CN115133269A - 天线组件及电子设备 - Google Patents

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CN115133269A CN202110330835.3A CN202110330835A CN115133269A CN 115133269 A CN115133269 A CN 115133269A CN 202110330835 A CN202110330835 A CN 202110330835A CN 115133269 A CN115133269 A CN 115133269A
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Abstract

本申请提供了一种天线组件及电子设备，天线组件包括辐射体、信号源及调谐电路，辐射体包括第一子辐射体及第二子辐射体，第一子辐射体与第二子辐射体通过耦合缝隙耦合；第一子辐射体包括第一接地端及第一耦合端，以及设于第一接地端与第一耦合端之间的馈电点，第一接地端接地；第二子辐射体包括第二接地端及第二耦合端，以及设于第二接地端与第二耦合端之间的调谐点，第一耦合端与第二耦合端通过耦合缝隙间隔设置，第二接地端接地。信号源电连接馈电点。调谐电路的一端电连接调谐点，调谐电路的另一端接地，调谐电路用于调谐第二子辐射体以使第二子辐射体支持至少两种谐振模式。本申请提供了一种增加天线带宽的天线组件及电子设备。

Description

天线组件及电子设备
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种天线组件及电子设备。
背景技术
随着通信技术的发展，具有通信功能电子设备的普及度越来越高，且对于上网速度的要求越来越高。因此，如何增加电子设备的天线带宽，成为需要解决的技术问题。
发明内容
本申请提供了一种增加天线带宽的天线组件及电子设备。
第一方面，本申请实施例提供了一种天线组件，包括：
辐射体，包括第一子辐射体及第二子辐射体，所述第一子辐射体与所述第二子辐射体之间存在耦合缝隙，所述第一子辐射体与所述第二子辐射体通过所述耦合缝隙耦合；所述第一子辐射体包括第一接地端及第一耦合端，以及设于所述第一接地端与所述第一耦合端之间的馈电点，所述第一接地端接地；所述第二子辐射体包括第二接地端及第二耦合端，以及设于所述第二接地端与所述第二耦合端之间的调谐点，所述第一耦合端与所述第二耦合端通过所述耦合缝隙间隔设置，所述第二接地端接地；
信号源，所述信号源电连接所述馈电点；及
调谐电路，所述调谐电路的一端电连接所述调谐点，所述调谐电路的另一端接地，所述调谐电路用于调谐所述第二子辐射体以使第二子辐射体支持至少两种谐振模式。
第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括壳体及所述的天线组件，所述辐射体设于所述壳体内、设于所述壳体上或与所述壳体集成为一体，所述调谐电路及所述信号源设于所述壳体内。
本申请提供的天线组件及电子设备，通过设计天线组件包括辐射体、信号源及调谐电路，辐射体包括第一子辐射体及第二子辐射体，第一子辐射体与第二子辐射体之间存在耦合缝隙，第一子辐射体与第二子辐射体通过耦合缝隙耦合；第一子辐射体包括第一接地端及第一耦合端，以及设于第一接地端与第一耦合端之间的馈电点，第一接地端接地；第二子辐射体包括第二接地端及第二耦合端，以及设于第二接地端与第二耦合端之间的调谐点，第一耦合端与第二耦合端通过耦合缝隙间隔设置，第二接地端接地；信号源电连接馈电点，调谐电路的一端电连接调谐点，调谐电路的另一端接地，调谐电路用于调谐所述第二子辐射体上的电流分布，以使第二子辐射体支持至少两种谐振模式，以使天线组件能够支持较宽的带宽，进而提高天线组件应用于电子设备时的吞吐量及数据传输速率，提高增加电子设备的通信质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
图2是图1所示的电子设备的分解结构示意图；
图3是本申请实施例提供的一种天线组件的结构示意图；
图4是图3所示的天线组件的S参数的曲线图；
图5是图3所示的天线组件的系统效率曲线图；
图6是图4所示的第一谐振模式对应的电流密度分布图；
图7是图4所示的第二谐振模式对应的电流密度分布图；
图8是图4所示的第三谐振模式对应的电流密度分布图；
图9是图4所示的第四谐振模式对应的电流密度分布图；
图10是本申请实施例提供的第一种调谐电路的结构示意图；
图11是本申请实施例提供的第二种调谐电路的结构示意图；
图12是本申请实施例提供的第三种调谐电路的结构示意图；
图13是本申请实施例提供的第四种调谐电路的结构示意图；
图14是本申请实施例提供的第五种调谐电路的结构示意图；
图15是图3所示的天线组件中的匹配电路的结构示意图；
图16a是图3所示的天线组件的第一种设置可调器件的结构示意图；
图16b是图3所示的天线组件的第二种设置可调器件的结构示意图；
图17a是图3所示的天线组件的第三种设置可调器件的结构示意图；
图17b是图3所示的天线组件的第四种设置可调器件的结构示意图；
图18是图3所示的天线组件的第五种设置可调器件的结构示意图；
图19是图3所示的天线组件设置可调器件后的S参数的曲线图；
图20是图3所示的天线组件设置在边框内的结构示意图一；
图21是图3所示的天线组件设置在边框内的结构示意图二；
图22是图3所示的天线组件的辐射体集成在边框的结构示意图；
图23是图3所示的天线组件的辐射体设在边框内的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。此外，在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参照图1，图1为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。电子设备1000包括天线组件100。天线组件100用于收发电磁波信号，以实现电子设备1000的通信功能。本申请对于天线组件100在电子设备1000内的位置不做具体的限定。电子设备1000还包括相互盖合连接的显示屏300及壳体200。天线组件100可设于电子设备1000的壳体200内部、或部分与壳体200集成为一体、或部分设于壳体200外。当然，天线组件100还可以设于电子设备1000的可伸缩组件上，换言之，天线组件100的至少部分还能够随着电子设备1000的可伸缩组件伸出电子设备1000之外，及随着可伸缩组件缩回至电子设备1000内；或者，天线组件100的整体长度随着电子设备1000的可伸缩组件的伸长而伸长。
电子设备1000包括不限于为电话、电视、平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、耳机、手表、可穿戴设备、基站、车载雷达、客户前置设备(CustomerPremise Equipment，CPE)等能够收发电磁波信号的设备。本申请中以电子设备1000为手机为例，其他的设备可参考本申请中的具体描述。
为了便于描述，以电子设备1000处于图1中的视角为参照，电子设备1000的宽度方向定义为X轴方向，电子设备1000的长度方向定义为Y轴方向，电子设备1000的厚度方向定义为Z轴方向。X轴方向、Y轴方向及Z轴方向两两垂直。其中，箭头所指示的方向为正向。
请参阅图2，壳体200包括边框210及后盖220。边框210内通过注塑形成中板410，中板410上形成多个用于安装各种电子器件的安装槽。中板410与边框210一起成为电子设备1000的中框420。显示屏300、中框420及后盖220盖合后在中框420的两侧皆形成收容空间。电子设备1000还包括设于收容空间内的电池、摄像头、麦克风、受话器、扬声器、人脸识别模组、指纹识别模组等等能够实现手机的基本功能的器件，在本实施例中不再赘述。
以下结合附图对于本申请提供的天线组件100进行具体的说明，当然，本申请提供的天线组件100包括但不限于以下的实施方式。
请参阅图3，天线组件100至少包括辐射体10、匹配电路M及信号源20。
请参阅图3，辐射体10包括第一子辐射体11及第二子辐射体12。第一子辐射体11与第二子辐射体12之间存在耦合缝隙13。第一子辐射体11与第二子辐射体12通过耦合缝隙13耦合。本实施例中第一子辐射体11、第二子辐射体12的形状皆为直线条形为例进行说明。当然，在其他实施方式中，第一子辐射体11、第二子辐射体12的形状还可以为弯折条形或其他形状等。
请参阅图3，第一子辐射体11包括第一接地端111和第一耦合端112，以及设于第一接地端111与第一耦合端112之间的馈电点A。第一接地端111电连接至地极GND1。
本实施例中，第一接地端111与第一耦合端112为呈直线条形的第一子辐射体11的相对两端。在其他实施方式中，第一子辐射体11呈弯折状，第一接地端111和第一耦合端112可不沿直线方向相对，但第一接地端111和第一耦合端112为第一子辐射体11的两个末端。第一子辐射体11还具有设于第一接地端111与第一耦合端112之间的馈电点A。本申请对于馈电点A在第一子辐射体11上的具体位置不做限定。
请参阅图3，第二子辐射体12包括第二耦合端121及第二接地端122，以及设于第二接地端121与第二耦合端122之间的调谐点B。第二接地端122电连接地极GND2。本实施例中，第二耦合端121及第二接地端122为呈直线条形的第一子辐射体11的相对两端。第一子辐射体11与第二子辐射体12可沿直线排列或大致沿直线排列(即在设计过程中具有较小的公差)。当然，在其他实施方式中，第一子辐射体11与第二子辐射体12还可在延伸方向上错开设置，以为其他器件提供避让空间等。
请参阅图3，第一耦合端112与第二耦合端121之间为耦合缝隙13。第一耦合端112与第二耦合端121通过耦合缝隙13相对且间隔设置。耦合缝隙13为第一子辐射体11的第一耦合端112与第二子辐射体12的第二耦合端121之间的断缝，例如，耦合缝隙13的宽度为0.5～2mm，但不限于此尺寸。第一子辐射体11与第二子辐射体12能够通过耦合缝隙13产生容性耦合。在其中一个角度中，第一子辐射体11和第二子辐射体12可看作为辐射体10被耦合缝隙13隔断而形成的两个部分。
第一子辐射体11与第二子辐射体12通过耦合缝隙13进行容性耦合。其中，“容性耦合”是指，第一子辐射体11与第二子辐射体12之间产生电场，第一子辐射体11的信号能够通过电场传递至第二子辐射体12，第二子辐射体12的信号能够通过电场传递至第一子辐射体11，以使第一子辐射体11与第二子辐射体12即使在不接触或不直接连接的状态下也能够实现电信号导通。本实施例中，第一子辐射体11能够在信号源20的激励下产生电场，该电场能量能够通过耦合缝隙13传递至第二子辐射体12，进而使得第二子辐射体12产生激励电流。换言之，第二子辐射体12也可以被称为第一子辐射体11的寄生辐射体。
本申请对于第一子辐射体11、第二子辐射体12的形状、构造不做具体的限定，第一子辐射体11、第二子辐射体12的形状皆包括但不限于条状、片状、杆状、涂层、薄膜等。当第一子辐射体11、第二子辐射体12呈条状时，本申请对于第一子辐射体11、第二子辐射体12的延伸轨迹不做限定，故第一子辐射体11、第二子辐射体12皆可呈直线、曲线、多段弯折等轨迹延伸。上述的辐射体10在延伸轨迹上可为宽度均匀的线条，也可以为宽度渐变、设有加宽区域等宽度不等的条形。
关于天线组件100的辐射体10电连接地极，包括但不限于以下的实施方式。可选的，天线组件100自身具有参考地极。换言之，地极GND1、地极GND2、地极GND3皆为天线组件100的参考地极的一部分。该参考地极的具体形式包括但不限于金属板件、成型于柔性电路板内部的金属层等。第一子辐射体11的第一接地端111、第二子辐射体12的第二接地端122通过接地弹片、焊锡、导电粘胶等导电件电连接参考地极。当天线组件100设于电子设备1000内时，天线组件100的参考地极电连接电子设备1000的参考地极。
再可选的，天线组件100自身不具有参考地极，天线组件100的辐射体10通过直接电连接或通过中间的导电连接件电连接电子设备1000的参考地极或电子设备1000内的电子器件的参考地极。本申请中，以天线组件100设于电子设备1000为例，以电子设备1000的显示屏300、中板410上的金属合金作为参考地极。天线组件100的第一接地端111及第二接地端122通过接地弹片、焊锡、导电粘胶等导电件电连接电子设备1000的参考地极。换言之，地极GND1、地极GND2、地极GND3皆为电子设备1000的参考地极的一部分。
请参阅图3，可选的，匹配电路M的一端电连接馈电点A。信号源20电连接匹配电路M的另一端。信号源20为用于发送射频信号的射频收发芯片或电连接用于发送射频信号的射频收发芯片的馈电部。匹配电路M包括但不限于电容-电感-电阻等形成的支路、或开关-电容-电感-电阻等形成的多条选择支路、或可变电容等可调器件。
本申请中，由于第一子辐射体11的枝节上电连接信号源20，故第一子辐射体11能够在信号源20的激发下收发电磁波电芯。虽然第二子辐射体12的枝节上未电连接信号源20，但是第二子辐射体12能够与第一子辐射体11相耦合，故第一子辐射体11上的激励电流通过耦合缝隙能够使第二子辐射体12产生激励电流。换言之，第二子辐射体12间接被信号源20激励，且第二子辐射体12亦可称为第一子辐射体11的寄生辐射体。
进一步地，天线组件100还包括调谐电路P。调谐电路P的一端电连接调谐点B，调谐电路P的另一端接地。调谐电路P用于调谐第二子辐射体12以使第二子辐射体12支持至少两种谐振模式。需要说明的是，第二子辐射体12支持某一谐振模式是指天线组件100工作在该谐振模式时主要的辐射段在第二子辐射体12上，当然，第一子辐射体11也会参与谐振电流的传输，以形成电流回路。
其中，谐振模式表征为辐射体10在谐振频率处及谐振频率附近具有较高的电磁波收发效率。对应于图4中，每一段下凹的曲线对应一个谐振模式，可以理解的，每个谐振模式具有一个谐振频率(即每段下凹曲线最低点对应的频率)，每个谐振模式覆盖一段频段，该频段包括谐振频率。例如，某一谐振模式的谐振频率为2.5GHz，该谐振模式所覆盖的频段为1.7GHz～2.7GHz，以上数据仅仅为举例，并不能对于本申请所述的谐振模式进行限定。
在一般技术中，天线在部分实际应用频段范围(实际应用频段范围例如1450MHz～6000MHz，部分应用频段范围例如1450MHz～2700MHz)只能支持一个谐振模式，而一个谐振模式往往不足以同时覆盖较大的带宽(例如能够同时覆盖B3+N1、B3+N41或B3+B1+B7的带宽)及不足以同时支持多个实际应用频段(实际应用频段包括B1、B3、B7、B39、B41、N1、N3、N7、N39、N41)，故一般技术中的天线无法在1450MHz～2700MHz内同时支持B3+N1、或B3+N41这种实现4G无线接入网与5G-NR的双连接(LTE NR Double Connect，ENDC)组合、或者B3+B1+B7这种实现载波聚合(Carrier Aggregation，CA)组合等。需要说明的是，以上的频段仅仅是举例，不能作为本申请所能够辐射的频段的限制。其中，B3的频段为1710MHz～1785MHz，1805MHz～1880MHz；B1、N1的频段皆为1920MHz～1980MHz，2110MHz～2170MHz；B7的频段为2550MHz～2570MHz，2620MHz～2690MHz；N41的频段为2496MHz～2690MHz。
本申请实施例中，通过在第二子辐射体12上电连接调谐电路P，该调谐电路P能够促使第二子辐射体12在第一子辐射体11的激励下支持至少两种不同的电流分布，这至少两种电流分布使得第二子辐射体12同时支持至少两种谐振模式，该至少两种谐振模式可实现更宽频宽的覆盖或实现更多频段的覆盖，以增加天线组件100的带宽，提升收发信号的吞吐量，提高天线组件100的数据传输速率。将第二子辐射体12中的至少一个谐振模式的谐振频率调节至部分实际应用频段范围(例如1450MHz～2700MHz)内。例如，将第二子辐射体12的至少一个谐振模式和第一子辐射体11的一个谐振模式的谐振频率调节至部分实际应用频段范围内，如此，以使在部分实际应用频段范围内至少具有两个谐振模式，以实现更宽带宽的覆盖，进而同时覆盖较大的带宽(例如能够同时覆盖B3+N1、B3+N41或B3+B1+B7的带宽)及同时支持多个实际应用频段(实际应用频段包括B1、B3、B7、B39、B41、N1、N3、N7、N39、N41)。当然，也可以将第二子辐射体12的至少两种谐振模式的谐振频率调节至部分实际应用频段范围内，以使在部分实际应用频段范围内至少具有两个谐振模式，以实现更宽带宽的覆盖。本申请对实际应用频段内的谐振模式为第一子辐射体11提供、或第二子辐射体12提供、或第一子辐射体11和第二子辐射体12共同提供不做具体的限定。当然，上述的部分实际应用频段范围为1450MHz～2700MHz仅仅是举例，在其他实施方式中，部分实际应用频段范围为1450MHz～2700MHz还可以为1700MHz～2700MHz、或2500MHz～3600MHz等等。
需要说明的是，由于谐振模式的谐振频率与辐射体的物理长度相关。换言之，辐射体的物理长度与谐振模式的谐振频率一一对应。在辐射体的物理长度确定后，该辐射体所对应的谐振模式的谐振频率确定，辐射体支持与其物理长度相对应的一个谐振模式。如此，该辐射体覆盖的频段宽度相对较小。例如，当天线的辐射体10的物理长度确定后，辐射体10的谐振频率确定。若未对第二子辐射体12进行改进，第二子辐射体12无法支持相对较多的谐振模式，如此，无法同时支持较宽的带宽或较多的频段。
本申请提供的天线组件100及电子设备1000，通过设计天线组件100包括辐射体10、信号源20及调谐电路P，辐射体10包括第一子辐射体11及第二子辐射体12，第一子辐射体11与第二子辐射体12之间存在耦合缝隙13，第一子辐射体11与第二子辐射体12通过耦合缝隙13耦合；第一子辐射体11包括第一接地端111及第一耦合端112，以及设于第一接地端111与第一耦合端112之间的馈电点A，第一接地端111接地；第二子辐射体12包括第二接地端122及第二耦合端121，以及设于第二接地端122与第二耦合端121之间的调谐点B，第一耦合端112与第二耦合端通过耦合缝隙13间隔设置，第二接地端接地；信号源20电连接馈电点A，调谐电路P的一端电连接调谐点B，调谐电路P的另一端接地，调谐电路P用于调谐所述第二子辐射体12上的电流分布，以使第二子辐射体12支持至少两种谐振模式，以使天线组件100能够同时支持较宽的带宽或覆盖较多的频段，进而提高天线组件100应用于电子设备1000时的吞吐量及数据传输速率，提高增加电子设备1000的通信质量。此外，当天线组件100的带宽较宽时，无需可调器件去切换不同的频段，从而省去可调器件，节约成本，及实现天线组件100的结构简单。
本申请中提供的调谐电路P能够实现第二子辐射体12支持至少两种谐振模式。本实施例以调谐电路P能够使得第二子辐射体12支持两种谐振模式进行举例说明。第二子辐射体12支持三种或以上的谐振模式的实施方式可参考以下的实施例，在此不再赘述。
可选的，调谐电路P在不同的频率下呈不同的带通或带阻特性。例如，在第一预设频段(2653MHz附近)下呈带阻特性，及调谐电路P在第二预设频段(4594MHz附近)下呈带通特性。如此，调谐电路P可控制第一预设频段对应的谐振电流从第二接地端122下地，且调谐电路P可控制第二预设频段对应的谐振电流经调谐电路P下地，如此，调谐电路P使不同频段对应的谐振电流具有不同的电流路径，该不同的电流路径在第二子辐射体12上支持不同的谐振模式，以上可实现在第二子辐射体12上支持两种谐振模式。当需要支持三种或三种以上的谐振模式时，可在第二子辐射体12上增加或调整调谐电路P内部器件的数量，以使调谐电路P对应的带通或带阻频段不同。本申请对于调谐电路P的具体结构不做限定，只要能够实现上述功能的电路皆可。后续结合图10至图13进行具体的举例说明。
可选的，设置调谐电路P包括调谐电容，及通过调节第二子辐射体12的长度以调节谐振模式的频率，也可以实现上述的两种谐振模式。进一步地，调谐电路P为调谐电容，第二子辐射体12通过调谐电容下地。可选的，调谐电容为小电容。由于第一预设频段与第二预设频段的频率不同，小电容值的调谐电容对于不同频段的容抗不同。例如，小电容值的调谐电容对于相对高频的带通性能较好，小电容值的调谐电容对于相对低频的具有一定的带阻性能。当第一预设频段为相对低频，第二预设频段为相对高频时，调谐电容也能对第一预设频段对应的谐振电流和第二预设频段对应的谐振电流进行路径分配，进而支持两种谐振模式。后续结合图14进行具体的举例说明。
可选的，当调谐电路P电连接于第二子辐射体12的器件为小电容时，则该小电容可作为调谐电容，以实现对于第一预设频段对应的谐振电流和第二预设频段对应的谐振电流进行路径分配，进而支持两种谐振模式。
需要说明的是，本申请对于第一预设频段和第二预设频段不做具体的限定，可选的，第一预设频段、第二预设频段中一者或两者设于部分实际应用频段范围内。
以下对图3所示的天线组件100的第一子辐射体11及第二子辐射体12所支持的谐振模式进行举例说明。
可选的，第一子辐射体11在信号源20的激励下支持至少一种谐振模式。本申请对于第一子辐射体11支持的谐振模式的数量不限。
请参阅图4，以第一子辐射体11和第二子辐射体12皆支持两种谐振模式进行举例说明。需要说明的是，第一子辐射体11支持某一谐振模式是指天线组件100工作在该谐振模式时主要辐射段在第一子辐射体11上，当然，第二子辐射体12也会参与谐振电流的传输。第二子辐射体12支持某一谐振模式是指天线组件100工作在该谐振模式时主要辐射段在第二子辐射体12上，当然，第一子辐射体11也会参与谐振电流的传输。
辐射体10支持的谐振模式包括第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d。第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d所对应的谐振频率分别为第一谐振频率Fa、第二个谐振频点f2率Fb、第三谐振频率Fc及第四谐振频率Fd。第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d所覆盖的频段分别为第一频段T1、第二频段T2、第三频段T3及第四频段T4。
可选的，第一子辐射体11支持第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d中的两者，第二子辐射体12支持第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d中的另两者。由于不同谐振频率对应不同的辐射体长度，当支持的谐振模式较多、不同谐振频率之间的差距较大时，对应的辐射体长度差异也较大。本实施方式中，对第一子辐射体11及第二子辐射体12上所支持的谐振模式进行合理的分配，即每个子辐射体10分别设置两个谐振模式，以在支持较多的谐振模式的同时还能够确保天线组件100的辐射体10的整体尺寸减小。换言之，尽可能地利用较小尺寸的辐射体10支持较多的谐振模式。
本申请对于第一子辐射体11所支持的谐振模式与第二子辐射体12所支持的谐振模式的数量不做具体的限定。在其他实施方式中，第一子辐射体11支持一种谐振模式，及第二子辐射体12支持三种谐振模式；或者，第一子辐射体11支持三种谐振模式，及第二子辐射体12支持两种谐振模式；或者，第一子辐射体11支持三种谐振模式，及第二子辐射体12支持三种谐振模式等等，在此不再一一列举。
可选的，请参阅图4，第一子辐射体11支持的谐振模式包括第一谐振模式a及第四谐振模式d。第二子辐射体12支持的谐振模式包括第二谐振模式b与第三谐振模式c。本实施例中，第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d的谐振频率依次增大。举例而言，第一谐振模式a的谐振频率为1.8242GHz，第二谐振模式b的谐振频率为2.6455GHz，第三谐振模式c的谐振频率为3.6241GHz，第四谐振模式d的谐振频率为4.9406GHz。以上的数据仅仅为举例，并不能对第一谐振模式a、第二谐振模式b、第三谐振模式c及第四谐振模式d的谐振频率进行限定。
