电极层600的公共电极形成寄生电容,屏蔽层700与公共电极形成的寄生电容对公共电极产生的影响相较于数据线400与公共电极形成的寄生电容对公共电极的影响较弱,从而改善了显示面板容易因数据线400的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题,综上所述,本申请通过设置屏蔽层700,屏蔽层700降低了因数据线400的电信号变化而对公共电极的电压产生偏移的影响,进而改善了显示面板容易因数据线400的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题,另外,在本实施例中,所述屏蔽层700的电压值等于所述公共屏蔽电极的公共电压值为最佳。
为了在不降低显示面板的开口率的情况下达到改善显示面板容易因数据线400的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题,所述公共电极层600包括位于所述像素电极层200上方的第一公共电极610,所述公共屏蔽电极层包括位于所述数据线400上方的第二公共电极620,所述屏蔽层700的宽度大于等于所述数据线400的宽度,且小于所述第二公共电极620的宽度,即沿所述公共电极层600朝向所述像素电极层200的方向上,所述第二公共电极620的投影覆盖所述屏蔽层700的投影,所述屏蔽层700的投影覆盖所述数据线400的投影,以使所述屏蔽层700对显示面板因数据线400的电压变化而出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题的改善效果达到最佳,而若是屏蔽层700的宽度大于所述第二公共电极620的宽度,则屏蔽层700的边缘区域会对位于屏蔽层700上方的液晶造成影响,若是屏蔽层700的宽度小于数据线400的宽度,则未被屏蔽层700覆盖的数据线400区域会对第二公共电极620造成影响,使第二公共电极620出现公共电压偏移而导致显示面板出现水平串扰或亮度不均匀等不良现象的问题。
下面将结合公式对本实施例进行解释,在Topcom架构中,计算公共电极层600受到数据线400的影响产生的公共电压偏移量,由公式Vcom偏移量ΔVCOM=ΔVdata*(Cdc/Ccom)计算得出,ΔVdata是指数据线400的变化的电压,Cdc是指公共电极与数据线400之间生成的寄生电容,而Ccom是像素内包括Cst和寄生电容在内的所有电容之和,而在本实施例中,数据线400首先影响屏蔽层700,再通过屏蔽层700影响第二公共电极620,套用公式V屏蔽偏移量ΔV屏蔽=ΔVdata*(Cd屏蔽/Ccom),其中,Cd屏蔽是数据线400线与屏蔽层700形成的电容,Ccom仍然是所有电容之和,此时计算出屏蔽层700受到影响后的电压偏移量,然后屏蔽层700再去影响第二公共电极620,由公式Vcom偏移量ΔVCOM=ΔV屏蔽*(C屏蔽c/Ccom),C屏蔽c是屏蔽层700与Com电极形成的电容,Ccom仍然是所有电容之和,则第二公共电极620受到数据线400的影响为Vcom偏移量ΔVCOM=ΔVdata*(Cd屏蔽/Ccom)*(C屏蔽c/Ccom)。
沿所述公共电极层600朝向所述像素电极层200的方向上,所述屏蔽层700与所述公共电极层600之间的距离等于所述屏蔽层700到所述数据线400之间的距离,屏蔽层700将整个第二绝缘层500一分为二,随后在同一个像素中进行模拟,预设第二绝缘层500为4000埃,数据线400上方不增加屏蔽层700,由公式计算可得出第二公共电极620的偏移量为:Vcom偏移量ΔVCOM=ΔVdata*(143/511.733)≈0.279ΔVdata,而增加屏蔽层700之后,屏蔽层700距离数据线400以及距离第二公共电极620均为2000埃,屏蔽层700和数据线400之间的寄生电容为297.71,屏蔽层700与第二公共电极620之间的寄生电容为339.622,套用上述公式:Vcom偏移量ΔVCOM=ΔVdata*(297.71/1014.609)*(339.622/1014.609)≈0.098ΔVdata,即可得知,在不增设屏蔽层700时第二公共电极620受到影响为0.279ΔVdata,而增加屏蔽层700后第二公共电极620受到的影响为0.098ΔVdata,增设和不增设屏蔽层700之间的差距约为2.8倍。
当然,所述屏蔽层700的位置也不一定要设置在所述第二绝缘层500的中心位置,沿所述公共电极朝向所述像素电极层200的方向上,所述屏蔽层700与所述公共电极层600之间的距离为a,所述屏蔽层700与所述数据线400之间的距离为b,所述a大于b;亦可以是所述b大于a,设计人员可以根据实际需求进行选择设计,但是这样需要考虑第二绝缘层500被屏蔽层700的电压击穿的问题,在保证第二绝缘层500不会被屏蔽层700的电压击穿后,所述屏蔽层700的位置可以朝向所述数据线400偏移或朝向第二公共电极620偏移均可以。
下面将结合公式对上述内容进行解释,设屏蔽层700与数据线400的距离为x,屏蔽层700与第二公共电极620的距离为y,在屏蔽层700与数据线400以及第二公共电极620的相对面积均相同的情况下,电容公式为,d表示两平板之间的距离,在公式中
Figure BDA0003771876370000101
可以简化为一个常数,设常数为
Figure BDA0003771876370000102
Ccom=N/x+N/y+M,M为除开Cd屏蔽以及C屏蔽c剩余所有电容之和,其中,Cd屏蔽为屏蔽层700与数据线400之间生成的寄生电容,C屏蔽c为屏蔽层700与第二公共电极620之间生成的寄生电容,V屏蔽偏移量ΔV屏蔽=ΔVdata*(Cd屏蔽/Ccom),代入简化电容算式得出
Figure BDA0003771876370000111
同理得出Vcom偏移量ΔVCOM=ΔV屏蔽*(C屏蔽c/Ccom),
Figure BDA0003771876370000112
代入
Figure BDA0003771876370000113
Figure BDA0003771876370000114
Figure BDA0003771876370000115
Figure BDA0003771876370000116
Figure BDA0003771876370000117
M、N均为常数,设两者为1,x+y=4000,简化可得
Figure BDA0003771876370000118
Figure BDA0003771876370000119
当x=y=2000埃时,式
Figure BDA00037718763700001110
取得最小值,即随着屏蔽层700从第二绝缘层500的中心到朝向数据线400靠近或朝向第二公共电极620靠近,式
Figure BDA00037718763700001111
的值越小,即Vcom偏移量ΔVCOM变小,但考虑到不同层之间电压击穿的问题,第二绝缘层500的膜厚不可以太薄,第二绝缘层500的膜厚优选为2000埃或3000埃以上比较适宜。
进一步的,在沿所述数据线400的延伸方向上,所述屏蔽层700的长度与所述数据线400的长度相同,以使所述屏蔽层700能改善整个显示面板中位于数据线400上方的公共电极所受到数据线400影响的问题,其中,所述屏蔽层700的材料可以是ITO或金属,所述屏蔽层700在显示装置中的PCB板处连接与公共电极相同大小的Vcom信号。
其中,所述阵列基板800上还设有栅极金属层、源极金属层、漏极金属层和半导体层,所述栅极金属层形成在所述衬底100上,所述第一绝缘层300覆盖所述栅极金属层,所述半导体层设置在所述第一绝缘层300上,所述源极金属层设置在所述半导体层上,所述漏极金属层设置在所述半导体层上,与所述源极金属层相对设置,所述漏极金属层与所述数据线400连接,所述第二绝缘层500设置在所述漏极金属层和所述源极金属层上,所述第一绝缘层300上设有过孔,所述像素电极层200通过过孔与所述源极金属层连接。
如图2所示,作为本申请的第二实施例,是本申请的第一实施例的进一步改进,公开了一种阵列基板800,所述屏蔽层700的一侧设有第一辅助电极710,所述屏蔽层700的另一侧设有第二辅助电极720,所述屏蔽层700与所述第一辅助电极710和所述第二辅助电极720组合形成倒U型结构以覆盖所述数据线400,其中,所述第一辅助电极710与所述第二辅助电极720的信号与所述屏蔽层700的信号相同,以降低所述数据线400的边缘电场对位于数据线400附近设置的公共电极或像素电极的影响,所述第一辅助电极710、所述第二辅助电极720和所述屏蔽层700的材料相同。
如图3所示,作为本申请的第三实施例,是本申请的第一实施例的进一步改进,公开了一种阵列基板800,所述阵列基板800对侧设有与所述阵列基板800对合设置的彩膜基板900,所述公共电极层600包括位于所述像素电极层200上方的第一公共电极610和位于所述数据线400上方的第二公共电极620,所述屏蔽层700的宽度大于等于所述数据线400的宽度,所述第二公共电极620的宽度小于所述屏蔽层700的宽度,所述第二公共电极620的中心点与所述屏蔽层700的中心点重合,即所述第二公共电极620未能完全覆盖所述屏蔽层700,所述彩膜基板900上对应所述第二公共电极620的位置设有第一预设空间,所述彩膜基板900上设有黑色矩阵910,所述黑色矩阵910设有两个,两个所述黑色矩阵910分别位于所述第一预设空间的两侧,两个所述黑色矩阵910以将未能被第二公共电极620覆盖的屏蔽层700进行遮挡,从而防止屏蔽层700未被第二公共电极620遮挡的区域对位于该区域上方的液晶层造成影响而扰乱显示画面。
如图4所示,作为本申请的第四实施例,公开了一种显示装置,所述显示装置包括显示面板,所述显示面板包括彩膜基板900和如上述任意一项实施例所述的阵列基板800,所述彩膜基板900与所述阵列基板800对盒设置,所述显示装置能降低所述数据线400的信号变化对显示画面的影响。
进一步的,所述公共电极层600包括位于所述像素电极层200上方的第一公共电极610和位于所述数据线400上方的第二公共电极620,所述屏蔽层700的宽度大于等于所述数据线400的宽度,所述第二公共电极620的宽度小于所述屏蔽层700的宽度,所述第二公共电极620的中心点与所述屏蔽层700的中心点重合,即所述第二公共电极620未能完全覆盖所述屏蔽层700,所述彩膜基板900上对应所述第二公共电极620的位置设有第一预设空间,所述彩膜基板900上设有黑色矩阵910,所述黑色矩阵910设有两个,两个所述黑色矩阵910分别位于所述第一预设空间的两侧,两个所述黑色矩阵910以将未能被第二公共电极620覆盖的屏蔽层700进行遮挡,从而防止屏蔽层700未被第二公共电极620遮挡的区域对位于该区域上方的液晶层造成影响而扰乱显示画面。
如图5所示,作为本申请的第五实施例,公开了一种制作方法,应用于如上述实施例所述的阵列基板,所述制作方法包括步骤:
S100:在衬底上形成像素电极层;
S200:在衬底上形成第一绝缘层,且第一绝缘层覆盖所述像素电极层;
S300:在第一绝缘层上形成数据线;
S400:在第一绝缘层上形成第一子绝缘层,且第一子绝缘层覆盖所述数据线;
S500:在第一子绝缘层上形成屏蔽层;
S600:在第一子绝缘层上形成第二子绝缘层,且第二子绝缘层覆盖所述屏蔽层;
S700:在第二子绝缘层上形成公共电极层;
其中,所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层组合形成第二绝缘层。
作为本申请的第六实施例,公开了一种驱动电路,用于驱动如上实施例所述的阵列基板800,所述驱动电路包括驱动芯片,所述驱动芯片上设有多组引脚,一组所述引脚包括第一引脚和第二引脚,所述第一引脚与所述屏蔽层700连接,所述第二引脚与所述数据线400连接,所述第一引脚输出直流信号至所述屏蔽层700,所述第二引脚输出数据电压信号至所述数据线400,其中,所述直流信号大于所述数据电压信号的绝对值。
需要说明的是,本方案中涉及到的各步骤的限定,在不影响具体方案实施的前提下,并不认定为对步骤先后顺序做出限定,写在前面的步骤可以是在先执行的,也可以是在后执行的,甚至也可以是同时执行的,只要能实施本方案,都应当视为属于本申请的保护范围。
需要说明的是,本申请的发明构思可以形成非常多的实施例,但是申请文件的篇幅有限,无法一一列出,因而,在不相冲突的前提下,以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例,各实施例或技术特征组合之后,将会增强原有的技术效果。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明,不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板,包括:
衬底;
像素电极层,设置在所述衬底上;
第一绝缘层,设置在所述衬底上且覆盖所述像素电极层;
多条数据线,设置在所述第一绝缘层上;以及
第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上且覆盖所述数据线;
其特征在于,所述阵列基板还包括:
公共电极层,设置在所述第二绝缘层上,所述公共电极层包括一公共屏蔽电极层;以及,
多个屏蔽层,设置在所述第二绝缘层内且位于所述公共屏蔽电极层和所述数据线之间,一个所述屏蔽层对应一条所述数据线设置;
其中,所述屏蔽层的电压信号为直流信号,所述屏蔽层的电压值大于所述数据线的电压信号的绝对值;
其中,沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述公共屏蔽电极层与所述屏蔽层以及所述数据线为至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极,所述公共屏蔽电极层包括位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,且小于所述第二公共电极的宽度;
沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述第二公共电极的投影覆盖所述屏蔽层的投影,所述屏蔽层的投影覆盖所述数据线的投影。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述屏蔽层与所述公共电极层之间的距离等于所述屏蔽层到所述数据线之间的距离。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,沿所述公共电极层朝向所述像素电极层的方向上,所述屏蔽层与所述公共电极层之间的距离为a,所述屏蔽层与所述数据线之间的距离为b,所述a大于b;或所述a小于b。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽层一侧设有第一辅助电极,所述屏蔽层的另一侧设有第二辅助电极,所述屏蔽层与所述第一辅助电极和所述第二辅助电极组合形成倒U型结构以覆盖所述数据线;
其中,所述第一辅助电极、所述第二辅助电极与所述屏蔽层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极和位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,所述第二公共电极的宽度小于所述屏蔽层的宽度,所述第二公共电极的中心点与所述屏蔽层的中心点重合;
其中,所述公共电屏蔽电极层包括位于数据线上方的所述第二公共电极。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿所述数据线的延伸方向上,所述屏蔽层的长度与所述数据线的长度相同,所述屏蔽层的材料可以是ITO、金属等其中一种;所述屏蔽层的电压信号与所述公共电极层的电压信号相等。
8.一种显示装置,其特征在于,包括彩膜基板和如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述公共电极包括位于所述像素电极层上方的第一公共电极和位于所述数据线上方的第二公共电极,所述屏蔽层的宽度大于等于所述数据线的宽度,所述第二公共电极的宽度小于所述屏蔽层的宽度,所述第二公共电极的中心点与所述屏蔽层的中心点重合;
所述彩膜基板上对应所述第二公共电极的位置设有第一预设空间,所述彩膜基板上设有黑色矩阵,所述黑色矩阵设有两个,两个所述黑色矩阵分别位于所述第一预设空间的两侧;
其中,所述公共电屏蔽电极层包括位于数据线上方的所述第二公共电极。
10.一种驱动电路,用于驱动如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路包括驱动芯片,所述驱动芯片上设有多组引脚,一组所述引脚包括第一引脚和第二引脚,所述第一引脚与所述屏蔽层连接,所述第二引脚与所述数据线连接,所述第一引脚输出直流信号至所述屏蔽层,所述第二引脚输出数据电压信号至所述数据线;
其中,所述直流信号大于所述数据电压信号的绝对值。
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