CN115201667B - 半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质 - Google Patents

半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质 Download PDF

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CN115201667B CN202211118400.3A CN202211118400A CN115201667B CN 115201667 B CN115201667 B CN 115201667B CN 202211118400 A CN202211118400 A CN 202211118400A CN 115201667 B CN115201667 B CN 115201667B
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Abstract

本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质,方法包括:识别样本芯片相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角;将样本芯片平移到图像采集窗口的中心,根据样本芯片的偏转角旋转样本芯片;识别样本芯片的第二坐标;根据样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定转动机构的旋转中心的第一坐标;将待测芯片平移至图像采集窗口中,识别待测芯片的第一坐标和偏转角;根据待测芯片的第一坐标和偏转角以及旋转中心的第一坐标,将待测芯片移动至图像采集窗口的中心。结合该旋转中心的第一坐标、待测芯片的第一坐标和偏转角,只需要一次识别过程即能完成待测芯片的校准定位,提高了校准速度。

Description

半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体激光器技术领域,尤其涉及一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质。
背景技术
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器,由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。半导体激光器中的激光器芯片在出厂前需要对其光电性能进行测试,例如可采用注入电流的方式使其泵浦,然后测试对应的泵浦功率。
然而,在相关技术中,为了对半导体激光器芯片进行光电性能测试,需要将芯片移动到特定的位置,同时还需要使芯片呈现特定的摆放状态,这就要求对芯片的位置进行多次定位。但半导体激光器芯片的测试往往是大批量测试,每个芯片都进行多次定位则会严重影响校准以及后续测试的效率,不利于测试过程的进行。
发明内容
本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质,旨在提高半导体激光器芯片的校准效率。
为了达到上述目的,本申请提供一种半导体激光器芯片的校准定位方法,应用于半导体激光器芯片的校准定位装置,所述校准定位装置包括图像采集装置以及依次连接的平移机构、转动机构和载物台,所述载物台跟随所述转动机构转动,所述转动机构跟随所述平移机构平移;所述校准定位方法包括:将样本芯片和待测芯片放置在所述载物台上,并将所述样本芯片和所述待测芯片平移至所述图像采集装置的图像采集窗口中;识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角;将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心,根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片;识别所述样本芯片在旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标;根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标;依次将所述样本芯片旋转回到所述图像采集窗口的中心以及平移回到所述样本芯片的第一坐标处;识别所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角;根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。
其中,所述识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角的步骤,包括:获取以所述图像采集窗口的中心为原点的坐标轴,所述载物台的平移方向与所述坐标轴所在的方向对应,所述平移方向包括相互垂直的第一方向和第二方向;识别所述样本芯片的中心和所述样本芯片的发光腔的开设方向;确定所述样本芯片的中心分别沿所述第一方向和所述第二方向到所述图像采集窗口的坐标轴的距离,以确定所述样本芯片的第一坐标;确定所述发光腔的开设方向与所述第二方向之间的夹角,以确定所述样本芯片的偏转角。
其中,所述将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心,根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片的步骤包括:将所述样本芯片的中心从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心;根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片,使得所述样本芯片的发光腔的开设方向与所述第二方向平行。
其中,所述识别所述样本芯片的中心的步骤,包括:识别所述样本芯片的图形轮廓;根据所述样本芯片的图形轮廓,确定所述样本芯片的中心和所述发光腔的开设方向。
其中,所述根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标的步骤,包括:根据所述样本芯片的偏转角和第二坐标,确定所述旋转中心在所述样本芯片旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标;根据所述样本芯片的第一坐标和所述旋转中心的第二坐标,确定所述旋转中心的第一坐标。
其中,所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤,包括:根据所述待测芯片的第一坐标和所述旋转中心的第一坐标,确定所述旋转中心相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第三坐标,所述旋转中心的第三坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心时,所述旋转中心的坐标;根据所述待测芯片的偏转角和所述旋转中心的第三坐标,确定所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标,所述待测芯片的第二坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心且旋转所述待测芯片的偏转角时,所述待测芯片的坐标;根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。
其中,所述根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心,包括:确定所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移;根据所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移和所述待测芯片的偏转角,移动所述待测芯片,使得所述待测芯片位于所述图像采集窗口的中心。
其中,在所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤之后,还包括:将所述待测芯片转移到测试机构上,对所述待测芯片的电极施加电流,以对所述待测芯片的光功率进行测试。
本申请还提供一种终端设备,包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序,所述存储器与所述处理器耦接,且所述处理器执行所述计算机程序时,实现如上述所述的校准定位方法。
本申请还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其中,在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行如上述所述的校准定位方法。
本申请的有益效果为:通过将样本芯片放置在载物台上进行平移和旋转,识别样本芯片平移前和旋转后的坐标以及偏转角,以确定转动机构的旋转中心在样本芯片旋转前相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标;根据该转动机构的第一坐标,可以使得待测芯片在进行校准定位时,只需要一次识别待测芯片所需的偏转角和平移前的坐标,即可确定将该待测芯片移动至图像采集窗口的中心所需的移动路径;因此,本申请一方面通过算法校准的方式,只需要对待测芯片的一次识别即可完成校准定位,提升了定位速度,当待测芯片的数量为多个时,显著提升校准效率;另一方面,降低对硬件同心度的要求,不要求图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心绝对同心,可以在图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心存在误差的情况下,利用较少地识别次数对待测芯片进行定位,使得定位后的待测芯片满足进行光电性能测试的相应条件。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案,下面将对根据本申请而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种半导体激光器芯片的校准定位方法的流程示意图;
图2是本申请实施例提供的一种半导体激光器芯片的校准定位装置的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的样本芯片的校准过程示意图;
图4是本申请实施例提供的在样本芯片的校准过程中旋转中心的变化示意图;
图5是本申请实施例提供的在待测芯片的一种预校准过程示意图;
图6是本申请实施例提供的终端设备的结构示意图框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1和图2,图1和图2分别是本申请实施例提供的校准定位方法的流程示意图和校准定位装置的结构示意图。该校准定位方法应用于如图2所示的校准定位装置中,校准定位装置包括依次连接的平移机构、转动机构13以及载物台14,载物台14跟随转动机构13转动,转动机构13跟随平移机构平移。该平移机构包括X轴机构11和Y轴机构12。该校准定位装置还包括图像采集装置15和图像处理装置(图中未示出),该图像处理装置与该图像采集装置15、该X轴机构11以及该Y轴机构12通信连接,该图像采集装置15具有图像采集窗口,该图像采集装置15将通过图像采集窗口采集到的芯片的图像信息传输到该图像处理装置,该图像处理装置识别对应的图像信息以对芯片的位置进行定位,并根据需要控制该平移机构进行平移以及控制该转动机构13进行转动。在该平移机构和该转动机构13进行转动时,该图像采集装置15的图像采集窗口保持固定。该图像采集装置15可以是相机,例如CCD(charge coupled device)相机,该图像处理装置可以是服务器、主机等终端设备。