当然，在其他实施方式中，第二谐振模式b、第一谐振模式a、第三谐振模式c及第四谐振模式d的谐振频率依次增大。在其他实施方式中，第二谐振模式b、第一谐振模式a、第四谐振模式d、第三谐振模式c的谐振频率依次增大。例如，第二谐振模式b的谐振频率为1.8242GHz，第一谐振模式a的谐振频率为2.6455GHz，第四谐振模式d的谐振频率为3.6241GHz，第三谐振模式c的谐振频率为4.9406GHz。在其他实施方式中，第一谐振模式a、第四谐振模式d、第二谐振模式b、第三谐振模式c的谐振频率依次增大。在其他实施方式中，第二谐振模式b、第三谐振模式c、第一谐振模式a、第四谐振模式d的谐振频率依次增大，等等，在此不再一一举例。
可选的，第一谐振模式a和第四谐振模式d分别为谐振电流工作在同一段辐射体10的1/4波长模式和3/4波长模式。其中，1/4波长模式为天线的基模，此时天线的接收或发射的转换效率较高。3/4波长模式为天线的3阶模式。
通过对第一子辐射体11的物理长度、匹配电路的结构及馈电点A的位置进行设计，以使第一子辐射体11支持第一谐振模式a、第四谐振模式d，以有效地利用第一子辐射体11支持多种谐振模式，增加天线组件100的带宽或覆盖频段数量的同时，减小天线组件100的整体尺寸。
其中，第二谐振模式b与第三谐振模式c为相邻的谐振模式，通过设计及调节调谐电路P，以使第二子辐射体12支持两种谐振模式，可在不改变第二子辐射体12的长度的情况下，增加第二子辐射体12支持的谐振模式的数量，且第二谐振模式b及第三谐振模式c皆为第二子辐射体12不同部分所支持的1/4波长模式，换言之，第二谐振模式b和第三谐振模式c所对应的频段的收发转换效率皆较高。
以上通过设计第一子辐射体11支持两个相间隔的第一谐振模式a和第四谐振模式d，并设计第二子辐射体12支持两个相邻且连续的第二谐振模式b及第三谐振模式c，且设计第二谐振模式b及第三谐振模式c位于第一谐振模式a与第四谐振模式d之间，这种谐振模式分配方式，是利用较短的辐射体10长度实现了更多的谐振模式，利于天线组件100的小型化。
本申请对于第一至第四谐振模式a～d所对应的频段大小不做具体的限定。
可选的，请参阅图4，第一谐振模式a所覆盖的频段、第二谐振模式b所覆盖的频段皆为中高频频段。第三谐振模式c所覆盖的频段、第四谐振模式d所覆盖的频段皆为超高频频段。其中，中高频频段范围为1GHz～3GHz。超高频频段范围为大于或等于3GHz～6GHz。换言之，天线组件100既能够支持中高频段，还能够支持超高频段，即中高频段+超高频段的宽频段覆盖。
在其他实施方式中，第一谐振模式a所覆盖的频段为低频频段，第二谐振模式b所覆盖的频段为中高频频段，第三谐振模式c所覆盖的频段为中高频段，第四谐振所覆盖的频段为超高频段。在其他实施方式中，第一谐振模式a所覆盖的频段为低频频段，第二谐振模式b所覆盖的频段为低频频段，第三谐振模式c所覆盖的频段为中高频段，第四谐振所覆盖的频段为超高频段，等等，在此不再一一举例。
本申请对于第一至第四谐振模式a～d所支持的频段是否连续不做具体的限定。具体的，第一谐振模式a所支持的频段(即第一频段T1)、第二谐振模式b所支持的频段(即第二频段T2)、第三谐振模式c所支持的频段(即第三频段T3)、第四谐振模式d所支持的频段(即第四频段T4)可连续或不连续。四段频段连续是指四段频段中相邻的至少两个频段至少部分重合(包括一个频率点的重合)。四段频段不连续是指四段频段中任意相邻的两个频段之间皆无重合。以上实现天线组件100的结构相对简单的同时，还实现天线组件100的谐振模式增多，天线组件100所覆盖的频段增多。具体为，当天线组件100所覆盖的频段连续时，相邻的连续的频段聚合形成较宽带宽的频段，故天线组件100实现较宽带宽覆盖；即使天线组件100所覆盖的频段不连续，随着天线组件100所覆盖的频段数量的增加，天线组件100所能够加载供应商的使用频段也会增加。
可选的，第一谐振模式a所支持的频段(即第一频段T1)、第二谐振模式b所支持的频段(即第二频段T2)、第三谐振模式c所支持的频段(即第三频段T3)、第四谐振模式d所支持的频段(即第四频段T4)相聚合形成较宽的频带。
例如，第一频段T1为[1.45GHz～2.25GHz)，第二频段T2为[2.25GHz～3GHz)，第三频段T3为[3GHz～4.2GHz)，第四频段T4为[4.2GHz～6GHz]。第一频段T1、第二频段T2、第三频段T3、第四频段T4相聚合后形成的目标应用频段为1.45GHz～6GHz，如此，实现天线组件100同时覆盖B3、B39、B1、B7、B41、N3、N39、N1、N7、N41、N77、N78、N79中的任意一种或多种的组合，以及其他位于1.45GHz～6GHz内的频段。从图4中可以看出，1450MHz～2700MHz这里频率范围内有两个谐振模式a、b，可以实现宽频天线。由于匹配电路M的阻抗值影响谐振模式a、b的谐振频率，通过改变匹配电路M的阻抗匹配值，可以使谐振模式a、b的谐振频率在一定范围内朝向高频或低频偏移，进而使得天线组件100覆盖B32、N75等频段的至少部分(例如1500MHz左右的频段)。其中，B3、N3的频段为1710MHz～1785MHz，1805MHz～1880MHz；B39、N39的频段为1880MHz～1920MHz；B1、N1的频段为1920MHz～1980MHz，2110MHz～2170MHz；B7、N7的频段为2550MHz～2570MHz，2620MHz～2690MHz；B41、N41的频段为2496MHz～2690MHz；N77的频段为3300MHz～4200MHz；N78的频段为3400MHz～3600MHz；N79的频段为4800MHz～5000MHz。
需要说明的是，上述的第一频段T1为1.45GHz～2.25GHz，第二频段T2为2.25GHz～3GHz，第三频段T3为3GHz～4.2GHz，第四频段T4为4.2GHz～6GHz，目标应用频段为1.45GHz～6GHz仅仅为举例，本申请不限于上述频段。本申请的天线组件100所支持的谐振模式所覆盖的频段包括但不限于小于1GHz、1GHz～6GHz、6GHz以上等。
本申请对于第一谐振模式a至第四谐振模式d所覆盖的频段的信号类型不做具体的限定。
可选的，第一谐振模式a至第四谐振模式d所覆盖的频段包括LTE 4G频段和/或NR5G频段。当第一谐振模式a至第四谐振模式d所覆盖的频段皆为LTE 4G频段或NR 5G频段时，第一谐振模式a覆盖的频段、第二谐振模式b覆盖的频段、第三谐振模式c覆盖的频段、第四谐振模式d覆盖的频段通过载波聚合的方式聚合形成目标应用频段。目标应用频段覆盖1.45GHz～6GHz。
可选的，目标应用频段能够支持LTE 4G频段和NR 5G频段中的任意一者或两者同时支持。换言之，天线组件100可支持目标应用频段覆盖1.45GHz～6GHz的LTE 4G频段或1.45GHz～6GHz的NR 5G频段。当然，天线组件100还可支持目标应用频段覆盖1.45GHz～6GHz的LTE 4G频段中的某些频段与1.45GHz～6GHz的NR 5G频段中的某些频段形成的组合，以实现NR 5G与LTE 4G的双连接。
可选的，本实施提供的天线组件100所收发的频段包括多个载波(载波即特定频率的无线电波)聚合而成，即实现载波聚合(Carrier Aggregation，CA)，以增加传输带宽，提升吞吐量，提升信号传输速率。例如，第一频段T1为1.45GHz～2.25GHz，第二频段T2为2.25GHz～3GHz，第三频段T3为3GHz～4.2GHz，第四频段T4为4.2GHz～6GHz。第一频段T1、第二频段T2、第三频段T3、第四频段T4聚合形成的目标应用频段覆盖1.45GHz～6GHz。天线组件100对于LTE 4G频段的支持频段包括但不限于B1、B2、B3、B4、B7、B32、B38、B39、B40、B41、B48、B66中的至少一者，天线组件100对于NR 5G频段的支持频段包括但不限于N1、N2、N3、N4、N7、N32、N38、N39、N40、N41、N48、N66中的至少一者。本申请提供的天线组件100能够覆盖上述NR 5G频段和LTE 4G频段的任意组合。当然，天线组件100可单独加载4G LTE信号，或单独加载5G NR信号，或还可以为同时加载4G LTE信号与5G NR信号，即实现4G无线接入网与5G-NR的双连接(LTE NR Double Connect，ENDC)。
以上列举频段可能为多个运营商会应用到的中高频段，本申请提供的天线组件100可同时支持上述的任意一种或多种频段的组合，以使本申请提供的天线组件100能够支持多个不同的运营商所对应的电子设备1000机型，无需针对不同的运营商采用不同的天线结构，进一步地提高天线组件100的应用范围和兼容性。
请参阅图5，图5是本申请提供的天线组件100在极致全面屏环境下的效率。图5中虚线为天线组件100的辐射效率曲线，实线为天线组件100的匹配总效率曲线。本申请以显示屏300、中框420内的金属合金等作为参考地极GND，天线组件100的辐射体10与参考地极GND之间的距离小于或等于0.5mm，换言之，天线组件100的净空区域为0.5mm，完全满足现在手机等电子设备1000的环境需求。由图5可知，即使在极小的净空区域下(全面屏手机环境下)，天线组件100具有较高的效率带宽。由上可知，本申请提供的天线组件100在极小的净空区域下仍具有较高的辐射效率，则天线组件100应用于电子设备1000中具有较小的净空区域，相较于其他需要较大的净空区域才能具有较高的效率的天线，能够减小电子设备1000的整体体积。
以上实施方式为从天线组件100的结构及第一至第四谐振模式a～d的角度实现较宽带宽的覆盖、较多频段的支持角度进行举例说明。以下结合谐振电流的角度对第一至第四谐振模式a～d进行举例说明。
请参阅图6至图9，辐射体10在信号源20的激励下具有至少四种电流密度分布，分别包括第一电流密度分布R1，第二电流密度分布R2、第三电流密度分布R3及第四电流密度分布R4。
请参阅图6，第一谐振模式a对应的电流密度分布包括但不限于为第一电流密度分布R1：第一谐振电流I1分布于第一接地端111与第二接地端122之间。第一谐振电流I1的方向为从第一接地端111流向第一耦合端112，从第二耦合端121流向第二接地端122，或者从第二接地端122流向第二耦合端121，从第一耦合端112流向第一接地端111。
具体的，第一谐振电流I1包括第一子谐振电流I11及第二子谐振电流I12。第一子辐射体11在信号源20的激励下产生第一子谐振电流I11，该第一子谐振电流I11经耦合缝隙13激励第二子辐射体12产生第二子谐振电流I12，其中，第一子谐振电流I11的流向与第二子谐振电流I12的流向相同。
第一接地端111至第一耦合端112之间的第一子辐射体11在第一谐振电流I1的激励下支持第一谐振模式a。可选的，第一谐振模式a为1/4波长模式。换言之，第一接地端111至第一耦合端112之间的第一子辐射体11的物理长度约为第一谐振模式a的谐振频率对应的波长的1/4，以使第一接地端111至第一耦合端112之间的第一子辐射体11在第一谐振电流I1的激励下支持1/4波长的谐振模式，进而在第一谐振模式a的谐振频率及附近产生较高的收发效率。
请参阅图7，第二谐振模式b对应的电流密度分布包括但不限于为第二电流密度分布R2：第二谐振模式b对应的第二谐振电流I2分布于馈电点A至第二接地端122之间，第二谐振电流I2的方向包括但不限于从馈电点A流向第一耦合端112，从第二耦合端121流向第二接地端122，或者从第二接地端122流向第二耦合端121，从第一耦合端112流向馈电点A。
具体的，第二谐振电流I2包括第三子谐振电流I21及第四子谐振电流I22。第一子辐射体11在信号源20的激励下产生第三子谐振电流I21，该第三子谐振电流I21经耦合缝隙13激励第二子辐射体12产生第四子谐振电流I22，其中，第三子谐振电流I21的流向与第四子谐振电流I22的流向相同。
第二接地端122至第二耦合端122之间的第二子辐射体12在第二谐振电流I2的激励下支持第二谐振模式b。可选的，第二谐振模式b为1/4波长模式。换言之，第二接地端122至第二耦合端122之间的第二子辐射体12的物理长度约为第二谐振模式b的谐振频率对应的波长的1/4，以使第二接地端122至第二耦合端122之间的第二子辐射体12在第二谐振电流I2的激励下支持1/4波长的谐振模式，进而在第二谐振模式b的谐振频率及附近产生较高的收发效率。
请参阅图8，第三谐振模式c对应的电流密度分布包括但不限于为第三电流密度分布R3：第三谐振模式c对应的第三谐振电流分布于馈电点A与调谐点B之间，第三谐振电流I3的方向包括但不限于从馈电点A流向第一耦合端112，从第二耦合端121流向调谐点B，或者从调谐点B流向第二耦合端121，从第一耦合端112流向馈电点A。
具体的，第三谐振电流I3包括第五子谐振电流I31及第六子谐振电流I32。第一子辐射体11在信号源20的激励下产生第五子谐振电流I31，该第五子谐振电流I31经耦合缝隙13激励第二子辐射体12产生第六子谐振电流I32，其中，第五子谐振电流I31的流向与第六子谐振电流I32的流向相同。
调谐点B与第二耦合端122之间的第二子辐射体12在第三谐振电流I3的激励下支持第三谐振模式c。
请参阅图9，第四谐振模式d对应的电流密度分布包括但不限于为第四电流密度分布R4：第四谐振模式d对应的第四谐振电流I4分布于第一接地端111与调谐点B之间。第一接地端111与第一耦合端112之间的第一子辐射体11在第四谐振电流I4的激励下支持第四谐振模式d。
具体的，第四谐振电流I4包括第七子谐振电流I41、第八子谐振电流I42及第九谐振电流I43。其中，第七子谐振电流I41的电流流向与第八子谐振电流I42的电流流向相反。第八子谐振电流I42的电流流向与第九谐振电流I43的电流流向相同。
第一子辐射体11在信号源20的激励下产生第七子谐振电流I41及第八子谐振电流I42，该第七子谐振电流I41从第一接地端111流向电流反向点D，第八子谐振电流I42从第一耦合端112流向电流反向点D。可选的，电流反向点D位于馈电点A与第一接地端111之间。第一子辐射体11还通过耦合缝隙13激励第二子辐射体12的调谐点B与第二耦合端122之间产生第九谐振电流I43，该第九谐振电流I43经调谐电路P、调谐点B流向第二耦合端122。
需要说明的是，上述的电流密度分布为电流密度的主要分布位置，并不限定所有的电流只分布于上述位置。
本实施例中，调谐电路P实现在第一谐振模式a和第二谐振模式b时控制谐振电流经第二接地端122下地，而在第三谐振模式c和第四谐振模式d时控制谐振电流经调谐电路P下地的原理在于：调谐电路P对于不同频段具有不同的带通带阻特性，具体的，调谐电路P具有至少两个谐振频点f1、f2。当频率低于第一个谐振频点f1时，调谐电路P呈感性。调谐电路P对第一个谐振频点f1的频率呈带阻特性。当频率位于第一个谐振频点f1与第二个谐振频点f2之间时，调谐电路P呈容性。调谐电路P对第二个谐振频点f2呈带通特性。当频率高于第二个谐振频点f2时，调谐电路P呈感性。
假设将调谐电路P的第一个谐振频点f1调节至大于第一谐振模式a、第二谐振模式b的谐振频率，此时，调谐电路P对第一谐振模式a、第二谐振模式b所对应的谐振电流大致呈“开路”特性，进而第一谐振模式a、第二谐振模式b所对应的谐振电流主要通过第二接地端122下地。换言之，调谐电路P在第一谐振模式a的谐振点、第二谐振模式b的谐振点皆呈感性。如此，形成第一电流密度分布R1和第二电流密度分布R2。
假设将调谐电路P的第一个谐振频点f1调节至小于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，且调谐电路P的第二个谐振频点f2调节至大于第三谐振模式c且小于第四谐振模式d的谐振频率，第四谐振模式d的谐振频率靠近第二个谐振频点f2，此时，调谐电路P对于第四谐振模式d的谐振频率附近呈小电感到地。此时，调谐电路P对第三谐振模式c、第四谐振模式d所对应的谐振电流大致呈“导通”特性，进而第三谐振模式c、第四谐振模式d所对应的谐振电流主要通过调谐电路P下地。换言之，调谐电路P在第三谐振模式c的谐振点呈容性、第四谐振模式d的谐振点呈感性但通过小电感下地。如此，形成第三电流密度分布R3和第四电流密度分布R4。
本申请对于调谐电路P的结构不做具体的限定，只要能够实现满足上述具有两个谐振频点，且在两个谐振频点附近分别呈感性、容性和感性即可。以下结合附图对于调谐电路P的几种可能的实施方式进行举例说明，当然，本申请提供的调谐电路P包括但不限于以下的几种实施方式。
请参阅图10，图10为本申请第一种实施方式提供的调谐电路P的示意图。所述调谐电路P包括第一电容单元C3和第一电感单元L4。所述第一电容单元C3的一端和所述第一电感单元L4的一端皆电连接调谐点B。所述第一电容单元C3的另一端和所述第一电感单元L4的另一端电连接至地极GND3。其中，所述第一电容单元C3可调节调谐电路P的带通频段，并联设置的第一电容单元C3及第一电感单元L4可调节调谐电路P的带阻频段。通过调节第一电容单元C3的电容值和第一电感单元L4的电感值，以调节调谐电路P的第一个谐振频点f1及第二个谐振频点f2点的值，以调节第一个谐振频点f1大于第一谐振模式a、第二谐振模式b的谐振频率，第一个谐振频点f1小于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，且第二个谐振频点f2大于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，以实现第一谐振模式a至第四谐振模式d所对应的电流密度分布及支持第一谐振模式a至第四谐振模式d。
请参阅图11，图11为本申请第二种实施方式提供的调谐电路P的示意图。在图10所示的调谐电路P基础上。所述调谐电路P还包括第二电感单元L3。所述第二电感单元L3的一端电连接所述第一电容单元C3的另一端与所述第一电感单元L4的另一端的连接节点。所述第二电感单元L3的另一端接地极GND3。通过调节第一电容单元C3的电容值、第一电感单元L4的电感值及第二电感单元L3的电感值，以调节调谐电路P的第一个谐振频点f1及第二个谐振频点f2点的值，以调节第一个谐振频点f1大于第一谐振模式a、第二谐振模式b的谐振频率，第一个谐振频点f1小于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，且第二个谐振频点f2大于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，以实现第一谐振模式a至第四谐振模式d所对应的电流密度分布及支持第一谐振模式a至第四谐振模式d。
请参阅图12，图12为本申请第三种实施方式提供的调谐电路P的示意图。在图10所示的调谐电路P基础上。所述调谐电路P还包括第二电感单元L3。所述第二电感单元L3的一端电连接调谐点B。所述第二电感单元L3的另一端电连接所述第一电容单元C3的一端。即第二电感单元L3与第一电容单元C3串联设置。其中，第一电容单元C3及第二电感单元L3调节带通频段。第一电容单元C3、第一电感单元L4及第二电感单元L3调节带阻频段。通过调节第一电容单元C3的电容值、第一电感单元L4的电感值及第二电感单元L3的电感值，以调节调谐电路P的第一个谐振频点f1及第二个谐振频点f2点的值，以调节第一个谐振频点f1大于第一谐振模式a、第二谐振模式b的谐振频率，第一个谐振频点f1小于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，且第二个谐振频点f2大于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，以实现第一谐振模式a至第四谐振模式d所对应的电流密度分布及支持第一谐振模式a至第四谐振模式d。
第一电容单元C3、第一电感单元L4及第二电感单元L3共同组成选频滤波电路，对不同频段呈现不同的阻抗特性,从而调谐点B在不同频段有不同的边界条件，从而更多模式的激励。
举例而言，第一电容单元C3的电容值为0.8pF、第一电感单元L4的电感值为3nH及第二电感单元L3的电感值为1.5nH，以使调谐电路P在2653MHz附近呈带阻特性，调谐电路P在4594MHz附近呈带通特性。可选的，第一个谐振频点f1为2653MHz，第二个谐振频点f2为4594MHz，进而实现第一谐振模式a、第二谐振模式b的调谐点B的电流经第二接地端122下地，而第三谐振模式c、第四谐振模式d的调谐点B的电流经调谐电路P下地。
请参阅图13，图13为本申请第四种实施方式提供的调谐电路P的示意图。在图12所示的调谐电路P基础上。所述调谐电路P还包括第二电容单元C4。第二电容单元C4的一端电连接第二电感单元L3的一端。第二电容单元C4的另一端电连接第二电感单元L3的另一端。通过调节第一电容单元C3的电容值、第一电感单元L4的电感值及第二电感单元L3的电感值、第二电容单元C4的电容值，以调节调谐电路P的第一个谐振频点f1及第二个谐振频点f2点的值，以调节第一个谐振频点f1大于第一谐振模式a、第二谐振模式b的谐振频率，第一个谐振频点f1小于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，且第二个谐振频点f2大于第三谐振模式c、第四谐振模式d的谐振频率，以实现第一谐振模式a至第四谐振模式d所对应的电流密度分布及支持第一谐振模式a至第四谐振模式d。
举例而言，第一谐振模式a所覆盖的频段支持B1、B39、B3等频段，第二谐振模式b所覆盖的频段支持B7、B41等频段，第三谐振模式c所覆盖的频段支持N77、N78等频段，第四谐振模式d所覆盖的频段支持N79等频段。调谐电路P对N78频段呈现较大的电容到地，对N79频段呈现小电感到地。
需要说明的是，以上的几种实施方式提供的调谐电路P可以相互结合以形成新的调谐电路。
可选的，请参阅图14，调谐电路P包括调谐电容C5。调谐电容C5的一端电连接调谐点B，调谐电容C5的另一端接地。当调谐电路P电连接调谐点B时，通过调节(例如减小)第二子辐射体12的长度，调节第一谐振模式a和第二谐振模式b中的谐振频偏。
以下结合附图对于匹配电路M的结构进行举例说明。
请参阅图15，匹配电路M包括第一匹配单元M11及第二匹配单元M12。第一匹配单元M11和第二匹配单元M12皆包括电容、电感。第一匹配单元M11的一端电连接馈电点A，第一匹配单元M11的另一端电连接第二匹配单元M12的一端，第一匹配单元M11的再一端电连接至地。第二匹配单元M12的另一端电连接信号源20，第二匹配单元M12的再一端电连接至地。第一匹配单元M11用于调谐第一谐振模式a，及第二匹配单元M12用于调谐第三谐振模式c；或者，第一匹配单元M11用于调谐第三谐振模式c，及第二匹配单元M12用于调谐第一谐振模式a。第一匹配单元M11及第二匹配单元M12用于共同调谐第二谐振模式b及第四谐振模式d。
可选的，请参阅图15，第一匹配单元M11包括第一电容C1及第一电感L1。第一电容C1的一端电连接馈电点A。第一电容C1的另一端电连接第二匹配单元M12的一端。第一电感L1的一端电连接馈电点A。第一电感L1的另一端电连接至地。和/或，第二匹配单元M12包括第二电容C2及第二电感L2。第二电容C2的一端电连接第一匹配单元M11的另一端。
第二电容C2的另一端电连接至地。第二电感L2的一端电连接第一匹配单元M11的另一端。
第二电感L2的另一端电连接信号源20。
通过设计上述的匹配电路M，以调节信号源20输出的射频信号的传输路径上的阻抗匹配值，以提高天线组件100收发信号的效率，还能够调谐第一谐振模式a至第二谐振模式b的谐振频率，以实现在实际应用频段内的宽频覆盖。
请参阅图16a，天线组件100包括至少一个可调器件T。
可选的，请参阅图16a，可调器件T的一端电连接于匹配电路M及可调器件T的另一端电连接至地，以调谐第一谐振模式a及第四谐振模式d，进而调节第一谐振模式a和第二谐振模式b的谐振频率位置。
当然，在其他实施方式中，请参阅图16b，可调器件T集成于匹配电路M中并形成电路T`，以调谐第一谐振模式a及第四谐振模式d，进而调节第一谐振模式a和第二谐振模式b的谐振频率位置。可以理解的，可调器件T集成于匹配电路M中是指可调器件T可以作为匹配电路M的一部分。例如图16b中的电路T`为可调器件T集成于匹配电路M中形成的电路。
请参阅图17a，可调器件T的一端电连接于调谐电路P及可调器件T的另一端电连接至地，以调谐第二谐振模式b及第三谐振模式c，进而调节第二谐振模式b及第三谐振模式c的谐振频率位置。
当然，在其他实施方式中，请参阅图17b，可调器件T集成于调谐电路P中并形成电路T``，以调谐第二谐振模式b及第三谐振模式c，进而调节第二谐振模式b及第三谐振模式c的谐振频率位置。可以理解的，可调器件T集成于调谐电路P中是指可调器件T可以作为调谐电路P的一部分。例如图17b中的电路T``为可调器件T集成于调谐电路P中形成的电路。
请参阅图18，至少一个可调器件T包括第一可调器件T1及第二可调器件(未图示)。第一可调器件T1的一端电连接匹配电路M，及第一可调器件T1的另一端接地，第一可调器件T1用于调谐第一谐振模式a及第四谐振模式d，以调谐第一谐振模式a及第四谐振模式d的谐振频率位置。当然，第一可调器件T1还能够集成于匹配电路M中，具体可以参考图16a中的实施方式，在此不再赘述。
当然，第二可调器件还能够集成于调谐电路P中。其中，图18中的T2为第二可调器件集成于调谐电路P形成的电路。当然在其他实施方式中，第二可调器件的一端电连接调谐电路P，第二可调器件的另一端电连接至地，第二可调器件T2用于调谐第二谐振模式b及第三谐振模式c，以调谐第二谐振模式b及第三谐振模式c的谐振频率位置。具体可以参考图17a中的实施方式，在此不再赘述。
可选的，可调器件T包括天线开关、可变电容中的至少一者。可选的，可调器件T包括天线开关时，可调器件T还包括电感、电容、电阻中的至少一者。至少一个天线开关、至少一个电感、至少一个电容及至少一个电阻可相互组合形成调节成不同阻抗值的调节匹配电路，该调节匹配电路电连接于匹配电路M和/或调谐电路P，当然，调节匹配电路还能够直接电连接第一子辐射体11或第二子辐射体12上，以调节谐振模式的谐振频率偏移，例如，当调节匹配电路呈容性时，其所影响的谐振模式的谐振频率朝向低频方向移动。当调节匹配电路呈感性时，其所影响的谐振模式的谐振频率朝向高频方向移动。以上实现了对第一至第四谐振模式a～d的调谐，更好的覆盖实际应用频段，进一步提升天线组件100的带宽。
请参阅图19，经过可调器件T的调谐，天线组件100所支持的谐振模式的曲线如下。图中为通过调节可调器件T的天线开关或可变电容后之后呈现的S1至S5曲线图，其中，每条曲线在不同的频段具有较高的效率，例如，S1曲线能够覆盖B1频段并在B1频段处具有较高的效率；S2曲线能够同时覆盖B3+N1频段并在B3+N1频段处具有较高的效率；S3曲线能够同时覆盖B3+N41频段并在B3+N41频段处具有较高的效率；S4曲线能够同时覆盖B40频段并在B40频段处具有较高的效率；S5曲线能够同时覆盖B41频段并在B41频段处具有较高的效率。如此，通过设置并调节可调器件T，可使得天线组件100能够在B1、B3+N1、B3+N41、B40、B41等频段具有较高的覆盖效率。图中的第1点和第2点之间的频段为1736MHz～2657MHz，从如图中可以看出，第1点和第2点之间(包括第1点和第2点)有6个谐振模式，如此，通过调节可调器件，可对1736MHz～2657MHz全覆盖。
本申请对于天线组件100的辐射体10设于电子设备1000的具体位置不做具体的限定。例如，请参阅图20及图21，天线组件100的辐射体10可全部设于电子设备1000的一侧。或者，在其他实施方式中，天线组件100的辐射体10设于电子设备1000的拐角部。具体通过以下实施方式进行举例说明。
请参阅图2及图22，边框210的一侧围接于后盖220的周沿。边框210的另一侧围接于显示屏300的周沿。边框210包括多个首尾相连的侧边框。边框210的多个侧边框中。相邻的两个侧边框相交。例如相邻的两个侧边框垂直。多个侧边框包括相对设置的顶边框212和底边框213，及连接于顶边框212与底边框213之间的第一侧边框214和第二侧边框215。相邻的两个侧边框之间的连接处为拐角部216。其中，顶边框212和底边框213平行且相等。第一侧边框214和第二侧边框215平行且相等。第一侧边框214的长度大于顶边框212的长度。
请参阅图20及图21，顶边框212为操作者手持电子设备1000朝向电子设备1000的正面使用时远离地面的边。底边框213为朝向地面的边。可选的，辐射体10完全设于顶边框210上。如此，用户在竖屏使用电子设备1000时，辐射体10朝向外部空间且遮挡较少，天线组件100的效率较高。天线组件100可设于电子设备1000的右上角，当然也可以放在电子设备1000的任意位置。
本申请对于天线组件100的排布方式不做具体的限定。请参阅图20，辐射体10设于顶边框212靠近第二侧边框215处，第一子辐射体11设于第二子辐射体12远离第二侧边框215的一侧。或者，请参阅图21，辐射体10设于顶边框212靠近第二侧边框215处，第二子辐射体12设于第一子辐射体11远离第二侧边框215的一侧。
可选的，辐射体10可完全设于第二侧边框215上。如此，用户在横屏使用电子设备1000时，辐射体10朝向外部空间且遮挡较少，天线组件100的效率较高。当然，辐射体10还可以完全设于第一侧边框214。
可选的，辐射体10可设于电子设备1000的拐角部216。放在拐角部216的天线组件100的效率会更好，在整机中的天线组件100环境也较优，整机堆叠也比较容易实现。具体的，辐射体10的一部分设于至少一个侧边框上，另一部分设于拐角部216。具体的，第二子辐射体12设于顶边框210、耦合缝隙13设于顶边框210所在侧、第一子辐射体11的一部分对应于顶边框210设置。第一子辐射体11的另一部分设于拐角部216。第一子辐射体11的再一部分设于第二侧边框215所在侧。换言之，辐射体10设于拐角部216。如此，在手持电子设备1000时，辐射体10受到的遮挡较少，进一步提高辐射体10的辐射效率。
可选的，请参阅图22，天线组件100的辐射体10的至少部分与边框210集成为一体。例如，边框210的材质为金属材质。第一子辐射体11、第二子辐射体12与边框210皆集成为一体。当然，在其他实施方式中，上述的辐射体10还可与后盖220集成为一体。换言之，第一子辐射体11、第二子辐射体12集成为壳体200的一部分。具体的。天线组件100的参考地极GND、信号源20、匹配电路M、调谐电路P等皆设于电路板上。
可选的，请参阅图23，第一子辐射体11、第二子辐射体12可成型于边框210的表面。具体的，第一子辐射体11、第二子辐射体12的基本形式包括但不限于贴片辐射体10、通过激光直接成型(Laser Direct Structuring，LDS)、印刷直接成型(Print DirectStructuring，PDS)等工艺成型在边框210的内表面上。此实施方式中，边框210的材质可为非导电材质。当然，上述的辐射体10还可以设于后盖220上。
可选的，第一子辐射体11、第二子辐射体12设于柔性电路板。柔性电路板贴设于边框210的表面。第一子辐射体11、第二子辐射体12可集成于柔性电路板上，并将柔性电路板通过粘胶等贴设于中框420的内表面。此实施方式中。边框210的材质可为非导电材质。当然，上述的辐射体10还可设于后盖220的内表面。
本申请提供的天线组件100，通过设计辐射体10的结构和在第二子辐射体12上加调谐电路P到地，激励起新的共存谐振模式，这些谐振模式能够实现超宽带覆盖，从而实现多频段的ENDC/CA性能，实现宽带天线，覆盖中高频段+超高频段、中高频段+中高频段，以提升吞吐量下载速度，用户体验得到提升，节约成本，有利于满足各大运营商指标。
以上所述是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (20)

1.一种天线组件，其特征在于，包括：
辐射体，包括第一子辐射体及第二子辐射体，所述第一子辐射体与所述第二子辐射体之间存在耦合缝隙，所述第一子辐射体与所述第二子辐射体通过所述耦合缝隙耦合；所述第一子辐射体包括第一接地端及第一耦合端，以及设于所述第一接地端与所述第一耦合端之间的馈电点，所述第一接地端接地；所述第二子辐射体包括第二接地端及第二耦合端，以及设于所述第二接地端与所述第二耦合端之间的调谐点，所述第一耦合端与所述第二耦合端通过所述耦合缝隙间隔设置，所述第二接地端接地；
信号源，所述信号源电连接所述馈电点；及
调谐电路，所述调谐电路的一端电连接所述调谐点，所述调谐电路的另一端接地，所述调谐电路用于调谐所述第二子辐射体以使所述第二子辐射体支持至少两种谐振模式。
2.如权利要求1所述的天线组件，其特征在于，所述辐射体支持的谐振模式包括第一谐振模式、第二谐振模式、第三谐振模式及第四谐振模式，所述第一子辐射体支持所述第一谐振模式、所述第二谐振模式、所述第三谐振模式及所述第四谐振模式中的两者，所述第二子辐射体支持所述第一谐振模式、所述第二谐振模式、所述第三谐振模式及所述第四谐振模式中的另两者。
3.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一子辐射体支持的谐振模式包括所述第一谐振模式及所述第四谐振模式，所述第二子辐射体支持的谐振模式包括所述第二谐振模式与所述第三谐振模式，其中，所述第一谐振模式、所述第二谐振模式、所述第三谐振模式及所述第四谐振模式的谐振频率依次增大。
4.如权利要求3所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式所覆盖的频段、所述第二谐振模式所覆盖的频段皆为中高频频段，所述第三谐振模式所覆盖的频段、所述第四谐振模式所覆盖的频段皆为超高频频段，其中，所述中高频频段范围为1GHz～3GHz，所述超高频频段范围为大于或等于3GHz。
5.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式至所述第四谐振模式所覆盖的频段包括LTE 4G频段和/或NR 5G频段；当所述第一谐振模式至所述第四谐振模式所覆盖的频段皆为LTE 4G频段或NR 5G频段时，所述第一谐振模式覆盖的频段、所述第二谐振模式覆盖的频段、所述第三谐振模式覆盖的频段、所述第四谐振模式覆盖的频段聚合形成目标应用频段，所述目标应用频段覆盖1.45GHz～6GHz。
6.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第一谐振模式对应的第一谐振电流分布于所述第一接地端与所述第二接地端之间；所述第一接地端至所述第一耦合端之间的第一子辐射体在所述第一谐振电流的激励下支持所述第一谐振模式。
7.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第二谐振模式对应的第二谐振电流分布于所述馈电点至所述第二接地端之间，所述第二接地端至所述第二耦合端之间的第二子辐射体在所述第二谐振电流的激励下支持所述第二谐振模式。
8.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第三谐振模式对应的第三谐振电流分布于所述馈电点与所述调谐点之间，所述调谐点至所述第二耦合端之间的第二子辐射体在所述第三谐振电流的激励下支持所述第三谐振模式。
9.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述第四谐振模式对应的第四谐振电流分布于所述第一接地端与所述调谐点之间，其中，一部分所述第四谐振电流从所述第一接地端流向电流反向点，另一部分所述第四谐振电流从所述调谐点经所述耦合缝隙流向所述电流反向点，所述电流反向点位于所述馈电点与所述第一接地端之间；所述第一接地端至所述第一耦合端之间的第一子辐射体在所述第四谐振电流的激励下支持所述第四谐振模式。
10.如权利要求2～9任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路在所述第一谐振模式的谐振点、所述第二谐振模式的谐振点皆呈感性，所述调谐电路在第三谐振模式的谐振点呈容性、所述第四谐振模式的谐振点呈感性。
11.如权利要求10所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路包括第一电容单元和第一电感单元，所述第一电容单元的一端和所述第一电感单元的一端皆电连接所述调谐点，所述第一电容单元的另一端和所述第一电感单元的另一端皆电连接至地。
12.如权利要求11所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路还包括第二电感单元，所述第二电感单元的一端电连接所述第一电容单元的另一端与所述第一电感单元的另一端的连接节点，所述第二电感单元的另一端接地。
13.如权利要求11所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路还包括第二电感单元，所述第二电感单元的一端电连接所述调谐点，所述第二电感单元的另一端电连接所述第一电容单元的一端。
14.如权利要求12所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路还包括第二电容单元，所述第二电容单元的一端电连接所述第二电感单元的一端，所述第二电容单元的另一端电连接所述第二电感单元的另一端并接地。
15.如权利要求2所述的天线组件，其特征在于，所述调谐电路包括调谐电容，所述调谐电容的一端电连接所述调谐点，所述调谐电容的另一端接地。
16.如权利要求2～9、11～15任意一项所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件还包括匹配电路，所述匹配电路的一端电连接所述馈电点，所述匹配电路的另一端电连接所述信号源。
17.如权利要求16所述的天线组件，其特征在于，所述匹配电路包括第一匹配单元及第二匹配单元，所述第一匹配单元和所述第二匹配单元皆包括电容、电感，所述第一匹配单元的一端电连接所述馈电点，所述第一匹配单元的另一端电连接所述第二匹配单元的一端，所述第一匹配单元的再一端电连接至地；所述第二匹配单元的另一端电连接所述信号源，所述第二匹配单元的再一端电连接至地；所述第一匹配单元用于调谐所述第一谐振模式，及所述第二匹配单元用于调谐所述第三谐振模式；或者，所述第一匹配单元用于调谐所述第三谐振模式，及所述第二匹配单元用于调谐所述第一谐振模式；所述第一匹配单元及所述第二匹配单元用于共同调谐所述第二谐振模式及所述第四谐振模式。
18.如权利要求17所述的天线组件，其特征在于，所述第一匹配单元包括第一电容及第一电感，所述第一电容的一端电连接所述馈电点，所述第一电容的另一端电连接所述第二匹配单元的一端，所述第一电感的一端电连接所述馈电点，所述第一电感的另一端电连接至地；和/或，
所述第二匹配单元包括第二电容及第二电感，所述第二电容的一端电连接所述第一匹配单元的另一端，所述第二电容的另一端电连接至地，所述第二电感的一端电连接所述第一匹配单元的另一端，所述第二电感的另一端电连接所述信号源。
19.如权利要求16所述的天线组件，其特征在于，所述天线组件包括至少一个可调器件，所述可调器件包括天线开关、可变电容中的至少一者；所述可调器件的一端电连接所述匹配电路，及所述可调器件的另一端接地，或，所述可调器件集成于所述匹配电路中，以调谐所述第一谐振模式及所述第四谐振模式；和/或，
所述可调器件的一端电连接所述调谐电路，及所述可调器件的另一端电连接至地，或，所述可调器件集成于所述调谐电路中，以调谐所述第二谐振模式及所述第三谐振模式。
20.一种电子设备，其特征在于，包括壳体及如权利要求1～19任意一项所述的天线组件，所述辐射体设于所述壳体内、设于所述壳体上或与所述壳体集成为一体，所述调谐电路及所述信号源设于所述壳体内。
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