CN115125619B - 一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 - Google Patents
一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115125619B CN115125619B CN202210815561.1A CN202210815561A CN115125619B CN 115125619 B CN115125619 B CN 115125619B CN 202210815561 A CN202210815561 A CN 202210815561A CN 115125619 B CN115125619 B CN 115125619B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- epitaxial wafer
- cooling
- information
- purging
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 208
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 263
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 123
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 108
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 11
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质。
背景技术
在外延生长过程中需要对SiC外延设备进行加热，而在加热过程中会产生热应力，若热应力过大，会导致外延片翘曲变形，而导致热应力的其中一个主要原因是温场不均匀，因此在外延生长过程中需要保证外延片各部分温度的均匀性，在外延生长过程中，热应力主要产生于衬底加热以及外延片冷却两个过程中，现有技术中，大多为在衬底加热过程中防止产生热应力，而忽略了在外延片冷却时，同样存在外延片翘曲的风险。
现有技术中，在外延片冷却时，先向反应腔中通入大量氢气，冷却至900℃后，机械手抓取外延片至吹扫腔，然后向吹扫腔通入大量氩气进行吹扫，使外延片冷却至室温，而该方式无法实时监测外延片表面各处的温度及应力分布情况，容易使外延片各处温度不均匀而产生热应力从而导致外延片产生翘曲。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，旨在解决在冷却过程中外延片由于热应力较大而产生翘曲的问题。
第一方面，本申请提供了一种外延片的冷却系统，用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，外延片的冷却系统包括：
旋转装置，旋转装置上放置有外延片，旋转装置用于驱动外延片转动；
监测装置，设置在外延片上方，用于获得外延片的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置，用于向外延片吹出吹扫气体以冷却外延片；
控制器，控制器与旋转装置、监测装置和吹扫装置电性连接，控制器用于控制吹扫装置基于预设吹扫流量冷却外延片；
控制器还用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
控制器还用于根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域。
本申请通过监测装置获得外延片表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片发生翘曲，因此外延片上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却系统，外延片包括中部区域以及边缘区域，边缘区域由多个面积相等的局部边缘区域组成。
本申请中，吹扫气体从冷却室的一侧吹入，因此对外延片各处的冷却效果均不相同，为更准确地控制冷却时的吹扫流量，本申请将外延片划分为多个区域进行分别监测控制，提高外延片各处的冷却稳定性。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却系统，监测装置通过测量监测装置到外延片各处的最短距离以获得平面度信息，并通过激光感应获得外延片各处的温度以获得温度分布信息。
本申请通过监测装置对外延片的平面度和温度分布信息进行监测，从而获得外延片表面的翘曲情况，以及根据温度分布信息预测可能发生翘曲的区域。
本申请提供的外延片的冷却系统，通过监测装置获得外延片表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片发生翘曲，因此外延片上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
第二方面，本申请提供了一种外延片的冷却方法，应用于外延片的冷却系统，用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，外延片的冷却系统包括：
旋转装置，旋转装置上放置有外延片，旋转装置用于驱动外延片转动；
监测装置，设置在外延片上方，用于获得外延片的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置，用于向外延片吹出吹扫气体以冷却外延片；
外延片的冷却方法包括以下步骤：
控制吹扫装置基于预设吹扫流量冷却外延片；
根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域。
本申请通过监测装置获得外延片表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片发生翘曲，因此外延片上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却方法，平面度信息包括监测装置到外延片各处的最短距离信息，温度分布信息包括外延片各处的温度信息以及外延片的平均温度信息。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却方法，根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域的步骤具体为：