如图1所示,该校准定位方法包括:
步骤S101:将样本芯片和待测芯片放置在载物台上,并将样本芯片和待测芯片平移至图像采集装置的图像采集窗口中。
具体地,该样本芯片和该待测芯片均为半导体激光器芯片,该样本芯片和该待测芯片的区别在于:该待测芯片用于在校准定位装置中进行校准,且该样本芯片的数量少于该待测芯片的数量,例如为1个,且该样本芯片上可以设计有特殊标记,以与该待测芯片进行区分。
步骤S102:识别样本芯片相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角。
其中,步骤S102包括步骤S1021~步骤S1024,具体如下:
步骤S1021:获取以图像采集窗口的中心为原点的坐标轴,载物台的平移方向与坐标轴所在的方向对应,平移方向包括相互垂直的第一方向和第二方向。
请参阅图3,图3是本申请实施例提供的样本芯片的校准过程示意图,如图3所示,在图3中示出了样本芯片21,选择性未示出待测芯片。该图像采集窗口的坐标轴包括P1轴和P2轴,其中,P1轴与P2轴的交点为该图像采集窗口的中心A。该载物台14的平移方向包括P1方向和P2方向,P1方向和P2方向相互垂直。
步骤S1022:识别样本芯片的中心和样本芯片的发光腔的开设方向。
在一种实施例中,步骤S1022包括如下步骤:识别样本芯片的图形轮廓;根据样本芯片的图形轮廓,确定样本芯片的中心和发光腔的开设方向。例如,如图3所示,当识别该样本芯片21的图形轮廓为长方形时,该样本芯片21的图形轮廓的对角线交点即为该样本芯片21的中心,而对于半导体激光器芯片而言,发光腔的开设方向沿一固定方向进行设置,例如在本实施例中,该发光腔的开设方向为该样本芯片21的图形轮廓的长边方向。
步骤S1023:确定样本芯片的中心分别沿第一方向和第二方向到图像采集窗口的坐标轴的距离,以确定样本芯片的第一坐标。
如图3所示,通过确定样本芯片21的中心分别沿P1方向和P2方向到图像采集窗口的坐标轴的距离X和Y,以确定样本芯片21的第一坐标,也即定义图3中F点的位置。
步骤S1024:确定发光腔的开设方向与第二方向之间的夹角,以确定样本芯片的偏转角。
具体地,发光腔的开设方向与P2方向之间的夹角等于该样本芯片21的偏转角。也即如果在将样本芯片21在按照偏转角θ旋转后,发光腔的开设方向与该P2方向保持平行,从而达到对样本芯片21进行摆正的目的。
步骤S103:将样本芯片从样本芯片的第一坐标处平移到图像采集窗口的中心,根据样本芯片的偏转角旋转样本芯片。
其中,步骤S103具体包括如下步骤:
步骤S1031:将样本芯片的中心从样本芯片的第一坐标处平移到图像采集窗口的中心;
步骤S1032:根据样本芯片的偏转角旋转样本芯片,使得样本芯片的发光腔的开设方向与第二方向平行。
具体体,如图3所示,将样本芯片21的中心从样本芯片的第一坐标F处平移到图像采集窗口的中心A,然后将样本芯片21的偏转角θ旋转样本芯片21,使得样本芯片21的发光腔的开设方向与P2方向平行。
步骤S104:识别样本芯片在旋转后相对于图像采集窗口的中心而具有的第二坐标。
具体地,识别样本芯片21在旋转后相对于图像采集窗口的中心A而具有的第二坐标与识别样本芯片21的第一坐标同理,其中,在样本芯片21旋转偏转角θ后,确定样本芯片21的中心分别沿P1方向和P2方向到图像采集窗口的坐标轴的距离X1和Y1,以确定样本芯片21的第二坐标(即B点坐标)。
步骤S105:根据样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定转动机构的旋转中心在样本芯片旋转前相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标。
其中,步骤S105包括如下步骤:
步骤S1051:根据样本芯片的偏转角和第二坐标,确定旋转中心在样本芯片旋转后相对于图像采集窗口的中心而具有的第二坐标;
步骤S1052:根据样本芯片的第一坐标和旋转中心的第二坐标,确定旋转中心的第一坐标。
具体地,如图3所示,由∠BAO = ∠BAC + ∠DAO ,加上三角形OAB为等腰三角形,所以得到:
方程1:(π-θ)/2=arctan(Y1/X1)+arctan(Y2/X2)。其中,X2和Y2是在样本芯片21平移并旋转后,旋转中心分别沿P1方向和P2方向到坐标轴的距离。
而OAB为等腰三角形,E为AB的中点,因此得到:AB=(X1*X1+Y1*Y1)^(1/2) ;AE=AB/2;角度∠EAO取余弦 = EA / AO,∠EAO = (π-θ)/2。因此,得到:
方程2 :cos((π-θ)/2)=0.5*((X1*X1+Y1*Y1)^(1/2))/((X2*X2+Y2*Y2)^(1/2))。
根据方程1和方程2解二元二次方程,即根据样本芯片21的第二坐标(X1,Y1)以及偏转角θ可以得到X2、Y2的值,即确定旋转中心在样本芯片21旋转后相对于图像采集窗口的中心A而具有的第二坐标。请参阅图4,由于转动机构13跟随平移机构移动,因此,在将样本芯片21平移到图像采集中心A的过程中,由于转动机构13的旋转中心也发生了相应的移动,即旋转中心从图4中的G点移动到O点,因此,根据样本芯片21的第一坐标(X,Y)和旋转中心的第二坐标(X2、Y2)可以确定旋转中心的第一坐标为G点的坐标(a,b),其中a=X2-X,b=Y2-Y。
步骤S106:依次将样本芯片旋转回到图像采集窗口的中心以及平移回到样本芯片的第一坐标处。
具体地,通过先将样本芯片21旋转回到图像采集窗口的中心A后,再将该样本芯片21平移回到样本芯片21的第一坐标处(F处),从而避免利用样本芯片21进行校准的过程对后续待测芯片的校准定位造成影响。
步骤S107:识别待测芯片相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角。
请参阅图5,图5是本申请实施例中提供的待测芯片的预校准过程示意图,在图5中示出了待测芯片22,选择性未示出样本芯片21,图5所示出的校准过程是为了参照校准样本芯片21的校准方式推算出待测芯片22的实际校准路径会经过的位置。
识别待测芯片22相对于图像采集窗口的中心A而具有的第一坐标和偏转角的过程与识别样本芯片21相对于图像采集窗口的中心A而具有的第一坐标和偏转角的过程同理。如图5所示,识别待测芯片22的中心分别沿P1和P2方向到图像采集窗口的坐标轴的距离为X’和Y’,以确定待测芯片22的中心的第一坐标,识别待测芯片22的偏转角为θ’。
步骤S108:根据待测芯片的第一坐标和偏转角以及旋转中心的第一坐标,将待测芯片移动至图像采集窗口的中心。
其中,步骤S108具体包括:
步骤S1081:根据待测芯片的第一坐标和旋转中心的第一坐标,确定旋转中心相对于图像采集窗口的中心而具有的第三坐标,旋转中心的第三坐标为当待测芯片平移至图像采集窗口的中心时,旋转中心的坐标。
步骤S1082:根据待测芯片的偏转角和旋转中心的第三坐标,确定待测芯片相对于图像采集窗口的中心而具有的第二坐标,待测芯片的第二坐标为当待测芯片平移至图像采集窗口的中心且旋转待测芯片的偏转角时,待测芯片的坐标。
具体地,已知旋转中心的第一坐标为(a,b),因此旋转中心的第三坐标为(X2’ = a+X’,Y2’ = b+Y’),根据已知偏转角θ’、X2’= a+X’以及Y2’ = b+Y’,所以,根据:
方程1:(π-θ')/2=arctan(Y1'/X1')+arctan(Y2'/X2');
方程2:
cos((π-θ')/2=0.5*((X1'*X1'+Y1'*Y1')^(1/2))/((X2'*X2'+Y2'*Y2')^(1/2));
解方程1和2,计算得到待测芯片22的第二坐标(X1’,Y1’)。
步骤S1083:根据待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角,将待测芯片移动至图像采集窗口的中心。
其中,步骤S1083具体包括:
确定待测芯片的第一坐标到待测芯片的第二坐标的位移;
根据待测芯片的第一坐标到待测芯片的第二坐标的位移和待测芯片的偏转角,移动待测芯片,使得待测芯片位于图像采集窗口的中心。
具体地,根据该待测芯片22的第一坐标、第二坐标以及偏转角,确定将该待测芯片22移动到图像采集窗口的中心A处的实际校准路径为:沿P1方向移动的位移为X’-X1’,P2方向为Y’-Y1’,再旋转偏转角θ’。即一次识别就可以确定样本芯片的目标路径(从F’点平移到B’点,再从B’点旋转到A点),从而将待测芯片22移动并摆正到图像采集窗口的中心A处了。
其中,在步骤S107的步骤之后,校准定位方法还包括:将待测芯片转移到测试机构上,对待测芯片的电极施加电流,以对待测芯片的光功率进行性能测试。
需要说明的是,在将待测芯片22转移到测试机构上时,需要利用到吸取装置,而吸取装置的吸取区域也是固定设置的,例如设置为吸取区域的中心与图像采集窗口的中心同心,且预先设置吸取区域与摆正后的芯片形态对齐。因此,在将待测芯片22摆正后可以被吸取装置正确吸附,然后再将待测芯片22放置在测试机构上进行测试。而在测试机构中设置有光功率探测器和探针,其中,光功率探测器的接收激光的方向也是固定设置的,例如,设置为沿P2方向接收激光,而由于在将该待测芯片22摆正后,该待测芯片22的发光腔方向已经是与P2方向平行,因此,在将该待测芯片22转移到该测试机构上后,利用探针对待测芯片22施加电流后,芯片所发出的激光可以被光功率探测器正确接受到,从而避免待测芯片22的没有被摆正,影响测量其发光功率的准确性。
在本实施例中,通过将样本芯片放置在载物台上进行平移和旋转,识别样本芯片偏转角以及平移前和旋转后的坐标,以确定转动机构的旋转中心在样本芯片旋转前相对于图像采集窗口的中心而具有的第一坐标。根据该转动机构的第一坐标,可以使得待测芯片在进行校准定位时,只需要一次识别待测芯片的偏转角和平移前的坐标,即可确定将该待测芯片移动至图像采集窗口的中心所需的移动路径。因此,本实施例一方面通过算法校准的方式,只需要对待测芯片的一次识别即可完成校准定位,提升了定位速度,当待测芯片的数量为多个时,可以显著提升了校准效率;另一方面,降低对硬件同心度的要求,不要求图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心绝对同心,可以在图像采集窗口的中心与转动机构的旋转中心存在误差的情况下,利用较少地识别次数对待测芯片进行定位。
请参阅图6,本申请还提供一种终端设备600,包括处理器601、存储器602以及存储在存储器602中且被配置为由处理器601执行的计算机程序,存储器602与处理器601耦接,且处理器601执行计算机程序时,实现如上述中任一项的校准定位方法。
本申请还提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有计算机程序,其中,在计算机程序运行时控制计算机可读存储介质所在的设备执行如上述的校准定位方法。
以上对本申请实施例所提供的一种半导体激光器芯片的校准定位方法、设备及存储介质进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。并且,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种半导体激光器芯片的校准定位方法,其特征在于,应用于半导体激光器芯片的校准定位装置,所述校准定位装置包括图像采集装置以及依次连接的平移机构、转动机构和载物台,所述载物台跟随所述转动机构转动,所述转动机构跟随所述平移机构平移;所述校准定位方法包括:
