CN115144649B - 一种基于功率检测计的自检测电路 - Google Patents

一种基于功率检测计的自检测电路 Download PDF

Info

Publication number
CN115144649B
CN115144649B CN202210762352.5A CN202210762352A CN115144649B CN 115144649 B CN115144649 B CN 115144649B CN 202210762352 A CN202210762352 A CN 202210762352A CN 115144649 B CN115144649 B CN 115144649B
Authority
CN
China
Prior art keywords
phase
phased array
voltage
amplitude
pipes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210762352.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115144649A (zh
Inventor
吴延鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Tongliang Technology Co ltd
Original Assignee
Chengdu Tongliang Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Tongliang Technology Co ltd filed Critical Chengdu Tongliang Technology Co ltd
Priority to CN202210762352.5A priority Critical patent/CN115144649B/zh
Publication of CN115144649A publication Critical patent/CN115144649A/zh
Priority to PCT/CN2023/072110 priority patent/WO2024001161A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115144649B publication Critical patent/CN115144649B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/06—Arrangements for measuring electric power or power factor by measuring current and voltage
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • G01R21/133—Arrangements for measuring electric power or power factor by using digital technique
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R25/00—Arrangements for measuring phase angle between a voltage and a current or between voltages or currents

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于功率检测计的自检测电路，包括：功率检测计、耦合器、相控阵发射通道1与相控阵发射通道2，功率检测计分为相位检测和幅度检测两种工作模式。本发明解决了自检测电路复杂度高、芯片面积较大的问题。

Description

一种基于功率检测计的自检测电路
技术领域
本发明属于先进半导体工艺领域，具体涉及一种基于功率检测计的自检测电路。
背景技术
随着相控阵系统应用场景多样化，相控阵系统在极端环境下的应用需求也相应变高。极高温与极低温的工作环境下，相控阵系统的相位控制与幅度控制受到较大影响，尽管针对高低温的应用场景，研究人员也对相控阵系统进行大量研究，但是相位、幅度等关键指标的精度恶化始终无法得到很好的改善。相位、幅度控制精度不仅受限于工作环境，还受限于大规模阵列集成下的散热不均匀导致的通道间性能不一致。解决相控阵系统中相位控制模块、幅度控制模块精度恶化的办法之一就是校正，而校正的前提则是能够准确地对相控阵系统的幅相信息进行检测。因此，针对这类问题的研究在近年来已成为研究热点。
目前已有的检测方式主要是通过将相控阵系统的信号耦合到自检测链路，通过混频到零中频使射频信号变为直流信号。目前通过正交I/Q两路信号幅度求得，所以对链路中正交信号的正交性要求较高，如果链路正交信号正交性不够，会直接导致检测到的相位信息误差过大；自检测链路复杂度较高，采用了正交信号发生器、混频器以及驱动放大器等模块造成其芯片面积较大，现有技术自检测电路复杂度高、具有芯片面积较大的缺点。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于功率检测计的自检测电路，解决了自检测电路复杂度高、芯片面积较大的问题。
本发明采用以下技术方案：一种基于功率检测计的自检测电路，包括：功率检测计、耦合器、相控阵发射通道1和相控阵发射通道2。
其中，功率检测计分为相位检测和幅度检测两种工作模式：
当工作模式为相位检测模式时，管子Q3、Q4、Q5、Q6通过偏置Vbias_amp＝0V，处于截止状态，管子Q1、Q2、Q7、Q8和Q9通过偏置Vbias_phase＝400mV处于正常工作状态；此时，管子Q1、Q2和管子Q7、Q8工作在同一直流点，四个管子都偏置在Vbias_phase，携带相位信息的差分信号为V+_phase和V-_phase，经过管子Q1、Q2的电压信号转换为电流信号由i1ph和i2ph携带，而V+_amp和V-_amp此时无信号；同时，Q7、Q8在相同偏置下，对应的直流电流为idc，在节点A，i1ph和i2ph相加为I1并通过cap2滤除高频信号，经过电阻R2由电流信号转换为电压信号，将节点A与节点B的电压相减就得到了代表相位信息的直流电压。
当工作模式为幅度检测模式时，管子Q1、Q2、Q7、Q8偏置为Vbias_phase＝0V，管子不工作，管子Q3、Q4、Q5、Q6偏置在Vbias_amp＝400mV，管子正常工作；此时，携带幅度信息的差分信号为V+_amp和V-_amp，经过管子Q3、Q4的电压信号转换为电流信号由电流i1amp和i2amp携带，而V+_phase和V-_phase无信号；管子Q5、Q6仅有直流偏置，偏置产生的电流为idc，在节点A，i1amp和i2amp相加为I1，其中高频信号被cap2滤除，管子Q5、Q6对应的直流电流idc相加为I2，电流I1、I2经过电阻R2转换为直流电压，二者相减即得到携带幅度信息的直流电压。
功率检测计工作模式为相位检测模式时，相控阵发射通道1经过耦合器的信号为相控阵发射通道2经过耦合器的信号为/>此时A1和A2值是相等的，两个信号经过变压器做差并变为差分信号：
差分信号分别为：
在对相位进行检测时，携带相位信息的差分信号进入管子Q1、Q2转换为电流i1ph、i2ph，同时Q7、Q8与Q1、Q2工作在相同的直流工作点，因此Q1、Q2这一路输出电流I1与Q7、Q8这一路输出电流I2做差就能得出：
i1ph＝K(ΔV++vgs-vth)2(4)
i2ph＝K(ΔV-+vgs-vth)2(5)
idc＝K(vgs-vth)2(6)
I1＝i1ph+i2ph(8)
I2＝2×idc(9)
ΔI＝I1-I2＝2KΔV+ 2(10)
其中，是由半角公式得到
得到包含相位信息的电流ΔI，最后通过负载电阻R2就变为电压信息Vout；最后就得到了一个相位与输出电压差对应的函数即公式(14)。
即与/>成线性相关。
功率检测计对幅度进行检测时，相控阵发射通道1经过耦合器的信号为所述相控阵发射通道2经过耦合器的信号为/>两个信号经过变压器做差并变为差分信号，
i1amp＝K(ΔV++vgs-vth)2(18)
i2amp＝K(ΔV_+vgs-vth)2(19)
I1＝i1amp+i2amp (20)
I2＝2×idc(21)
对幅度进行检测时，携带幅度信息的差分信号进入管子Q3、Q4转换为电流i1amp、i2amp，同时Q5、Q6与Q3、Q4工作在相同的直流工作点，因此Q3、Q4这一路输出电流I1与Q5、Q6这一路输出电流I2做差就能得到只包含幅度信息的电流ΔI，最后通过负载电阻R2就变为电压信息Vout；得到了一个幅度与输出电压差对应的函数即公式(25)；
当控制A2为0时，
然后将电压幅度A1转换为功率P1/dBm得：
P1＝10log(4Vout)-10log(KR2)(27)
由公式(27)可见，功率P1与10log(4Vout)成正比。
优选地，相控阵发射通道1与相控阵发射通道2中，可变增益放大器通过改变增益实现对射频信号幅度进行控制，移相器则是在360°范围内改变射频信号的相位，功率放大器则是提供增益且对射频信号功率进行放大，提高天线的发射功率；所述相控阵发射通道1与相控阵发射通道2的幅相信息，通过耦合器提取到自检测电路，所述功率检测计对幅相信息进行检测，输出检测电压。
本发明的有益效果是：本发明电路利用和差化积的方式将相为信息转化为幅度信息，然后通过功率检测计检测相控阵系统的幅相信息。本发明基于先进半导体工艺，通过将相位信息转换为幅度信息，然后利用功率检测电路来实现对相控阵系统幅相信息的检测；本发明利用将相控阵系统通道间的相位信息转换为幅度信息，通过功率检测计实现对相位的检测。因此，该电路复杂度很低，电路架构简单，会占用更小的芯片面积。
附图说明
图1为本发明针对相控阵幅相信息的自检测架构；
图2为本发明耦合器3D模型俯视图；
图3为本发明耦合器3D模型斜视图；
图4为本发明功率检测计结构；
图5为与/>关系图；
图6为10log(4Vout)与P1关系图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在图1中，一种基于功率检测计的自检测电路，包括：功率检测计、耦合器、相控阵发射通道1和相控阵发射通道2；功率检测计分为相位检测和幅度检测两种工作模式：
如图4所示，当工作模式为相位检测模式时，管子Q3、Q4、Q5、Q6通过偏置Vbias_amp＝0V，处于截止状态，管子Q1、Q2、Q7、Q8和Q9通过偏置Vbias_phase＝400mV处于正常工作状态；此时，管子Q1、Q2和管子Q7、Q8工作在同一直流点，四个管子都偏置在Vbias_phase，携带相位信息的差分信号为V+_phase和V-_phase，经过管子Q1、Q2的电压信号转换为电流信号由i1ph和i2ph携带，而V+_amp和V-_amp此时无信号；同时，Q7、Q8在相同偏置下，对应的直流电流为idc，在节点A，i1ph和i2ph相加为I1并通过cap2滤除高频信号，经过电阻R2由电流信号转换为电压信号，将节点A与节点B的电压相减就得到了代表相位信息的直流电压。
当工作模式为幅度检测模式时，管子Q1、Q2、Q7、Q8偏置为Vbias_phase＝0V，管子不工作，管子Q3、Q4、Q5、Q6偏置在Vbias_amp＝400mV，管子正常工作；此时，携带幅度信息的差分信号为V+_amp和V-_amp，经过管子Q3、Q4的电压信号转换为电流信号由电流i1amp和i2amp携带，而V+_phase和V-_phase无信号；管子Q5、Q6仅有直流偏置，偏置产生的电流为idc，在节点A，i1amp和i2amp相加为I1，其中高频信号被cap2滤除，管子Q5、Q6对应的直流电流idc相加为I2，电流I1、I2经过电阻R2转换为直流电压，二者相减即得到携带幅度信息的直流电压，具体公式推导见(1)-(27)。
如图2所示，整个大平面为地平面，深色部分为m7层，其余的为m9层。具体模型见图3中的pad背面，相控阵系统的信号经过功率放大器，传递到Spad，经过电容耦合到自检测电路。
对于相控阵发射通道1和相控阵发射通道2，可变增益放大器通过改变增益实现对射频信号幅度进行控制，移相器则是在360°范围内改变射频信号的相位，功率放大器则是提供增益且对射频信号功率进行放大，提高天线的发射功率。通道1和通道2的幅相信息通过耦合器提取到自检测电路，然后功率检测计对幅相信息进行检测，输出检测电压。
如图4所示，功率检测计主要由Q1-Q9功9个NMOS管组成，共有相位检测和幅度检测两种工作状态。工作在相位检测模式时，管子Q1、Q2、Q7、Q8偏置电压为400mV，管子工作在饱和区，管子Q3、Q4、Q5、Q6偏置在0mV，管子不打开；工作在幅度检测时，Q3、Q4、Q5、Q6偏置在400mV，管子Q1、Q2、Q7、Q8偏置在0mV；管子Q9为尾电流源，偏置在600mV，即Vbias_current＝600mV。电容cap1为隔值电容值为1pF，电容cap2为滤波电容其值为968fF；电阻R1＝5kΩ，电阻R2为负载电阻其值为1kΩ。
针对相位信息，理论推导如下：
相控阵发射通道1经过耦合器的信号为相控阵发射通道2经过耦合器的信号为/>两个信号经过变压器做差并变为差分信号：
差分信号分别为：
在对相位进行检测时，携带相位信息的差分信号进入管子Q1、Q2转换为电流i1ph、i2ph，同时Q7、Q8与Q1、Q2工作在相同的直流工作点，因此Q1、Q2这一路输出电流I1与Q7、Q8这一路输出电流I2做差就能得出：
i1ph＝K(ΔV++vgs-vth)2(4)
i2ph＝K(ΔV-+vgs-vth)2(5)
idc＝K(vgs-vth)2(6)
I1＝i1ph+i2ph(8)
I2＝2×idc(9)
ΔI＝I1-I2＝2KΔV+ 2(10)
其中，是由半角公式得到
得到包含相位信息的电流ΔI，最后通过负载电阻R2就变为电压信息Vout；最后就得到了一个相位与输出电压差对应的函数即公式(14)；
对公式(14)做处理我们可以得到:
即与/>成线性相关；
针对幅度信息，具体推导如下：
假设通道1经过耦合器的信号为通道2经过耦合器的信号为/>两个信号经过变压器做差并变为差分信号，
i1amp＝K(ΔV++vgs-vth)2(18)
i2amp＝K(ΔV-+vgs-vth)2(19)
I1＝i1amp+i2amp (20)
I2＝2×idc(21)
在对幅度进行检测时，携带幅度信息的差分信号进入管子Q3、Q4转换为电流i1amp、i2amp，同时Q5、Q6与Q3、Q4工作在相同的直流工作点，因此Q3、Q4这一路输出电流I1与Q5、Q6这一路输出电流I2做差就能得到只包含幅度信息的电流ΔI，最后通过负载电阻R2就变为电压信息Vout。最后就得到了一个幅度与输出电压差对应的函数即公式(25)。
当控制A2为0时，
然后将电压幅度A1转换为功率P1/dBm得：
P1＝10log(4Vout)-10log(KR2)(27)
由公式(27)可见，功率P1与10log(4Vout)成正比。
考虑到，在检测幅度的时候，人为地将通道2幅度控制单元配置到最小增益状态，此时通道2经耦合器耦合到功率检测计的信号相比通道1耦合到功率检测计的信号非常小，因此将A2忽略不计。
过仿真软件验证可知，电路架构与理论公式通道较吻合。
具体结果如图5所示。
由图5可以很明显得看出，与/>呈线性相关，与理论推导相吻合，表明自检测电路能够较为准确地检测相控阵系统通道间的相位差。
如图6所示，10log(4Vout)与P1呈成正比，与理论推导相吻合，表明在相控阵系统通道输出功率-3dBm-13dBm范围内，自检测链路能够较为准确的实现对相控阵系统幅度检测。
为了保证相控阵系统在复杂电磁-热环境下能够正常使用，需要相控阵系统具备抗PVT能力。作为相控阵系统中的核心模块，幅相控制模块的性能对相控阵的波束指向、波束扫描、旁瓣抑制等核心指标有着至关重要的影响。然而，在受到PVT影响时，相位以及幅度控制的精度和准确度往往恶化的较为严重。针对这一问题目前主流的研究主要是设计受PVT影响更小的幅相控制电路来尽可能降低PVT对相控阵系统的影响，又或者引入补偿电路来弥补不同工作环境引起的幅相控制精度恶化的问题。但是，这样的方式并不能有效地规避PVT变化对相控阵系统幅相控制的影响。在此背景下，提出了一款针对相控阵系统幅度和相位的检测链路，用于在相控阵系统幅相性能恶化之后，快速且方便地实现对幅相性能的检测，从而为相控阵系统自校准奠定基础。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (2)