根据平面度信息获取监测装置到外延片上靠近吹扫装置的送气端的区域的最短距离信息，从而判断该区域是否存在冷却异常区域；
在最短距离信息小于预设的距离阈值信息时，调节吹扫装置降低吹扫流量。
本申请通过比较监测装置到外延片各处的最短距离以及预设的距离阈值信息，获得外延片的平面度信息，并可根据平面度信息得出外延片的翘曲区域，从而可针对翘曲区域进行处理，从而消除冷却异常区域。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却方法，根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域的步骤具体为：
获取外延片上靠近吹扫装置的送气端的区域的温度信息以及外延片的平均温度信息；
根据温度信息以及平均温度信息调节吹扫流量。
本申请通过监测外延片各处的温度，得到冷却异常区域，该区域包括已发生翘曲的区域，也包括未发生翘曲但有翘曲趋势的区域，可对外延片的各处进行翘曲预测。
可选地，本申请提出的一种外延片的冷却方法，根据温度信息以及平均温度信息调节吹扫流量的步骤具体为：
在温度信息与平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息时，调节吹扫装置增大吹扫流量；
在温度信息与平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息时，调节吹扫装置减小吹扫流量。
本申请提供的外延片的冷却方法，通过监测装置获得外延片表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片发生翘曲，因此外延片上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
第三方面，本申请提供的一种电子设备，包括处理器以及存储器，存储器存储有计算机可读取指令，当计算机可读取指令由处理器执行时，运行如上述第二方面提供的一种外延片的冷却方法中的步骤。
第四方面，本申请提供的一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，运行如上述第二方面提供的一种外延片的冷却方法中的步骤。
由上可知，本申请提供的一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，通过监测装置获得外延片表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片发生翘曲，因此外延片上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置的吹扫流量加大或减小，使外延片上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种外延片的冷却系统的结构示意图。
图2为本申请实施例提出的由监测装置向外延片投射激光得到的激光点阵图。
图3为本申请实施例提供的一种外延片的分区示意图。
图4为本申请实施例提供的一种外延片的冷却方法的步骤流程图。
图5为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
标号说明：1、监测装置；2、冷却室；3、吹扫装置；4、进风口；5、出风口；6、外延片；61、中部区域；62、边缘区域；7、旋转装置；8、控制器；91、处理器；92、存储器；93、通信总线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在一般情况下，在外延片的冷却过程中，向外延片6通入大量氩气进行吹扫，使外延片6降至室温，而在吹扫过程中由于外延片6上各处的温度分布不均匀，会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲。
在现有技术中，在外延工艺结束后需要对硅片进行冷却，使硅片冷却至室温，首先需要向反应腔中通入大量氢气，使硅片冷却至900℃，随后将硅片转移到冷却室2中，向冷却室2中通入大量氩气进行吹扫，直至硅片降至室温，而此种冷却方式无法实时监测外延片6表面的温度分布情况以及应力分布情况，若氩气的吹扫流量和吹扫范围不合适，将导致外延片6表面的温度分布不均匀，从而产生应力使外延片6发生翘曲。
第一方面，参照图1，图1为本申请实施例提供的一种外延片的冷却系统的结构示意图，图1所示的外延片的冷却系统，用于对冷却室2内的外延片6进行吹扫冷却，外延片的冷却系统包括：
旋转装置7，旋转装置7上放置有外延片6，旋转装置7用于驱动外延片6转动；
监测装置1，设置在外延片6上方，用于获得外延片6的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置3，用于向外延片6吹出吹扫气体以冷却外延片6；
控制器8，控制器8与旋转装置7、监测装置1和吹扫装置3电性连接，控制器8用于控制吹扫装置3基于预设吹扫流量冷却外延片6；
控制器8还用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片6的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片6产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
控制器8还用于根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域。
本申请实施例提出的外延片的冷却系统，通过监测装置1获得外延片6表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲，因此外延片6上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片6存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片6上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片6上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
具体地，平面度信息为判断外延片6上各区域是否为冷却异常区域的判断依据之一，具体地，平面度信息是指一个平面相对于理想平面具有凹凸高度的偏差信息，在本实施例中用于表示外延片上表面的形状误差，从而获得外延片6上的翘曲区域。
具体地，温度分布信息为判断外延片6上各区域是否为冷却异常区域的另一个判断依据，具体地，由于温度不平均会导致外延片6上产生热应力，从而使外延片6发生翘曲，因此通过判断外延片6上各处的温度可得到外延片6上的温度异常区域，具体地，温度异常区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在发生翘曲的风险，通过获得外延片上的温度异常区域可得到已发生翘曲的区域，也可得到可能将发生翘曲的区域，即温度分布信息具有预测翘曲是否发生的作用。具体地，旋转装置7包括旋转电机、旋转轴以及旋转托盘，在本实施例中，旋转装置7在冷却过程中持续转动，带动旋转轴以及旋转托盘持续转动，从而驱动旋转托盘上的外延片6转动，优选地，在本实施例中，外延片6的中轴线与旋转托盘的中轴线重合，外延片6可绕中轴线进行转动，使在外延片6转动过程中，外延片6边缘与吹扫装置3的送气端的最短距离相等，从而使吹扫装置3中吹出的吹扫气体均匀吹扫到外延片6上，以提高外延片6的冷却均匀性。
具体地，吹扫装置3设置在冷却室2外，在本实施例中，吹扫装置3设置在冷却室2侧面，在冷却室2一侧壁设置有进风口4，吹扫装置3的送气端通过进风口4向冷却室2内的外延片6吹入吹扫气体，在进风口4的对面设置有出风口5，用于排出冷却室2内的吹扫气体，通过将进风口4与出风口5相对设置，使吹扫气体对流从而可提高外延片6的冷却均匀性。
具体地，监测装置1设置在外延片6上方，为保证监测装置1能准确监测到外延片6各处的温度及平面度情况，优选地，监测装置1的监测范围需完全覆盖整个外延片6的上表面。在本实施例中，监测装置1为原位应力测量仪，通过非接触激光MOS技术对外延片6的温度分布信息以及平面度信息进行测量。
在本实施例中，监测装置1选用原位应力测量仪，原位应力测量仪通过采用非接触激光MOS技术，通过由监测装置1向外延片6投射的激光，可获得外延片6上的温度分布信息以及平面度信息，参照图2，图2为本申请实施例提出的由监测装置向外延片投射激光得到的激光点阵图。
在一些优选的实施方式中，参照图3，图3为本申请实施例提出的一种外延片的分区示意图，其中外延片6包括中部区域61以及边缘区域62，边缘区域62由多个面积相等的局部边缘区域组成。
具体的，外延片6的边缘区域62在转动至靠近进风口4处时距离吹扫装置3的距离较近，冷却效率较好，外延片6的边缘区域62在转动至远离进风口4处时距离吹扫装置3的距离较远，冷却效率较差，即外延片6的边缘区域62的降温效果不稳定，而由于外延片6在转动过程中，中部区域61与进风口4的距离变化较小，因此中部区域61的降温效率较稳定，因此在本实施例中，将外延片6分为中部区域61和边缘区域62，中部区域61的温度较均匀，边缘区域62在靠近送风口处降温效果好，远离送风口处的降温效果差，在对外延片6进行温度监测时，中部区域61的温度与外延片6的各处平均温度相近。
由于外延片6的中部区域61的温度降温较稳定，则在降温过程中，发生翘曲的区域一般在边缘区域62，因此将外延片6分为边缘区域62和中部区域61后，可以仅对边缘区域62的温度分布信息和平面度信息进行监测，从而简化对温度分布信息和平面度信息的测量以及计算，在本实施例中，需要实时监测外延片6的平面度信息和温度分布信息，较大的计算量可能导致实时监测数据的延迟，因此本实施例通过简化测量与计算，可有效降低实时监测的延迟，从而提高实时监测的精准度。
在一些优选的实施方式中，监测装置1通过测量监测装置1到外延片6各处的最短距离以获得平面度信息，并通过激光感应获得外延片6各处的温度以获得温度分布信息。
具体地，监测装置1通过向外延片6表面投下激光点阵，生成外延片6表面的温度分布成像图，以获得外延片6的温度分布信息；通过测量监测装置1到外延片6上表面各处的最短距离，并进行分析计算，得到外延片6的平面度信息，进而得出外延片6上的发生翘曲的区域，为后续消除翘曲区域做准备。
本申请提出的一种外延片的冷却系统，通过监测装置1获得外延片6表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲，因此外延片6上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片6存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片6上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片6上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
第二方面，参照图4，图4为本实施例提供的一种外延片的冷却方法的步骤流程图，图4所示的外延片的冷却方法，应用于外延片的冷却系统，用于对冷却室内的外延片6进行吹扫冷却，外延片的冷却系统包括：
旋转装置7，旋转装置7上放置有外延片6，旋转装置7用于驱动外延片6转动；
监测装置1，设置在外延片6上方，用于获得外延片6的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置3，用于向外延片6吹出吹扫气体以冷却外延片6；
外延片的冷却方法包括以下步骤：
S100、控制吹扫装置3基于预设吹扫流量冷却外延片6；
S200、根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片6的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片6产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
S300、根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域。
本申请提出的外延片的冷却方法，通过监测装置1获得外延片6表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲，因此外延片6上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片6存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片6上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片6上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
可选地，在一些实施例中，步骤S200可为根据平面度信息获取冷却异常区域，并通过步骤S300可根据平面度信息调节吹扫流量以消除冷却异常区域，在此实施例中，可监测到已发生翘曲的区域，并对已发生翘曲的区域进行吹扫流量的调整，从而消除翘曲区域。
在另一些实施例中，步骤S200可为根据温度分布信息获取冷却异常区域，并通过步骤S300可根据温度分布信息调节吹扫流量以消除冷却异常区域，在此实施例中，温度异常区域可能为已发生翘曲的区域，也可能为未发生翘曲但具有翘曲隐患的区域，此实施例可监测到已发生翘曲的区域，也可监测到可能会发生翘曲的区域，对翘曲进行预测，针对可能发生翘曲的区域进行提前处理，从而防止翘曲的发生，进一步提高外延片6的质量。
优选地，在本实施例中，步骤S200为根据平面度信息和温度分布信息获取外延片6的冷却异常区域，并通过步骤S300可根据平面度信息和温度分布信息调节吹扫流量以消除冷却异常区域，通过同时对两个参数进行监测提高监测的准确性，从而更进一步保证外延片6的稳定性。
在一些优选的实施方式中，平面度信息包括监测装置1到外延片6各处的最短距离信息，温度分布信息包括外延片6各处的温度信息以及外延片6的平均温度信息。
具体地，外延片6的平面度信息和温度分布信息均可通过监测装置1获得，通过向外延片6投射激光以测量监测装置1到外延片6上表面各处的最短距离，通过对监测装置1到外延片6上表面各处的最短距离信息进行分析可获得外延片6上表面的平面度信息；监测装置1通过向外延片6上表面投射的激光也可测量外延片6上表面各处的温度信息，并根据外延片6各处的温度信息算得外延片6的平均温度信息。
在一些优选的实施方式中，根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域的第一种实施方式的步骤具体为：
S310、根据平面度信息获取监测装置1到外延片6上靠近吹扫装置3的送气端的区域(该区域的范围可根据实际情况选取,比如是在边缘区域62中划取靠近送气端的一定范围,又或者是最靠近送气端的那个局部边缘区域)的最短距离信息，从而判断该区域是否存在冷却异常区域；
S311、在最短距离信息(实际上是监测装置1到对应区域上各点的最短距离的平均值)小于预设的距离阈值信息时，调节吹扫装置3降低吹扫流量。
具体地，平面度信息根据监测装置1到外延片6上表面的最短距离信息以及预设距离阈值信息获得，其中，预设距离阈值信息为监测装置1到外延片6上表面最短距离的最小值信息，当监测装置1到外延片6上表面最短距离信息小于预设距离阈值信息时，表示此时外延片6该处出现翘曲，即该处由于降温过快与外延片6的其他区域温差较大导致产生热应力，从而出现翘曲，因此为消除该处的翘曲，在翘曲处转动至靠近吹扫装置3的送气端时，吹扫装置3降低吹扫气体的吹扫流量，直到监测装置1到发生翘曲的区域的最短距离信息小于或等于预设距离阈值信息后，吹扫装置3对翘曲处恢复吹扫流量至降低前的吹扫流量。
具体地，在一些实施例中，会出现当发生翘曲的区域远离吹扫装置3的送气端时，翘曲未消除的情况，此时，吹扫装置3仍将恢复至降低前的吹扫流量，直到下一处发生翘曲的区域旋转至靠近吹扫装置3的送气端，再次降低吹扫流量，即同一个发生翘曲的区域可能需要旋转多圈后才会被消除，因此，本申请中吹扫装置3仅针对外延片6中靠近吹扫装置3的送气端处的区域，当外延片6中靠近吹扫装置3的送气端处的区域发生翘曲，便会控制吹扫装置3降低吹扫流量，当发生翘曲的区域远离吹扫装置3的送气端，吹扫装置3恢复至降低前的吹扫流量，循环上述步骤，直到外延片6上的所有发生翘曲的区域均消除翘曲。
具体地，在本实施例中，外延片6分为中部区域61和边缘区域62，并将边缘区域62平均分为多个面积相同的局部边缘区域，在本实施例中，监测装置1对各个局部边缘区域进行监测，在监测到一个或多个局部边缘区域中存在冷却异常区域时，判断该局部边缘区域是否转动至靠近吹扫装置3的送气端，若该局部边缘区域靠近吹扫装置3的送气端，则控制吹扫装置3调整吹扫流量，若该局部边缘区域不处于靠近吹扫装置3的送气端的区域，则吹扫装置3恢复至原来的吹扫流量进行吹扫。
在一些优选的实施方式中，根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域的第二种实施方式步骤具体为：
S320、获取外延片6上靠近吹扫装置3的送气端的区域的温度信息以及外延片6的平均温度信息；
S321、根据温度信息以及平均温度信息调节吹扫流量。
具体地，通过监测装置1向外延片6各处投射的激光可测得外延片6各处的温度信息，由于外延片6在吹扫过程中温度处于不断降低的状态，为准确测量外延片6的温度分布情况，需要实时监测外延片6的平均温度信息，将外延片6上靠近吹扫装置3的送气端的区域的温度信息(实际上是该区域内各点的温度的平均值)与平均温度信息进行实时对比，从而找出温度异常的区域，具体地，温度异常的区域可能为已经发生翘曲的区域，也可能未发生翘曲，而由于翘曲发生的主要原因之一就是温度不均匀产生热应力，因此即使温度异常的区域未发生翘曲，也会存在翘曲隐患，因此对存在翘曲隐患的区域也需要进行处理，使温度异常区域恢复至正常温度范围。
在一些优选的实施方式中，根据温度信息以及平均温度信息调节吹扫流量的步骤具体为：
在温度信息与平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息时，调节吹扫装置3增大吹扫流量；
在温度信息与平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息时，调节吹扫装置3减小吹扫流量。
具体地，在本实施例中，难以保证外延片6上各处的温度信息均相等，因此，需要预设温度偏差上限值和温度偏差下限值，具体地，温度偏差上限值与温度偏差下限值是相对于外延片6的平均温度信息进行设定，由于平均温度信息实时变化，因此正常温度范围也在实时变化，在本实施例中，在外延片6上该区域的温度信息与平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息，即外延片6该区域的温度异常高，则需要增大吹扫装置3的吹扫流量；在外延片6上该区域的温度信息与平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息，即外延片6该区域的温度异常低，则需要降低吹扫装置3的吹扫流量，直到温度异常区域的温度调整至正常范围内，此时该区域的翘曲隐患降低。
具体地，本实施根据温度分布信息以及平面度信息获取冷却异常区域时，由于当监测装置1到外延片6上表面最短距离信息小于预设距离阈值信息时，外延片6会发生翘曲，且冷却异常区域由于温度信息与平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息或温度信息与平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息均会导致外延片6发生翘曲，因此当根据温度分布信息以及平面度信息获取到发生翘曲的区域时，根据该翘曲区域的温度信息判断该吹扫流量的增大或减小。
具体地，在本实施例中，吹扫装置3只有在外延片6上的温度异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，吹扫装置3才会调整吹扫流量，而在吹扫过程中，存在当温度异常区域远离吹扫装置3的送气端时，温度异常未消除的情况，此时，吹扫装置3仍将恢复至调整前的吹扫流量，直到下一处温度异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端，吹扫装置3再次调整吹扫流量，循环上述步骤，直到外延片6上的边缘区域62的温度信息均在正常温度范围内，从而预防外延片6发生翘曲。
在本实施例中，旋转装置7的转速保持为60r/min，吹扫气体的初始吹扫流量为40slm，当监测到冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，吹扫气体的吹扫流量将增大或减小，具体地，若吹扫气体的吹扫流量调节幅度过大，容易导致外延片6上的局部区域温度变化较快，当冷却异常区域的异常数据恢复正常后该区域的温度变化仍保持变化趋势，从而无法使该区域的异常数据稳定保持在正常范围，可能会产生新的翘曲区域，因此，在本实施例中，吹扫流量的调节幅度为5slm，即当监测到冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，吹扫气体的吹扫流量将增大或减小5slm，具体地，当冷却异常区域已发生翘曲，则控制吹扫装置3降低吹扫流量至35slm，直到翘曲消除，则恢复吹扫流量至40slm；当冷却异常区域的温度信息与外延片6的平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息时，控制吹扫装置3增大吹扫流量至45slm，当冷却异常区域的温度信息与外延片6的平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息时，控制吹扫装置3降低吹扫流量至35slm，直到冷却异常区域的温度信息在合理温度范围中，则恢复吹扫流量至40slm。
可选地，在一些实施例中，吹扫流量的调节为突变式调节，即当监测到冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，吹扫气体的吹扫流量将突然从40slm变化为35slm或45slm，而此方式可能导致该处冷却异常区域的温度突变，从而影响翘曲的消除效果，甚至会产生新的翘曲，因此优选地，在本实施例中，吹扫流量的调节为缓慢变化式调节，通过对比异常参数与正常范围的差值大小，调节吹扫流量的大小，例如，当翘曲区域的温度信息超出正常温度范围5℃，则吹扫流量为45slm，在吹扫过程中该区域的温度信息与正常温度范围的差值逐渐减小，吹扫流量也逐渐从45slm降低至40slm，当该区域的温度降至正常温度范围时，吹扫流量恰好恢复至40slm，通过缓慢变化式调节方法使冷却异常区域在恢复正常时恰好吹扫流量恢复至40slm，从而保证外延片6各处均匀稳定，进一步降低翘曲发生的风险，从而提高外延片的质量。
本申请实施例提出的外延片的冷却方法，通过监测装置1获得外延片6表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲，因此外延片6上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片6存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片6上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片6上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
第三方面，参照图5，图5为本申请提供的一种电子设备，包括：处理器91和存储器92，处理器91和存储器92通过通信总线93和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器92存储有处理器91可执行的计算机程序，当电子设备运行时，处理器91执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一项可选的实现方式，以实现以下功能：控制吹扫装置3基于预设吹扫流量冷却外延片6；根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片6的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片6产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域。
第四方面，本申请提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器91执行时，执行上述实施例的任一项可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：控制吹扫装置3基于预设吹扫流量冷却外延片6；根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片6的冷却异常区域，冷却异常区域为外延片6产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置3的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置3的送气端时，调节吹扫装置3的吹扫流量以消除冷却异常区域。
由上可知，本申请提供的一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，通过监测装置1获得外延片6表面的平面度信息和/或温度分布信息，根据平面度信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域，由于外延片上的温度分布不均匀会产生热应力从而导致外延片6发生翘曲，因此外延片6上温度不均匀的区域可能已发生翘曲，也可能未发生翘曲但存在翘曲的风险，因此通过获得温度分布信息可获得外延片6上已发生翘曲的区域和未发生翘曲但存在翘曲风险的区域，上述已发生翘曲的区域以及由于温度分布不均匀导致外延片6存在翘曲风险的区域均为冷却异常区域，在外延片6上的冷却异常区域转动至靠近吹扫装置3的送气端时，根据平面度信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的翘曲消除，根据温度分布信息控制吹扫装置3的吹扫流量加大或减小，使外延片6上的温度信息分布均匀，降低冷却过程中产生的热应力，从而消除外延片6上的翘曲区域，并降低翘曲发生的风险。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种外延片的冷却系统，用于对冷却室（2）内的外延片（6）进行吹扫冷却，其特征在于，所述外延片的冷却系统包括：
旋转装置（7），所述旋转装置（7）上放置有外延片（6），所述旋转装置（7）用于驱动所述外延片（6）转动；
监测装置（1），设置在所述外延片（6）上方，用于获得所述外延片（6）的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置（3），用于向所述外延片（6）吹出吹扫气体以冷却所述外延片（6）；
控制器（8），所述控制器（8）与所述旋转装置（7）、所述监测装置（1）和所述吹扫装置（3）电性连接，所述控制器（8）用于控制所述吹扫装置（3）基于预设吹扫流量冷却所述外延片（6）；
所述控制器（8）还用于根据所述平面度信息和/或温度分布信息获取所述外延片（6）的冷却异常区域，所述冷却异常区域为所述外延片（6）产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
所述控制器（8）还用于根据所述平面度信息和/或所述温度分布信息判断所述冷却异常区域是否靠近所述吹扫装置（3）的送气端，并在所述冷却异常区域靠近所述吹扫装置（3）的送气端时，调节所述吹扫装置（3）的吹扫流量以消除所述冷却异常区域。
2.根据权利要求1所述的一种外延片的冷却系统，其特征在于，所述外延片（6）包括中部区域（61）以及边缘区域（62），所述边缘区域（62）由多个面积相等的局部边缘区域组成。
3.根据权利要求1所述的一种外延片的冷却系统，其特征在于，所述监测装置（1）通过测量所述监测装置（1）到所述外延片（6）各处的最短距离以获得所述平面度信息，并通过激光感应获得所述外延片（6）各处的温度以获得温度分布信息。
4.一种外延片的冷却方法，应用于外延片的冷却系统，用于对冷却室（2）内的外延片（6）进行吹扫冷却，其特征在于，所述外延片（6）的冷却系统包括：
旋转装置（7），所述旋转装置（7）上放置有外延片（6），所述旋转装置（7）用于驱动所述外延片（6）转动；
监测装置（1），设置在所述外延片（6）上方，用于获得所述外延片（6）的平面度信息和/或温度分布信息；
吹扫装置（3），用于向所述外延片（6）吹出吹扫气体以冷却所述外延片（6）；
所述外延片（6）的冷却方法包括以下步骤：
控制所述吹扫装置（3）基于预设吹扫流量冷却所述外延片（6）；
根据所述平面度信息和/或温度分布信息获取所述外延片（6）的冷却异常区域，所述冷却异常区域为所述外延片（6）产生翘曲和/或温度分布不均匀的区域；
根据所述平面度信息和/或所述温度分布信息判断所述冷却异常区域是否靠近所述吹扫装置（3）的送气端，并在所述冷却异常区域靠近所述吹扫装置（3）的送气端时，调节所述吹扫装置（3）的吹扫流量以消除所述冷却异常区域。
5.根据权利要求4所述的一种外延片的冷却方法，其特征在于，所述平面度信息包括所述监测装置（1）到所述外延片（6）各处的最短距离信息，所述温度分布信息包括所述外延片（6）各处的温度信息以及所述外延片（6）的平均温度信息。
6.根据权利要求5所述的一种外延片的冷却方法，其特征在于，所述根据所述平面度信息和/或所述温度分布信息判断所述冷却异常区域是否靠近所述吹扫装置（3）的送气端，并在所述冷却异常区域靠近所述吹扫装置（3）的送气端时，调节所述吹扫装置（3）的吹扫流量以消除所述冷却异常区域的步骤具体为：
根据所述平面度信息获取所述监测装置（1）到外延片（6）上靠近所述吹扫装置（3）送气端的区域的最短距离信息，从而判断该区域是否存在冷却异常区域；
在所述最短距离信息小于预设的距离阈值信息时，调节所述吹扫装置（3）降低所述吹扫流量。
7.根据权利要求5所述的一种外延片的冷却方法，其特征在于，所述根据所述平面度信息和/或所述温度分布信息判断所述冷却异常区域是否靠近所述吹扫装置（3）的送气端，并在所述冷却异常区域靠近所述吹扫装置（3）的送气端时，调节所述吹扫装置（3）的吹扫流量以消除所述冷却异常区域的步骤具体为：
获取所述外延片（6）上靠近所述吹扫装置（3）的送气端的区域的温度信息以及所述外延片（6）的平均温度信息；
根据所述温度信息以及所述平均温度信息调节所述吹扫流量。
8.根据权利要求7所述的一种外延片的冷却方法，其特征在于，所述根据所述温度信息以及所述平均温度信息调节所述吹扫流量的步骤具体为：
在所述温度信息与所述平均温度信息的差值大于或等于预设的温度偏差上限值信息时，调节所述吹扫装置（3）增大所述吹扫流量；
在所述温度信息与所述平均温度信息的差值小于或等于预设的温度偏差下限值信息时，调节所述吹扫装置（3）减小所述吹扫流量。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器（91）以及存储器（92），所述存储器（92）存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器（91）执行时，运行如权利要求4-8任一项所述方法中的步骤。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器（91）执行时运行如权利要求4-8任一项所述方法中的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210815561.1A CN115125619B (zh) | 2022-07-12 | 2022-07-12 | 一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210815561.1A CN115125619B (zh) | 2022-07-12 | 2022-07-12 | 一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115125619A CN115125619A (zh) | 2022-09-30 |
| CN115125619B true CN115125619B (zh) | 2023-07-04 |
Family
ID=83384801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210815561.1A Active CN115125619B (zh) | 2022-07-12 | 2022-07-12 | 一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115125619B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101906622A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 华晟光电设备(香港)有限公司 | 用于mocvd系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法 |
| CN108573902A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | 东京毅力科创株式会社 | 纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法 |
| CN110010730A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种减少外延片翘曲的led生长方法 |
| CN211879400U (zh) * | 2020-01-02 | 2020-11-06 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led外延片 |
| CN112230699A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-01-15 | 上海电气核电设备有限公司 | 一种蒸汽发生器支撑板边缘转角监控测量系统及方法 |
| CN113638043A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-12 | 季华实验室 | 外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN114481314A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-13 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种外延设备冷却系统和方法 |
| CN114540799A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 季华实验室 | 一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6671911B2 (ja) * | 2015-10-02 | 2020-03-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 位置ずれ検出装置、気相成長装置および位置ずれ検出方法 |
-
2022
- 2022-07-12 CN CN202210815561.1A patent/CN115125619B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101906622A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 华晟光电设备(香港)有限公司 | 用于mocvd系统中控制外延片温度及均匀性的装置与方法 |
| CN108573902A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | 东京毅力科创株式会社 | 纵式热处理装置和纵式热处理装置的运转方法 |
| CN110010730A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-07-12 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种减少外延片翘曲的led生长方法 |
| CN211879400U (zh) * | 2020-01-02 | 2020-11-06 | 江西乾照光电有限公司 | 一种led外延片 |
| CN112230699A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-01-15 | 上海电气核电设备有限公司 | 一种蒸汽发生器支撑板边缘转角监控测量系统及方法 |
| CN113638043A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-12 | 季华实验室 | 外延炉吹扫冷却系统、方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN114481314A (zh) * | 2022-01-28 | 2022-05-13 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种外延设备冷却系统和方法 |
| CN114540799A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 季华实验室 | 一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115125619A (zh) | 2022-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI389166B (zh) | 處理模組調諧 | |
| US20050095776A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing method and wafer stage | |
| US20200333766A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and control program | |
| US7444572B2 (en) | Built-in self test for a thermal processing system | |
| WO2007017981A1 (ja) | ウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置 | |
| US7165011B1 (en) | Built-in self test for a thermal processing system | |
| JP2005518654A (ja) | ウェハ特性の制御方法及びその制御システム | |
| WO2010059701A2 (en) | Temperature uniformity measurement during thermal processing | |
| CN104716064B (zh) | 确定衬底支撑组件的热稳定性的方法 | |
| US10892144B2 (en) | Plasma processing apparatus, monitoring method, and monitoring program | |
| CN115125619B (zh) | 一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质 | |
| US11996337B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
| TWI751019B (zh) | 磊晶晶圓的製造系統及磊晶晶圓的製造方法 | |
| US20220344180A1 (en) | Information processing system, temperature control method, and heat treatment apparatus | |
| US20220391562A1 (en) | Information processing apparatus, simulation method, and information processing system | |
| JP6986947B2 (ja) | 基板処理装置、温度制御方法及び温度制御プログラム | |
| JP2004072030A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3872304B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| US11774306B2 (en) | System and method for maintenance of rotation-lift assembly | |
| CN111092026A (zh) | 半导体扩散设备及其降温速率调节方法 | |
| TWI844846B (zh) | 單晶圓磊晶生長裝置之控制裝置以及控制方法、以及磊晶晶圓之製造系統 | |
| US10754319B1 (en) | Across-wafer profile control in semiconductor processes | |
| TW202300696A (zh) | 單晶圓磊晶生長裝置之控制裝置以及控制方法、以及磊晶晶圓之製造系統 | |
| JP2007099531A (ja) | 分子線源セルの制御システム、その制御方法および分子線エピタキシャル装置 | |
| KR20240021549A (ko) | 피드백 제어를 통한 반도체 웨이퍼 테스트 시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240301 Address after: Room 102, Building 20, No. 23 Gangkou Road, Guicheng Street, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province, 528200 Patentee after: Ji huahengyi (Foshan) semiconductor technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No.28 Huandao South Road, Guicheng Street, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province Patentee before: Ji Hua Laboratory Country or region before: China |