将样本芯片和待测芯片放置在所述载物台上,并将所述样本芯片和所述待测芯片平移至所述图像采集装置的图像采集窗口中;
识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角;
将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心,根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片;
识别所述样本芯片在旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标;
根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标;
依次将所述样本芯片旋转回到所述图像采集窗口的中心以及平移回到所述样本芯片的第一坐标处;
识别所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角;
根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心;
其中,所述根据所述样本芯片的偏转角、第一坐标和第二坐标,确定所述转动机构的旋转中心在所述样本芯片旋转前相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标的步骤,包括:
根据所述样本芯片的偏转角和第二坐标,确定所述旋转中心在所述样本芯片旋转后相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标;
根据所述样本芯片的第一坐标和所述旋转中心的第二坐标,确定所述旋转中心的第一坐标;
所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤,包括:
根据所述待测芯片的第一坐标和所述旋转中心的第一坐标,确定所述旋转中心相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第三坐标,所述旋转中心的第三坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心时,所述旋转中心的坐标;
根据所述待测芯片的偏转角和所述旋转中心的第三坐标,确定所述待测芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第二坐标,所述待测芯片的第二坐标为当所述待测芯片平移至所述图像采集窗口的中心且旋转所述待测芯片的偏转角时,所述待测芯片的坐标;
根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心。
2.根据权利要求1所述的校准定位方法,其特征在于,所述识别所述样本芯片相对于所述图像采集窗口的中心而具有的第一坐标和偏转角的步骤,包括:
获取以所述图像采集窗口的中心为原点的坐标轴,所述载物台的平移方向与所述坐标轴所在的方向对应,所述平移方向包括相互垂直的第一方向和第二方向;
识别所述样本芯片的中心和所述样本芯片的发光腔的开设方向;
确定所述样本芯片的中心分别沿所述第一方向和所述第二方向到所述图像采集窗口的坐标轴的距离,以确定所述样本芯片的第一坐标;
确定所述发光腔的开设方向与所述第二方向之间的夹角,以确定所述样本芯片的偏转角。
3.根据权利要求2所述的校准定位方法,其特征在于,所述将所述样本芯片从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心,根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片的步骤包括:
将所述样本芯片的中心从所述样本芯片的第一坐标处平移到所述图像采集窗口的中心;
根据所述样本芯片的偏转角旋转所述样本芯片,使得所述样本芯片的发光腔的开设方向与所述第二方向平行。
4.根据权利要求2所述的校准定位方法,其特征在于,所述识别所述样本芯片的中心的步骤,包括:
识别所述样本芯片的图形轮廓;
根据所述样本芯片的图形轮廓,确定所述样本芯片的中心和所述发光腔的开设方向。
5.根据权利要求1所述的校准定位方法,其特征在于,所述根据所述待测芯片的第一坐标、第二坐标以及偏转角,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心,包括:
确定所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移;
根据所述待测芯片的第一坐标到所述待测芯片的第二坐标的位移和所述待测芯片的偏转角,移动所述待测芯片,使得所述待测芯片位于所述图像采集窗口的中心。
6.根据权利要求1所述的校准定位方法,其特征在于,在所述根据所述待测芯片的第一坐标和偏转角以及所述旋转中心的第一坐标,将所述待测芯片移动至所述图像采集窗口的中心的步骤之后,还包括:
将所述待测芯片转移到测试机构上,对所述待测芯片的电极施加电流,以对所述待测芯片的光功率进行测试。
7.一种终端设备,其特征在于,包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序,所述存储器与所述处理器耦接,且所述处理器执行所述计算机程序时,实现如权利要求1至6中任一项所述的校准定位方法。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其中,在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行如权利要求1至6中任一项所述的校准定位方法。
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