CN115159865A - 一种防眩光的表面处理方法 - Google Patents

一种防眩光的表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115159865A
CN115159865A CN202210882830.6A CN202210882830A CN115159865A CN 115159865 A CN115159865 A CN 115159865A CN 202210882830 A CN202210882830 A CN 202210882830A CN 115159865 A CN115159865 A CN 115159865A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ion source
low
pulse bias
source current
product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210882830.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115159865B (zh
Inventor
蒋岩
毛昌海
帅小锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Arison Surface Technology Suzhou Co Ltd
Original Assignee
Arison Surface Technology Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Arison Surface Technology Suzhou Co Ltd filed Critical Arison Surface Technology Suzhou Co Ltd
Priority to CN202210882830.6A priority Critical patent/CN115159865B/zh
Publication of CN115159865A publication Critical patent/CN115159865A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115159865B publication Critical patent/CN115159865B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/006—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by plasma or corona discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/08—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by flame treatment ; using hot gases
    • B29C59/085—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by flame treatment ; using hot gases of profiled articles, e.g. hollow or tubular articles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种防眩光的表面处理方法，该表面处理方法的步骤为，S1、清洗产品；S2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并保持密封；S3、对密封腔抽取真空；S4、对密封腔加热至设定值并在密封腔内通入氩气；S5、开启偏压电源以及离子源电源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；S6、刻蚀完毕，取出产品。通过采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者的结合，在产品表面实现等离子体能量和密度的高低循环，能够有效缓解刻蚀过程中产品表面温度过高的问题，使得产品表面温度得到了有效管控；同时，产品表面的凹凸槽为纳米级别，透光率受影响较小。

