CN115128523A - 一种磁通量检测设备及检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁通量检测设备及检测方法，检测设备包括检测平台和带有霍尔探头的封装结构，所述检测平台包括支撑板和直角定位机构，所述直角定位机构包括两个弧形定位块，两个所述弧形定位块位于所述支撑板上靠近所述封装结构一端且沿X向按照并列设置，两个弧形定位块在远离所述封装结构的一侧均设有弧面，所述弧形定位块设置为当所述待测产品放置在所述支撑板上时通过所述待测产品的端面同时抵接在两个所述弧面上完成所述待测产品在Y向的定位，以使当所述封装结构在平行于所述待测产品的端面的平面上运动时所述霍尔探头对所述待测产品进行磁通量检测。本申请的检测设备能够有效保证产品的磁通量测量精度并且适用于多元化产品的磁通量检测。

Description

一种磁通量检测设备及检测方法

技术领域

本发明涉及检测设备技术领域，尤其涉及一种磁通量检测设备及检测方法。

背景技术

目前，越来越多的平板电脑、智能手环等电子产品采用磁吸式进行充电，即通过在电子产品内置的磁铁与充电设备完成磁性正负极对吸的方式达到接通充电效果。磁吸式充电不仅解决了充电效率慢的问题，更具有方便携带、美观和安全的优点。

而采用内置磁铁的方式进行充电的电子产品在出厂前需要对其磁铁的磁通量进行检测，通过测量磁通量完成对磁性产品的性能的直接检测，从而达到控制产品质量的目的。而现有技术中常见的磁通量检测设备用于在磁环等磁性工件的生产过程中，对其进行磁通量检测，而针对一些组装有磁性器件的电子产品没有专用的磁通量检测设备可以进行磁性性能的检测。

因此，需要提供一种可以适用于多元化产品检测并且有效保证产品测量精度的磁通量检测设备来解决上述技术问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种磁通量检测设备。解决了现有技术中磁通量检测设备多用于在磁环等磁性工件的生产过程中对其直接进行磁通量检测，缺少针对装配有磁性器件的电子产品的磁通量检测设备的技术问题。

本发明的技术效果通过如下实现的：

一种磁通量检测设备，包括检测平台和带有霍尔探头的封装结构，所述封装结构用于完成对所述霍尔探头的精定位封装，所述检测平台用于承载并固定带有磁性物体的待测产品，所述检测平台包括支撑板和直角定位机构，所述直角定位机构设于所述支撑板上，所述直角定位机构包括两个弧形定位块，两个所述弧形定位块位于所述支撑板上靠近所述封装结构一端且沿X向按照并列设置，两个弧形定位块在远离所述封装结构的一侧均设有弧面，所述弧形定位块设置为当所述待测产品放置在所述支撑板上时通过所述待测产品的端面同时抵接在两个所述弧面上完成所述待测产品在Y向的定位，以使当所述封装结构在平行于所述待测产品的端面的平面上运动时所述霍尔探头对所述待测产品进行磁通量检测。通过设置弧形定位块，使得当待测产品同时抵接于两个弧形定位块的弧面上，能够将待测产品稳定定位在检测平台上，从而实现待测产品的精定位。

进一步地，还包括移动调节机构和校准机构，所述校准机构包括固定座和标准磁铁，所述固定座靠近所述检测平台设置，所述标准磁铁设于所述固定座靠近所述封装结构的一侧的表面上，所述标准磁铁所在平面与所述待测产品抵接在两个所述弧面的接触线所在的平面平行，所述封装结构用于在所述移动调节机构的带动下在平行于所述标准磁铁的上表面的平面上运动测得所述标准磁铁的磁通量以校准所述霍尔探头在所述封装结构中的检测位置。通过设置校准机构，使得在装有霍尔探头的封装结构在对待测产品测试前，通过对标准机构的标准磁铁进行磁通量检测，从而根据获得标准磁铁的磁通量值判断霍尔探头是否准确转配于封装结构，以减少待测产品测试过程中的测量偏差。

进一步地，所述移动调节机构包括X向导轨、X轴移动机构、Y轴移动机构和Z轴移动机构，所述Y向移动机构Y向滑动连接于所述X轴移动机构，所述Z轴移动机构Z向滑动连接于所述Y向移动机构，所述X向导轨设于所述检测平台的后端，所述封装结构通过所述移动调节机构进行在X向、Y向和Z向上的调节并通过所述X轴移动机构在X向导轨上运动完成对所述标准磁铁的磁通量检测。

进一步地，所述检测平台在所述弧形定位块的相对位置上滑动连接有第一推夹，所述第一推夹在第一驱动机构的驱动下推动所述待测产品抵接在两个所述弧形定位块对应的弧面上。

进一步地，所述直角定位机构还包括两个移动定位块，两个所述移动定位块沿Y向设置且滑动连接于所述支撑板的侧端，所述直角定位机构用于根据所述待测产品的斜边角度控制对应的所述移动定位块在X向上运动，以调节两个所述移动定位块之间距离实现所述待测产品在X向上的定位。通过在设置在X向上可滑动的移动定位块，使得可以根据不同待测产品的在Y向不同位置上对应的宽度调节移动定位块至对应位置并完成固定，能够广泛应用在不同尺寸的电子产品的磁通量检测。

进一步地，所述检测平台在所述移动定位块的相对位置上滑动连接有第二推夹，所述第二推夹用于通过连接杆与第二驱动机构连接，所述第二推夹和所述连接杆一端滑动连接，所述连接杆另一端和所述第二驱动机构固定连接，所述连接杆上套设有压缩弹簧，所述压缩弹簧靠近所述第二推夹的一端与所述第二推夹固定连接，所述压缩弹簧远离所述第二推夹的一端抵接在所述第二驱动机构上，所述第二驱动机构用于在所述待测产品完成Y向上的定位后驱动所述第二推夹向前运动抵接在所述待测产品上压缩所述压缩弹簧以产生反方向的恢复力以减轻对所述待测产品的推力。通过在第二推夹连接的连接杆上套设有压缩弹簧，使得当待测产品通过第一推夹完成Y向上定位后，通过第二推夹进行X向定位的过程中能够缓慢且保持较轻的推力，以保证待测产品不会由于第二推夹的推力过大造成损坏。

进一步地，还包括真空发生器和至少两个吸盘，所述真空发生器设于所述支撑板下方，所述吸盘贯穿设于所述支撑板上，所述吸盘和所述真空发生器连通，所述吸盘用于当放置在所述吸盘上所述待测产品完成X向和Y向的定位后在所述真空发生器的作用下真空吸附在所述待测产品上。

进一步地，还包括定位圆盘，所述定位圆盘的数量和所述吸盘的数量保持一致，所述定位圆盘套设于所述吸盘外，所述定位圆盘设置为当所述吸盘真空吸附在所述待测产品上时所述待测产品的下表面抵接于所述定位圆盘上以完成所述待测产品在Z向上的定位。通过在吸盘的外侧设置定位圆盘，使得在吸盘完成对待测产品的真空吸附后，待测产品可以水平抵接在定位圆盘的端面上，实现待测产品在Z向上的精定位，避免吸盘之间形变不一致，导致待测产品无法水平放置的问题。

另外，还提供一种磁通量检测方法，所述方法基于上述的磁通量检测设备实现的，所述方法包括：

将带有霍尔探头的封装结构安装于移动调节机构上；

获取待测产品的磁通量数据；

根据所述待测产品的磁通量数据选取与其匹配的标准磁铁，并将其安装于固定座上；

控制移动调节机构沿X向导轨滑动以带动所述封装结构同步沿X向运动测得标准磁铁的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值，以当所述校正BZ值满足高斯测量BZ标准值时进行待测产品的磁通量检测过程；

当检测到待测产品放置在检测平台上后，控制直角定位装置对待测产品实现X向和Y向上的定位；

控制移动调节机构沿X向导轨滑动以带动所述封装结构同步沿X向运动测得待测产品的BX值、BY值和BZ值；

根据当前待测产品的BX值、BY值和BZ值确定待测产品中的产品物理中心；

根据所述产品物理中心标定移动调节机构的移动范围以控制封装结构的运动范围，以完成对后续的同一种待测产品的批量测试。通过在待测产品试测量的过程中寻找到产品物理中心，以确定待测产品的磁通量测量区域，从而对封装结构的移动范围进行精确控制，有效提高检测设备的检测效率。

进一步地，控制移动调节机构沿X向导轨滑动以带动所述封装结构同步沿X向运动测得标准磁铁的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足高斯测量BZ标准值，之后包括：

当所述校正BZ值不满足高斯测量BZ标准值时，获取校正BX值和校正BY值；

判断校正BX值和校正BY值是否满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值；

若是，则调节精度调节件，以实现校正BZ值满足高斯测量BZ标准值；

若否，则调节第三调节件和第四调节件，以实现校正BX值和校正BY值满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值，以再次测量BZ值来判断是否满足高斯测量BZ标准值。

如上所述，本发明具有如下有益效果：

1)通过在待测产品试测量的过程中寻找到产品物理中心，以确定待测产品的磁通量测量区域，从而对封装结构的移动范围进行精确控制，有效提高检测设备的检测效率。

2)通过设置弧形定位块，使得当待测产品同时抵接于两个弧形定位块的弧面上，能够将待测产品稳定定位在检测平台上，从而实现待测产品的精定位。

3)通过在第二推夹连接的连接杆上套设有压缩弹簧，使得当待测产品通过第一推夹完成Y向上定位后，通过第二推夹进行X向定位的过程中能够缓慢且保持较轻的推力，以保证待测产品不会由于第二推夹的推力过大造成损坏。

4)通过在吸盘的外侧设置定位圆盘，使得在吸盘完成对待测产品的真空吸附后，待测产品可以水平抵接在定位圆盘的端面上，实现待测产品在Z向上的精定位，避免吸盘之间形变不一致，导致待测产品无法水平放置的问题。

5)通过设置校准机构，使得在装有霍尔探头的封装结构在对待测产品测试前，通过对标准机构的标准磁铁进行磁通量检测，从而根据获得标准磁铁的磁通量值判断霍尔探头是否准确转配于封装结构，以减少待测产品测试过程中的测量偏差。

6)通过在设置在X向上可滑动的移动定位块，使得可以根据不同待测产品的在Y向不同位置上对应的宽度调节移动定位块至对应位置并完成固定，能够广泛应用在不同尺寸的电子产品的磁通量检测。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还能够根据这些附图获得其它附图。

图1为本说明书实施例提供的一种磁通量检测设备的结构示意图；

图2为本说明书实施例提供的检测平台的结构示意图；

图3为本说明书实施例提供的第二推夹的连接结构示意图；

图4为本说明书实施例提供的校准机构的结构示意图；

图5为本说明书实施例提供的移动调节机构的结构示意图；

图6为本说明书实施例提供的封装结构去除封装盖板的结构示意图；

图7为本说明书实施例提供的承载座和霍尔探头配合的结构示意图；

图8为本说明书实施例提供的底座和承载座配合的结构示意图；

图9为本说明书实施例提供的精度控制杆孔的结构示意图；

图10为本说明书实施例提供的底座的结构示意图；

图11为本说明书实施例提供的承载座的结构示意图；

图12为本说明书实施例提供的装配有霍尔探头的封装结构的整体结构示意图；

图13为本说明书实施例提供的一种霍尔探头的封装精度管控方法的流程图；

图14为本说明书实施例提供的一种磁通量检测方法的流程图。

其中，图中附图标记对应为：

底座1、凹槽101、缩进开孔102、旋出开孔103、精度控制部104、精度控制孔1041、基准控制部105、基准控制孔1051、承载座2、芯片托槽201、传输线托槽202、螺纹开槽203、固定槽204、芯片盖板3、凸台31、传输线盖板4、霍尔探头5、芯片探测部51、传输电缆52、封装盖板6、检测平台7、移动调节机构8、X向导轨81、X轴移动机构82、Y轴移动机构83、Z轴移动机构84、封装结构9、支撑板10、直角定位机构11、弧形定位块111、移动定位块112、校准机构12、固定座121、标准磁铁122、第一推夹13、第一驱动机构14、第二推夹15、连接杆16、压缩弹簧17、第二驱动机构18、真空发生器19、吸盘20、定位圆盘21。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

实施例1：

如图1-12所示，本说明书实施例提供了一种磁通量检测设备，包括检测平台7和带有霍尔探头5的封装结构9，封装结构9用于完成对霍尔探头5的精定位封装，检测平台7用于承载并固定带有磁性物体的待测产品，检测平台7包括支撑板10和直角定位机构11，直角定位机构11设于支撑板10上，直角定位机构11包括两个弧形定位块111，两个弧形定位块111位于支撑板10上靠近封装结构9一端且沿X向按照并列设置，两个弧形定位块111在远离封装结构9的一侧均设有弧面，弧形定位块111设置为当待测产品放置在支撑板10上时通过待测产品的端面同时抵接在两个弧面上完成待测产品在Y向的定位，以使当封装结构9在平行于待测产品的端面的平面上运动时霍尔探头5对待测产品进行磁通量检测。其中，支撑板10为水平方向放置，弧形定位块111在水平方向上的截面为圆弧形形状。本申请中的霍尔探头5用于对待测产品的端面进行磁通量检测，所述待测产品的端面指的是待测产品放置在支撑板10上时靠近封装机构9侧的端面，此端面与霍尔探头5的芯片探测部51的前端面平行。

具体地，本申请中的待测产品为通过磁吸进行充电的平板电脑，在平板电脑的端面抵接在两个弧形定位块111以固定在检测平台7上后，通过霍尔探头5在平板电脑的端面上移动，完成对平板电脑的端面的磁通量检测过程。

优选地，如图2所示，检测平台7在弧形定位块111的相对位置上滑动连接有第一推夹13，第一推夹13在第一驱动机构14的驱动下推动待测产品抵接在两个弧形定位块111对应的弧面上。

具体地，第一推夹13为两个，第一推夹13在第一驱动机构14的驱动下可以在Y向上运动，待测产品的宽度大于等于支撑板10的宽度，使得当放置待测产品在支撑板10上后，可以通过第一驱动机构14的驱动下使第一推夹13推动待测产品抵接在两个弧形定位块111对应的弧面上。

需要说明的是，如果使用平面定位块实现待测产品在Y向上的定位，在第一推夹13在推动待测产品抵接在平面定位块时，需要待测产品的端面与平面定位块的平面均匀平贴，才能够实现待测产品的定位，而待测产品放置在支撑板10上时，不能保证待测产品的端面与平面定位块的接触面所在平面完全平行，使得在推动待测产品的过程中，待测产品先抵接的位置容易受到刚性力造成损伤。

因此，本申请通过设置弧形定位块111，使得当待测产品在先后抵接于两个弧形定位块111的弧面上时，由于弧面设计，后抵接在第二个弧面上时，待测产品在先抵接的第一个弧面上可以发生角度的调整，以使待测产品先抵接的位置不会造成损伤，在完成同时抵接在两个弧面上时将待测产品稳定定位在检测平台7上，从而实现待测产品的精定位。

优选地，直角定位机构11还包括两个移动定位块112，两个移动定位块112沿Y向设置且滑动连接于支撑板10的侧端，直角定位机构11用于根据待测产品的斜边角度控制对应的移动定位块112在X向上运动，以调节两个移动定位块112之间距离实现待测产品在X向上的定位。

当待测产品的斜边角度不为直角时，即在图2所示的检测平台上放置的待测产品的左上角的角度不为90度时，可以根据不同待测产品的在Y向不同位置上对应的宽度调节移动定位块112至对应位置并完成固定，以使本申请的检测设备能够应用于不具有标准形状的电子产品的磁通量检测。

优选地，如图3所示，检测平台7在移动定位块112的相对位置上滑动连接有第二推夹15，第二推夹15用于通过连接杆16与第二驱动机构18连接，第二推夹15和连接杆16一端滑动连接，连接杆16另一端和第二驱动机构18固定连接，连接杆16上套设有压缩弹簧17，压缩弹簧17靠近第二推夹15的一端与第二推夹15固定连接，压缩弹簧17远离第二推夹15的一端抵接在第二驱动机构18上，第二驱动机构18用于在待测产品完成Y向上的定位后驱动第二推夹15向前运动抵接在待测产品上压缩压缩弹簧17以产生反方向的恢复力以减轻对待测产品的推力，保证待测产品不会由于第二推夹15的推力过大造成损坏。

优选地，如图2和图3所示，还包括第二驱动机构19和至少两个吸盘20，第二驱动机构19设于支撑板10下方，吸盘20贯穿设于支撑板10上，吸盘20和第二驱动机构19连通，吸盘20用于当放置在吸盘20上待测产品完成X向和Y向的定位后在第二驱动机构19的作用下真空吸附在待测产品上。

优选地，还包括定位圆盘21，定位圆盘21的数量和吸盘20的数量保持一致，定位圆盘21套设于吸盘20外，定位圆盘21设置为当吸盘20真空吸附在待测产品上时待测产品的下表面抵接于定位圆盘21上以完成待测产品在Z向上的定位。

具体地，如图3所示，吸盘20在初始状态时，凸出于定位圆盘21设置，在通过吸盘20使待测产品真空吸附在吸盘20且待测产品的下表面同时抵接与所有的定位圆盘21的上端面时，完成待测产品的定位。

优选地，如图4和图5所示，还包括移动调节机构8和校准机构12，校准机构12包括固定座121和标准磁铁122，固定座121靠近检测平台7设置，标准磁铁122设于固定座121靠近封装结构9的一侧的表面上，标准磁铁122所在平面与待测产品抵接在两个弧面的接触线所在的平面平行，封装结构9用于在移动调节机构8的带动下在平行于标准磁铁122的上表面的平面上运动测得标准磁铁122的磁通量以校准霍尔探头5在封装结构9中的检测位置。

优选地，移动调节机构8包括X向导轨81、X轴移动机构82、Y轴移动机构83和Z轴移动机构84，Y向移动机构Y向滑动连接于X轴移动机构82，Z轴移动机构84Z向滑动连接于Y向移动机构，X向导轨81设于检测平台7的后端，封装结构9通过移动调节机构8进行在X向、Y向和Z向上的调节并通过X轴移动机构82在X向导轨81上运动完成对标准磁铁122的磁通量检测。移动调节机构8通过控制装置实现封装结构9在X向、Y向和Z向的运动。

本实施例中，如图6-12所示，封装结构9用于对霍尔探头5进行封装精度管控，包括底座1、承载座2、芯片盖板3和传输线盖板4，底座1的轴向上设有凹槽101，承载座2设于凹槽101中，承载座2的轴向上设有芯片托槽201和传输线托槽202，芯片托槽201和传输线托槽202连通，芯片托槽201用于承载霍尔探头5的芯片探测部51，芯片托槽201的尺寸和芯片探测部51的尺寸匹配，传输线托槽202用于承载霍尔探头5的传输电缆52，芯片盖板3固定在位于芯片托槽201两侧的承载座2上以完成对芯片探测部51的固定，传输线盖板4固定在位于传输线托槽202两侧的承载座2上以完成对传输电缆52的固定，底座1的后端设有精度控制杆孔和设于精度控制杆孔内的精度调节件，精度调节件用于在精度控制杆孔轴向上运动带动承载座2在凹槽101轴向上运动以完成对霍尔探头5的精度定位。

具体地，如图7所示，霍尔探头5包括芯片探测部51和传输电缆52，芯片探测部51从芯片盖板3和芯片托槽201的前端暴露，芯片探测部51用于在平行于待测产品的端面的平面上沿X向上运动过程中来检测磁场的变化，从而判断待测产品的内置磁性材料的区域对应的产品物理中心的磁通量，完成对待测产品的磁通量检测过程。Y向为凹槽101的轴向，即传输电缆52的轴向，X向为水平方向上垂直于Y向的方向，Z向为垂直水平方向的方向。

传输电缆52从传输线盖板4和传输线托槽202的后端暴露，传输电缆52包括第一部分和第二部分，第一部分为直径较小的传输电缆，第二部分为直径较大的传输电缆，传输线托槽202包括两个柱状凹槽，分别与第一部分和第二部分尺寸匹配，第一部分的长度大于对应的柱状凹槽在轴向上的长度，芯片探测部51检测到的磁场变化数据通过传输电缆52传输至控制装置，控制装置经过对磁场变化数据的计算，得到待测产品的BX值、BY值和BZ值，从而判断当前待测产品的磁通量是否满足客户设定的产品标准。其中，BX值、BY值和BZ值分别为霍尔探头5在BX方向、BY方向和BZ方向上测得的磁通量值，即高斯测量值。其中，BX方向为本申请中的Z向，BY方向本申请中的X向，BZ方向为本申请中的Y向。

本实施例中，传输电缆52为带屏蔽层的铜制电缆，屏蔽层具有电磁屏蔽的功能。

需要说明的是，霍尔探头5为由芯片探测部51和传输电缆52完成一次封装的霍尔传感器，如果将外购的一次封装的霍尔传感器直接安装在检测设备对待测产品进行磁通量检测，由于外购的霍尔探头存在来料差异性，和将其直接组装到检测设备使用存在组装装配差异等问题，使得在霍尔探头5装配在磁通量检测设备上使用时芯片探测部51所在的检测位置的无法准确定位，因而无法保证产品的磁通量检测结果的一致性和可靠性，导致产品的磁通量测试结果不够准确。

因此，本申请通过设置底座1和承载座2搭配构成抽屉式封装结构9，完成对霍尔探头5的二次封装，使得将装配有霍尔探头5的封装结构9应用在磁通量检测设备上时，能够通过调整承载座2与底座1的相对位置，实现霍尔探头5中芯片探测部51所在检测位置的准确定位，保证存在来料差异性的霍尔探头5在检测设备上应用的一致性，从而有效保证检测设备测量结果的一致性，同时，组装调试过程操作简单。

具体地，本申请中霍尔探头5在通过封装结构9完成二次封装，并将封装结构9装配在磁通量检测设备的移动调节机构8上后，需要通过标准磁铁122进行磁通量检测完成对封装结构9的校正，即根据对标准磁铁122的磁通量测量结果，调节霍尔探头5在封装结构9中位置，来校正霍尔探头5存在的来料差异性和封装结构9装配在检测设备上的组装装配差异，以完成霍尔探头5在封装结构9中位置的精定位。

优选地，如图9所示，精度调节件包括第一调节件和第二调节件，精度控制杆孔包括缩进开孔102和旋出开孔103，缩进开孔102上设有螺纹，第一调节件与缩进开孔102螺纹连接后抵接于承载座2后端，第一调节件用于在缩进开孔102上螺旋缩进以推动承载座2向前运动；承载座2的后端在第二调节件的对应位置上设有螺纹开槽203，第二调节件穿过旋出开孔103后与螺纹开槽203螺纹连接且第二调节件的头部抵接在旋出开孔103周围的承载座2上，第二调节件用于在螺纹开槽203中螺旋进入以带动承载座2向后运动。

优选地，如图8所示，底座1的前端为精度控制部104，精度控制部104的宽度小于底座1的最大宽度，精度控制部104的侧面设有精度控制孔1041，精度控制孔1041上设有与其螺纹连接的第三调节件，第三调节件用于在精度控制孔1041上螺旋缩进推动承载座2在第一方向上运动以完成芯片探测部51在水平方向上的精度调整。

优选地，底座1上靠近精度控制部104的部分为基准控制部105，基准控制部105在精度控制孔1041所在的底座1的侧面的另一侧上设有至少两个基准控制孔1051，基准控制孔1051上设有与其螺纹连接的第四调节件，第四调节件用于在精度控制孔1041上螺旋缩进推动承载座2在第二方向上运动以完成芯片探测部51在水平方向上的基准定位。

具体地，第一调节件、第二调节件、第三调节件和第四调节件为螺钉。

本实施例中，封装结构9在磁通量检测设备的移动调节机构8的带动下，在平行于标准磁铁122表面的平面上运动，得到对标准磁铁122的磁通量测量结果，从而根据磁通量测量结果调整承载座2在底座1中的位置，以调整霍尔探头5的芯片探测部51在封装结构9中的位置，完成芯片探测部51所在检测位置的校正。

本实施例中，在对标准磁铁122进行磁通量测量来进行封装结构9的校正前，需要设定芯片探测部51中心与标准磁铁122表面之间的距离，所述距离优选为0.6mm，0.8mm和1mm。

需要说明的是，在芯片探测部51中心和磁场中心对准时，对标准磁铁122测得的BX值和BY值均等于零，BZ值为一个固定参数。在磁场中心的BX值和BY值和BZ值分别为固有BX值、固有BY值和固有BZ值，即可以获得的反映标准磁铁122自身磁性的技术参数。

而本申请通过移动调节机构8带动封装结构9在标准磁铁122表面上运动，去寻找标准磁铁122的磁场中心，当通过霍尔探头5检测到的标准磁铁122的校正BX值、校正BY值和校正BZ值分别在固有BX值±10GS、固有BY值±10GS和固有BZ±10GS范围内时，即判断为找到标准磁铁122的磁场中心，即完成芯片探测部51在X向、Y向和Z向上的校准。

其中，标准磁铁122为根据带有磁性材料的待测产品的磁通量技术参数选取的校正磁铁。本实施例中，选取的标准磁铁122固有BZ值为带有磁性材料的待测产品的标定BZ值±300GS。GS是高斯，为一个计量单位。

通过调整封装结构9实现对芯片探测部51校正的校正过程如下：

当控制装置通过霍尔探头5实时检测到的标准磁铁122对应的磁通量数据计算出标准磁铁122的校正BX值、校正BY值和校正BZ值，当找到一个坐标位置，即封装结构9位于此坐标位置时，校正BZ值满足对应的高斯测量标准值，判断校正BX值和校正BY值是否满足对应的高斯测量标准值，当校正BX值和校正BY值均满足对应的高斯测量标准值时，则判断为霍尔探头5在封装结构9中的BX方向和BY方向上的固定位置是准确的判断校正BX值和校正BY值是否满足对应的高斯测量标准值，当校正BX值和校正BY值均满足对应的高斯测量标准值时，则判断为霍尔探头5在封装结构9中的固定位置是准确的，不需调整对应的调节件；

当校正BX值与固有BX值的差值、校正BY值与固有BY值的差值均大于10时，则控制第四调节件在第一方向上从精度控制孔1041上旋出对应的距离，同时控制第三调节件在精度控制孔1041上螺旋缩进推动承载座2在第一方向上运动，以完成芯片探测部51在水平方向上的精度调整；

当校正BX值与固有BX值的差值、校正BY值与固有BY值的差值均小于-10时，则控制第三调节件在第二方向上从精度控制孔1041中旋出，同时控制第四调节件在精度控制孔1041上螺旋缩进推动承载座2在第二方向上运动以完成芯片探测部51在水平方向上的基准定位。其中，第一方向为图8中从左到右方向，第二方向为图8中从右到左方向。

当找到一个坐标位置，即封装结构9位于此坐标位置时，校正BX值和校正BY值同时满足对应的高斯测量标准值，则判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值，当校正BZ值满足对应的高斯测量标准值时，则判断为霍尔探头5在封装结构9中的固定位置是准确的，不需调整对应的调节件；

当校正BZ值不满足对应的高斯测量标准值时，则判断为霍尔探头5在封装结构9中的固定位置是不准确的，当校正BZ值与固有BZ值的差值大于10时，则控制第二调节件在螺纹开槽203中螺旋进入以带动承载座2向后运动；当校正BZ值与固有BZ值的差值小于-10时，则控制第一调节件在缩进开孔102上螺旋缩进以推动承载座2向前运动。

优选地，如图8所示，芯片托槽201上方设有固定槽204，固定槽204的宽度大于芯片托槽201，芯片盖板3设有凸台31，凸台31的高度和宽度分别与固定槽204的深度和宽度匹配。

具体地，传输线托槽202的宽度和传输电缆52的直径匹配，传输线托槽202的深度设置为大于传输电缆52的半径且小于传输电缆52的直径，传输线托槽202的截面为U形，传输线盖板4设有与传输光线52相对于传输线托槽202的凸出部分对应的开槽。

由于芯片探测部51对应的芯片托槽201的深度小于传输电缆52对应的传输线托槽202的深度，芯片盖板3在承载座2的固定位置和传输线盖板4在承载座2上的固定位置处于同一平面上，因此，在芯片托槽201上方设有固定槽204，固定槽204的宽度大于芯片托槽201，同时在芯片盖板3设有凸台31，当芯片盖板3固定在承载座2上时，芯片探测部51的上表面抵接在凸台31上，实现芯片探测部51在Z向上的定位。

优选地，如图12所示，还包括封装盖板6，封装盖板6通过与底座1固定连接以压合在芯片盖板3和传输线盖板4的交界处上方且完全覆盖芯片盖板3，以进一步保证芯片盖板3和传输线盖板4分别对应的固定位置之间保持水平，使霍尔探头5在X向的固定更加稳定。

需要说明的是，如果采用一体化盖板同时完成芯片探测部51和传输电缆52的固定，需要同时保证二者限位在对应的托槽中，当二者中任意一个发生翘起时，都会导致组装不便或强制组装后霍尔探头5的组装状态不够稳定的问题。

因此，通过在芯片探测部51上设置对应的芯片盖板3和在传输电缆52上设置对应的传输线盖板4分别完成芯片探测部51和传输电缆52的固定，在便于组装操作的同时，有效解决当传输线盖板和芯片盖板在对应的交界位置压合程度的不一致时导致芯片探测部存在Z向形变的问题，从而保证芯片探测部在Z向上的稳定性。

优选地，承载座2、芯片盖板3和封装盖板6为抗干扰材料制成，使得芯片探测部51在磁通量测量过程中，可以抗外部磁场环境干扰，有效提高磁通量检测结果的精确度。其中，抗干扰材料优选为玻纤材料。

另外，采用本申请中的对霍尔探头进行二次封装的方式可以应用在不同需求的磁通量测试场景中，即通过调整封装结构9的具体结构或调整封装结构9在检测设备上的安装角度，使得装配在封装结构9中的霍尔探头5可以在不同需求的测量方向上进行磁通量测试，从而提高霍尔探头5的适用性。

如图13所示，本说明书实施例还提供了一种霍尔探头的封装精度管控方法，方法基于如实施例1中的带有霍尔探头的封装结构9实现的，方法包括：

S101：将完成精加工的底座1固定在移动调节机构8的位于水平方向的安装板上的前端，以完成底座1在X向、Y向和Z向上的精定位；

具体地，通过千分表调整移动调节机构8上安装板的垂直度，以使装配在安装板上的底座能够保证安装后的垂直度。

S102：将霍尔探头5的芯片探测部51放置于芯片托槽201中，并将传输光线放置于传输线托槽202中且使传输电缆52沿其轴向从传输线托槽202的后端伸出；

S103：将承载霍尔探头5的承载座2放置在底座1的凹槽101中；

S104：将芯片盖板3固定在位于芯片托槽201两侧的承载座2上以完成对芯片探测部51的固定，并将传输线盖板4固定在位于传输线托槽202两侧的承载座2上以完成对传输电缆52的固定，以完成霍尔探头5在Z向和R向上的定位；

其中，R向为垂直于霍尔探头5轴向的径向。

S105：当校正BZ值不满足对应的高斯测量标准值，调整精度调节件完成承载座2在Y向上的精定位，以完成霍尔探头5的芯片探测部51在Y向上的精定位；

S106：当校正BX值、校正BY值不满足对应的高斯测量标准值，调整第三调节件和第四调节件完成承载座2在XZ平面上的精定位，以完成霍尔探头5的芯片探测部51在XZ平面上的精定位。

一种具体的实施方式中，步骤S105当校正BZ值不满足对应的高斯测量标准值，调整精度调节件完成承载座2在Y向上的精定位，以完成霍尔探头5的芯片探测部51在Y向上的精定位，之前包括：

获取芯片探测部51中心与标准磁铁122表面之间的校准距离；

根据所述校准距离控制移动调节机构8调整封装结构9在Y向上的位置，以使芯片探测部51中心与标准磁铁122表面所在平面之间距离为所述校准距离；

控制移动调节机构8带动封装结构9在X向上运动至标准磁铁122表面对应的区域；

控制移动调节机构8带动封装结构9在X向和Z向上运动，以找到满足BZ方向高斯测量标准值的校正BZ值或同时分别满足BX方向高斯测量标准值、BY方向高斯测量标准值的校正BX值和校正BY值；

当校正BZ值满足BZ方向高斯测量标准值时，判断校正BX值、校正BY值是否满足对应的高斯测量标准值；

若是，则完成芯片探测部51的精定位；

若否，则调整第三调节件和第四调节件使校正BX值、校正BY值满足对应的高斯测量标准值，以完成承载座2在XZ平面上的精定位；

具体地，若否，则执行步骤S106。

当校正BX值、校正BY值同时分别满足BX方向高斯测量标准值、BY方向高斯测量标准值时，判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值；

若是，则完成芯片探测部51的精定位；

若否，则调整精度调节件使校正BZ值满足对应的高斯测量标准值，以完成承载座2在Y向上的精定位。

具体地，若否，则执行步骤S105。

其中，调整第三调节件和第四调节件、调整精度调节件可以通过人工调整，也可以通过自动化实现调整。

本说明书实施例的控制装置包括霍尔探头校正模块，霍尔探头校正模块用于获取芯片探测部51中心与标准磁铁122表面之间的校准距离；根据所述校准距离控制移动调节机构8调整封装结构9在Y向上的位置，以使芯片探测部51中心与标准磁铁122表面所在平面之间距离为所述校准距离；控制移动调节机构8带动封装结构9在X向上运动至标准磁铁122表面对应的区域；控制移动调节机构8带动封装结构9在X向和Z向上运动，以找到满足BZ方向高斯测量标准值的校正BZ值或同时分别满足BX方向高斯测量标准值、BY方向高斯测量标准值的校正BX值和校正BY值；当校正BZ值满足BZ方向高斯测量标准值时，判断校正BX值、校正BY值是否满足对应的高斯测量标准值；若是，则完成芯片探测部51的精定位；若否，则调整第三调节件和第四调节件使校正BX值、校正BY值满足对应的高斯测量标准值，以完成承载座2在XZ平面上的精定位；当校正BX值、校正BY值同时分别满足BX方向高斯测量标准值、BY方向高斯测量标准值时，判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值；若是，则完成芯片探测部51的精定位；若否，则调整精度调节件使校正BZ值满足对应的高斯测量标准值，以完成承载座2在Y向上的精定位。通过霍尔探头校正模块测量标准磁铁122的校正BX值、校正BY值和校正BZ值，以根据校正BX值、校正BY值和校正BZ值控制移动调节机构8调整封装结构9的空间位置，以使校正BX值、校正BY值和校正BZ值同时满足对应的高斯测量标准值来完成芯片探测部51的精定位，以保证待测产品的磁通量测量结果的准确度。

如图14所示，本说明书实施例还提供一种磁通量检测方法，所述方法基于实施例1中的磁通量检测设备实现的，所述方法包括：

S201：将带有霍尔探头5的封装结构9安装于移动调节机构8上；

S202：获取待测产品的磁通量数据；

S203：根据所述待测产品的磁通量数据选取与其匹配的标准磁铁122，并将其安装于固定座121上；

具体地，磁通量数据为待测产品的标定技术参数，待测产品的标定技术参数为待测产品的磁通量标定值，即标定BX值、标定BY值和标定BZ值，标准磁铁122为根据带有磁性材料的待测产品的标定BZ值选取的校正磁铁。

本实施例中，选取的标准磁铁122固有BZ值为带有磁性材料的待测产品的标定BZ值±300GS。

S204：控制移动调节机构8沿X向导轨81滑动以带动所述封装结构9同步沿X向运动测得标准磁铁122的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值，以当所述校正BZ值满足高斯测量BZ标准值时进行待测产品的磁通量检测过程；

一种具体的实施方式中，步骤S204控制移动调节机构8沿X向导轨81滑动以带动所述封装结构9同步沿X向运动测得标准磁铁122的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足高斯测量BZ标准值，之后包括：

当所述校正BZ值不满足高斯测量BZ标准值时，获取校正BX值和校正BY值；

判断校正BX值和校正BY值是否满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值；

若是，则调节精度调节件，以实现校正BZ值满足高斯测量BZ标准值；

若否，则调节第三调节件和第四调节件，以实现校正BX值和校正BY值满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值，以再次测量BZ值来判断是否满足高斯测量BZ标准值。

S205：当检测到待测产品放置在检测平台7上后，控制直角定位装置对待测产品实现X向和Y向上的定位；

具体地，支撑板10上方固定设有激光传感器，所述激光传感器用于检测支撑板10上是否放置待测产品，当检测到待测产品时，发送在位信号至控制装置，以使控制装置控制直角定位装置进行定位过程。

一种具体的实施方式中，步骤S205当检测到待测产品放置在检测平台7上后，控制直角定位装置对待测产品实现X向和Y向上的定位，之前包括：

获取客户需求的待测产品的测量距离和待测产品的标定技术参数，所述标定技术参数包括标定BX值和标定BY值；

根据待测产品的测量距离控制移动调节机构8的Y轴移动机构83相对于X轴移动机构82沿Y向运动调整芯片探测部51在Y向的位置，以使芯片探测部51中心到待测产品端面的距离满足客户需求待测产品的测量距离；

根据标定BX值和标定BY值确定出芯片探测部51中心相对于待测产品端面的中心所在水平面的偏差，以得到芯片探测部51中心在Z向上的高度；

根据芯片探测部51中心在Z向上的高度控制移动调节机构8的Z轴移动机构84相对于Y轴移动机构83沿Z向运动调整封装结构98在Z向上的位置以调整芯片探测部51在Z向上的位置，以使待测产品在标定BX值和标定BY值条件下进行磁通量测量。

具体地，在待测产品的磁通量测量前，客户会提供待测产品的测量距离以及待测产品的标定技术参数，待测产品的标定技术参数为待测产品的磁通量标定值，即标定BX值、标定BY值和标定BZ值，其中，标定BX值和标定BY值相同。磁通量标定值为待测产品的磁通量理论值。

检测待测产品是为了检测待测产品中装配的磁性材料的磁性是否满足对应的标准。

其中，标定BX值、标定BY值与磁性材料在待测产品中Z向上位置有关。即磁性材料设置在待测产品中Z向上位置不同，客户提出的标定BX值、标定BY值不同。

S206：控制移动调节机构8沿X向导轨81滑动以带动所述封装结构9同步沿X向运动测得待测产品的BX值、BY值和BZ值；

S207：根据当前待测产品的BX值、BY值和BZ值确定待测产品中的产品物理中心；

理论上，芯片探测部51在移动过程中，移动到待测产品带有磁性材料的区域对应的一段距离时，即位于产品物理中心时，检测设备检测到的待测产品的BX值等于标定BX值，BY值等于标定BY值。

但由于封装结构9和移动调节机构8之间、移动调节机构8的X轴移动机构82、Y轴移动机构83和Z轴移动机构84之间的安装精度问题没办法保证芯片探测部51在移动过程中，检测到的待测产品的BX值等于标定BX值，BY值等于标定BY值。

因此，本申请中，根据实时检测的BX值和BY值，选取BX值与标定BX值的差值的绝对值小于等于10GS，且BY值与标定BY值的差值的绝对值小于等于10GS内的一段移动距离，当做此段距离对应为测产品中的产品物理中心。控制装置根据此段距离对应的坐标，设定移动调节机构8在X向上的移动范围，以便于后续的同一种待测产品的批量测试都在此X向上的移动范围上完成磁通量检测过程，有效节约检测时间。

S208：根据所述产品物理中心标定移动调节机构8的移动范围以控制封装结构9的运动范围，以完成对后续的同一种待测产品的批量测试，并输出磁通量检测数据和待测产品的检测结果。

本实施例中，待测产品的标定BZ值为700～2000GS，当待测产品测量得到的BZ值在标定BZ值±300GS范围内时，待测产品的磁通量检测结果为良品。

在一些其他的实施例中，也可以根据不同的待测产品设定对应的高斯偏差百分比，即当磁通量检测设备对待测产品测得BZ值与标定BZ值的差值的绝对值除以标定BZ值得到的百分比小于高斯偏差百分比时，则判断当前检测的待测产品为良品。

本说明书实施例的控制装置还包括待测产品磁通量检测模块，待测产品磁通量检测模块用于获取客户需求的待测产品的测量距离和待测产品的标定技术参数，所述标定技术参数包括标定BX值和标定BY值；根据待测产品的测量距离控制移动调节机构8的Y轴移动机构83相对于X轴移动机构82沿Y向运动调整芯片探测部51在Y向的位置，以使芯片探测部51中心到待测产品端面的距离满足客户需求待测产品的测量距离；根据标定BX值和标定BY值确定出芯片探测部51中心相对于待测产品端面的中心所在水平面的偏差，以得到芯片探测部51中心在Z向上的高度；根据芯片探测部51中心在Z向上的高度控制移动调节机构8的Z轴移动机构84相对于Y轴移动机构83沿Z向运动调整封装结构98在Z向上的位置以调整芯片探测部51在Z向上的位置，以使待测产品在标定BX值和标定BY值条件下进行磁通量测量；当检测到待测产品放置在检测平台7上后，控制直角定位装置对待测产品实现X向和Y向上的定位；控制移动调节机构8沿X向导轨81滑动以带动所述封装结构9同步沿X向运动测得待测产品的BX值、BY值和BZ值；根据当前待测产品的BX值、BY值和BZ值确定待测产品中的产品物理中心；根据所述产品物理中心标定移动调节机构8的移动范围以控制封装结构9的运动范围，以完成对后续的同一种待测产品的批量测试，并输出磁通量检测数据和待测产品的检测结果。

虽然本发明已经通过优选实施例进行了描述，然而本发明并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本发明范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。

在本文中，所涉及的前、后、上、下等方位词是以附图中零部件位于图中以及零部件相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。

在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征能够相互结合。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种磁通量检测设备，其特征在于，包括检测平台(7)和带有霍尔探头(5)的封装结构(9)，所述封装结构(9)用于完成对所述霍尔探头(5)的精定位封装，所述检测平台(7)用于承载并固定带有磁性物体的待测产品，所述检测平台(7)包括支撑板(10)和直角定位机构(11)，所述直角定位机构(11)设于所述支撑板(10)上，所述直角定位机构(11)包括两个弧形定位块(111)，两个所述弧形定位块(111)位于所述支撑板(10)上靠近所述封装结构(9)一端且沿X向按照并列设置，两个弧形定位块(111)在远离所述封装结构(9)的一侧均设有弧面，所述弧形定位块(111)设置为当所述待测产品放置在所述支撑板(10)上时通过所述待测产品的端面同时抵接在两个所述弧面上完成所述待测产品在Y向的定位，以使当所述封装结构(9)在平行于所述待测产品的端面的平面上运动时所述霍尔探头(5)对所述待测产品进行磁通量检测。

2.根据权利要求1所述的磁通量检测设备，其特征在于，还包括移动调节机构(8)和校准机构(12)，所述校准机构(12)包括固定座(121)和标准磁铁(122)，所述固定座(121)靠近所述检测平台(7)设置，所述标准磁铁(122)设于所述固定座(121)靠近所述封装结构(9)的一侧的表面上，所述标准磁铁(122)所在平面与所述待测产品抵接在两个所述弧面的接触线所在的平面平行，所述封装结构(9)用于在所述移动调节机构(8)的带动下在平行于所述标准磁铁(122)的上表面的平面上运动测得所述标准磁铁(122)的磁通量以校准所述霍尔探头(5)在所述封装结构(9)中的检测位置。

3.根据权利要求2所述的磁通量检测设备，其特征在于，所述移动调节机构(8)包括X向导轨(81)、X轴移动机构(82)、Y轴移动机构(83)和Z轴移动机构(84)，所述Y向移动机构Y向滑动连接于所述X轴移动机构(82)，所述Z轴移动机构(84)Z向滑动连接于所述Y向移动机构，所述X向导轨(81)设于所述检测平台(7)的后端，所述封装结构(9)通过所述移动调节机构(8)进行在X向、Y向和Z向上的调节并通过所述X轴移动机构(82)在X向导轨(81)上运动完成对所述标准磁铁(122)的磁通量检测。

4.根据权利要求1所述的磁通量检测设备，其特征在于，所述检测平台(7)在所述弧形定位块(111)的相对位置上滑动连接有第一推夹(13)，所述第一推夹(13)在第一驱动机构(14)的驱动下推动所述待测产品抵接在两个所述弧形定位块(111)对应的弧面上。

5.根据权利要求4所述的磁通量检测设备，其特征在于，所述直角定位机构(11)还包括两个移动定位块(112)，两个所述移动定位块(112)沿Y向设置且滑动连接于所述支撑板(10)的侧端，所述直角定位机构(11)用于根据所述待测产品的斜边角度控制对应的所述移动定位块(112)在X向上运动，以调节两个所述移动定位块(112)之间距离实现所述待测产品在X向上的定位。

6.根据权利要求5所述的磁通量检测设备，其特征在于，所述检测平台(7)在所述移动定位块(112)的相对位置上滑动连接有第二推夹(15)，所述第二推夹(15)用于通过连接杆(16)与第二驱动机构(18)连接，所述第二推夹(15)和所述连接杆(16)一端滑动连接，所述连接杆(16)另一端和所述第二驱动机构(18)固定连接，所述连接杆(16)上套设有压缩弹簧(17)，所述压缩弹簧(17)靠近所述第二推夹(15)的一端与所述第二推夹(15)固定连接，所述压缩弹簧(17)远离所述第二推夹(15)的一端抵接在所述第二驱动机构(18)上，所述第二驱动机构(18)用于在所述待测产品完成Y向上的定位后驱动所述第二推夹(15)向前运动抵接在所述待测产品上压缩所述压缩弹簧(17)以产生反方向的恢复力以减轻对所述待测产品的推力。

7.根据权利要求6所述的磁通量检测设备，其特征在于，还包括第二驱动机构(19)和至少两个吸盘(20)，所述第二驱动机构(19)设于所述支撑板(10)下方，所述吸盘(20)贯穿设于所述支撑板(10)上，所述吸盘(20)和所述第二驱动机构(19)连通，所述吸盘(20)用于当放置在所述吸盘(20)上所述待测产品完成X向和Y向的定位后在所述第二驱动机构(19)的作用下真空吸附在所述待测产品上。

8.根据权利要求7所述的磁通量检测设备，其特征在于，还包括定位圆盘(21)，所述定位圆盘(21)的数量和所述吸盘(20)的数量保持一致，所述定位圆盘(21)套设于所述吸盘(20)外，所述定位圆盘(21)设置为当所述吸盘(20)真空吸附在所述待测产品上时所述待测产品的下表面抵接于所述定位圆盘(21)上以完成所述待测产品在Z向上的定位。

9.一种磁通量检测方法，所述方法基于如权利1-8任一项所述的磁通量检测设备实现的，其特征在于，所述方法包括：

将带有霍尔探头(5)的封装结构(9)安装于移动调节机构(8)上；

获取待测产品的磁通量数据；

根据所述待测产品的磁通量数据选取与其匹配的标准磁铁(122)，并将其安装于固定座(121)上；

控制移动调节机构(8)沿X向导轨(81)滑动以带动所述封装结构(9)同步沿X向运动测得标准磁铁(122)的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足对应的高斯测量标准值，以当所述校正BZ值满足高斯测量BZ标准值时进行待测产品的磁通量检测过程；

当检测到待测产品放置在检测平台(7)上后，控制直角定位装置对待测产品实现X向和Y向上的定位；

控制移动调节机构(8)沿X向导轨(81)滑动以带动所述封装结构(9)同步沿X向运动测得待测产品的BX值、BY值和BZ值；

根据当前待测产品的BX值、BY值和BZ值确定待测产品中的产品物理中心；

根据所述产品物理中心标定移动调节机构(8)的移动范围以控制封装结构(9)的运动范围，以完成对后续的同一种待测产品的批量测试。

10.根据权利要求9所述的磁通量检测方法，所述封装结构(9)包括精度调节件、第三调节件和第四调节件，所述精度调节件用于完成霍尔探头(5)在Y向上的调整，所述第三调节件和所述第四调节件用于完成霍尔探头(5)在X向上的调整，其特征在于，控制移动调节机构(8)沿X向导轨(81)滑动以带动所述封装结构(9)同步沿X向运动测得标准磁铁(122)的校正BZ值并判断校正BZ值是否满足高斯测量BZ标准值，之后包括：

当所述校正BZ值不满足高斯测量BZ标准值时，获取校正BX值和校正BY值；

判断校正BX值和校正BY值是否满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值；

若是，则调节精度调节件，以实现校正BZ值满足高斯测量BZ标准值；

若否，则调节第三调节件和第四调节件，以实现校正BX值和校正BY值满足对应的高斯测量BX标准值和高斯测量BY标准值，以再次测量BZ值来判断是否满足高斯测量BZ标准值。

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