CN115133245A - 具有电感及电容段的微带传输线 - Google Patents

Abstract

本发明涉及具有电感及电容段的微带传输线，揭示微带传输线的结构以及形成微带传输线的方法。该微带传输线包括信号线，屏蔽罩，以及连接至该信号线的多个线路结构。各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。

Description

具有电感及电容段的微带传输线

技术领域

本发明涉及半导体装置及集成电路制造，尤其涉及微带传输线的结构以及形成微带传输线的方法。

背景技术

对于作为延迟线、移相器、微波滤波器，以及基于四分之一波长的装置如分支线耦合器、威尔金森功分器，以及混合环的传输线，微带可能是最常用的平面结构。可实施慢波设计来缩短微带传输线的物理长度。在传统的慢波设计中，微带传输线可包括窄的电感段与较宽的电容段交替，以限定出周期性窄-宽线结构。该周期性窄-宽线结构可导致线等效电感与电容同时增加，从而可导致传播速度显著降低，这也被称为慢波效应。

需要改进的微带传输线的结构以及形成微带传输线的方法。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种微带传输线的结构包括信号线，屏蔽罩，以及连接至该信号线的多个线路结构。各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。

在本发明的一个实施例中，一种形成微带传输线的方法包括在后端工艺堆叠中形成信号线，在后端工艺堆叠中形成屏蔽罩，以及在后端工艺堆叠中形成多个线路结构，它们连接至该信号线。各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。

附图说明

包含于并构成本说明书的一部分的附图示例说明本发明的各种实施例，并与上面所作的有关本发明的概括说明以及下面所作的有关该些实施例的详细说明一起用以解释本发明的该些实施例。在该些附图中，类似的附图标记表示不同视图中类似的特征。

图1显示依据本发明的实施例的结构的顶视图。

图2显示大体沿图1中的线2-2所作的剖视图。

图2A显示大体沿图1中的线2A-2A所作的剖视图。

图3显示图1、2、2A的结构的单元段的示意立体视图。

图4显示可由计算机系统执行以确定该结构的优化段属性的操作序列的流程图。

图5显示可由计算机系统执行以确定该结构的优化段属性的替代操作序列的流程图。

图6显示依据本发明的替代实施例的结构的剖视图。

图7显示依据本发明的替代实施例的结构的剖视图。

图8显示依据本发明的实施例可用以执行图4的操作或图5的操作的示例计算机系统的示意图。

具体实施方式

请参照图1、2、2A并依据本发明的实施例，微带传输线的结构10包括布置于后端工艺堆叠14中的屏蔽罩26及信号线28。后端工艺堆叠14设置于半导体衬底12上及上方。半导体衬底12可为包含半导体材料(例如，硅)的块体衬底。或者，半导体衬底12可为绝缘体上硅(silicon-on-insulator；SOI)衬底，其包括由半导体材料(例如，硅)组成的装置层、由二氧化硅组成的埋置氧化物层，以及也由半导体材料(例如，硅)组成的操作衬底。在半导体衬底12的前端工艺制程期间可形成装置结构，例如场效应晶体管。

后端工艺堆叠14可包括多个线路层，该些线路层可在后端工艺制程期间通过具有镶嵌制程的特征的沉积、抛光、光刻，以及蚀刻技术形成。具体地说，对于后端工艺堆叠14的各线路层，可沉积并图案化层间介电层，以限定出沟槽及过孔开口，用阻挡层(例如，钽与氮化钽的双层)加衬并通过平坦化的导体(例如，铜)填充该沟槽及过孔开口，以限定出线以及连接不同线路层中的线的过孔。后端工艺堆叠14的该层间介电层可由通过例如化学气相沉积沉积的无机介电材料例如二氧化硅或低k介电材料组成。在该代表性实施例中，后端工艺堆叠14包括布置于多个线路层中的层间介电层16、18、20、22、24。

可在后端工艺堆叠14的该些线路层的其中之一中形成屏蔽罩26，并可在不同于包括屏蔽罩26的该线路层的后端工艺堆叠14的该些线路层的其中另一个中形成信号线28。屏蔽罩26在信号线28与半导体衬底12之间的后端工艺堆叠14的该些线路层内沿垂直方向设置。在一个实施例中，屏蔽罩26可形成于后端工艺堆叠14的最下方线路层(也就是，第一金属层(M1))中，并与层间介电层16关联。在一个实施例中，信号线28可形成于后端工艺堆叠14的上方线路层(例如，第五金属层(M5))中，并与层间介电层24关联。

可将信号线28与信号源例如驱动器25耦接。驱动器25可包括部件，例如驱动器放大器，该些部件经配置以向信号线28提供采用射频信号的形式的数据。通过后端工艺堆叠14将屏蔽罩26与电性地物理耦接，可将屏蔽罩26接地，从而限定出地平面。

后端工艺堆叠14包括线路结构42，它们与信号线28的不同部分物理及电性连接，并自信号线28向下延伸穿过层间介电层20、22、24朝向屏蔽罩26。各线路结构42由金属部件(metal feature)40终止，该金属部件以非接触关系邻近屏蔽罩26设置。除了与信号线28的不同部分在纵向分布的位置间隔连接以外，线路结构42彼此断开。

各线路结构42包括过孔30，其将信号线28与下方线路层(例如，第四金属层(M4))中的金属部件32物理连接。各线路结构42还包括过孔34，其将金属部件32与下方线路层(例如，第三金属层(M3))中的金属部件36物理连接。各线路结构42还包括过孔38，其将金属部件36与下方线路层(例如，第二金属层(M2))中的金属部件40的其中之一物理连接。然而，金属部件40不通过过孔与屏蔽罩26连接。相反，层间介电层18的部分设置于金属部件40与屏蔽罩26之间，且包含于层间介电层18的此部分中的介电材料将金属部件40与屏蔽罩26电性隔离。

将各金属部件40与屏蔽罩26隔开的层间介电层18的该部分提供介电材料厚度T1，该厚度可小于层间介电层18的全厚度。信号线28通过层间介电层18、20、22、24与屏蔽罩26隔开，该些层间介电层提供介电材料厚度T2，其大于厚度T1。金属部件40与屏蔽罩26之间的耦合可主要为电容性的，并提供电容负载，而屏蔽罩26与不连接金属部件40的信号线28的线段之间的耦合可因较大的介电质填充的物理隔离而主要为电感性的并提供电感负载。归因于不同的金属部件40的各电容值导致分布式等效电容值等于各电容值之和。

在实施例中，终止线路结构42的该金属部件(例如，金属部件40)可位于设置于屏蔽罩26与信号线28之间的后端工艺堆叠14的任意线路层中。在该代表性实施例中，金属部件40位于提供后端工艺堆叠14的第二金属层的线路层中，屏蔽罩26位于提供后端工艺堆叠14的第一金属层的线路层中，且信号线28位于提供后端工艺堆叠14的第五金属层的线路层中。在一个实施例中，包括金属部件40的后端工艺堆叠14的线路层可紧邻或直接邻近包括屏蔽罩26的后端工艺堆叠14的线路层。

屏蔽罩26及信号线28可沿纵轴27纵向延伸，且线路结构42可沿垂直方向垂直于纵轴27延伸。信号线28可由沿垂直于纵轴27的方向的宽度W1以及沿平行于纵轴27的方向的长度L1表征。信号线28的宽度W1可小于屏蔽罩26的宽度。在一个实施例中，信号线28可位于屏蔽罩26上方中心。在一个实施例中，信号线28的宽度W1可沿其整个长度L1或者至少沿位于屏蔽罩26上方的长度L1的部分是均匀的或恒定的。在一个实施例中，信号线28的宽度W1可沿其整个长度L1或者至少沿位于屏蔽罩26上方的长度L1的部分基本恒定。信号线28的均匀的或恒定的宽度W1不同于具有周期性窄-宽线结构(其中，该信号线的窄电感段与该信号线的较宽电容段纵向交替)的传统微带传输线。

金属部件40及相关线路结构42可沿信号线28的纵轴27具有周期性布置。在一个实施例中，金属部件40及相关线路结构42可沿信号线28的纵轴27以均匀的间距布置。在一个实施例中，信号线28的宽度W1可沿信号线28的整个长度L1是均匀的或恒定的，且金属部件40及相关线路结构42可沿信号线28的长度以均匀的间距布置。

金属部件40可由沿垂直于信号线28的纵轴27的方向的宽度W2以及沿平行于信号线28的纵轴27的方向的长度L2表征。各金属部件40的宽度W2可小于屏蔽罩26的宽度，且各金属部件40的长度L2可小于信号线28的长度L1。在一个实施例中，各金属部件40的宽度W2可等于信号线28的宽度W1。在一个实施例中，各金属部件40的宽度W2可基本等于信号线28的宽度W1。

结构10可具有减小的长度及减小的宽度，从而与传统微带传输线所呈现的装置面积及装置足印(footprint)相比，有助于呈现较小的装置面积及装置足印。信号线28沿其长度的恒定宽度或基本恒定的宽度可促进简化的布局，这可促进信号线28的方向变化，并可简化结构10的设计及优化。

请参照图3并依据本发明的实施例，信号线28可以多个单元段44形成，该些单元段可被视为在整体的链或串中端对端布置，以限定出组件。信号线28的各单元段44可包括通过线路结构42的其中之一与金属部件40的其中之一耦接的电容段46，电感段48，以及电感段50。各单元段44的电容段46在电感段48与电感段50之间沿信号线28的长度纵向布置。

请参照图4并依据本发明的实施例，可通过计算机系统68(图8)执行一系列操作，以确定结构10的单元段44的优化属性，例如，最大限度地增加截止频率，同时最大限度地减小段长度，以为结构10提供最大的尺寸缩减。在方块100中，自包括信号线28的金属层的布局基本规则或者自包括金属部件40的金属层的布局基本规则确定电容段46的长度(Lcap)。基本规则是施加于后端工艺堆叠14的金属层的布局中的设计数据的几何约束。电容段46的长度可等于单元段44中所包括的金属部件40的长度。在方块102中，针对包括信号线28的金属层，将线宽度W设为基本规则最小宽度。

在方块104中，调谐单元段44的总长度(Lsec)，直至达到目标线特征阻抗(例如，50欧姆)。在方块106中，针对信号线28的给定长度L，所需的单元段44的整数(N)通过：N＝int(L/Lsec)确定。在方块108中，通过将长度L除以单元段44的整数来确定单元段44的新长度(Lsec_new)。在方块110中，电容段46的新长度(Lcap_new)通过比例确定：Lcap_new＝Lcap*Lsec_new/Lsec。在方块112中，检查该新的段长度的线特征阻抗相对于目标线特征阻抗的可接受性。若该线特征阻抗不可接受，则在方块114中微调电容段46的长度。可将细微的线宽调节用作次级调谐因子，以调节线特征阻抗，也可用于单元损失调节。若该线特征阻抗是可接受的，则单元段44的多个实例(分别具有单元段44及电容段46的最终长度)可用以在方块116中形成信号线28。一般来说，若该线特征阻抗在该目标线特征阻抗的几欧姆内，则该线特征阻抗是可接受的。

请参照图5并依据本发明的实施例，可通过计算机系统68(图8)执行一系列操作，以确定结构10的单元段44的优化属性，例如为结构10提供最大的尺寸缩减以及优化的插入损耗。在方块200中，自包括信号线28的金属层的布局基本规则或者自包括金属部件40的金属层的布局基本规则确定电容段46的长度(Lcap)。在方块202中，确定单元段44的最大长度(maxLsec)。可将单元段44的最大长度设为等于感兴趣的最大信号频率的波长的分数(例如，1/20或1/10)。在方块204中，确定插入损耗的损耗基准。该损耗基准可通过由设计应用建立的给定数目或者通过使用标准的片上微带传输线单元损耗来确定。

在方块206中，利用相同的信号线及接地屏蔽罩金属层，从基本规则最小宽度至标准的片上微带传输线的宽度的大约一半以增量方式扫描线宽W。在方块208中，从电容段46的长度的两倍(也就是，2*Lcap)至单元段44的最大长度(maxLsec)以增量方式扫描单元段44的长度(Lsec)。在方块210中，确定是否已达到该线宽及段长度的扫描极限。如果已达到扫描极限，则控制转移至方块212，并且必须在方块200、202、204的其中一个或多个中选择不同的参数。如果未达到扫描极限，则控制转移至方块214，其中，检查线特征阻抗(Z0)及线插入损耗的可接受性。如果该线特征阻抗及插入损耗不可接受，则控制转移至方块208。如果该线特征阻抗及插入损耗不可接受，则控制转移到方块216，其中，针对信号线28的给定总长度L，所需的单元段44的整数(N)通过：N＝int(L/Lsec)确定。在方块218中，通过将给定的总长度L除以单位段44的整数来确定新的段长度(Lsec_new)。在方块220中，电容段46的新长度(Lcap_new)通过比例确定：Lcap_new＝Lcap*Lsec_new/Lsec。在方块222中，检查线特征阻抗相对于目标线特征阻抗的可接受性。如果该线特征阻抗不可接受，则在方块224中微调电容段46的长度。如果该线特征阻抗是可接受的，则单元段44的多个实例(分别具有单元段44及电容段46的最终长度)可用以在方块226中形成信号线28。

请参照图6并依据本发明的替代实施例，可自结构10省略过孔38及金属部件40，且在后端工艺堆叠14的第三金属层中的金属部件36可位于与后端工艺堆叠14的第一金属层中的屏蔽罩26相邻并最接近的线路层中，在此情况下，金属部件36终止，与屏蔽罩26电容耦接。后端工艺堆叠14的多个线路层(包括层间介电层18、20)设置于包括屏蔽罩26的线路层与包括金属部件36的线路层之间。

请参照图7且依据本发明的替代实施例，可自结构10省略过孔34、38及金属部件36、40，且后端工艺堆叠14的第四金属层中的金属部件32可邻近并最接近后端工艺堆叠14的第一金属层中的屏蔽罩26，在此情况下，金属部件32与屏蔽罩26电容耦接。多个线路层及多个层间介电层18、20、22设置于屏蔽罩26与金属部件32之间。

请参照图8，示例计算机系统68可经配置以执行图4中的操作序列或图5中的操作序列，以确定结构10的优化段属性。计算机系统68可包括处理器70、存储器72、大容量储存存储器装置74、输入/输出(I/O)接口76，以及人机接口(Human Machine Interface；HMI)78。还可通过I/O接口76将计算机系统68可操作地耦接至一个或多个外部资源80。外部资源80可包括但不限于服务器、数据库、大容量储存装置、周边装置、基于云的网络服务，或者可由计算机系统68使用的任意其它合适的计算机资源。

处理器70可包括自微处理器、微控制器、数字信号处理器、微型计算机、中央处理单元、现场可编程门阵列、可编程逻辑装置、状态机、逻辑电路、模拟电路、数字电路，或基于储存于存储器72中的操作指令操控信号(模拟或数字)的任意其它装置选择的一个或多个装置。存储器72可包括单个存储器装置或多个存储器装置，包括但不限于只读存储器(ROM)、随机访问存储器(RAM)、易失性存储器、非易失性存储器、静态随机访问存储器(SRAM)，动态随机访问存储器(DRAM)、闪速存储器、缓存，或能够储存信息的任意其它装置。大容量储存存储器装置74可包括数据储存装置，例如硬盘驱动器、光盘驱动器、磁带驱动器、非易失性固态装置，或能够储存信息的任意其它装置。

处理器70可在驻留于存储器72中的操作系统82的控制下操作。操作系统82可管理计算机资源，以使体现为一个或多个计算机软件应用(例如驻留于存储器72中的应用84)的计算机程序代码可具有由处理器70执行的指令。在一个替代实施例中，处理器70可直接执行应用84，在此情况下，可省略操作系统82。一个或多个数据结构86也可驻留于存储器72中，并可由处理器70、操作系统82或应用84使用，以储存或操控数据。应用84可包括模块，其具有指令，用于确定如本文所述的结构10的优化段属性。尤其，应用84可为电磁模拟工具，其被配置以利用有限元方法针对网格上的每个点求解麦克斯韦方程。

I/O接口76可提供机器接口，其将处理器70可操作地耦接至其它装置及系统，例如一个或多个外部资源80。因此，应用84可通过经由I/O接口76通信来与外部资源80协同工作，以提供包括本发明实施例的各种特征、功能、应用、过程，或模块。应用84还可具有由一个或多个外部资源80执行的程序代码，或者以其它方式依赖于由计算机系统68外部的其它系统或网络部件提供的功能或信号。实际上，考虑到几乎无穷无尽的硬件及软件配置可能，本领域的普通技术人员将理解，本发明的实施例可包括位于计算机系统68外部、分布于多台计算机或其它外部资源80之间，或者通过在通信网络90上作为服务(例如云计算服务)提供的计算资源(硬件及软件)提供的应用。

可以已知的方式将HMI 78可操作地耦接至计算机系统68的处理器70，以允许用户与计算机系统68直接交互。HMI 78可包括视频或字母数字显示器、触摸屏、扬声器，以及能够向用户提供数据的任意其它合适的音频及视频指示器。HMI 78还可包括输入装置及控制装置，例如字母数字键盘、定点装置、小键盘、按钮、控制旋钮、麦克风等，其能够自用户接收命令或输入，并将该键入的输入传输至处理器70。

可驻留于大容量储存存储器装置74上的数据库88可用以收集并组织由本文中所述的各种系统及模块使用的数据。数据库88可包括数据以及储存并组织该数据的支持数据结构。尤其，可以任意数据库组织或结构布置数据库88，包括但不限于关系数据库、层级数据库、网络数据库，或其组合。在处理器70上作为指令执行的计算机软件应用形式的数据库管理系统可用以响应查询而访问储存于数据库88的记录中的信息或数据，其中，可由操作系统82、其它应用84，或一个或多个模块动态确定并执行查询。

一般来说，为实施本发明的实施例而执行的例程，无论是实施为操作系统的部分还是特定应用、部件、程序、对象、模块或指令序列，或甚至其子集，在本文中都可称为“计算机程序代码”，或简称为“程序代码”。程序代码通常包括计算机可读指令，它们在不同时间驻留于计算机中的各种存储器及储存装置中，并且当由计算机中的一个或多个处理器读取并执行时，使该计算机执行那些对于执行实施本发明的实施例的各种态样的操作及/或元件所必须的操作。用于执行本发明的实施例的操作的计算机可读程序指令可为例如汇编语言，或以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码。

在本文所述的任意应用/模块中实施的程序代码能够以各种不同的形式作为程序产品单独或共同分发。尤其，程序代码可通过使用其上具有计算机可读程序指令的计算机可读储存媒体来分发，以使处理器执行本发明的实施例的态样。

计算机可读储存媒体(本质上为非暂时性的)可包括以任意方法或技术实施的易失性的和非易失性的、可移除的和不可移除的有形媒体，以储存信息，例如计算机可读指令、数据结构、程序模块，或其它数据。计算机可读储存媒体还可包括随机访问存储器(random access memory；RAM)、只读存储器(read-only memory；ROM)、可擦除可编程只读存储器(erasable programmable read-only memory；EPROM)、电性可擦除可编程只读存储器(electrical erasable programmable read-only memory；EEPROM)、闪速存储器或其它固态存储器技术、便携式压缩光盘只读存储器(CD-ROM)，或其它光储存器、磁盒、磁带、磁盘储存器或其它磁储存装置，或者可用以储存所需信息并可由计算机读取的任意其它媒体。计算机可读储存媒体在本质上不应被解释为暂时信号(例如，无线电波或其它传播的电磁波、通过传输媒体例如波导传播的电磁波，或通过导线传输的电性信号)。可将计算机可读程序指令自计算机可读储存媒体下载至计算机、另一类型的可编程数据处理设备或另一装置，或者通过通信网络下载至外部计算机或外部储存装置。

储存于计算机可读媒体中的计算机可读程序指令可用以引导计算机、其它类型的可编程数据处理设备或其它装置以特定方式工作，以使储存于该计算机可读媒体中的该指令产生制品，该制品包括实施在流程图、序列图及/或方块图中指定的功能/动作的指令。可将该计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理设备的一个或多个处理器，以产生机器，从而通过一个或多个处理器执行的该指令导致执行一系列计算，以实施在流程图、序列图及/或方块图中指定的功能及/或动作。

在特定替代实施例中，可在不背离本发明范围的情况下将流程图、序列图及/或方块图中指定的功能及/或动作重新排序、连续处理及/或同时处理。而且，与符合本发明的实施例的示意方块相比，任意流程图、序列图及/或方块图可包括更多或更少的方块。

如上所述的方法用于集成电路芯片的制造。制造者可以原始晶圆形式(例如，作为具有多个未封装芯片的单个晶圆)、作为裸芯片，或者以封装形式分配所得的集成电路芯片。可将该芯片与其它芯片、分立电路元件和/或其它信号处理装置集成，作为中间产品或最终产品的部分。该最终产品可为包括集成电路芯片的任意产品，例如具有中央处理器的电脑产品或智能手机。

本文中引用的由近似语言例如“大约”、“大致”及“基本上”所修饰的术语不限于所指定的精确值。该近似语言可对应于用以测量该值的仪器的精度，且除非另外依赖于该仪器的精度，否则可表示所述值的+/-10％。

本文中引用术语例如“垂直”、“水平”等作为示例来建立参考框架，并非限制。本文中所使用的术语“水平”被定义为与半导体衬底的传统平面平行的平面，而不论其实际的三维空间取向。术语“垂直”及“正交”是指垂直于如刚刚所定义的水平面的方向。术语“横向”是指在该水平平面内的方向。

与另一个特征“连接”或“耦接”的特征可与该另一个特征直接连接或耦接，或者可存在一个或多个中间特征。如果不存在中间特征，则特征可与另一个特征“直接连接”或“直接耦接”。如存在至少一个中间特征，则特征可与另一个特征“非直接连接”或“非直接耦接”。在另一个特征“上”或与其“接触”的特征可直接在该另一个特征上或与其直接接触，或者可存在一个或多个中间特征。如果不存在中间特征，则特征可直接在另一个特征“上”或与其“直接接触”。如存在至少一个中间特征，则特征可“不直接”在另一个特征“上”或与其“不直接接触”。如果一个特征延伸于另一个特征上方并覆盖其部分，则不同的特征重叠。

对本发明的各种实施例所作的说明是出于示例说明的目的，而非意图详尽无遗或限于所揭示的实施例。许多修改及变更对于本领域的普通技术人员将显而易见，而不背离所述实施例的范围及精神。本文中所使用的术语经选择以最佳解释实施例的原理、实际应用或在市场已知技术上的技术改进，或者使本领域的普通技术人员能够理解本文中所揭示的实施例。

Claims (20)

1.一种微带传输线的结构，其特征在于，该结构包括：

信号线；

屏蔽罩；以及

多个线路结构，连接至该信号线，各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

后端工艺堆叠，包括层间介电层，

其中，该信号线、该屏蔽罩、以及该多个线路结构位于该后端工艺堆叠中，且该层间介电层的部分设置于各线路结构的该金属部件与该屏蔽罩间。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，各线路结构的该金属部件位于该层间介电层中。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该信号线包括纵轴以及沿垂直于该纵轴的第一方向的宽度，且该信号线的该宽度沿该纵轴是均匀的。

5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该信号线具有沿平行于该纵轴的第二方向的长度，且各线路结构的该金属部件具有小于该信号线的该长度的长度。

6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，各线路结构的该金属部件具有等于该信号线的该宽度的宽度。

7.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该信号线包括纵轴以及沿垂直于该纵轴的方向的宽度，且该宽度沿该纵轴基本上是均匀的。

8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

后端工艺堆叠，包括第一线路层及第二线路层，

其中，该屏蔽罩位于该第一线路层中，且各线路结构的该金属部件位于该第二线路层中。

9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该第二线路层紧邻该第一线路层位于该后端工艺堆叠中。

10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该第二线路层包括层间介电层，且该层间介电层的部分设置于各线路结构的该金属部件与该屏蔽罩间。

11.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该后端工艺堆叠包括第三线路层，该第二线路层位于该第一线路层与该第三线路层间，且该信号线位于该第三线路层中。

12.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：

后端工艺堆叠，包括第一线路层及第二线路层，

其中，各线路层的该金属部件位于该第一线路层中，且该信号线位于该第二线路层中。

13.如权利要求12所述的结构，其特征在于，该第二线路层邻近该第一线路层位于该后端工艺堆叠中。

14.如权利要求12所述的结构，其特征在于，该后端工艺堆叠还包括设置于该信号线与该屏蔽罩间的一个或多个层间介电层，且各线路结构自该信号线延伸穿过该一个或多个层间介电层至该金属部件。

15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该多个线路结构彼此断开，且沿该信号线的长度隔开。

16.一种形成微带传输线的结构的方法，其特征在于，该方法包括：

在后端工艺堆叠中形成屏蔽罩；

在该后端工艺堆叠中形成信号线；以及

形成连接至该信号线的多个线路结构，

其中，各线路结构自该信号线的部分向该屏蔽罩延伸，且各线路结构包括邻近该屏蔽罩设置的金属部件。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该后端工艺堆叠包括第一线路层及第二线路层，该屏蔽罩形成于该第一线路层中，且各线路结构的该金属部件形成于该第二线路层中。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，该第二线路层紧邻该第一线路层形成于该后端工艺堆叠中。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，该第二线路层包括层间介电层，且该层间介电层的部分设置于各线路结构的该金属部件与该屏蔽罩间。

20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该后端工艺堆叠包括第一线路层以及第二线路层，各线路层的该金属部件形成于该第一线路层中，该信号线形成于该第二线路层中，且该第二线路层邻近该第一线路层形成于该后端工艺堆叠中。

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