Description

一种防眩光的表面处理方法
技术领域
本发明涉及产品的表面处理技术领域，尤其是涉及一种防眩光的表面处理方法。
背景技术
玻璃以及塑料等产品表面如果太光滑，入射光线容易按照原入射方向被反射回去，使观感体验变差；通过对产品表面实施防眩光处理，使表面增加纹理结构，变成漫反射亚光面，能够提升观感。
目前表面防眩光的处理方法主要有喷涂、镀膜和刻蚀等，而刻蚀以优越的表面性能，经常被使用在高质量的产品中；刻蚀方法分湿法刻蚀和干法刻蚀，湿法刻蚀主要利用在基板表面形成光阻图案后，使用如氢氟酸等物质对表面实施化学刻蚀，未形成光阻的部分发生化学反应被刻蚀掉，有光阻保护的部分则不会与酸发生反应，刻蚀实施后，清洗表面去除刻蚀物质及反应物，形成凸凹槽，即防眩光表面。湿法刻蚀工艺相对复杂，不够环保。干法刻蚀主要利用等离子体对表面进行物理或者化学刻蚀，高能正离子在负偏压的作用下加速撞击基体表面，或与表面发生化学反应，形成纳米级别的凹凸纹理，对入射光形成漫反射，来达到防眩光的作用。等离子体刻蚀是镀光学膜的前级工艺，不仅能起到刻蚀作用，还会清除样品表面污垢，可以与镀光学膜工艺合并，节省成本且绿色环保。但是在使用等离子体刻蚀工艺时，如果刻蚀能量太高，容易使基体表面温度骤升，尤其是低温材质，如塑料等，具有较低的软化温度，高温下材料易软化变色；而刻蚀能量太低，刻蚀效率低，不能够形成理想的雾化表面，达不到防眩光效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够有效减缓产品表面温度过高的防眩光的表面处理方法。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：一种防眩光的表面处理方法，该表面处理方法的步骤为，
S1、清洗产品；
S2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并保持密封；
S3、对密封腔抽取真空；
S4、对密封腔加热至设定值并在密封腔内通入氩气；
S5、开启偏压电源以及离子源电源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；
S6、刻蚀完毕，取出产品。
进一步具体的，在所述步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V；所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压。
进一步具体的，在所述步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环与高低离子源电流循环同时结合的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V，所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压；高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，所述高离子源电流大于低离子源电流。
进一步具体的，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围为20～100kHz。
进一步具体的，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率为40kHz。
进一步具体的，所述高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000Hz。
进一步具体的，在所述步骤S5中当采用高低离子源电流循环的方式时，高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，所述高离子源电流大于低离子源电流。
进一步具体的，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000Hz。
进一步具体的，在所述步骤S3中抽取真空控制在1E-4mbar以下。
进一步具体的，在所述步骤S4中加热的设定值控制在20～500℃。
本发明的有益效果是：通过采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者的结合，在产品表面实现等离子体能量和密度的高低循环，能够有效缓解刻蚀过程中产品表面温度过高的问题，使得产品表面温度得到了有效管控；同时，产品表面的凹凸槽为纳米级别，透光率受影响较小。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图；
图2是本发明高低脉冲偏压循环的示意图；
图3是本发明高低离子源电流循环的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示一种防眩光的表面处理方法，该表面处理方法的步骤为，
S1、清洗产品，将产品表面的附着物清洗掉。
S2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并关闭密封腔使其内部保持密封状态；
S3、对密封腔抽取真空，并使得真空度处于1E-4mbar以下，持续保持；
S4、对密封腔加热至设定值，该设定值的范围为20～500℃，在密封腔内通入氩气；
S5、开启偏压电源以及离子源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；
S6、刻蚀完毕，取出产品，完成对产品的表面处理。
如图2所示基于上述方法，在步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环的方式时，此时离子源电流不变，将高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V，高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围均为20～100kHz；由于属于负偏压，故所述高脉冲偏压的电压需小于低脉冲偏压的电压，高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000Hz。
实施例1
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为60A；施加循环的高低脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-30V，高脉冲偏压的频率为90kHz；低脉冲偏压的电压为-10V，低脉冲偏压的频率为90kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为2Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为2.78％，表面温度为108℃。
实施例2
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为65A，施加循环的高低脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-50V，高脉冲偏压的频率为90kHz；低脉冲偏压的电压为-10V，低脉冲偏压的频率为90kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为20Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为2.3％，表面温度为119℃。
实施例3
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持恒定的离子源电流为80A，施加循环的脉冲偏压，高脉冲偏压的电压为-60V，高脉冲偏压的频率为40kHz；低脉冲偏压的电压为-20V，低脉冲偏压的频率为40kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为5Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.76％，表面温度为122℃。
如图3所示在步骤S5中当采用高低离子源电流循环的方式时，此时偏压恒定，高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，在使用过程中需保证所述高离子源电流大于低离子源电流；其中，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000Hz。
实施例4
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压为-50V，高离子源电流为60A，低离子源电流为40A，高低离子源电流循环的转换频率为10Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.96％，表面温度为121℃。
实施例5
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压在-30V，高离子源电流为80A，低离子源电流为30A，高低离子源电流循环的转换频率为15Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.89％，表面温度为123℃。
实施例6
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，保持偏压电压在-60V，高离子源电流为100A，低离子源电流为25A，高低离子源电流循环的转换频率为10Hz，待刻蚀完成之后，产品表面雾度值为0.65％，表面温度为118℃。
在步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环与高低离子源电流循环同时结合的方式时，将高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V，高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围均为20～100kHz；由于属于负偏压，故所述高脉冲偏压的电压需小于低脉冲偏压的电压，高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000Hz。
高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，所述高离子源电流大于低离子源电流；其中，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000Hz。
实施例7
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-60V，高脉冲偏压的频率为40kHz；低脉冲偏压的电压为-20V，低脉冲偏压的频率为40kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为10Hz；高离子源电流为60A，低离子源电流为40A，高低离子源电流循环的转换频率为10Hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为1.56％，表面温度为115℃。
实施例8
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-30V，高脉冲偏压的频率为40kHz；低脉冲偏压的电压为-10V，低脉冲偏压的频率为40kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为5Hz；高离子源电流为80A，低离子源电流为30A，高低离子源电流循环的转换频率为5Hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为1.25％，表面温度为120℃。
实施例9
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为60sccm，开启偏压电源以及离子源电源，高脉冲偏压的电压为-80V，高脉冲偏压的频率为40kHz；低脉冲偏压的电压为-30V，低脉冲偏压的频率为40kHz；高低脉冲偏压循环的转换频率为15Hz；高离子源电流为100A，低离子源电流为20A，高低离子源电流循环的转换频率为15Hz；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.63％，表面温度为118℃。
基于上述实施例，为了能够与现有技术进行对比，故根据现有技术制作对比例方便进行对比。
对比例1
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar保持，加热到80℃，通入氩气流量为80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，偏压的电压为-50V，离子源电流为65A；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.83％，表面温度为130℃。
对比例2
将产品置于密封腔内，并抽真空至6.5E-5mbar以下，加热到80℃，通入氩气流量80sccm，开启偏压电源以及离子源电源，偏压的电压为-30V，离子源电流为80A；待刻蚀完成之后，产品表面的雾度值为0.37％，表面温度为138℃。
基于上述9个实施例与2个对比例进行对比，在同等环境条件下，施加的偏压电压以及离子源电流相差不大的情况下，产品的表面温度下降明显，并且雾度值明显高于现有技术，具有良好的性能。
综上，通过采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者的结合，在产品表面实现等离子体能量和密度的高低循环，能够有效缓解刻蚀过程中产品表面温度过高的问题，使得产品表面温度得到了有效管控；同时，产品表面的凹凸槽为纳米级别，透光率受影响较小。
需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种防眩光的表面处理方法，其特征在于，该表面处理方法的步骤为，
S1、清洗产品；
S2、将清洗后的产品挂于密封腔的治具上并保持密封；
S3、对密封腔抽取真空；
S4、对密封腔加热至设定值并在密封腔内通入氩气；
S5、开启偏压电源以及离子源电源，采用高低脉冲偏压循环、高低离子源电流循环或者两者结合的方式对产品进行刻蚀；
S6、刻蚀完毕，取出产品。
2.根据权利要求1所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V；所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压。
3.根据权利要求1所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S5中当采用高低脉冲偏压循环与高低离子源电流循环同时结合的方式时，高脉冲偏压的电压范围控制在-30V～-200V，低脉冲偏压的电压范围控制在-1～-100V，所述高脉冲偏压的电压小于低脉冲偏压的电压；高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，所述高离子源电流大于低离子源电流。
4.根据权利要求2或3所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率范围为20～100kHz。
5.根据权利要求4所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，所述高脉冲偏压以及低脉冲偏压的频率为40kHz。
6.根据权利要求2或3所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，所述高低脉冲偏压循环的转换频率范围为0.5～10000Hz。
7.根据权利要求1所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S5中当采用高低离子源电流循环的方式时，高离子源电流的范围为30～200A，低离子源电流的范围为10～80A，所述高离子源电流大于低离子源电流。
8.根据权利要求3或7所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，所述高低离子源电流循环的转换频率范围为1～1000Hz。
9.根据权利要求1所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S3中抽取真空控制在1E-4mbar以下。
10.根据权利要求1所述防眩光的表面处理方法，其特征在于，在所述步骤S4中加热的设定值控制在20～500℃。
CN202210882830.6A 2022-07-26 2022-07-26 一种防眩光的表面处理方法 Active CN115159865B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210882830.6A CN115159865B (zh) 2022-07-26 2022-07-26 一种防眩光的表面处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210882830.6A CN115159865B (zh) 2022-07-26 2022-07-26 一种防眩光的表面处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115159865A true CN115159865A (zh) 2022-10-11
CN115159865B CN115159865B (zh) 2023-05-09