1.一种基于功率检测计的自检测电路，其特征在于，包括：功率检测计、耦合器、相控阵发射通道1和相控阵发射通道2，其中，所述相控阵发射通道1与相控阵发射通道2的幅相信息，通过耦合器提取到自检测电路，所述功率检测计对幅相信息进行检测，输出检测电压；
其中，功率检测计主要由Q1-Q9共9个NMOS管组成，Q1、Q2、Q3、Q4的漏极连接在一起，再与节点A相连，源极连接到Q9的漏极，Q1的栅极通过一个隔直电容接射频差分信号的正端，Q2通过一个隔直电容接射频差分信号的负端；Q3的栅极通过一个隔直电容接射频差分信号的正端，Q4通过一个隔直电容接射频差分信号的负端；同时Q1-Q4的栅极还接到偏置电路，Q5-Q8的栅极则是直接到偏置电路，漏极接到一起，与节点B相连，源极接到Q9的漏极，Q9的栅极接偏置电路，漏极连接到Q1-Q8的源极，源极接地；管子Q9为尾电流源，偏置在600mV；上述隔值电容的电容值均为1pF，供电端分别通过并联的负载电阻和滤波电容与节点A、B分别相连，所述滤波电容的电容值均为968fF；所述负载电阻的电阻值均为1kΩ；
所述功率检测计分为相位检测和幅度检测两种工作模式：
当工作模式为相位检测模式时，管子Q3、Q4、Q5、Q6通过偏置Vbias_amp＝0V，处于截止状态，管子Q1、Q2、Q7、Q8和Q9通过偏置Vbias_phase＝400mV处于正常工作状态；此时，管子Q1、Q2和管子Q7、Q8工作在同一直流点，四个管子都偏置在Vbias_phase，携带相位信息的差分信号为V+_phase和V-_phase，经过管子Q1、Q2的电压信号转换为电流信号由i1ph和i2ph携带，而V+_amp和V-_amp此时无信号；同时，Q7、Q8在相同偏置下，对应的直流电流为idc，在节点A，i1ph和i2ph相加为I1并通过滤波电容滤除高频信号，经过负载电阻由电流信号转换为电压信号，将节点A与节点B的电压相减就得到了代表相位信息的直流电压；
当工作模式为幅度检测模式时，管子Q1、Q2、Q7、Q8偏置为Vbias_phase＝0V，管子不工作，管子Q3、Q4、Q5、Q6偏置在Vbias_amp＝400mV，管子正常工作；此时，携带幅度信息的差分信号为V+_amp和V-_amp，经过管子Q3、Q4的电压信号转换为电流信号由电流i1amp和i2amp携带，而V+_phase和V-_phase无信号；管子Q5、Q6仅有直流偏置，偏置产生的电流为idc，在节点A，i1amp和i2amp相加为I1，其中高频信号被滤波电容滤除，管子Q5、Q6对应的直流电流idc相加为I2，电流I1、I2经过负载电阻转换为直流电压，二者相减即得到携带幅度信息的直流电压；
所述功率检测计工作模式为相位检测模式时，所述相控阵发射通道1经过耦合器的信号为所述相控阵发射通道2经过耦合器的信号为此时A1和A2值是相等的，两个信号经过变压器做差并变为差分信号：
最后通过负载电阻就变为电压信息Vout，与/>成线性相关；
所述功率检测计对幅度进行检测时，所述相控阵发射通道1经过耦合器的信号为所述相控阵发射通道2经过耦合器的信号为/>两个信号经过变压器做差并变为差分信号，控制A2为0时，然后将电压幅度A1转换为功率P1/dBm得到：
功率P1与10log(4Vout)成正比。
2.根据权利要求1所述的一种基于功率检测计的自检测电路，其特征在于，所述相控阵发射通道1与相控阵发射通道2中，可变增益放大器通过改变增益实现对射频信号幅度进行控制，移相器则是在360°范围内改变射频信号的相位，功率放大器则是提供增益且对射频信号功率进行放大，提高天线的发射功率；所述相控阵发射通道1与相控阵发射通道2的幅相信息，通过耦合器提取到自检测电路，所述功率检测计对幅相信息进行检测，输出检测电压。
CN202210762352.5A 2022-06-30 2022-06-30 一种基于功率检测计的自检测电路 Active CN115144649B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210762352.5A CN115144649B (zh) 2022-06-30 2022-06-30 一种基于功率检测计的自检测电路
PCT/CN2023/072110 WO2024001161A1 (zh) 2022-06-30 2023-01-13 一种基于功率检测计的自检测电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210762352.5A CN115144649B (zh) 2022-06-30 2022-06-30 一种基于功率检测计的自检测电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115144649A CN115144649A (zh) 2022-10-04
CN115144649B true CN115144649B (zh) 2024-06-14

Family

ID=83410843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210762352.5A Active CN115144649B (zh) 2022-06-30 2022-06-30 一种基于功率检测计的自检测电路

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115144649B (zh)
WO (1) WO2024001161A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115144649B (zh) * 2022-06-30 2024-06-14 成都通量科技有限公司 一种基于功率检测计的自检测电路

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329809B1 (en) * 1999-08-27 2001-12-11 Rf Micro Devices, Inc. RF power amplifier output power sensor
KR101155852B1 (ko) * 2011-05-18 2012-06-20 주식회사 파이칩스 전력 검출기
CN102299752B (zh) * 2011-05-27 2013-12-11 上海信朴臻微电子有限公司 预校准射频功率检测器
CN102624407B (zh) * 2012-03-30 2014-04-16 江苏物联网研究发展中心 一种带自动增益控制的射频发射前端电路
US8897727B2 (en) * 2012-06-01 2014-11-25 Qualcomm Incorporated Power detector with temperature compensation
CN102707137A (zh) * 2012-07-03 2012-10-03 复旦大学 一种射频功率检测电路
CN103424611A (zh) * 2013-08-26 2013-12-04 上海航天测控通信研究所 一种基于lxi总线的发射通道输出功率自动测试系统
CN104122437B (zh) * 2014-07-24 2017-01-25 上海银晟伟业信息技术有限公司 一种硅基功率检测器
US10230336B2 (en) * 2016-11-22 2019-03-12 Infineon Technologies Ag RF power detector circuits
CN113872706A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 深圳市中兴微电子技术有限公司 相位确定方法及装置、相位校准方法、介质、天线设备
CN112436857B (zh) * 2020-07-21 2022-03-29 珠海市杰理科技股份有限公司 检测电路及检测方法、无线射频收发器、电器设备
CN112782466A (zh) * 2020-12-28 2021-05-11 新郦璞科技(上海)有限公司 数字辅助校准rms功率检测方法及系统
CN112904079B (zh) * 2021-01-22 2024-04-16 新郦璞科技(上海)有限公司 双向射频功率检测器、工作方法及系统
CN112986669B (zh) * 2021-05-12 2021-08-10 成都信息工程大学 一种射频功率检测电路
CN113640576A (zh) * 2021-08-12 2021-11-12 南京汇君半导体科技有限公司 射频功率检测电路及电子设备
CN115144649B (zh) * 2022-06-30 2024-06-14 成都通量科技有限公司 一种基于功率检测计的自检测电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
耿新涛 ; .相控阵发射系统中幅相校准方法研究.无线电通信技术.2008,(第01期),全文. *
虞萍,颜红.有源相控阵天线T/R组件幅相检测.现代雷达.1997,(第03期),全文. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115144649A (zh) 2022-10-04
WO2024001161A1 (zh) 2024-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6678506B1 (en) Extended range power detector
CN101281220B (zh) 电容检测电路及其电容式传感器接口电路芯片
CN115144649B (zh) 一种基于功率检测计的自检测电路
Zheng et al. A linear dynamic range receiver with timing discrimination for pulsed TOF imaging LADAR application
CN112015225B (zh) 一种相控阵芯片及相控阵系统
JP5128680B2 (ja) ミキサ回路
KR20230031283A (ko) 무선 주파수 전력 증폭기, 무선 주파수 프런트엔드 모듈 및 통신 단말기
CN104821434B (zh) 电子调谐自动极化跟踪系统及其运作方式
US5461342A (en) Wide bandwidth, phase-stable amplifier circuit and method
CN110132425B (zh) 辐射计前端以及终端设备
CN110231096B (zh) 辐射计前端结构和终端设备
De Marcellis et al. An integrated analog lock-in amplifier for low-voltage low-frequency sensor interface
WO2023097941A1 (zh) 功率检测电路、功率放大器模块及射频前端架构
CN105974395A (zh) 一种基于cmos工艺的高速窄脉冲电流放大器
US7911278B1 (en) Biased low differential input impedance current receiver/converter device and method for low noise readout from voltage-controlled detectors
CN206818615U (zh) 一种用于癌细胞筛查的荧光光谱测量集成电路
Voelkel et al. A Low-Power 120-GHz integrated sixport receiver front-end with digital adjustable gain in a 130-nm bicmos technology
CN205643697U (zh) 一种基于cmos工艺的高速窄脉冲电流放大器
CN110187195B (zh) 辐射计前端和终端设备
US10879856B2 (en) Sensor array with distributed low noise amplifier
CN110391795B (zh) 一种片上模拟多波束移相合成器
Liu et al. An Improved Recycling Folded-Cascode Amplifier with Nested Current Mirror for Front-end Readout ASIC
US20200373895A1 (en) Programmable Gain Amplifier
CN105068059B (zh) 一种激光制导系统的光电信号处理装置
CN107064093A (zh) 一种用于癌细胞筛查的荧光光谱测量集成电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant