CN115132909A - 一种热量控制装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种热量控制装置，该装置包括第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极；第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；第一金属导体的一端上对称分布有，第一N型半导体及第一P型半导体；每一第二金属导体的一端上对称分布有，第二N型半导体及第二P型半导体；第一N型半导体背离第一金属导体的一端与第二N型半导体背离第二金属导体的一端结合；第一P型半导体背离第一金属导体的一端与第二P型半导体背离第二金属导体的一端结合；第一电极及第二电极用于连通电源。该装置体积较小，能够实现对微小物体进行热量控制。

Description

一种热量控制装置

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，更具体地说，涉及一种热量控制装置。

背景技术

传统的热量控制装置一般为液体热量阀，将物体贴合液体热量阀，通过电机调节液体热量阀中液体的流量以达到控制该物体热量的目的。但传统的热量控制装置由于装配有电机，体积较大，仅适用于空间较大、物体体积较大的场景下，无法对微小的物体的热量进行控制。

综上所述，亟需一种热量控制装置，用于解决现有技术中无法调节微小物体热量的缺点。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种热量控制装置，用于解决现有技术中无法调节微小物体热量的缺点。

为了实现上述目的，现提出的方案如下：

一种热量控制装置，包括第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极；

所述第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；

所述第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；

所述第一半导体设备中每一第一金属导体的一端上对称分布有，一个第一N型半导体及一个第一P型半导体；

所述第二半导体设备中每一第二金属导体的一端上对称分布有，一个第二N型半导体及一个第二P型半导体；

所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；

所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；

所述第一电极及第二电极用于连通电源，控制热量控制装置中所述第一金属导体、所述第二金属导体、所述第一N型半导体、所述第一P型半导体、所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体中的电流流向，以控制热量的流向。

可选的，热量控制装置还包括：

存在一个第一金属导体的一端与第一N型半导体结合及存在一个第二金属导体的一端与第二N型半导体结合；

或，

存在一个第一金属导体的一端与第一P型半导体结合及存在一个第二金属导体的一端与第二P型半导体结合。

可选的，在热量控制装置中所述第一半导体设备中包含两个以上所述第一N型半导体、所述第一P型半导体及所述第一金属导体，且所述第一N型半导体、所述第一P型半导体及所述第一金属导体的数量相同；

所述第二半导体设备中包含两个以上所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体，且所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体的数量相同；

各对称分布有第一N型半导体及第一P型半导体的第一金属导体等间隔分布于所述第一半导体设备中；

各对称分布有第二N型半导体及第二P型半导体的第二金属导体等间隔分布于所述第二半导体设备中。

可选的，热量控制装置还包括绝热层；

所述绝热层由导电绝热层及绝缘绝热层组成；

所述第一半导体设备及所述第二半导体设备之间通过所述绝热层结合，其中，所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述导电绝热层的一端结合，所述导电绝热层的另一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合，以实现所述第一N型半导体与所述第二N型半导体的结合，且，所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述导电绝热层的一端结合，所述导电绝热层的另一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合，以实现所述第一P型半导体与所述第二P型半导体的结合；

相邻两个导电绝热层之间为所述绝缘绝热层。

可选的，热量控制装置还包括绝缘层；

所述绝缘层包括第一绝缘层及第二绝缘层；

所述第一半导体设备的组成中还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第一金属导体背离第一N型半导体及第一P型半导体的一端结合；

所述第二半导体设备的组成中还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第二金属导体背离第二N型半导体及第二P型半导体的一端结合。

可选的，热量控制装置还包括红外温度计；

所述红外温度计置于所述绝缘层上，用于监测待降温物体或待升温物体的温度。

可选的，热量控制装置还包括抗压支架；

所述热量控制装置上还结合有抗压支架，用于提高热量控制装置的抗压性及牢固性。

可选的，热量控制装置还包括可控电压源或可控电流源；

所述可控电压源或可控电流源的正极和负极分别与所述第一电极及所述第二电极电连接，所述可控电压源或可控电流源用于为所述第一电极及所第二电极提供特定流向的电流，以控制热量控制装置中热量的流向。

可选的，热量控制装置中的第一金属导体及第二金属导体的材质为铜。

从上述的技术方案可以看出，本申请提供的热量控制装置由第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极组成；所述第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；所述第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；而，金属导体、P型半导体及N型半导体实际上都是可以导电的，因而，第一半导体设备及第二半导体设备的组成都包含能够导电的金属导体、P型半导体及N型半导体；而所述第一半导体设备中每一第一金属导体的一端上对称分布有，一个第一N型半导体及一个第一P型半导体；所述第二半导体设备中每一第二金属导体的一端上对称分布有，一个第二N型半导体及一个第二P型半导体；如此，与第一金属导体结合的第一N型半导体及第一P型半导体形成PN结，与第二金属导体结合的第二N型半导体及第二P型半导体形成PN结，电子可以在与同一金属导体结合的N型半导体及P型半导体之间流通；所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；如此，由于N型半导体的相互结合及P型半导体的相互结合，使得电子可以在第一半导体设备及第二半导体设备之间流通；且所述第一电极及第二电极用于连通电源，控制热量控制装置中所述第一金属导体、所述第二金属导体、所述第一N型半导体、所述第一P型半导体、所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体中的电流流向，以控制热量的流向，如此，金属导体中存在电流时，电流可以流入N型半导体或P型半导体，N型半导体和P型半导体中存在电流时，电流也可以流入与该N型半导体结合的另一N型半导体，电流也可以流入与该P型半导体结合的另一P型半导体，热量控制装置的内部形成回路，而电流在第一半导体设备及第二半导体设备之间流通的时候，会放热或吸热，从而实现热量控制，且本申请的热量控制装置由N型半导体、P型半导体及金属导体、第一电极及第二电极组成，体积较小，能够实现对微小物体进行热量控制。

此外，本申请电流在上下两层的P型半导体及N型半导体之间流通的时候，会放热或吸热，即，本申请可以提高物体的温度，也可以降低物体的温度，使用场景十分广泛。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种热量控制装置示意图；

图2为本申请实施例提供的又一种热量控制装置示意图；

图3为本申请实施例提供的一种热量控制装置通电过程中热量流动方向示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种热量控制装置通电过程中热量流动方向示意图；

其中，图1及图2中的附图标记与部件名称之间的对应关系为：

第一半导体设备1、第二半导体设备2、第一电极3、第二电极4、第一N型半导体5、第一P型半导体6、第一金属导体7、第二N型半导体8、第二P型半导体9、第二金属导体10、导电绝热层11、绝缘绝热层12、第一绝缘层13、第二绝缘层14及抗压支架15。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

接下来结合图1及图2对本申请的热量控制装置进行详细介绍。

图1及图2皆是本申请的一种实施例。

本申请中的热量控制装置由第一半导体设备1、第二半导体设备2、第一电极3及第二电极4组成。

其中，第一半导体设备1由第一N型半导体5、第一P型半导体6及第一金属导体7组成，而第二半导体设备2由第二N型半导体8、第二P型半导体9及第二金属导体10组成。

本申请中将组成第一半导体设备1的金属导体作为第一金属导体7，将组成第二半导体设备2的金属导体作为第二金属导体10。在本申请中，第一金属导体及7第二金属导体10可以是各类参数皆一致的金属导体。

本申请中将组成第一半导体设备1的N型半导体作为第一N型半导体5，将组成第二半导体设备2的N型半导体作为第二N型半导体8。在本申请中，第一N型半导体5及第二N型半导体8可以是各类参数皆一致的N型半导体。

本申请中将组成第一半导体设备1的P型半导体作为第一P型半导体6，将组成第二半导体设备2的P型半导体作为第二P型半导体9。在本申请中，第一P型半导体6及第二P型半导体9可以是各类参数皆一致的P型半导体。

每一第一金属导体7的一端上对称分布有，一个第一N型半导体5及一个第一P型半导体6，且每一第二金属导体10的一端上对称分布有，一个第二N型半导体8及一个第二P型半导体9。在此基础上，同一金属导体上分布的P型半导体及N型半导体形成P-N结。