Family

ID=83496820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210882830.6A Active CN115159865B (zh) 2022-07-26 2022-07-26 一种防眩光的表面处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115159865B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009169335A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Toppan Printing Co Ltd 光学フィルム及びその製造方法
CN102301458A (zh) * 2009-01-31 2011-12-28 应用材料公司 用于蚀刻的方法和设备
CN103915308A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
CN110249407A (zh) * 2017-02-03 2019-09-17 应用材料公司 在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统
CN114262160A (zh) * 2021-09-16 2022-04-01 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 防眩光玻璃及其制备方法
CN216550160U (zh) * 2021-10-27 2022-05-17 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 用于ag玻璃的加工设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009169335A (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Toppan Printing Co Ltd 光学フィルム及びその製造方法
CN102301458A (zh) * 2009-01-31 2011-12-28 应用材料公司 用于蚀刻的方法和设备
CN103915308A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种双射频脉冲等离子体的刻蚀方法及其刻蚀装置
CN110249407A (zh) * 2017-02-03 2019-09-17 应用材料公司 在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统
CN114262160A (zh) * 2021-09-16 2022-04-01 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 防眩光玻璃及其制备方法
CN216550160U (zh) * 2021-10-27 2022-05-17 西实显示高新材料(沈阳)有限公司 用于ag玻璃的加工设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN115159865B (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102938431B (zh) 一种太阳电池的硅片清洗制绒方法
CN105424674B (zh) 一种基于离子刻蚀制备表面拉曼增强活性基底的方法
CN102227519B (zh) 模具及其制造方法
KR20130101121A (ko) 태양전지용 표면처리 도전성 유리와 제조 방법 및 그 응용
CN102732830B (zh) 一种高透过率低反射率的减反射膜镀膜方法
CN112909107B (zh) 太阳电池单晶硅基绒面生成工艺
TW201113389A (en) Method of coating substrate
CN112919819A (zh) 一种新型无闪点防眩光玻璃制作方法
CN115159865A (zh) 一种防眩光的表面处理方法
CN105506549A (zh) 脉冲直流溅射制备五氧化二铌薄膜的方法
CN105908159A (zh) 一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法
CN204451422U (zh) 增透防指纹叠层
Chen et al. Improvement of conversion efficiency of multi-crystalline silicon solar cells using reactive ion etching with surface pre-etching
CN115490437B (zh) 一种增透显示盖板玻璃镀膜工艺方法
CN103985786A (zh) 一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法
CN104842073A (zh) 一种薄膜太阳能电池的激光刻蚀方法及装置
JP2013216542A (ja) ガラス用エッチング液およびテクスチャー付きガラス基板の製造方法
CN111943520B (zh) 高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池
CN110606667A (zh) 一种蒙砂玻璃加工代替ag玻璃实现方法
CN204369968U (zh) 新型离子清洗装置
Kawakami et al. Characteristics of TiO2 surfaces etched by capacitively coupled radio frequency N2 and He plasmas
CN104201235B (zh) 一种薄膜太阳能电池azo薄膜的等离子体织构方法
CN104496196B (zh) 一种玉砂无手印彩钢家居玻璃及制造方法
CN103943789A (zh) Oled器件及其制备方法
JPS63170243A (ja) 反射防止膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant