CN115166459A - 结温检测装置、方法、电子设备和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质。其中，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；电压检测模块与电压模拟模块的电连接；电压检测模块或电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置；电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压；电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。通过设置电压模拟模块以模拟退饱和保护模块的电压，便于对结温检测电压的计算，减小了外界环境对IGBT温度测量的影响，进而减小了外界环境对检测IGBT的电压和结温的影响，提高了结温检测的准确性。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质。
背景技术
逆变器是把直流电能转化成定频定压或者调频调压交流电的转化器。逆变器被广泛的应用于电动汽车、家用电器、航空航天和新能源装备等领域中。由于逆变器中功率模块的结温会影响逆变器的性能，因此实时监控功率模块的结温具有重大意义。
当前，技术人员通过在功率模块的芯片外设置温敏传感器，以检测功率模块的结温。由于温敏传感器远离芯片不能直接测温，导致温敏传感器的检测结果准确性差，且温敏传感器无法及时的反馈功率模块的结温变化，使得测量结果实时性差。
发明内容
本申请提供了一种结温检测装置、方法、电子设备和存储介质，以提高结温检测的准确性和实时性。
根据本申请的一方面，提供了一种结温检测装置，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；
电压检测模块与电压模拟模块的电连接；
电压检测模块或电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；
退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置；
电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压；
电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。
根据本申请的另一方面，提供了一种结温检测方法，包括：
获取IGBT退饱和保护模块的结温检测电压和导通电流；
根据结温检测电压和导通电流，确定IGBT的结温。
根据本申请的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本申请任一实施例所述的结温检测方法。
根据本申请的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本申请任一实施例所述的结温检测方法。
本申请实施例的技术方案，通过设置电压模拟模块以模拟退饱和保护模块的电压，便于对结温检测电压的计算，减小了外界环境对IGBT温度的影响，进而减小了外界环境对检测IGBT的电压和结温的影响，提高了结温检测的准确性。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A是根据本申请实施例一提供的一种结温检测装置的结构图；
图1B是根据本申请实施例一提供的另一种结温检测装置的结构图；
图2A是根据本申请实施例二提供的一种结温检测方法的流程图；
图2B是根据本申请实施例二提供的一种IGBT结温检测电路示意图；
图3是实现本申请实施例的结温检测方法的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例一
本实施例可适用于测量晶体管退饱和保护电路的结温的情况，该结温检测装置可以采用硬件和/或软件的形式实现，该结温检测装置可配置于电子设备中。
该结温检测装置包括：电压模拟模块和电压检测模块，其中，
电压检测模块与电压模拟模块电连接；电压检测模块或电压模拟模块与待测温的退饱和保护模块电连接；其中，待测温的退饱和保护模块可以是IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块，IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管。需要说明的是，本申请实施例仅通过IGBT退饱和保护模块的测温进行说明，待测温的退饱和保护模块还可以是其他各种功率器件，例如MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或者BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管等，本申请实施例对此不作限定。
进一步的，退饱和保护二极管与电压模拟模块临近设置。
电压模拟模块可以是用于模拟退饱和保护二极管的电压。可以理解的是，在标准的IGBT退饱和保护电路中，退饱和保护二极管容易收到外界温度的影响，而该退饱和保护二极管的性能与温度紧密相关，退饱和保护二极管的性能则会影响对IGBT的电压和结温的测量。因此，将电压模拟模块与退饱和保护二极管临近设置，使二者在空间位置上所处环境相同，从而使电压模拟模块和退饱和保护二极管的所述环境温度接近一致，电压模拟模块用于模拟IGBT退饱和保护模块的电压，也即电压模拟模块用于模拟退饱和保护二极管的电压，使电压模拟模块的电压与退饱和保护二极管的电压接近一致，从而在计算结温检测电压时可以消除退饱和保护二极管电压不稳定造成的计算误差，有助于提高结温检测电压的测量准确度，从而提高结温的计算精度。同时，电压检测模块用于输出IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。
在一种可选实施方式中，电压模拟模块可以包括电压模拟电流源和电压模拟二极管，电压检测模块可以包括仪用放大器；其中，电压模拟电流源的一端与电压模拟二极管的阳极电连接，电压模拟电流源的另一端接地；电压模拟二极管的阴极与仪用放大器的第一输入端电连接；仪用放大器的第二输入端电连接于IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻与退饱和保护二极管的阳极之间，仪用放大器的输出端输出结温检测电压。
如图1A所示的一种结温检测装置的结构图，退饱和保护电流源I1、退饱和保护电容C1、退饱和保护电阻R1和退饱和保护二极管D1以及退饱和检测电路构成了标准的IGBT退饱和保护电路。其中，退饱和检测电路可以使用现有技术中任意一种退饱和检测电路，本申请实施例不作限定，另外，S1为电流井，该电路在外部驱动脉冲的驱动下晶体管Q1与S1反向开通。本实施例中，电流井作为吸收电流源电流的一种可行方式，也可以采用场效应管或晶体管等对地短接，还可以使用镜像电流源等方式。
如图1A所示，三个运算放大器(OA1、OA2和OA3，且均为单端供电)与七个电阻(两个R2、两个R3、两个R4以及一个RG)组成了一个仪用放大器。该仪用放大器中OA1的同向输入端(对应前述第一输入端)与电压模拟二极管D2的阳极电连接，电压模拟二极管D2的阴极接地。电压模拟电流源I2的一端与电压模拟二极管D2的阳极电连接，电压模拟电流源I2的另一端接地。该仪用放大器中OA2的同向输入端(对应前述第二输入端)电连接与R1和D1的阳极之间。
通过电压模拟电流源I2、电压模拟二极管D2和仪用放大器的共同作用，使电压模拟二极管D2模拟退饱和保护二极管D1的状态。D2可以与D1相邻设置，器件之间距离较近(或紧贴)可以使D1所处的环境温度与D2保持一致，由于二极管的导通压降仅与自身型号、通过自身的电流和环境温度相关，因此D2可以模拟D1的工作状态，使D2的导通压降与D1的导通压降相同，使得在输出Vo的过程中利用D2的导通压降抵消掉D1的导通压降，从而使仪用放大器的输出端输出较为稳定、准确的结温检测电压Vo，通过Vo对当前IGBT进行结温的计算。
可以理解的是，当驱动脉冲驱动Q1开通时，S1关闭，I1为C1充电，同时退饱和检测电路检测C1两端电压，在必要的时候进行退饱和保护，当C1电压上升至和Q1导通压降相等，同时I1的电流流过R1、D1和Q1，此时D1阴极对地的电压为电流流过D1时的管压降与Q1导通的管压降。当驱动脉冲驱动Q1关闭时，S1导通，I1为C1放电，同时I1的电流直接对地，此时D1阴极对地的电压为0。
在一种具体的实施方式中，可以设置I1＝I2且D1＝D2，即电压模拟电流源输出的电流和退饱和保护电流源输出的电流相同，且电压模拟二极管选用与退饱和保护二极管相同的型号。由于二极管的导通压降只与自身的型号(材料和工艺等)、流过自身的电流和环境的温度相关，因此，I1＝I2和D1＝D2可以使D1的导通压降与D2的导通压降相同，即VFD1＝VFD2，有利于计算Vo，如下列公式所示：
简化后得到：
可以看出Vo只与Q1的导通压降相关，因此Vo可以有效的反馈和计算IGBT的结温。当然，结温的计算可以采用现有技术中任意一种算法进行计算，本申请实施例对此不作限定。
需要补充的是，上述具体的实施方式中，采用I1＝I2且D1＝D2的方式是为了便于计算，I2和D2的选取可以由相关技术人员根据实际需求进行设定，不应理解为对本申请技术方案的限定。
在另一种可选实施方式中，电压模拟模块包括电压跟随器和电压模拟二极管，电压检测模块包括下拉电阻；电压跟随器的同相输入端电连接于IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻和退饱和保护二极管的阳极之间；电压跟随器的反向输入端与输出端电连接于电压模拟二极管的阳极；电压模拟二极管的阴极与下拉电阻相连；其中，下拉电阻的两端电压为结温检测电压。
图1B是本申请实施例提供的另一种结温检测装置的结构图。如图1B所示，与前述实施方式同理，退饱和保护电流源I1、退饱和保护电容C1、退饱和保护电阻R1和退饱、保护二极管D1以及退饱和检测电路构成了标准的IGBT退饱和保护电路。其中，退饱和检测电路可以使用现有技术中任意一种退饱和检测电路，本申请实施例不作限定，另外，S1为电流井，该电路在外部驱动脉冲的驱动下晶体管Q1与S1反向开通。本实施例中，电流井作为吸收电流源电流的一种可行方式，也可以采用场效应管或晶体管等对地短接，还可以使用镜像电流源等方式。
与前述实施方式同理，当驱动脉冲驱动Q1开通时，S1关闭，I1为C1充电，同时退饱和检测电路检测C1两端电压，在必要的时候进行退饱和保护，当C1电压上升至和Q1导通压降相等，同时I1的电流流过R1，D1和Q1，此时D1阴极对地的电压为电流流过D1时的管压降与Q1导通的管压降。当驱动脉冲驱动Q1关闭时，S1导通，I1为C1放电，同时I1的电流直接对地，此时D1阴极对地的电压为0。
在图2B中，运算放大器OA1形成了一个电压跟随器，OA1为单端供电，OA1的输出端与电压模拟二极管D2的阳极电连接，D2的阴极与下拉电阻R2的一段电连接，R2的另一端接地，通过测量R2的电压即可获得结温检测电压。可以理解的是，由于OA1的输出通过了D2(此处可以预设D1＝D2)，那么会将D1引入的压降等效的减去，留下Q1的导通压降，作为反映IGBT结温的结温检测电压。
上述两种可选实施方式中，均可以保持电压模拟二极管和退饱和保护二极管之间在空间位置上的临近，从而使二者所处的环境温度趋近一致，使电压模拟二极管的导通压降可以抵消掉退饱和保护二极管的导通压降，消除了退饱和保护二极管电压不稳定导致的测量误差，提高结温检测电压的准确度。此外，可以理解的是，当IGBT导通时，Vo不为零；当IGBT关闭时，由于电流井的作用，Vo输出为零，因此还可以根据Vo的输出判断IGBT的导通情况和是否有进行结温检测的需要。
需要补充说明的是，前述各实施方式中提供的Vo的测量方式可以是在IBGT的高压侧直接进行采集；也可以通过隔离采样电路反馈至控制系统的低压侧，隔离采样电路可以包括模数转换电路、调制电路、隔离电路、解调电路和编码电路等。隔离采样电路对采集到的电压信号进行模数转换(当然也可以先对模拟信号进行调制、隔离、解调、编码等处理，再进行模数转换)，通过高频调制进行信号隔离传递，通过隔离器件后，对信号进行解调和编码，以脉宽调制占空比的形式进行输出(此形式不唯一，此处不作限定)。因此，本申请实施例对结温检测电压的具体测量方式不作限定。
本申请实施例的技术方案，通过设置电压模拟模块以模拟退饱和保护模块的电压，比那与对结温检测电压的计算，减小了外界环境对IGBT温度的影响，进而减小了外界环境对检测IGBT的电压和结温的影响，提高了结温检测的准确性。
实施例二
图2A为本申请实施例二提供的一种结温检测方法的流程图，本实施例可适用于测量晶体管退饱和保护电路的结温的情况，所述结温检测方法包括：
S210、获取IGBT退饱和保护模块的结温检测电压和导通电流；其中，所述结温检测电压采用前述实施例中提供的结温检测装置检测得到。
其中，IGBT退饱和保护模块可以是标准的IGBT退饱和保护电路，根据前述实施例中各实施方式对结温检测电压进行检测。导通电流即通过IGBT的电流，可以通过检测电流的仪器或设备进行测量，例如可以用霍尔传感器进行导通电流的检测。
S220、根据结温检测电压和导通电流，确定IGBT的结温。
根据结温检测电压和导通电流，可以计算IGBT的结温。当然，计算结温的方法可以采用现有技术中任意一种结温计算方法，本申请实施例不作限定。或者，可以预先获取不同温度下，IGBT的电压和电流的关系，该关系可以通过曲线形式、表格形式等表现出来，在获取得到结温检测电压和导通电流后，通过查曲线或查表的方式，对结温进行确定。
在一种可选实施方式中，所述根据结温检测电压和导通电流，确定IGBT的结温，可以包括：根据预训练的电压、电流和温度的关联关系模型，确定IGBT的结温。
其中，预训练的电压、电流和温度的关联关系模型可以根据预先获取的不同温度下对应的IGBT的电压和电流进行训练，该模型输入结温检测电压和导通电流，输出当前IGBT的结温。
可以理解的是，由于结温检测电压和导通电流可能存在变化，通过实时检测结温检测电压和导通电流，可以保证结温检测的实时性。
上述实施例可以采用前述各实施例和实施方式中提供的结温检测装置对结温检测电压进行测量，从而利用该结温检测电压进行结温的确定。该结温检测装置还可以与执行上述结温检测方法的装置集成于同一温度确定装置中，如图2B所示，在一个典型的三相六桥臂逆变电路中，该温度确定装置A连接在每个桥臂当中用于检测IGBT的结温检测电压，并且接入霍尔传感器H用于检测IGBT的导通电流。配套的控制系统可以将电路中的各种信号(例如电流信号、温度信号等)进行处理，可以通过负反馈调节三相六桥臂逆变电路。
实施例三
图3示出了可以用来实施本申请的实施例的电子设备10的结构示意图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本申请的实现。
如图3所示，电子设备10包括至少一个处理器11，以及与至少一个处理器11通信连接的存储器，如只读存储器(ROM)12、随机访问存储器(RAM)13等，其中，存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序，处理器11可以根据存储在只读存储器(ROM)12中的计算机程序或者从存储单元18加载到随机访问存储器(RAM)13中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 13中，还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、ROM 12以及RAM 13通过总线14彼此相连。输入/输出(I/O)接口15也连接至总线14。
电子设备10中的多个部件连接至I/O接口15，包括：输入单元16，例如键盘、鼠标等；输出单元17，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元18，例如磁盘、光盘等；以及通信单元19，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、各种专用的人工智能(AI)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(DSP)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理，例如方法结温检测方法。
在一些实施例中，方法结温检测方法可被实现为计算机程序，其被有形地包含于计算机可读存储介质，例如存储单元18。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到RAM 13并由处理器11执行时，可以执行上文描述的方法结温检测方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，处理器11可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行方法结温检测方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
用于实施本申请的方法的计算机程序可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些计算机程序可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器，使得计算机程序当由处理器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。计算机程序可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本申请的上下文中，计算机可读存储介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的计算机程序。计算机可读存储介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。备选地，计算机可读存储介质可以是机器可读信号介质。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在电子设备上实施此处描述的系统和技术，该电子设备具有：用于向用户显示信息的显示装置(例如，CRT(阴极射线管)或者LCD(液晶显示器)监视器)；以及键盘和指向装置(例如，鼠标或者轨迹球)，用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给电子设备。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈(例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈)；并且可以用任何形式(包括声输入、语音输入或者、触觉输入)来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统(例如，作为数据服务器)、或者包括中间件部件的计算系统(例如，应用服务器)、或者包括前端部件的计算系统(例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互)、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信(例如，通信网络)来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网(LAN)、广域网(WAN)、区块链网络和互联网。
计算系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，又称为云计算服务器或云主机，是云计算服务体系中的一项主机产品，以解决了传统物理主机与VPS服务中，存在的管理难度大，业务扩展性弱的缺陷。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本申请的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本申请保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本申请的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请保护范围之内。
Claims (7)
1.一种结温检测装置，其特征在于，所述装置包括电压模拟模块和电压检测模块；
所述电压检测模块与所述电压模拟模块电连接；
所述电压检测模块或所述电压模拟模块与IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)退饱和保护模块电连接；其中，所述IGBT退饱和保护模块包括退饱和保护二极管；
所述退饱和保护二极管与所述电压模拟模块临近设置；
所述电压模拟模块用于模拟所述IGBT退饱和保护模块的电压；
所述电压检测模块用于输出所述IGBT退饱和保护模块的结温检测电压。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压模拟模块包括电压模拟电流源和电压模拟二极管，所述电压检测模块包括仪用放大器；
所述电压模拟电流源的一端与所述电压模拟二极管的阳极电连接，所述电压模拟电流源的另一端接地；
所述电压模拟二极管的阴极与所述仪用放大器的第一输入端电连接；
所述仪用放大器的第二输入端电连接于所述IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻与所述退饱和保护二极管的阳极之间，所述仪用放大器的输出端输出所述结温检测电压。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压模拟模块包括电压跟随器和电压模拟二极管，所述电压检测模块包括下拉电阻；
所述电压跟随器的同相输入端电连接于所述IGBT退饱和保护模块的退饱和保护电阻和所述退饱和保护二极管的阳极之间；
所述电压跟随器的反向输入端与输出端电连接于所述电压模拟二极管的阳极；
所述电压模拟二极管的阴极与所述下拉电阻相连；
其中，所述下拉电阻的两端电压为所述结温检测电压。
4.一种结温检测方法，其特征在于，包括：
获取IGBT退饱和保护模块的结温检测电压和导通电流；其中，所述结温检测电压采用权利要求1-3任一项所述的结温检测装置检测得到；
根据所述结温检测电压和所述导通电流，确定所述IGBT的结温。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述结温检测电压和所述导通电流，确定所述IGBT的结温，包括：
根据预训练的电压、电流和温度的关联关系模型，确定所述IGBT的结温。
6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求4-5中任一项所述的结温检测方法。
7.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现权利要求4-5中任一项所述的结温检测方法。
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