CN115159574B - 一种二维过渡金属硫化合物的制备方法及其应用 - Google Patents

一种二维过渡金属硫化合物的制备方法及其应用 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种二维过渡金属硫化合物的制备方法及其应用。所述制备方法包括以下步骤:将含有过渡金属源、硫源、还原剂、盐类物质的原料反应,获得所述二维过渡金属硫化合物。所述制备方法可高效、高质量、低成本大量地制备二维过渡金属硫化合物。

Description

一种二维过渡金属硫化合物的制备方法及其应用
技术领域
本申请涉及一种二维过渡金属硫化合物的制备方法及其应用,属于电催化领域。
背景技术
二维过渡金属硫化合物,由于他们独特的结构和物理化学特性,在电催化、能量储存和转换、光电探测器、分子化学等领域具有广阔的应用前景。现有的研究表明,二维过渡金属硫化合物可以通过机械剥离(Angew.Chem.Int.Ed.2016,55(31),8816-38.Nat.Mater.2014,13(6),624-30.)、离子嵌入(Coord.Chem.Rev.2002,224(1-2),87-109.)、湿化学合成(Angew.Chem.Int.Ed.2010,49(24),4059-62.Adv.Mater.2014,26(6),964-9.)、化学气相沉积(Nano Lett.2012,12(3),1538-44.ACS Nano 2020,14(4),4646-4653.Energy Environ.Sci.2020,13,1593-1616.)等方法来制备。然而,这些传统路线或多或少存在工艺复杂、成本高、产率低、产物存在污染等缺点。因此,尽管面临巨大的挑战,开发一种可靠的、可扩展的、高效率的方法来制造高产率的二维过渡金属硫化合物仍意义重大。近期,华中科技大学周军教授研究团队报道了一种熔盐辅助的方法,可有效的制备二维的二硫化钨或二硫化钼,然而其合成产率和温度还存在优化的空间。
发明内容
根据本申请的一个方面,提供一种二维过渡金属硫化合物的制备方法,所述制备方法可高效、高质量、低成本大量地制备二维过渡金属硫化合物。
一种二维过渡金属硫化合物的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将含有过渡金属源、硫源、还原剂、盐类物质的原料反应,获得所述二维过渡金属硫化合物。
可选地,所述二维过渡金属硫化合物中的过渡金属硫化合物为WS2,所述过渡金属源为钨源;
或所述二维过渡金属硫化合物中的过渡金属硫化合物为MoS2,所述过渡金属源为钼源。
可选地,所述WS2为2H-WS2,所述MoS2为2H-MoS2
可选地,所述钨源包括钨盐中的至少一种;
所述钼源包括钼盐中的至少一种。
可选地,所述钨盐包括钨的卤化物中的至少一种;
所述钼盐包括钼的卤化物中的至少一种。
可选地,所述钨的卤化物包括六氯化钨、氟化钨、溴化钨、碘化钨中的至少一种;
所述钼的卤化物包括五氯化钼、氟化钼、溴化钼、碘化钼中的至少一种。
可选地,所述硫源包括硫化物I中的至少一种。
可选地,所述硫化物I包括硫化钾、硫化锂、硫化钠中的至少一种。
可选地,所述还原剂包括金属中的至少一种。
可选地,所述还原剂包括铝粉、锌粉、镁粉中的至少一种。
可选地,所述盐类物质包括金属盐中的至少一种。
可选地,所述金属盐包括金属的卤化物中的至少一种。
可选地,所述金属的卤化物包括氯化钠、氯化铝、氯化锂、氯化钾、氯化锌中的至少一种。
可选地,所述盐类物质包括氯化钠和氯化铝;
所述氯化钠和氯化铝的质量比为0.5~3.0:5.0~10.0。
可选地,所述氯化钠和氯化铝的质量比为1~2.5:6~9。
本申请以盐类物质作为熔盐体系构建反应液相环境,可以提高产率。
可选地,所述过渡金属源、所述硫源、所述还原剂、所述盐类物质的质量比为0.1~5.0:0.1~5.0:0.01~0.5:2.0~30.0。
可选地,所述过渡金属源、所述硫源、所述还原剂、所述盐类物质的质量比为0.5~3:0.5~3:0.15~0.3:5~20。
可选地,所述过渡金属源、所述硫源、所述还原剂、所述盐类物质的质量比为0.5~1.5:0.5~1.5:0.15~0.25:5~10。
可选地,所述反应条件包括:温度为200~400℃。
可选地,所述温度上限选自300、350、400℃;下限选自200、250、300℃。
可选地,所述反应条件包括:时间为2~8h。
可选地,所述时间的上限选自5、6、7、8h;下限选自2、3、4、5h。
可选地,所述反应条件包括:在非活性气体条件下。
可选地,所述非活性气体包括惰性气体和氮气。
可选地,所述惰性气体包括氩气。
可选地,所述二维过渡金属硫化合物厚度为2.8~5.8nm。
根据本申请的另一个方面,提供一种二维过渡金属硫化合物,所述二维过渡金属硫化合物根据上述任一项所述的制备方法制备得到。
可选地,所述二维过渡金属硫化合物厚度为2.8~5.8nm。
根据本申请的另一个方面,提供上述任一项所述的制备方法制备得到的二维过渡金属硫化合物或上述任一项所述的二维过渡金属硫化合物作为电催化剂的应用。
可选地,所述电催化剂用于酸性氢析出反应和/或碱性硫离子氧化反应。
根据本申请的另一个方面,提供一种电解池,所述电解池包括阳极电极片、阴极电极片、阳极室电解液和阴极室电解液;
其中,所述阳极室电解液为含有S离子的碱性溶液,所述阴极室电解液为酸性溶液;
所述阳极电极片包括阳极催化剂,所述阴极电极片包括阴极催化剂;
所述阳极催化剂和所述阴极催化剂独立地选自上述任一项所述的制备方法制备得到的二维过渡金属硫化合物或上述任一项所述的二维过渡金属硫化合物中的至少一种。
可选地,所述含有S离子的碱性溶液包括硫化物II和碱;所述酸性溶液包括酸。
可选地,所述硫化物II包括Na2S、Li2S、K2S、Rb2S、Cs2S中的至少一种;
所述碱包括NaOH、LiOH、KOH、RbOH、CsOH中的至少一种;
所述酸包括H2SO4、HClO4、HNO3、HCl中的至少一种。
可选地,所述含有S离子的碱性溶液中硫化物II的浓度为1~3M,碱的浓度为1~3M;
所述酸性溶液中酸的浓度为2~4M。
为提供一种低温、可重复、易规模化、可扩展的二维二硫化钨或二硫化钼的制备方法。
本申请提供以下技术方案:
(1)惰性气体(高纯氩,99.999%)环境下,1.00g六氯化钨(WCl6)和1.00g无水硫化钾(K2S)于300℃下可直接制备得到二硫化钨,但产物有杂质、形貌主要为块状。
(2)惰性气体(高纯氩,99.999%)环境下,1.00g六氯化钨(WCl6)、1.00g无水硫化钾(K2S)、0.20铝粉于300℃下可直接制备得到二硫化钨,Al的加入可促进WS2的生成,但仍存在杂质,形貌主要为块状。
(3)惰性气体(高纯氩,99.999%)环境下,1.00g六氯化钨(WCl6)、1g无水硫化钾(K2S)、7.14g三氯化铝(AlCl3)、2.00g氯化钠(NaCl)于300℃下无法制备WS2
(4)惰性气体(高纯氩,99.999%)环境下,1g六氯化钨(WCl6)、1g无水硫化钾(K2S)、7.14g三氯化铝(AlCl3)、2.00g氯化钠(NaCl)、0.2铝粉于300℃下可制备得到纯相的二硫化钨纳米片。
(5)惰性气体(高纯氩,99.999%)环境下,1g五氯化钼(MoCl5)、1.5g无水硫化钾(K2S)、7.14g三氯化铝(AlCl3)、2.00g氯化钠(NaCl)、0.15铝粉于300℃下可制备得到二硫化钼纳米片。
本申请能产生的有益效果包括:
1)本申请所提供的二维过渡金属硫化合物的制备方法,通过在反应原料中添加还原剂,可以明显降低反应温度,可高效、高质量、低成本大量地制备具有理想纳米片形貌的二维过渡金属硫化合物。
2)本申请所提供的二维过渡金属硫化合物的制备方法,通过在熔盐中进行反应,可以提高二维过渡金属硫化合物的产率和纯度,产物产率可达到93%以上。
3)本申请所提供的电解池,以具有双功能催化作用(酸性环境下催化析氢反应HER和碱性环境下硫离子催化氧化反应SOR)的二维过渡金属硫化合物作为催化剂,将酸性HER和碱性SOR耦合在同一电解系统,该电解系统可实现三项功能:1)发电,2)生产氢气,3)转化有害的硫离子为有价值的硫粉。
附图说明
图1(a)为实施例1制备得到的WS2的XRD图;
图1(b)为实施例1制备得到的WS2的SEM图;
图2(a)为实施例2制备得到的WS2的XRD图;
图2(b)为实施例2制备得到的WS2的SEM图;
图3为实施例3制备得到的WS2的XRD图;
图4(a)为实施例4~6制备得到的WS2和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的XRD图;
图4(b)~(e)分别为实施例4~6制备得到的WS2和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的SEM图;
图5(a)为实施例7制备得到的MoS2的XRD图;
图5(b)为实施例7制备得到的MoS2的SEM图;
图6(a)为实施例6制备的WS2纳米片的TEM图;
图6(b)为实施例6制备的WS2纳米片的HRTEM图;
图6(c)为实施例6制备的WS2纳米片的SAED图;
图7为实施例4~6所制备的WS2纳米片和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的Raman光谱图。
图8为实施例4~6所制备的WS2纳米片以及对比例1中的样品(对应图中的对比例)的XPS结果,其中图8(a)为样品所含元素的XPS全谱分析,8(b)为W元素的4f峰,8(c)为S元素的2p峰。
图9(a)为耦合酸性氢析出和碱性硫离子氧化反应的电解系统示意图;
图9(b)为图9(a)所示的电解系统的线性扫描伏安曲线(LSV)图;
图9(c)为图9(a)所示的电解系统在外接槽压为1.3V时,电流密度随时间变化曲线(图中虚线表示每隔24h更换一次新的电解液);
图9(d)为图9(a)所示的电解系统在外接电压为1.3V时,电解过程中氢气产量和硫粉产量随时间的变化曲线;
图9(e)为图9(a)所示的电解系统在外接电压为1.3V时,电解生成的硫粉的XRD图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请,但本申请并不局限于这些实施例。
如无特别说明,本申请的实施例中的原料和分析仪器均通过商业途径购买,其中:
原料:
铝粉,型号为200目,购自安耐吉化学技术(上海)有限公司;
商业二硫化钨,型号2微米,纯度99.9%,购自上海麦克林生化科技有限公司
分析仪器:
X射线衍射仪,型号为Miniflex600,购自日本理学株式会社;
扫描电子显微镜,型号为JSM6700-F,购自日本电子株式会社;
高分辨透射电子显微镜,型号为Tecnai F20,购自美国FEI公司;
X射线光电子能谱仪,型号为ESCALAB 250Xi,购自美国赛默飞世尔科技公司;
共聚焦拉曼光谱仪,型号为Labram HR Evolution,购自法国HORIBA Jobin Yvon公司
电化学工作站,型号为CHI660E,购自上海辰华仪器有限公司;
本申请的实施例中,二硫化钨或二硫化钼的产率通过以下方式进行计算:
Q:产率
N1:一个金属氯化物分子中所含金属原子个数
N2:一个金属硫化物分子中所含金属原子个数
m产物:最终得到的金属硫化物产物质量(g)
m原料:加入的金属氯化物原料质量(g)
M原料:加入的金属氯化物的相对分子质量(g/mol)
M产物:最终得到的金属硫化物产物的相对原子质量(g/mol)
实施例1二硫化钨的制备
将1.00g六氯化钨(WCl6)和1.00g无水硫化钾(K2S)在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例2二硫化钨的制备
将1.00g六氯化钨(WCl6)、1.00g无水硫化钾(K2S)、0.20g铝粉在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例3二硫化钨的制备
将1.00g六氯化钨(WCl6)、1.00g无水硫化钾(K2S)、2.00g氯化钠(NaCl)、7.14g三氯化铝(AlCl3)在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例4二硫化钨的制备
将1.00g六氯化钨(WCl6)、1.00g无水硫化钾(K2S)、2.00g氯化钠(NaCl)、7.14g三氯化铝(AlCl3)、0.20g铝粉在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例5二硫化钨的制备
将10.0g六氯化钨(WCl6)、10.0g无水硫化钾(K2S)、20.0g氯化钠(NaCl)、71.4g三氯化铝(AlCl3)、2.0g铝粉在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例6二硫化钨的制备
将100g六氯化钨(WCl6)、100g无水硫化钾(K2S)、200g氯化钠(NaCl)、714g三氯化铝(AlCl3)、20g铝粉在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
实施例7二硫化钨的制备
将1.00g五氯化钼(MoCl6)、1.50g无水硫化钾(K2S)、2.00g氯化钠(NaCl)、7.14g三氯化铝(AlCl3)、0.15g铝粉在充满氩气(99.99%)的手套箱中充分混合,封装于反应器。随后将反应器置于300℃下反应5h。反应完毕后取出自然冷却,向反应后的反应器中注入300ml去离子水,随后加入30ml浓盐酸(36~38wt.%)酸洗,最后离心,并依次用稀盐酸(9vol.%浓盐酸)、去离子水、乙醇洗涤产物。
对比例1
商业化的二硫化钨,型号2微米,纯度99.9%,购自上海麦克林生化科技有限公司。
实施例1~7的制备方法中的原料、用量、反应条件及产率统计如表1、2、3所示。
表1制备二硫化钨的原料及用量、反应条件
表2制备二硫化钼的原料及用量、反应条件
表3二硫化钨、二硫化钼纳米片的产率及产物纯度
实施例编号 纳米片产率,% 纯度,%
1 - 39.37
2 - 77.34
3 0 -
4 95.63 100
5 93.73 100
6 93.17 100
7 94.29 100
表征与性能测试
外观形态
X射线衍射仪(XRD)分析
利用日本理学株式会社生产的型号为Miniflex600的X射线衍射仪进行XRD分析。
对实施例1至7中制备得到的样品以及对比例1中的样品进行XRD表征,表征结果如图1(a)、2(a)、图3、图4(a)、图5(a)所示,其中图1(a)为实施例1制备得到的WS2的XRD图、图2(a)为实施例2制备得到的WS2的XRD图、图3为实施例3制备得到的WS2的XRD图、图4(a)为实施例4~6制备得到的WS2和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的XRD图、图5(a)为实施例7制备得到的MoS2的XRD图。从图中可以看出除了实施例3,其余实施例均可获得WS2或MoS2。但是,实施例1与实施例2中产物物相不纯,含有大量杂质。实施例4至6、对比例1中的样品为纯相的WS2,其衍射数据与标准物质2H-WS2的衍射数据(衍射数据卡片编号JCPDS:08-0237)匹配;实施例7可制得纯相的MoS2,衍射数据与标准物质2H-MoS2衍射数据的衍射数据(衍射数据卡片编号JCPDS:37-1492)保持一致。
扫描电子显微镜(SEM)分析
利用日本电子株式会社生产的型号为JSM6700-F的扫描电子显微镜(SEM)对产物进行形貌分析。
对实施例1至7(除实施例3外)中的样品以及对比例1中的样品进行SEM表征,表征结果如图1(b)、2(b)、图4(b)~(e)、图5(b)所示,其中图1(b)为实施例1制备得到的WS2SEM图、图2(b)为实施例2制备得到的WS2SEM图、图4(b)~(e)分别为实施例4~6制备得到的WS2和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的SEM图、图5(b)为实施例7制备得到的MoS2SEM图。
从图中可以看出,实施例1和实施例2得到的是微米级别的、具有块状形貌的颗粒产物。实施例4至7均可制备得到纳米级厚度的片状产物。
高分辨透射电子显微镜分析
利用美国FEI公司生产的型号为Tecnai F20的透射电子显微镜进行TEM(透射电子显微镜)、HRTEM(高分辨率透射)、SAED(选区电子衍射)分析。
用高分辨透射电子显微镜分析实施例6制备的WS2纳米片,表征结果如图6所示。
图6为实施例6在300℃反应温度下制备的WS2纳米片的TEM(图6a)、HRTEM(图6b)、SAED图(图6c)。可以看出实施例6呈现纳米片形貌,纳米片厚度范围在2.8~5.8nm,且晶面间距对应2H-WS2(JCPDS:08-0237)的(101)晶面。选区电子衍射结果显示,选区内为多晶态,其三个明显的衍射环对应2H-WS2(JCPDS:08-0237)的(101),(103),(106)晶面,与其XRD结果一致。
共聚焦拉曼光谱分析
利用法国HORIBA Jobin Yvon公司生产的型号为Labram HR Evolution的共聚焦拉曼光谱仪进行拉曼(Raman)光谱分析。
图7为实施例4至6在300℃反应温度下制备的WS2纳米片和对比例1中商业化的二硫化钨(与图中对比例对应)的Raman光谱图。可以看出实施例4至6呈现出与对比例1(对应图中的对比例)一致的Raman峰形和峰位置,表明他们具有相同的晶体结构。与此同时,对比实施例4至6和对比例1的拉曼位移为351cm-1(面内振动E1 2g)和417cm-1(面外振动A1g)处的两个特征峰,实施例4至6具有比对比例1更弱的E1 2g和A1g峰强度,表明实施例4至6相比于对比例1具有更薄的片层结构。Raman结果与图1~4、图4~5中的SEM结果和图6中的TEM结果所得出的结论保持一致。
X射线光电子能谱分析
利用美国赛默飞世尔科技公司生产的型号为ESCALAB 250Xi的X射线光电子能谱(XPS)仪进行样品表层元素化学状态分析。
图8为实施例4至6在300℃反应温度下制备的WS2纳米片以及对比例1中的样品(对应图中的对比例)的XPS结果,其中图8(a)为样品所含元素的XPS全谱分析,8(b)为W元素的4f峰,8(c)为S元素的2p峰。由图8(a)可以看出实施例4至6呈现出与对比例1一致的化学元素种类。而且由图8(b)和由图8(c)进一步的元素W 4f和元素S 2p的高分辨XPS扫描结果表明,实施例4至6与对比例1中的W和S元素具有一致的化学状态。这些结果均进一步证实实施例4至6所得产物均为纯相的WS2
电催化性能
利用上海辰华仪器有限公司生产的型号为CHI660E的电化学工作站进行电解系统性能分析。
图9为实施例6制备的WS2纳米片,分别用作酸性氢析出和碱性硫离子氧化反应的电催化剂。图9(a)所示为耦合酸性氢析出和碱性硫离子氧化反应的电解系统,主体结构包括阳极电极片、阴极电极片、阳极室和阴极室;其中,所述阳极室中的电解液为2.5M的H2SO4,所述阴极室中的电解液为2.0M的Na2S和2.0M的NaOH;阳极电极片和阴极电极片均包括实施例6制备的WS2纳米片(0.4mg/cm2),该系统可同时实现三项功能:产电、制氢、脱硫。图9(b)所示为图9(a)组装的电解系统的线性扫描伏安曲线,扫描范围为-0.8V~2.0V,扫描速度为5mV s-1。结果表明该电解系统,在不需外接电压时,向外可以输出最大的电流密度可达8.54mA cm-2,同时在阴极产生氢气,在阳极氧化硫离子。而且当电流密度达到10mA cm-2时,仅需0.03V外接电压,可实现低能耗的制氢和硫离子降解功能。图9(c)所示为该电解装置在外接电压为1.3V时,电流密度随时间的变化曲线,从曲线可以看出,该电解系统可以稳定工作超过192h(8天),且电流密度稳定在70±10mA cm-2,表明实施例6制备的WS2纳米片催化剂和所设计的电解系统具有良好的稳定性。图9(d)所示为该电解系统在外接电压为1.3V时,其氢气生成和硫粉回收速率随时间的变化曲线,结果表明,氢气的生成和硫粉的回收速率分别达到336.3L h-1m-2和481.2g h-1m-2。图9(e)则为该电解系统在外接电压为1.3V时生成的产物的XRD图,表明,经电催化氧化硫离子后、再经酸化、离心、洗涤所得的产物为硫单质。
以上所述,仅是本申请的几个实施例,并非对本申请做任何形式的限制,虽然本申请以较佳实施例揭示如上,然而并非用以限制本申请,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本申请技术方案的范围内,利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例,均属于技术方案范围内。

Claims (11)

1.一种二维过渡金属硫化合物的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:将含有过渡金属源、硫源、还原剂、盐类物质的原料反应,获得所述二维过渡金属硫化合物;
反应条件:在非活性气体条件下,所述反应的温度为200~400℃,所述反应的时间为2~8h;
所述过渡金属源、所述硫源、所述还原剂、所述盐类物质的质量比为0.1~5.0:0.1~5.0:0.01~0.5:2.0~30.0;
所述二维过渡金属硫化合物中的过渡金属硫化合物为WS2,所述过渡金属源为钨源;
或所述二维过渡金属硫化合物中的过渡金属硫化合物为MoS2,所述过渡金属源为钼源;
所述钨的卤化物包括六氯化钨、氟化钨、溴化钨、碘化钨中的至少一种;
所述钼的卤化物包括五氯化钼、氟化钼、溴化钼、碘化钼中的至少一种;
所述硫源包括硫化钾、硫化锂、硫化钠中的至少一种;
所述还原剂包括铝粉、锌粉、镁粉中的至少一种;
所述盐类物质包括氯化钠、氯化铝、氯化锂、氯化钾、氯化锌中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述WS2为2H-WS2,所述MoS2为2H-MoS2
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述盐类物质包括氯化钠和氯化铝;所述氯化钠和氯化铝的质量比为0.5~3.0:5.0~10.0。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述二维过渡金属硫化合物厚度为2.8~5.8nm。
5.一种二维过渡金属硫化合物,其特征在于,所述二维过渡金属硫化合物根据权利要求1~4任一项所述的制备方法制备得到。
6.权利要求5所述的二维过渡金属硫化合物作为电催化剂的应用。
7.根据权利要求6所述的应用,其特征在于,所述电催化剂用于酸性氢析出反应和/或碱性硫离子氧化反应。
8.一种电解池,其特征在于,所述电解池包括阳极电极片、阴极电极片、阳极室电解液和阴极室电解液;
其中,所述阳极室电解液为含有S离子的碱性溶液,所述阴极室电解液为酸性溶液;
所述阳极电极片包括阳极催化剂,所述阴极电极片包括阴极催化剂;
所述阳极催化剂和所述阴极催化剂独立地选自权利要求5所述的二维过渡金属硫化合物中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的电解池,其特征在于,所述含有S离子的碱性溶液包括硫化物II和碱;所述酸性溶液包括酸。
10.根据权利要求9所述的电解池,其特征在于,
所述硫化物II包括Na2S、Li2S、K2S、Rb2S、Cs2S中的至少一种;
所述碱包括NaOH、LiOH、KOH、RbOH、CsOH中的至少一种;
所述酸包括H2SO4、HClO4、HNO3、HCl中的至少一种。
11.根据权利要求9所述的电解池,其特征在于,所述含有S离子的碱性溶液中硫化物II的浓度为1~3M,碱的浓度为1~3M;
所述酸性溶液中酸的浓度为2~4M。
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