其中，考虑到N型半导体及P型半导体直接贴合，会导致短路，无法实现热量控制，因而，对称分布于第一金属导体7上的第一N型半导体5及第一P型半导体6之间并不是直接贴合的，是存在一定的距离的，同理，对称分布于第二金属导体10上的第二N型半导体8及第二P型半导体9之间也并不是直接贴合的，也是存在一定的距离的，如图1及图2所示。

第一N型半导体5背离所述第一金属导体7的一端与所述第二N型半导体8背离所述第二金属导体10的一端结合；第一P型半导体6背离所述第一金属导体7的一端与所述第二P型半导体9背离所述第二金属导体10的一端结合。

其中，第一N型半导体5与第二N型半导体8的结合可以是直接贴合，也可以是都贴合与同一个组件，以实现二者的结合。同理，第一P型半导体6与第二P型半导体9的的结合可以是直接贴合，也可以是都贴合与同一个组件，以实现二者的结合。

所述第一电极3及第二电极4用于连通电源，控制热量控制装置中所述第一金属导体7、所述第二金属导体10、所述第一N型半导体5、所述第一P型半导体6、所述第二N型半导体8、所述第二P型半导体9及所述第二金属导体10中的电流流向，以控制热量的流向。

当第一半导体设备1中的第一N型半导体5的数量、第一P型半导体6及第二半导体设备2中的第二N型半导体8的数量、第二P型半导体9的数量都相同时，即，每一金属导体上都对称分布有一个N型半导体及P型半导体时，第一电极3及第二电极4分布于同一半导体设备的两端，即，第一电极3及第二电极4同时分布于第一半导体设备1或同时分布于第二半导体设备2中。

热量控制装置的工作原理主要为珀尔帖效应，实验发现，通过两个不同导体组成回路时，除了产生不可逆的焦耳热之外，还会在不同的接头处分别出现吸热或放热现象，如果把电流反向，原本吸热的接头便会放热，而原本放热的接头便会吸热。

接下来将结合图3，以本申请实施例中一个热量控制装置为例介绍电流导通后热量的流向。

当以第一电极3为正极时，电流方向如图3中的带箭头虚线所示，由正极出发经过第一金属导体7流向第一P型半导体6，再流向第二P型半导体9，流过第二金属导体10，流向第二N型半导体8，流向第一N型半导体5，重复上述过程，最终流向为负极的第二电极4。由于在P型半导体中主要导电粒子为空穴，且流动方向与电流流动方向相同，由第一金属导体7流向第一P型半导体6，流向第二P型半导体9，再流向第二金属导体10。在此过程中，P型半导体中空穴的势能比金属导体中空穴的势能高，因此当空穴由第一金属导体7流向第一P型半导体6时必然会吸收能量，使第一金属导体7附近的温度降低，同理，当空穴由第二P型半导体9流向第二金属导体10时会使该第二金属导体10附近的温度升高。

由于在N型半导体中主要导电粒子为负电子，而N半导体中负电子的势能高于金属导体中的负电子的势能，因而，当负电子由第二N型半导体8流向第二金属导体10时，负电子的势能必然要降低，同时使第二金属导体10附近的温度升高。相反，当负电子由第一金属导体7流向第一N型半导体5时必然要增加势能，这部分势能只能从第一金属导体7中获得，而这必然使第一金属导体7的温度下降。基于此，热量控制装置实现热量控制的本质是由势能的变化而引起的能量传递。

从上述的技术方案可以看出，本申请提供的热量控制装置由第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极组成；所述第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；所述第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；而，金属导体、P型半导体及N型半导体实际上都是可以导电的，因而，第一半导体设备及第二半导体设备的组成都包含能够导电的金属导体、P型半导体及N型半导体；而所述第一半导体设备中每一第一金属导体的一端上对称分布有，一个第一N型半导体及一个第一P型半导体；所述第二半导体设备中每一第二金属导体的一端上对称分布有，一个第二N型半导体及一个第二P型半导体；如此，与第一金属导体结合的第一N型半导体及第一P型半导体形成PN结，与第二金属导体结合的第二N型半导体及第二P型半导体形成PN结，电子可以在与同一金属导体结合的N型半导体及P型半导体之间流通；所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；如此，由于N型半导体的相互结合及P型半导体的相互结合，使得电子可以在第一半导体设备及第二半导体设备之间流通；且所述第一电极及第二电极用于连通电源，控制热量控制装置中所述第一金属导体、所述第二金属导体、所述第一N型半导体、所述第一P型半导体、所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体中的电流流向，以控制热量的流向，如此，金属导体中存在电流时，电流可以流入N型半导体或P型半导体，N型半导体和P型半导体中存在电流时，电流也可以流入与该N型半导体结合的另一N型半导体，电流也可以流入与该P型半导体结合的另一P型半导体，热量控制装置的内部形成回路，而电流在第一半导体设备及第二半导体设备之间流通的时候，会放热或吸热，从而实现热量控制，且本申请的热量控制装置由N型半导体、P型半导体及金属导体、第一电极及第二电极组成，体积较小，能够实现对微小物体进行热量控制。

此外，本申请电流在上下两层的P型半导体及N型半导体之间流通的时候，会放热或吸热，即，本申请可以提高物体的温度，也可以降低物体的温度，使用场景十分广泛。

在本申请的一些实施例中，热量控制装置还包括：存在一个第一金属导体7的一端与第一N型半导体5结合及存在一个第二金属导体10的一端与第二N型半导体8结合；或者，存在一个第一金属导体7的一端与第一P型半导体6结合及存在一个第二金属导体10的一端与第二P型半导体9结合，如图2所示。

在此基础上，该第一金属导体及该第二金属导体相对分布于热量控制装置中；所述第一电极与所述第一金属导体电连接，所述第二电极与所述第二金属导体电连接，如图2所示。

从上述技术方案可以看出，本实施例中新增加了仅与一个半导体结合的金属导体于热量控制装置中，通过该新增加的金属导体，整个热量控制装置中的能够更好地吸热和放热，从而更好地完成热量控制，且本实施例中的热量控制装置所采用的制备工艺较为成熟。

在本申请的一些实施例中，所述第一半导体设备1中包含两个以上所述第一N型半导体5、所述第一P型半导体6及所述第一金属导体7，且所述第一N型半导体5、所述第一P型半导体6及所述第一金属导体7的数量相同；

所述第二半导体设备2中包含两个以上所述第二N型半导体8、所述第二P型半导体9及所述第二金属导体10，且所述第二N型半导体8、所述第二P型半导体9及所述第二金属导体10的数量相同。

且，各第一金属导体7等间隔分布于所述第一半导体设备1中；各第二金属导体10等间隔分布于所述第二半导体设备2中，如图1及图2所示。

需要说明的是，本申请中的热量控制装置的金属导体、N型半导体及P型半导体的数量可以根据实际需求、实际场景、实用性、便捷性及电源的大小等参考因素，进行确定。例如，可以根据需要升温或降温的物品的长度，确定第一半导体设备1及第二半导体设备2的长度，从而，确定金属导体、N型半导体及P型半导体的数量。

还需要说明的是，本申请中的各金属导体之间的间隔也是可以根据实际需求、实际场景、实用性、便捷性及半导体的大小等参考因素，进行确定。

从上述技术方案可以看出，本申请中的各金属导体之间的间隔及金属导体、N型半导体及P型半导体的数量，可以根据实际需要进行确定，不同的情况下，数量及间隔大小很可能不同，热量控制装置的组成结构更为灵活，更能适应广泛的、不同的需求。

在本申请的一些实施例中，考虑到为了在通电情况及未通电情况下，都能够保持第一半导体设备1及第二半导体设备2之间的温度差，本申请增加了绝热层。

而绝热层由导电绝热层11及绝缘绝热层12组成；第一半导体设备及所述第二半导体设备之间通过所述绝热层结合。

第一N型半导体5背离所述第一金属导体7的一端与导电绝热层11的一端结合，导电绝热层11的另一端与第二N型半导体8背离所述第二金属导体10的一端结合，以实现所述第一N型半导体5与所述第二N型半导体8的结合。

第一P型半导体6背离第一金属导体7的一端与所述导电绝热层11的一端结合，所述导电绝热层11的另一端与所述第二P型半导体9背离所述第二金属导体10的一端结合，以实现所述第一P型半导体6与所述第二P型半导体9的结合。

相邻两个导电绝热层11之间为绝缘绝热层12。

导电绝热层11的存在是为了保证在保持第一半导体设备1及第二半导体设备2之间温度差的情况下，电流能够在第一N型半导体5及第二N型半导体8之间流通、在第一P型半导体6及第二P型半导体9之间流通。

绝缘绝热层12的存在是为了在保持第一半导体设备1及第二半导体设备2之间温度差的情况下，电流仅在金属导体、N型半导体及P型半导体之间流通。

从上述技术方案可以看出，本实施例增加了一层绝热层，在通电情况及未通电情况下，都能够保持第一半导体设备1及第二半导体设备2之间的温度差，基于此，能够对需要升温或降温的物体进行一定程度上的保温。

在本申请的一些实施例中，考虑到需要升温或降温的物品可能是导体的，那么，在此基础上，可以增加一层绝缘层，以避免热量控制装置与该物品在进行热量交换时，空穴或负电子的移动对热量交换产生影响。

绝缘层包括第一绝缘层12及第二绝缘层13。

第一半导体设备1的组成中还包括第一绝缘层12，所述第一绝缘层12与所述第一金属导体7背离第一N型半导体5及第一P型半导体6的一端结合。

第二半导体设备2的组成中还包括第二绝缘层13，所述第二绝缘层13与所述第二金属导体10背离第二N型半导体8及第二P型半导体9的一端结合。

第一绝缘层12及第二绝缘层13为热量控制装置的外层结构，可以直接与需要进行热量控制的物品接触。

从上述技术方案可以看出，本实施例增加了第一绝缘层12及第二绝缘层13，通过第一绝缘层12及第二绝缘层13能够避免热量控制装置与该物品在进行热量交换时，空穴或负电子在该物品及热量控制装置中移动对热量交换产生不良影响。

在本申请的一些实施例中，还可以在绝缘层上安装红外温度计，即，在第一绝缘层12及第二绝缘层13上都装配上红外温度计，以实时监测待降温物体或待升温物体的温度。

从上述技术方案可以看出，本实施例增加了能够实时监测待降温物体或待升温物体温度的红外温度计，能够准确地将待降温物体或待升温物体的温度调整到符合需求的范围，进一步提高了热量控制装置的使用场景及实用性。

在本申请的一些实施例中，还在热量控制装置中增加了抗压支架15。

抗压支架15可以垂直于绝缘层，也可以直接与绝缘层相结合。

从上述技术方案可以看出，本申请通过在热量控制装置中增加抗压支架15，可以提高该热量控制装置的抗压性，从而提高该热量控制装置牢固性及使用寿命，而使用寿命的延长，进一步提高了热量控制装置的环保性。

在本申请的一些实施例中，还可以增加可控电压源或可控电流源，当在该热量控制装置中增加可控电压源或可控电流源后，使用该热量控制装置时，无需外加电源，直接控制可控电压源或可控电流源的开关即可。

所述可控电压源或可控电流源的正极和负极分别与所述第一电极及所述第二电极电连接，所述可控电压源或可控电流源用于为所述第一电极及所第二电极提供特定流向的电流，以控制热量控制装置中热量的流向。

其中，可控电压源及可控电流源中的正极及负极方向可以调整，且可控电压源或可控电流源的电流大小及电压大小也可以调整。

例如，图3其中一种热量控制装置的热量流向方式，图4为另一种热量控制装置的热量流向方式，图3及图4中的热量控制装置为同一热量控制装置，图3及图4的热量流向不同的原因仅仅是图3中的第一电极3与电源正极电连接及第二电极4与电源负极电连接，而图4中的第一电极3与电源负极电连接及第二电极4与电源正极电连接。

图3及图4中的工作原理相同。

从上述技术方案可以看出，本实施例增加了可控电压源或可控电流源，可以按需调整可控电压源或可控电流源的正极及负极，也可以调整其的电压大小或电流大小，以适应多种场景的需求。

在本申请的一些实施例中，考虑到实用性及经济性，第一金属导体7及第二金属导体10的材质可以为铜。

由上述的技术方案可以看出，本实施例进一步确定了第一金属导体7及第二金属导体10的材质为铜，能够节省构建热量控制装置的费用。

需要说明的是，本申请并不限制热量控制装置的形状，在本申请的一些实施例中，根据实际的使用需求，可以将热量控制装置构建为圆柱形及长方体等形状。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。本申请的各个实施例之间可以相互结合。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种热量控制装置，其特征在于，包括第一半导体设备、第二半导体设备、第一电极及第二电极；

所述第一半导体设备由第一N型半导体、第一P型半导体及第一金属导体组成；

所述第二半导体设备由第二N型半导体、第二P型半导体及第二金属导体组成；

所述第一半导体设备中每一第一金属导体的一端上对称分布有，一个第一N型半导体及一个第一P型半导体；

所述第二半导体设备中每一第二金属导体的一端上对称分布有，一个第二N型半导体及一个第二P型半导体；

所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；

所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合；

所述第一电极及第二电极用于连通电源，控制热量控制装置中所述第一金属导体、所述第二金属导体、所述第一N型半导体、所述第一P型半导体、所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体中的电流流向，以控制热量的流向。

2.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，还包括：

存在一个第一金属导体的一端与第一N型半导体结合及存在一个第二金属导体的一端与第二N型半导体结合；

或，

存在一个第一金属导体的一端与第一P型半导体结合及存在一个第二金属导体的一端与第二P型半导体结合。

3.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，所述第一半导体设备中包含两个以上所述第一N型半导体、所述第一P型半导体及所述第一金属导体，且所述第一N型半导体、所述第一P型半导体及所述第一金属导体的数量相同；

所述第二半导体设备中包含两个以上所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体，且所述第二N型半导体、所述第二P型半导体及所述第二金属导体的数量相同；

各对称分布有第一N型半导体及第一P型半导体的第一金属导体等间隔分布于所述第一半导体设备中；

各对称分布有第二N型半导体及第二P型半导体的第二金属导体等间隔分布于所述第二半导体设备中。

4.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，还包括绝热层；

所述绝热层由导电绝热层及绝缘绝热层组成；

所述第一半导体设备及所述第二半导体设备之间通过所述绝热层结合，其中，所述第一N型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述导电绝热层的一端结合，所述导电绝热层的另一端与所述第二N型半导体背离所述第二金属导体的一端结合，以实现所述第一N型半导体与所述第二N型半导体的结合，且，所述第一P型半导体背离所述第一金属导体的一端与所述导电绝热层的一端结合，所述导电绝热层的另一端与所述第二P型半导体背离所述第二金属导体的一端结合，以实现所述第一P型半导体与所述第二P型半导体的结合；

相邻两个导电绝热层之间为所述绝缘绝热层。

5.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，还包括绝缘层；

所述绝缘层包括第一绝缘层及第二绝缘层；

所述第一半导体设备的组成中还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述第一金属导体背离第一N型半导体及第一P型半导体的一端结合；

所述第二半导体设备的组成中还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述第二金属导体背离第二N型半导体及第二P型半导体的一端结合。

6.根据权利要求5所述的热量控制装置，其特征在于，还包括红外温度计；

所述红外温度计置于所述绝缘层上，用于监测待降温物体或待升温物体的温度。

7.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，还包括抗压支架；

所述热量控制装置上还结合有抗压支架，用于提高热量控制装置的抗压性及牢固性。

8.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，还包括可控电压源或可控电流源；

所述可控电压源或可控电流源的正极和负极分别与所述第一电极及所述第二电极电连接，所述可控电压源或可控电流源用于为所述第一电极及所第二电极提供特定流向的电流，以控制热量控制装置中热量的流向。

9.根据权利要求1所述的热量控制装置，其特征在于，所述第一金属导体及第二金属导体的材质为铜。

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