CN115166877A - 具备抗静电的ar薄膜、显示组件及显示设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，其中AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，防反射层为采用溅射形成的，防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；抗静电涂层的抗静电值为106‑109Ω。本发明通过优化复合结构的防反射层，从而有效改善了薄膜的防反射和高透光率性能，并且防反射层具有良好的成型可控性，均一性好，有利于改善显示性能。
Description
技术领域
本发明是关于电子技术领域，特别是关于一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备。
背景技术
近年来，TAC(三醋酸纤维薄膜)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基材在电子显示屏上的应用越来越广泛和深入。TAC和PET本身的绝缘性能，在接触和摩擦过程中容易产生和聚集静电荷。一定量的静电荷的存在会对TAC和PET的电子产品造成静电冲击，会破坏电子产品性能和引发安全事故，也会因为表面静电出现尘埃吸附。与此同时，电子显示屏表面的高反射会导致用户无法看清屏幕上的内容，严重影响体验，因此我们需要进行减反射处理，实现防反射(Anti-Reflective)的最终目的。
防反射层(AR)的一般可以采用三种方法成膜，包括真空蒸发、湿法涂布和磁控溅射镀膜。其中真空蒸发镀膜的镀膜均匀性差，薄膜涂层的附着力差，重复性差，难以获得结晶结构的薄膜。湿法涂布的平均反射率较高，平均反射率在1％以上，减反射效率低。因此选用磁控溅射来进行镀膜，平均反射率在0.5％左右且均一性好。但是现有方案中磁控溅射镀膜技术不足以兼顾光通过以及使用者视觉感受方面的需求，难以满足智能设备的显示需求。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，通过优化复合结构的防反射层，从而有效改善了薄膜的防反射和高透光率性能，并且防反射层具有良好的成型可控性，均一性好，有利于改善显示性能。
为实现上述目的，本发明的实施例提供了具备抗静电的AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，防反射层为采用溅射形成的，防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；抗静电涂层的抗静电值为106-109Ω。
在本发明的一个或多个实施方式中，防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层，第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。
在本发明的一个或多个实施方式中，第一五氧化二铌层厚度为10-20nm。
在本发明的一个或多个实施方式中，第一二氧化硅层厚度为20-35nm。
在本发明的一个或多个实施方式中，第二五氧化二铌层厚度为110-130nm。
在本发明的一个或多个实施方式中，第二二氧化硅层厚度为70-100nm。
在本发明的一个或多个实施方式中，二氧化硅层的折射率为1.42-1.5。
在本发明的一个或多个实施方式中，五氧化二铌层的折射率为2.1-2.5。
在本发明的一个或多个实施方式中，显示组件，包括具有显示界面的显示器以及如前述的AR薄膜，AR薄膜设置于显示界面。显示组件可以为如液晶显示器组件等，此时AR薄膜设置于该液晶显示组件的屏幕表面。
在本发明的一个或多个实施方式中，显示设备，包括安装框架以及如前述的显示组件，显示组件连接到安装框架。
与现有技术相比，根据本发明实施方式的具备抗静电的AR薄膜、显示组件及显示设备，主要改进的AR薄膜，通过高折射率-低折射率-高折射率-低折射率这种四层结构的叠加来起到降低反射率的作用。与现有方案相比，优化后的方案，可以将400-700nm宽波段的反射整体降下来，平均反射率在0.5％左右且均一性好。干法磁控溅射的AR层与湿法涂布的抗静电层之间的层间附着力很好，且湿法的的抗静电层不会影响AR的性能。与此同时，干法磁控溅射的AR叠层不会影响抗静电涂层的抗静电性，在AR表层，抗静电值依旧稳定可测。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的具备抗静电的AR薄膜的结构示意图；
图2是根据本发明实施例21的反射曲线。
具体实施方式
下面结合本发明的具体实施方式，对本发明技术方案进行示例性的详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
如图1所示，根据本发明优选实施方式的AR薄膜，包括顺次设置的基材1、抗静电涂层2以及防反射层(设置四层时如图1所示的包括第一五氧化二铌层3、第一二氧化硅层4、第二五氧化二铌层5、第二二氧化硅层6)，抗静电涂层的抗静电值为106-109Ω。
在如下所示的实施例中以如下限定为例：二氧化硅层的折射率为1.42；五氧化二铌层的折射率为2.1。
实施例11：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基化硼酸脂类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
实施例12：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基化硼酸脂类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
实施例13：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基月桂酷胺类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
实施例14：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，乙氧基月桂酷胺类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
实施例15：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，甘油-硬脂酸酯类抗静电剂2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
实施例16：本实施例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，甘油-硬脂酸酯类抗静电剂5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
对比例11：本对比例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，市场上常见的阳离子型抗静电剂如Cyastat SN 2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
对比例12：本对比例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，市场上常见的阳离子型抗静电剂如Cyastat SN 5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
对比例13：本对比例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，市场上常见的阴离子型抗静电剂如单烷基磷酸酯盐2.5份，光引发剂3.5份，分散剂3份，氧化锆11份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
对比例14：本对比例的的AR薄膜，其中抗静电层涂层厚度为600nm。丙烯酸类树脂20份，市场上常见的阴离子型抗静电剂如单烷基磷酸酯盐5份，光引发剂3份，分散剂2份，氧化锆10份，甲基乙基酮20份，丙二醇甲醚40份。
表一
| 样品 | 抗静电值Ω |
| 实施例11 | 9.3x10<sup>9</sup> |
| 实施例12 | 7.2x10<sup>7</sup> |
| 实施例13 | 5.3x10<sup>10</sup> |
| 实施例14 | 7.4x10<sup>8</sup> |
| 实施例15 | 7.9x10<sup>10</sup> |
| 实施例16 | 4.3x10<sup>9</sup> |
| 对比例11 | 9.8x10<sup>13</sup> |
| 对比例12 | 8.9x10<sup>12</sup> |
| 对比例13 | 7.7x10<sup>13</sup> |
| 对比例14 | 5.4x10<sup>12</sup> |
由表一可知，实施例中使用乙氧基化硼酸脂、乙氧基月桂酷胺、甘油-硬脂酸酯这类非离子型抗静电剂，经过涂布工艺得到的抗静电值可以达到107Ω，而对比例中的离子型抗静电剂只能将抗静电值做到1012量级，抗静电性能较差。
实施例21与实施例11的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为15nm厚度Nb2O5，第二层为35nm厚度SiO2,第三层为120nm厚度Nb2O5，第四层为90nm厚度SiO2。
实施例22与实施例12的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为17nm厚度Nb2O5，第二层为33nm厚度SiO2,第三层为125nm厚度Nb2O5，第四层为95nm厚度SiO2。
实施例23与实施例13的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为12nm厚度Nb2O5，第二层为32nm厚度SiO2,第三层为115nm厚度Nb2O5，第四层为85nm厚度SiO2。
实施例24与实施例14的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为10nm厚度Nb2O5，第二层为35nm厚度SiO2,第三层为110nm厚度Nb2O5，第四层为80nm厚度SiO2。
实施例25与实施例15的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为20nm厚度Nb2O5，第二层为25nm厚度SiO2,第三层为130nm厚度Nb2O5，第四层为100nm厚度SiO2。
实施例26与实施例16的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为22nm厚度Nb2O5，第二层为20nm厚度SiO2,第三层为125nm厚度Nb2O5，第四层为70nm厚度SiO2。
对比例21与对比例11的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为8nm厚度Nb2O5，第二层为15nm厚度SiO2,第三层为90nm厚度Nb2O5，第四层为65nm厚度SiO2。
对比例22与对比例12的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为7nm厚度Nb2O5，第二层为12nm厚度SiO2,第三层为85nm厚度Nb2O5，第四层为70nm厚度SiO2。
对比例23与对比例13的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为25nm厚度Nb2O5，第二层为40nm厚度SiO2,第三层为135nm厚度Nb2O5，第四层为105nm厚度SiO2。
对比例24与对比例14的区别在于：在抗静电层上磁控溅射AR层。磁控溅射四层叠层结构：第一层为28nm厚度Nb2O5，第二层为38nm厚度SiO2,第三层为130nm厚度Nb2O5，第四层为110nm厚度SiO2。
表2
由表2和图2可知，通过磁控溅射精准控制镀膜厚度，实现Nb2O5+SiO2+Nb2O5+SiO2这种高低折射率交叉叠加的结构，可以将薄膜的分光透过率升高到95％，全光透过率升高到96％，400-700nm波段的反射率降低到0.52％左右。而使用不同镀膜厚度的对比例因光学匹配问题，降反射效果较差。且受到抗静电剂的种类和加入量的影响，AR镀层的附着力会出现一定的变化。与离子型抗静电剂相比，乙氧基化硼酸脂、乙氧基化烷基胺、乙氧基月桂酷胺，甘油-硬脂酸酯这类非离子性抗静电剂添加后的丙烯酸树脂形成的抗静电涂层的可印刷性能好，与AR镀层的层间附着力OK。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
Claims (10)
1.一种具备抗静电的AR薄膜，包括顺次设置的基材、抗静电涂层以及防反射层，其特征在于，所述防反射层为采用溅射形成的，所述防反射层至少包括有若干交替排列的二氧化硅层和五氧化二铌层；
所述抗静电涂层的抗静电值为106-109Ω。
2.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述防反射层包括第一五氧化二铌层、第一二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第二二氧化硅层，所述第一五氧化二铌层与抗静电涂层相邻。
3.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一五氧化二铌层厚度为10-20nm。
4.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第一二氧化硅层厚度为20-30nm。
5.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第二五氧化二铌层厚度为110-130nm。
6.如权利要求2所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述第二二氧化硅层厚度为70-100nm。
7.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述二氧化硅层的折射率为1.42-1.5。
8.如权利要求1所述的具备抗静电的AR薄膜，其特征在于，所述五氧化二铌层的折射率为2.1-2.5。
9.显示组件，包括具有显示界面的显示器以及如权利要求1-8任一所述的AR薄膜，所述AR薄膜设置于所述显示界面。
10.显示设备，包括安装框架以及如权利要求9所述的显示组件，所述显示组件连接到所述安装框架。
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