CN115155332B - 一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法 - Google Patents

一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法,通过结合导电超滤膜和外加电势,诱使颗粒定向移动从而产生疏松多孔的滤饼层,极大减轻孔堵塞的发生,在增大通量的同时延长膜的使用寿命。本发明技术方案以预防膜污染为思路,不使用水处理药剂和反冲洗常规抗膜污染手段,仅依靠多孔膜作为电极在分离过程中,利用膜作为多孔电极而形成的不均匀电场所诱导的颗粒介电泳,不依赖颗粒表面电性,即可预防多种电性的污染物污染。在低压≥0.5V的直流电场或交流电场下,膜污染得到显著控制,膜通量较不加电时显著提高,该技术方案可在废水膜分离抗污染领域具有良好的普适性应用前景。

Description

一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法
技术领域
本发明属于水处理膜技术领域,具体为一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法。
背景技术
膜分离技术因不需试剂投加、分离效果好、绿色节能等优势,在环境领域特别是废水处理中具有广泛的应用,但一直以来被膜污染的问题所制约。膜污染使其分离性能和渗透性能下降,具体可表现为通量剧减或渗透压陡增,以及膜寿命的降低。目前膜污染的主要处理思路为在对膜进行改性,以及在膜污染发生后进行清洗,包括物理反冲洗和化学清洗。这些方法在一定程度上减轻了膜污染的副作用,但仍要花费额外的时间成本处理,且需要额外设备与化学试剂,对膜本身产生腐蚀或损伤,降低其使用寿命。若能在膜使用过程中减缓膜污染的发生,便可在不损害膜的前提下,延长膜的使用时间,增强其过滤性能,从而实现抗污染的效果。
电过滤作为一种原位抗污染的新思路,基于污染物表面的荷电性,通过施加电场,利用静电力排斥的电泳效应可实现抗污染。该策略的缺陷在于为了获得足够强的场强而施加的高电压,不仅容易产生电化学副反应,且能耗高,对于设备的安全性要求高,因此限制了其可使用的场景。介电泳效应则不需要强大的场强,只需要适当的不均匀电场即可使颗粒定向移动,其原理是由于颗粒在电场中被极化而在两端感应出等量反向的电荷,在不均匀电场中两端受力不等从而发生移动。因其不依赖于表面电荷,且只需在低电压下构建不均匀电场便可发生,介电泳已在细胞分离等生物领域得到广泛应用。然而该技术大多在实验室规模中使用,且多为生物分析层面,在水处理领域中应用极少,这与不均匀电场所需的不规则电极制作难度关系密切。如何巧妙利用介电泳原理在水处理领域中实现抗膜污染仍需进一步探究。
基于现有技术的缺陷,亟需发明一种不依赖复杂微电极与高压电场,同时具有原位抗污染持久性、废水处理对象普适性与操作便捷性的基于介电泳的新型膜污染防控技术。
发明内容
1、要解决的问题
本发明所要解决的问题是综合原位抗污染的思路和介电泳的技术,提供一种低压电场下在导电微滤膜表面具有绿色节能、普适性强、操作简单、长效持久的新型抗膜污染方法。
2、技术方案
为了解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:
(1)本发明所述的导电滤膜的基底超滤膜材料包括孔径为100-3000nm的无机陶瓷膜、有机聚合物膜、无机-有机复合膜材料中的至少一种;所述无机超滤膜材料包括氧化铝、氧化硅、氧化锆、氧化钛及其改性掺杂膜材料;所述有机超滤膜材料包括聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯腈、聚砜、聚醚砜、醋酸纤维素及其改性掺杂膜材料;
(2)本发明所述的导电滤膜通过物理化学吸附、沉积、化学镀等方法,使碳纳米管或金属如银、铜、金、镍等导电性良好的物质,在滤膜表面形成导电层,兼具导电性和多孔性的膜作为多孔电极;
(3)作为本发明更进一步的改进,所述导电滤膜作为电极进行过滤时,处理主要对象为直径为100-3000nm的胶体污染物,表面电性可为带正电荷的、带负电荷的和中性的;
(4)作为本发明更进一步的改进,所属导电滤膜兼具电极和膜两者的特征,操作模式为在膜表面施加≥0.5V的直流电、交流电或脉冲电;
(5)作为本发明更进一步的改进,所述压电滤膜材料用于颗粒含量高的废水、食品加工行业废水、油类废水、微生物废水中的一种或多种混合废水膜分离过程中的膜污染防治。
3、有益效果
相比现有技术,本发明的有益效果包括:
(1)本发明提供了一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法,该方法通过将表面具有导电性的超滤膜作为处理膜,在膜分离过程中通过施加低压电场,在膜表面形成的不均匀电场使任何电性的污染物颗粒都能受到介电泳力,而介电泳力在膜表的空间分布使颗粒集中堆积在孔上方而不进入孔内,从而避免孔隙堵塞并形成疏松多孔的滤饼层,进而提高膜通量,并有效延长膜的使用寿命;
(2)本发明提供的一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法适用于所有具有表面导电性的膜材料,主要应用于超滤膜和微滤膜,处理废水对象包括颗粒含量高的废水、食品加工行业废水、油类废水、微生物废水中的一种或多种混合废水,对多种电性的目标污染物具有广谱性的抗污染效果;
(3)本发明提供的一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法可在不停工,不影响生产的条件下,长效解决水处理膜污染问题,膜通量与恒压运行条件下相比可提高40%以上,且使用周期可增加3倍以上。
附图说明
图1A为通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜在对500nm的二氧化硅胶体进行过滤时,表面不加电、加交流电1.0V和加直流电-1.0V时的截留率以及相对通量(实际通量与清水通量之比),并设置低盐和高盐两种环境;
图1B为通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜在对500nm的氧化铝胶体进行过滤时,表面不加电、加交流电1.0V和加直流电-1.0V时的截留率以及相对通量(实际通量与清水通量之比),并设置低盐和高盐两种环境;
图2A为在高盐环境下,不加电的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片;
图2B为在高盐环境下,加交流电1.0V的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片;
图2C为在高盐环境下,加直流电-1.0V的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片;
图2D为在低盐环境下,不加电的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片;
图2E为在低盐环境下,加交流电1.0V的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片;
图2F为在低盐环境下,加直流电-1.0V的Ni@PVDF膜分离氧化硅后污染的膜表面电镜照片。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做更进一步地解释。下列实施例仅用于说明本发明,但并不用来限定本发明的实施范围。
实施例1
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,并施加-1.0V电压或±1.0V交流电,在进水端另一侧放置对电极作为接地端,目标去除污染物为500nm的二氧化硅胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为585mg/L的高盐NaCl溶液。为加快评估效率选择污染更严重的死端过滤,50分钟后的稳定通量明显得到提高,污染后的膜表电镜照片表明有更加疏松多孔的滤饼层结构形成,说明膜污染得到良好预防与控制,膜通量长期维持基本稳定。
对比例1
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,不施加电压,目标去除污染物为500nm的二氧化硅胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为585mg/L的高盐NaCl溶液。死端过滤50分钟后的稳定通量衰减迅速,污染后的膜表电镜照片表明有明显的孔隙堵塞产生,说明膜污染不能及时得到有效预防与控制,膜通量可在极短时间内即发生持续的不可逆衰减。
实施例2
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,并施加-1.0V电压或±1.0V交流电,在进水端另一侧放置对电极作为接地端,目标去除污染物为500nm的二氧化硅胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为去离子水。为加快评估效率选择污染更严重的死端过滤,50分钟后的稳定通量明显得到提高,污染后的膜表电镜照片表明有更加疏松多孔的滤饼层结构形成,说明膜污染得到良好预防与控制,膜通量长期维持基本稳定。
对比例2
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,不施加电压,目标去除污染物为500nm的二氧化硅胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为去离子水。死端过滤50分钟后的稳定通量衰减迅速,污染后的膜表电镜照片表明有明显的孔隙堵塞产生,说明膜污染不能及时得到有效预防与控制,膜通量可在极短时间内即发生持续的不可逆衰减。
实施例3
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,并施加-1.0V电压或±1.0V交流电,在进水端另一侧放置对电极作为接地端,目标去除污染物为500nm的氧化铝胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为585mg/L的高盐NaCl溶液。为加快评估效率选择污染更严重的死端过滤,50分钟后的稳定通量明显得到提高,污染后的膜表电镜照片表明有更加疏松多孔的滤饼层结构形成,说明膜污染得到良好预防与控制,膜通量长期维持基本稳定。
对比例3
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,不施加电压,目标去除污染物为500nm的氧化铝胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为585mg/L的高盐NaCl溶液。死端过滤50分钟后的稳定通量衰减迅速,污染后的膜表电镜照片表明有明显的孔隙堵塞产生,说明膜污染不能及时得到有效预防与控制,膜通量可在极短时间内即发生持续的不可逆衰减。
实施例4
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,并施加-1.0V电压或±1.0V交流电,在进水端另一侧放置对电极作为接地端,目标去除污染物为500nm的氧化铝胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为去离子水。为加快评估效率选择污染更严重的死端过滤,50分钟后的稳定通量明显得到提高,污染后的膜表电镜照片表明有更加疏松多孔的滤饼层结构形成,说明膜污染得到良好预防与控制,膜通量长期维持基本稳定。
对比例4
将通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF膜(平均孔径约600nm)作为水处理导电滤膜,不施加电压,目标去除污染物为500nm的氧化铝胶体,浓度为1000mg/L,溶液环境为去离子水。死端过滤50分钟后的稳定通量衰减迅速,污染后的膜表电镜照片表明有明显的孔隙堵塞产生,说明膜污染不能及时得到有效预防与控制,膜通量可在极短时间内即发生持续的不可逆衰减。
以上示意性地对本发明创造及其实施方式进行了描述,该描述没有限制性,附图中所示的也只是本发明创造的实施方式之一,实际的结果并不局限于此。所以,如果本领域的普通技术人员受其启示,在不脱离本创造宗旨的情况下,不经创造性地设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例,均应属于本专利的保护范围。

Claims (3)

1.一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法,其特征在于:通过化学镀镍的方法制备的Ni@PVDF导电超滤膜,将Ni@PVDF导电超滤膜作为多孔电极,对导电超滤膜的表面施加-1.0V电压或±1.0 V交流电,在进水端另一侧放置对电极作为接地端,其多孔性使其表面的外加电场为不均匀电场,使颗粒受到介电泳力从而形成疏松滤饼层,通量可提高40%以上。
2.根据权利要求1所述的低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法,其特征在于:将Ni@PVDF膜作为水处理导电滤膜进行过滤时,对于直径为100–3000 nm且表面电性为正、负或中性的胶体污染物都能起到抗污染的效果。
3.根据实施权利要求1-2任一项所述低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法的应用,其特征在于:该低压导电超滤膜用于颗粒含量高的废水、食品加工行业废水、油类废水、微生物废水中的一种或多种混合废水膜分离过程中的膜污染防治。
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