CN115117192A - 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 - Google Patents
一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115117192A CN115117192A CN202210780812.7A CN202210780812A CN115117192A CN 115117192 A CN115117192 A CN 115117192A CN 202210780812 A CN202210780812 A CN 202210780812A CN 115117192 A CN115117192 A CN 115117192A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- barrier layer
- memristor
- dimensional visual
- neuromorphic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 15
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 5
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 2
- 210000000225 synapse Anatomy 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/06—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
- G06N3/067—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons using optical means
- G06N3/0675—Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons using optical means using electro-optical, acousto-optical or opto-electronic means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/42—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically- coupled or feedback-coupled
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/54—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using elements simulating biological cells, e.g. neuron
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Neurology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Computational Linguistics (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法。该三维视觉神经形态忆阻器包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
Description
技术领域
本发明涉及属于半导体技术领域，具体涉及一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法，适合于高密度仿生视觉忆阻器件阵列的集成与应用。
背景技术
随着集成电路的发展，产业界对高密度集成的芯片需求日益增加。尽管器件的尺寸在不断微缩以实现高密度的集成，但小尺寸下器件面临的漏电流等问题限制了器件的性能和进一步微缩。开发新型结构的三维电子器件以提高芯片的空间利用率，是获得高密度集成的重要路径。
受到人脑高效存算模式的启发，神经形态忆阻器件逐渐得到重视与发展。利用电压的激励可以实现具有记忆效应的电阻状态的可控调节，模拟人脑中生物突触的权重更迭过程，对于信息的高效计算至关重要。这种高效的计算模式可以将计算结果直接原位保存，避免数据频繁地在存储单元与计算单元间移动，极大程度地提高了计算效率，降低了系统功耗。
虽然数据的存储与计算功能可以通过神经形态忆阻器在同一器件单元中完成，但是数据的采集仍然需要借助单独的传感器才可进行。来自传感器的信息往往也需要通过数模转换器等模块转换后才可传递至计算单元进行处理，这一过程同样需要耗费大量功耗、降低系统的效率。人眼视觉系统作为一种高效的多功能系统，可以帮助人类采集80％的外界环境信息，实现高效的数据采集与处理。受到视觉系统的启发，开发人工视觉神经形态器件对于提高系统的信息采集、处理与存储的集成化与高效化具有重要意义，已成为新的发展浪潮。
发明内容
本发明公开一种三维视觉神经形态忆阻器，包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器中，优选为，所述忆阻功能层为ZnO、NiO、Ta2O5、InO2、SnO2、HfO2、ZrO2、Al2O3之间任意两者的组合。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器中，优选为，所述第一电极为Ti，Pt，Ta，Ni，Al。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器中，优选为，所述下部阻挡层、所述上部阻挡层为SiO2，Al3O2，TiO2，Ta2O5。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器中，优选为，所述第二电极为ITO、AZO、FTO。
本发明还公开一种三维视觉神经形态忆阻器制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成下部阻挡层；在所述下部阻挡层上形成第一电极；在所述第一电极上形成上部阻挡层；对所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层进行刻蚀，使部分硅衬底表面露出形成凹槽结构；在上述器件结构上形成氧化物异质结作为忆阻功能层；在所述凹槽结构中形成透明电极作为第二电极，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器制备方法中，优选为，所述忆阻功能层为ZnO、NiO、Ta2O5、InO2、SnO2、HfO2、ZrO2、Al2O3之间任意两者的组合。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器制备方法中，优选为，所述第一电极为Ti，Pt，Ta，Ni，Al。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器制备方法中，优选为，所述下部阻挡层、所述上部阻挡层为SiO2，Al3O2，TiO2，Ta2O5。
本发明的三维视觉神经形态忆阻器制备方法中，优选为，所述第二电极为ITO、AZO、FTO。
有益效果：
(1)打破传统的平面型集成的器件结构，设计具有高效空间利用率的凹槽型三维器件结构，使得芯片的集成密度更高，节省芯片的面积，非常适合于神经形态计算芯片的高密度集成。而且光信号的集中度更高，更适合高灵敏、低成本的光感神经形态计算。
(2)采用神经形态忆阻器代替传统的存储与计算模块，借助神经形态器高效的类脑计算方式以及忆阻器的高速响应特点，节省了芯片的能耗，提高了芯片的计算效率，为高能效电子器件的发展提供了新的方向。
(3)利用氧化物异质结优异的光响应设计人工视网膜器件，通过构建人工视网膜的方式实现高效的光学信息采集、处理与计算，避免了信息在不同单元间的转换与传递，可以最大程度地提高效率，降低信息频繁移动带来的功耗，为人工视觉系统的构建奠定了重要基础。
附图说明
图1是三维视觉神经形态忆阻器制备方法的流程图。
图2～图7是三维视觉神经形态忆阻器制备方法各阶段的结构示意图。
图8是三维视觉神经形态忆阻器的截面图。
图9是三维视觉神经形态忆阻器的运行原理示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“垂直”“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
此外，在下文中描述了本发明的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本发明。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本发明。除非在下文中特别指出，器件中的各个部分可以由本领域的技术人员公知的材料构成，或者可以采用将来开发的具有类似功能的材料。
图1是三维视觉神经形态忆阻器制备方法的流程图。如图1所示，三维视觉神经形态忆阻器制备方法包括以下步骤：
在步骤S1中，准备低掺硅作为衬底100制备三维视觉神经形态忆阻器件。衬底还可以是SOI衬底、玻璃、SiC等。
在步骤S2中，利用物理气相沉积在衬底100上制备厚度为10nm～30nm的下部阻挡层SiO2101，如图2所示。阻挡层材料也可以是Al3O2，TiO2，Ta2O5等氧化物。
在步骤S3中，利用物理气相沉积在下部阻挡层101上制备厚度为10nm～50nm的第一电极102，如图3所示。第一电极材料优选为Ti，Pt，Ta，Ni，Al等。
在步骤S4中，利用物理气相沉积在第一电极102上制备厚度为10nm～30nm的上部阻挡层SiO2103，如图4所示。阻挡层的材料还可以是Al3O2，TiO2，Ta2O5等氧化物。
在步骤S5中，分别利用CF4、Ar、CF4作为刻蚀气体对部分上部阻挡层SiO2103、第一电极102和下部阻挡层SiO2101进行刻蚀，使衬底露出，获得凹槽结构，如图5所示。其中，刻蚀功率优选为500W，范围可取200W～550W；刻蚀气体流量优选为60sccm，范围可取40sccm～80sccm；刻蚀时间优选为5分钟，范围可取4分钟～10分钟。
在步骤S6中，利用原子层沉积方法在上述结构上生长10nm/10nm的ZnO/HfO2异质结作为具有光电响应的忆阻功能层104，如图6所示。ZnO薄膜厚度优选为10nm，范围可取5nm～20nm；HfO2薄膜厚度优选为10nm，范围可取5nm～20nm。异质结材料可以是ZnO、NiO、Ta2O5、InO2、SnO2、HfO2、ZrO2、Al2O3等之间任意两者的组合。
在步骤S7中，利用物理气相沉积在凹槽结构中的忆阻功能层104上沉积厚度为10nm～30nm的透明电极作为第二电极105，如图7所示。透明电极材料优选为ITO、AZO、FTO等具有导电特性的透明氧化物薄膜。
如图7～图9所示，三维视觉神经形态忆阻器包括：衬底100；下部阻挡层101，形成在衬底100上；第一电极102，形成在下部阻挡层101上；上部阻挡层102，形成在第一电极102上；凹槽结构，贯穿上部阻挡层103、第一电极102和下部阻挡层101，使部分硅衬底100表面露出；忆阻功能层104，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极105，其为透明电极，形成在凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
图9是三维视觉神经形态忆阻器的运行原理示意图。如图9所示，通过向器件施加连续的光学脉冲，可以改变器件的电流，从而实现光学信号的采集记录。借助器件的非易失性特性，记录到的电流信号可以被长时间存储在器件中，实现存储功能。同时，器件的电流在光脉冲的刺激下得到连续的调控，实现类似于人脑中神经突触的权重更迭过程，从而实现神经形态计算。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，
包括：
衬底；
下部阻挡层，形成在所述衬底上；
第一电极，形成在所述下部阻挡层上；
上部阻挡层，形成在所述第一电极上；
凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；
忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；
第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，
通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
2.根据权利要求1所述的三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，
所述忆阻功能层为ZnO、NiO、Ta2O5、InO2、SnO2、HfO2、ZrO2、Al2O3之间任意两者的组合。
3.根据权利要求1所述的三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，
所述第一电极为Ti，Pt，Ta，Ni，Al。
4.根据权利要求1所述的三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，
所述下部阻挡层、所述上部阻挡层为SiO2，Al3O2，TiO2，Ta2O5。
5.根据权利要求1所述的三维视觉神经形态忆阻器，其特征在于，
所述第二电极为ITO、AZO、FTO。
6.一种三维视觉神经形态忆阻器制备方法，其特征在于，
包括以下步骤：
在衬底上形成下部阻挡层；
在所述下部阻挡层上形成第一电极；
在所述第一电极上形成上部阻挡层；
对所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层进行刻蚀，使部分硅衬底表面露出形成凹槽结构；
在上述器件结构上形成氧化物异质结作为忆阻功能层；
在所述凹槽结构中形成透明电极作为第二电极，
通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
7.根据权利要求6所述的三维视觉神经形态忆阻器制备方法，其特征在于，
所述忆阻功能层为ZnO、NiO、Ta2O5、InO2、SnO2、HfO2、ZrO2、Al2O3之间任意两者的组合。
8.根据权利要求6所述的三维视觉神经形态忆阻器制备方法，其特征在于，
所述第一电极为Ti，Pt，Ta，Ni，Al。
9.根据权利要求6所述的三维视觉神经形态忆阻器制备方法，其特征在于，
所述下部阻挡层、所述上部阻挡层为SiO2，Al3O2，TiO2，Ta2O5。
10.根据权利要求6所述的三维视觉神经形态忆阻器制备方法，其特征在于，
所述第二电极为ITO、AZO、FTO。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210780812.7A CN115117192A (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210780812.7A CN115117192A (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115117192A true CN115117192A (zh) | 2022-09-27 |
Family
ID=83331277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210780812.7A Pending CN115117192A (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115117192A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120068598A (ko) * | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 한국전자통신연구원 | 멤리스터 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120097594A (ko) * | 2011-02-25 | 2012-09-05 | 연세대학교 산학협력단 | 독립적 메모리 셀 구조를 갖는 3차원 적층 메모리 형태의 저항 스위칭 메모리 제조 방법 및 그 3차원 적층 메모리 |
| US20160284992A1 (en) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
| US20170077182A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | The Regents Of The University Of California | Memristors and method for fabricating memristors |
| US20200028074A1 (en) * | 2018-06-01 | 2020-01-23 | Thomas DEFFERRIERE | Optoelectronic memristor devices |
| US20200227635A1 (en) * | 2017-09-26 | 2020-07-16 | University Of Massachusetts | Diffusive Memristor and Device for Synaptic Emulator |
| US20210057588A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Huazhong University Of Science & Technology | Memristor with two-dimensional (2d) material heterojunction and preparation method thereof |
-
2022
- 2022-07-04 CN CN202210780812.7A patent/CN115117192A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120068598A (ko) * | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 한국전자통신연구원 | 멤리스터 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120097594A (ko) * | 2011-02-25 | 2012-09-05 | 연세대학교 산학협력단 | 독립적 메모리 셀 구조를 갖는 3차원 적층 메모리 형태의 저항 스위칭 메모리 제조 방법 및 그 3차원 적층 메모리 |
| US20160284992A1 (en) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for fabricating the same |
| US20170077182A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | The Regents Of The University Of California | Memristors and method for fabricating memristors |
| US20200227635A1 (en) * | 2017-09-26 | 2020-07-16 | University Of Massachusetts | Diffusive Memristor and Device for Synaptic Emulator |
| US20200028074A1 (en) * | 2018-06-01 | 2020-01-23 | Thomas DEFFERRIERE | Optoelectronic memristor devices |
| US20210057588A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | Huazhong University Of Science & Technology | Memristor with two-dimensional (2d) material heterojunction and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Cao et al. | Memristor-based neural networks: a bridge from device to artificial intelligence | |
| CN111739935A (zh) | 无机突触晶体管结构与制造方法 | |
| CN109148683A (zh) | 一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器 | |
| CN104795493A (zh) | 一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 | |
| CN117423746A (zh) | 一种光电调控神经突触晶体管及其制备方法 | |
| CN110416312A (zh) | 一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法 | |
| Zhang et al. | Towards an universal artificial synapse using MXene-PZT based ferroelectric memristor | |
| CN106981568A (zh) | 一种具有生物突触模拟功能的柔性忆阻器及其制备方法 | |
| CN115768248A (zh) | 氧化铪基铁电ftj忆阻器及其制备方法、芯片 | |
| CN111640865A (zh) | 一种适用于神经形态计算的人工突触器件 | |
| Ye et al. | Neurosynaptic-like behavior of Ce-doped BaTiO3 ferroelectric thin film diodes for visual recognition applications | |
| CN114464732A (zh) | 一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法 | |
| Rao et al. | Flexible memristor-based nanoelectronic devices for wearable applications: a review | |
| Tian et al. | Hf0. 5Zr0. 5O2‐based ferroelectric bionic electronic synapse device with highly symmetrical and linearity weight modification | |
| CN115117192A (zh) | 一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法 | |
| CN113113536A (zh) | 一种透明多值非易失阻变存储单元及其制备方法 | |
| Jetty et al. | α-Fe2O3-based artificial synaptic RRAM device for pattern recognition using artificial neural networks | |
| WO2023202054A1 (zh) | 一种基于叠层结构的氧化石墨烯忆阻器及其制备方法 | |
| CN102709472B (zh) | 全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用 | |
| CN109585650A (zh) | 一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法 | |
| Lu et al. | Fully light modulated self-powered optoelectronic memristor for neuromorphic computing | |
| Lian et al. | Applications of MXene-based memristors in neuromorphic intelligence applications | |
| CN101969100A (zh) | 一种非易失性阻变存储器及其制备方法 | |
| CN110289350A (zh) | 一种基于金属卟啉异质结忆阻器及其制备方法和应用 | |
| Chen et al. | Emerging devices for sensing-memory-computing applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |