CN115113348A - 一种硅光器件及其制备方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 99
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 8
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Abstract
本发明提供一种硅光器件及其制备方法，其中，硅光器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的器件层，所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。所述硅光器件可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅光器件及其制备方法。
背景技术
在现有的光互连方案中，基于互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制程的硅光子技术以其在材料、尺寸、工艺制程等方面的优势，成为最有前景的一种光互连技术。
对于硅光器件的光耦合结构，由于边缘耦合器有尺寸小、结构紧凑、光插损小，对准容差小的优势，越来越多人将边缘耦合结构应用于硅光光芯片(PIC)中。边缘耦合器针对光波导层传输损耗大的问题，一般采用挖空一部分半导体衬底层的方式，即悬臂梁结构来降低传输损耗。而将带有悬臂梁结构的PIC应用于2.5D、3D光电异质集成系统中，就需要通过后CMOS工艺在硅光器件上开发和制造RDL、微凸点以及TSV等结构，介入的介质会造成悬臂梁污染、波导可靠性不够发生断裂等问题。现有解决方案是先制作互连结构再制造悬臂梁结构，但是该种制造方案会增加后CMOS工艺大的制造难度，悬臂梁结构会存在污染且悬臂梁结构的可靠性不够容易发生断裂等问题。
因此，现有的硅光器件仍有待改进。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中硅光器件无法兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高的缺陷，从而提供一种硅光器件及其制备方法。
本发明提供一种硅光器件，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的器件层，所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。
可选的，所述第一绝缘层的折射率与所述折射率匹配层的折射率之差为0－0.4。
可选的，所述折射率匹配层的材料包括：环氧树脂或者丙烯酸盐。
可选的，所述器件层还包括第一器件区、第二器件区和第三器件区，所述第一器件区和所述第三器件区设置在所述第二器件区的两端，所述耦合结构与所述第二器件区连接且位于所述第一器件区和所述第三器件区之间；所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口位于所述第一器件区和所述耦合结构之间，所述第二子开口位于所述耦合结构和所述第三器件区之间，自所述耦合结构背离第二器件区的一侧至朝向第二器件区的一侧的方向上，所述耦合结构的宽度逐渐递增。
可选的，还包括：位于所述器件层背向所述半导体衬底层一侧表面的第一重布线结构；位于所述半导体衬底层背向所述器件层一侧的第二重布线结构；贯穿所述器件层和所述半导体衬底层且位于所述第一凹槽侧部的导电连接柱，所述导电连接柱与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构连接。
可选的，所述器件层包括：位于半导体衬底层上的绝缘膜，位于部分所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的半导体器件层，位于所述半导体器件层和所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的包层；所述第一开口包围的绝缘膜、半导体器件层和包层构成所述耦合结构，所述第一开口包围的半导体器件层构成耦合结构中的光波导层，所述第一开口包围的绝缘膜构成耦合结构中的第一绝缘层。
本发明还提供一种硅光器件的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成器件层；在所述器件层中形成贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；在所述第一开口和耦合结构底部的半导体衬底层中形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；在所述第一凹槽和第一开口中形成折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。
可选的，还包括：形成所述折射率匹配层之后，在所述器件层和所述半导体衬底层中形成位于所述第一凹槽侧部的导电连接柱；在所述器件层背离背向所述半导体衬底层一侧形成第一重布线结构；在所述半导体衬底层背离所述器件层的一侧形成第二重布线结构，所述导电连接柱与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构连接。
可选的，还包括：在所述第一重布线结构背离所述器件层的一侧表面形成第一微凸点；在所述第二重布线结构背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二微凸点。
可选的，还包括：提供临时载板；形成所述第一微凸点之后，且在形成第二重布线结构之前，使所述第一重布线结构和所述第一微凸点与临时载板键合在一起；形成所述第二微凸点之后，去除所述临时载板。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明提供的硅光器件，所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层。由于所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率，所述折射率匹配层可以避免光场泄露到所述半导体衬底层中，避免造成较大的能量损失，因此所述折射率匹配层可以限制光场，减小所述边缘耦合器的耦合损耗。其次，所述折射率匹配层位于所述耦合结构周围的所述第一开口中和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中的第一凹槽中，因此，所述折射率匹配层对所述耦合结构起到一定的支撑作用，所述折射率匹配层也可以避免所述耦合结构被污染，进一步提高了所述耦合结构的可靠性。综上，所述硅光器件可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的硅光器件的结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的器件层的俯视图；
图3为本发明一实施例提供的硅光器件的制备方法的流程图；
图4－图10为本发明一实施例提供的硅光器件的制备过程的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种硅光器件，结合参考图1和图2，包括：
半导体衬底层1；
位于所述半导体衬底层1上的器件层2，所述器件层2中具有贯穿所述器件层2的第一开口，所述第一开口包围的器件层2的区域为耦合结构L，所述耦合结构L中具有光波导层L1和第一绝缘层L2，所述第一绝缘层L2位于所述光波导层L1和所述半导体衬底层1之间；
所述第一开口和所述耦合结构L的底部的半导体衬底层1中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；
位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层A，所述折射率匹配层A的折射率小于所述第一绝缘层L2的折射率。
本实施例中，由于所述折射率匹配层A的折射率小于所述第一绝缘层L2的折射率，所述折射率匹配层A可以避免光场泄露到所述半导体衬底层1中，避免造成较大的能量损失，因此所述折射率匹配层A可以限制光场，减小所述边缘耦合器的耦合损耗。其次，所述折射率匹配层A位于所述耦合结构周围的所述第一开口中和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中的第一凹槽中，因此，所述折射率匹配层A对所述耦合结构L起到一定的支撑作用，所述折射率匹配层A也可以避免所述耦合结构L被污染，进一步提高了所述耦合结构的可靠性。综上，所述悬臂梁边缘耦合器可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。
在一个实施例中，所述半导体衬底层1的材料包括硅。在一个实施例中，所述第一绝缘层的折射率与所述折射率匹配层的折射率之差为0－0.4，例如0.2，所述第一绝缘层的折射率与所述折射率匹配层的折射率之差在这个范围内，所述折射率匹配层可以更好的避免光场泄露到所述半导体衬底层中，避免造成较大的能量损失，减小所述边缘耦合器的耦合损耗。
在一个实施例中，所述折射率匹配层A的材料包括：环氧树脂或者丙烯酸盐；在其他实施例中，所述折射率匹配层的材料还可以包括其他折射率小于所述第一绝缘层L2的折射率的材料。
本实施例中，所述第一绝缘层L2的材料包括二氧化硅，因此所述折射率匹配层的材料可以是折射率小于二氧化硅的折射率的材料。
在一个实施例中，参考图2，所述器件层2还包括第一器件区21、第二器件区22和第三器件区23，所述第一器件区21和所述第三器件区23设置在所述第二器件区22的两端，所述耦合结构L与所述第二器件区22连接且位于所述第一器件区21和所述第三器件区23之间；所述第一开口包括第一子开口K1和第二子开口K2，所述第一子开口K1位于所述第一器件区21和所述耦合结构L之间，所述第二子开口K2位于所述耦合结构L和所述第三器件区23之间，自所述耦合结构L背离第二器件区22的一侧至朝向第二器件区22的一侧的方向上，所述耦合结构L的宽度逐渐递增。光纤与所述耦合结构L背向所述第二器件区22一侧的端面实现光源输入，所述耦合结构L的宽度逐渐递增这样有利于扩大光斑。
在一个实施例中，所述第一凹槽包括：第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽和所述第一子开口K1连通，所述第二子凹槽和所述第二子开口K2连通，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽连通，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽之间的界面至所述半导体衬底层底面的距离大于所述第一子凹槽底部至所述半导体衬底层底面的距离，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽之间的界面至所述半导体衬底层底面的距离大于所述第二子凹槽底部至所述半导体衬底层底面的距离。
在一个实施例中，所述器件层2包括：位于半导体衬底层1上的绝缘膜，位于部分所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的半导体器件层，位于所述半导体器件层和所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的包层；所述第一开口包围的绝缘膜、半导体器件层和包层构成所述耦合结构L，所述第一开口包围的半导体器件层构成耦合结构L中的光波导层L1，所述第一开口包围的绝缘膜构成耦合结构中的第一绝缘层L2。所述第一开口包围的包层构成耦合结构中的第二绝缘层，所述第二绝缘层还包覆了所述光波导层朝向所述第一子开口K1的侧壁和所述光波导层朝向所述第二子开口K2的侧壁。
在一个实施例中，所述悬臂梁边缘耦合器还包括：还包括：位于所述器件层2背向所述半导体衬底层1一侧表面的第一重布线结构4；位于所述半导体衬底层1背向所述器件层2一侧的第二重布线结构5；贯穿所述器件层2和所述半导体衬底层1且位于所述第一凹槽侧部的导电连接柱3，所述导电连接柱3与所述第一重布线结构4和所述第二重布线结构5连接。
在一个实施例中，所述第一重布线结构4包括第一布线层41和第一隔离层42，所述导电连接柱3的一端与所述第一布线层41连接。
在一个实施例中，所述第二重布线结构5包括第二布线层51和第二隔离层52，所述导电连接柱3的另一端与所述第二布线层51连接。
在一个实施例中，所述导电连接柱3与所述器件层2之间以及所述导电连接柱3与所述半导体衬底层1之间还有阻挡层301，所述阻挡层301使所述导电连接柱3与所述器件层2之间以及所述导电连接柱3与所述半导体衬底层1之间实现绝缘。所述导电连接柱3和所述阻挡层301之间还有第一种子层。
在一个实施例中，所述第一重布线结构4背离所述器件层2的一侧有第一微凸点61；所述第二重布线结构5背离所述半导体衬底层1的一侧有第第二微凸点62。
在一个实施例中，所述第一微凸点61与所述第一重布线结构4之间还有第二种子层和第一金属过渡层，所述第二种子层位于所述第一微凸点61和所述第一金属过渡层之间，所述第一金属过渡层位于所述第一重布线结构4背向所述器件层2的一侧表面。所述第一金属过渡层可以避免所述第一微凸点61上的金属发生扩散。
在一个实施例中，所述第二微凸点62与所述第二重布线结构5之间还有第三种子层和第二金属过渡层，所述第三种子层位于所述第二微凸点62和所述第二金属过渡层之间，所述第二金属过渡层位于所述第二重布线结构5背向所述半导体衬底层1的一侧表面。所述第二金属过渡层可以避免所述第二微凸点62上的金属发生扩散。
现有技术的硅光器件中没有第一凹槽和第一开口时，硅光器件耦合效率为89.9％。
现有技术的硅光器件，所述第一凹槽和所述第一开口中为空气时，硅光器件的耦合效率为92.3％。
本实施例提供的硅光器件的耦合效率为91.7％，与没有第一凹槽和第一开口的硅光器件相比，所述折射率匹配层可以限制光场，耦合效率提高了0.02％，与所述第一凹槽和所述第一开口中为空气的硅光器件相比，所述折射率匹配层可以避免所述耦合结构被污染，进一步提高所述耦合结构的可靠性，因此，所述硅光器件可兼顾耦合效率高和耦合结构可靠性高。
实施例2
本实施例提供一种硅光器件的制备方法，参考图3，包括以下步骤：
步骤S1：提供半导体衬底层；
步骤S2：在所述半导体衬底层上形成器件层；
步骤S3：在所述器件层中形成贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；
步骤S4：在所述第一开口和耦合结构底部的半导体衬底层中形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；
步骤S5：在所述第一凹槽和第一开口中形成折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。
在步骤S5中，结合参考图4至图6，形成所述折射率匹配层A的具体步骤包括在所述第一凹槽和第一开口中填充折射率匹配液，之后，对所述折射率匹配液进行紫外光照射或者高温烘烤进行固化形成初始折射率匹配层A’，之后，去除所述器件层2表面的初始折射率匹配层A’，以使第一凹槽和第一开口中的初始折射率匹配层A’形成所述折射率匹配层A。
在一个实施例中，去除所述器件层2表面的初始折射率匹配层A’的工艺包括：化学机械抛光工艺和湿法腐蚀工艺。
在一个实施例中，参考图7，所述硅光器件的制备方法还包括：形成所述折射率匹配层A之后，在所述器件层2和所述半导体衬底层1中形成位于第一凹槽侧部的导电连接柱3。具体的，在所述器件层2和所述半导体衬底层1中形成位于第一凹槽侧部的通孔，之后在所述通孔的侧壁形成阻挡层301，之后，在所述阻挡层301的表面形成第一种子层，之后，形成所述导电连接柱3，所述第一种子层有利于提高所述导电连接柱结构的稳定性。
在一个实施例中，所述导电连接柱3的材料包括铜。
在一个实施例中，形成所述通孔的方法包括：离子反应刻蚀方法。
在一个实施例中，参考图8，所述硅光器件的制备方法还包括：在所述器件层2背离背向所述半导体衬底层1一侧形成第一重布线结构4。所述第一重布线结构4包括第一布线层41和第一隔离层42，所述导电连接柱3的一端与所述第一布线层41连接。
在一个实施例中，参考图9，所述硅光器件的制备方法还包括：在所述半导体衬底层1背离所述器件层2的一侧形成第二重布线结构5，所述导电连接柱3与所述第一重布线结构4和所述第二重布线结构5连接。所述第二重布线结构5包括第二布线层51和第二隔离层52，所述导电连接柱3的另一端与所述第二布线层51连接。
在一个实施例中，继续参考图8，还包括：在所述器件层2背离背向所述半导体衬底层1一侧形成第一重布线结构4之后，在所述半导体衬底层1背离所述器件层2的一侧形成第二重布线结构5之前，还包括：还包括：在所述第一重布线结构4背离所述器件层2的一侧表面形成第一微凸点61。具体的，先在所述第一重布线结构4背离所述器件层2的一侧表面形成第一金属过渡层，之后，在所述第一金属过渡层背向所述第一重布线结构4的一侧表面形成第二种子层，之后，在所述第二种子层背向所述第一重布线结构4的一侧表面形成所述第一微凸点61。所述第一金属过渡层可以避免所述第一微凸点61上的金属发生扩散。
在一个实施例中，形成所述第一微凸点61的工艺包括：光刻、电镀、回流。
在一个实施例中，形成所述第一金属过渡层的工艺包括：溅射金属、蒸发金属、化学镀或者电镀。
在一个实施例中，继续参考图9，还包括：提供临时载板100；形成所述第一微凸点61之后，且在形成第二重布线结构5之前，使所述第一重布线结构4和所述第一微凸点71与临时载板100键合在一起。具体的，在所述第一重布线结构4背向所述半导体衬底层1一侧表面形成键合胶层101，将所述键合胶层101键合在所述临时载板100上。之后，对所述半导体衬底层1进行减薄，使暴露出所述导电连接柱3。
在一个实施例中，还包括：在所述第二重布线结构5背离所述半导体衬底层1的一侧表面形成第二微凸点62。具体的，先在所述第二重布线结构5背离所述半导体衬底层1的一侧表面形成第二金属过渡层，之后，在所述第二金属过渡层背向所述第二重布线结构5的一侧表面形成第三种子层，之后，在所述第三种子层背向所述第二重布线结构5的一侧表面形成所述第二微凸点62。所述第二金属过渡层可以避免所述第二微凸点62上的金属发生扩散。
在一个实施例中，形成所述第二微凸点62的工艺包括：光刻、电镀、回流。
在一个实施例中，形成所述第二金属过渡层的工艺包括：溅射金属、蒸发金属、化学镀或者电镀。
在一个实施例中，参考图10，形成所述第二微凸点62之后，去除所述临时载板。具体的，去除所述键合胶层101和所述临时载板100并划片。
本实施例提供的硅光器件的制备方法可实现在二维或者三维的光电异质集成，为实现超高速、超小型、超高密度的光电集成组件/系统提供了可参考的解决方案。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种硅光器件，其特征在于，包括：
半导体衬底层；
位于所述半导体衬底层上的器件层，所述器件层中具有贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；
所述第一开口和所述耦合结构的底部的半导体衬底层中具有第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；
位于所述第一凹槽和所述第一开口中的折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。
2.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，所述第一绝缘层的折射率与所述折射率匹配层的折射率之差为0－0.4。
3.根据权利要求1或2所述的硅光器件，其特征在于，所述折射率匹配层的材料包括：环氧树脂或者丙烯酸盐。
4.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，所述器件层还包括第一器件区、第二器件区和第三器件区，所述第一器件区和所述第三器件区设置在所述第二器件区的两端，所述耦合结构与所述第二器件区连接且位于所述第一器件区和所述第三器件区之间；
所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口位于所述第一器件区和所述耦合结构之间，所述第二子开口位于所述耦合结构和所述第三器件区之间，自所述耦合结构背离第二器件区的一侧至朝向第二器件区的一侧的方向上，所述耦合结构的宽度逐渐递增。
5.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，还包括：位于所述器件层背向所述半导体衬底层一侧表面的第一重布线结构；
位于所述半导体衬底层背向所述器件层一侧的第二重布线结构；
贯穿所述器件层和所述半导体衬底层且位于所述第一凹槽侧部的导电连接柱，所述导电连接柱与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构连接。
6.根据权利要求1所述的硅光器件，其特征在于，所述器件层包括：位于半导体衬底层上的绝缘膜，位于部分所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的半导体器件层，位于所述半导体器件层和所述绝缘膜背离所述半导体衬底层一侧的包层；
所述第一开口包围的绝缘膜、半导体器件层和包层构成所述耦合结构，所述第一开口包围的半导体器件层构成耦合结构中的光波导层，所述第一开口包围的绝缘膜构成耦合结构中的第一绝缘层。
7.一种硅光器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底层；
在所述半导体衬底层上形成器件层；
在所述器件层中形成贯穿所述器件层的第一开口，所述第一开口包围的器件层的区域为耦合结构，所述耦合结构中具有光波导层和第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述光波导层和所述半导体衬底层之间；
在所述第一开口和耦合结构底部的半导体衬底层中形成第一凹槽，所述第一凹槽与所述第一开口连通；
在所述第一凹槽和第一开口中形成折射率匹配层，所述折射率匹配层的折射率小于所述第一绝缘层的折射率。
8.根据权利要求7所述的硅光器件的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述折射率匹配层之后，在所述器件层和所述半导体衬底层中形成位于所述第一凹槽侧部的导电连接柱；
在所述器件层背离背向所述半导体衬底层一侧形成第一重布线结构；
在所述半导体衬底层背离所述器件层的一侧形成第二重布线结构，所述导电连接柱与所述第一重布线结构和所述第二重布线结构连接。
9.根据权利要求8所述的硅光器件的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第一重布线结构背离所述器件层的一侧表面形成第一微凸点；
在所述第二重布线结构背离所述半导体衬底层的一侧表面形成第二微凸点。
10.根据权利要求9所述的硅光器件的制备方法，其特征在于，还包括：提供临时载板；形成所述第一微凸点之后，且在形成第二重布线结构之前，使所述第一重布线结构和所述第一微凸点与临时载板键合在一起；
形成所述第二微凸点之后，去除所述临时载板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210776374.7A CN115113348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种硅光器件及其制备方法 |
| PCT/CN2023/088501 WO2024001428A1 (zh) | 2022-06-30 | 2023-04-14 | 一种硅光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210776374.7A CN115113348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种硅光器件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115113348A true CN115113348A (zh) | 2022-09-27 |
| CN115113348B CN115113348B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=83329883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210776374.7A Active CN115113348B (zh) | 2022-06-30 | 2022-06-30 | 一种硅光器件及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115113348B (zh) |
| WO (1) | WO2024001428A1 (zh) |
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- 2022-06-30 CN CN202210776374.7A patent/CN115113348B/zh active Active
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |