CN115112941B - 一种电压检测电路 - Google Patents
一种电压检测电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115112941B CN115112941B CN202211017811.3A CN202211017811A CN115112941B CN 115112941 B CN115112941 B CN 115112941B CN 202211017811 A CN202211017811 A CN 202211017811A CN 115112941 B CN115112941 B CN 115112941B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- circuit unit
- reference circuit
- voltage reference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/32—Compensating for temperature change
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0084—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
本发明提供一种电压检测电路,涉及模拟集成电路技术领域,该电路包括:第一电压参考电路单元和电压检测电路单元;电压检测电路单元,包括:第一场效应管和第二场效应管;第一场效应管的源极、栅极和衬底与总输出信号端相连,漏极接地;第二场效应管的源极和衬底与总输入信号端相连,漏极与总输出信号端相连,栅极与第一电压参考电路单元相连;第一电压参考电路单元,包括多个相连的场效应管,第一电压参考电路单元的输入端与总输入信号端相连;第一电压参考电路单元的输出端与第二场效应管的栅极相连。本发明中,通过加入一条具有温度系数的低功耗电压参考电路,抵消电压检测电路的内核温度系数,实现低温度系数的电压检测电路。
Description
技术领域
本发明实施例涉及模拟集成电路技术领域,尤其涉及一种电压检测电路。
背景技术
由于能量收集系统面临的外界环境和负载情况是复杂并且多变,从而需要对能量收集系统的输入输出以及内部节点的电压进行监测,电压检测电路往往属于常开模块,需要一直处于工作状态下,所以对电压检测电路的功耗要求极为严格。
现有技术中的电压检测电路,一种是基于CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)的无参考电压检测电路,电压检测电路的输入和电源均为待检测信号,输出翻转阈值是由内部电路结构和参数决定,但是当需要检测的电压较大时,输出的两个场效应管的宽长比将达到一个不太实际的比值,此外输出翻转阈值直接与温度线性强相关,且检测的电压越大,电压检测单元的温度系数很大;另一种基于不同类型场效应管的电压检测电路,利用两种场效应管阈值电压差的温度系数来抵消之前电压检测电路的温度系数,但是在不同工艺角下,阈值电压之差的温度系数存在一定的变化,从而导致电压检测电路的温度系数恶化,使得整个校准过程变得更加复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种电压检测电路,以解决现有的无法低功耗低温度系数进行能量收集系统的输入输出以及内部节点的电压监测的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种电压检测电路,包括:
第一电压参考电路单元和电压检测电路单元;
所述电压检测电路单元,包括:第一场效应管MP1和第二场效应管MP2;用于对输入信号进行电压检测;
所述第一场效应管MP1的源极、栅极和衬底与总输出信号端相连,漏极接地;
所述第二场效应管MP2的源极和衬底与总输入信号端相连,漏极与总输出信号端相连,栅极与所述第一电压参考电路单元相连;
所述第一电压参考电路单元,包括多个相连的场效应管,所述第一电压参考电路单元的输入端与总输入信号端相连;所述第一电压参考电路单元的输出端与所述第二场效应管MP2的栅极相连;所述第一电压参考电路单元用于向所述第二场效应管MP2的栅极提供稳定电压,并平衡所述电压检测电路单元的温度系数。
可选的,所述第一电压参考电路单元,包括:第三场效应管MN1、第四场效应管MN2和第五场效应管MN3;
所述第三场效应管MN1的源极和衬底接地,漏极与所述第四场效应管MN2的源极和所述第五场效应管MN3的栅极相连,栅极与所述第五场效应管MN3的栅极相连;
所述第四场效应管MN2的源极与所述第三场效应管MN1的漏极相连,漏极与所述第五场效应管MN3的源极相连,栅极和衬底接地;
所述第五场效应管MN3的源极与所述第四场效应管MN2的漏极相连;漏极与所述第一电压参考电路单元的输入端相连,衬底与所述第三场效应管MN1的衬底和所述第四场效应管MN2的衬底相连并接地;
其中,所述第三场效应管MN1的漏极、所述第四场效应管MN2的源极和所述第五场效应管MN3的栅极分别与所述第一电压参考电路单元的输出端相连。
可选的,还包括:
第二电压参考电路单元,包括:第六场效应管MN4、第七场效应管MN5和第八场效应管MN6;
所述第六场效应管MN4的源极与所述第七场效应管MN5的栅极和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,漏极与所述第七场效应管MN5的源极和所述第八场效应管MN6的栅极相连,栅极与所述第八场效应管MN6的栅极相连,衬底接地;
所述第七场效应管MN5的源极与所述第六场效应管MN4的漏极相连,漏极与所述第八场效应管MN6的源极相连,栅极与和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,衬底接地;
所述第八场效应管MN6的源极与所述第七场效应管MN5的漏极相连;漏极与总输入信号相连,衬底与所述第六场效应管MN4的衬底和所述第七场效应管MN5的衬底相连并接地;
其中,所述第六场效应管MN4的漏极、所述第七场效应管MN5的源极和所述第八场效应管MN6的栅极分别与所述第二电压参考电路单元的输出端与所述电压检测电路单元中所述第二场效应管MP2的栅极相连。
可选的,所述电压检测电路包括多个第二电压参考电路单元,其中,第一个第二电压参考电路单元的输入端与所述第一电压参考电路单元的输出端相连,输出端与下一个第二电压参考电路单元的输入端相连;
最后一个第二电压参考电路单元的输入端与前一个第二电压参考电路单元的输出端相连,输出端与所述第二场效应管MP2的栅极相连。
可选的,所述第一场效应管MP1和第二场效应管MP2为N沟道场效应管。
可选的,所述第一电压参考电路单元中的场效应管为P沟道场效应管。
可选的,所述第二电压参考电路单元中的场效应管为P沟道场效应管。
可选的,所述第三场效应管MN1包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸。
可选的,所述第六场效应管MN4包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸。
可选的,所述电压检测电路中的所有场效应管的温度系数总和为零。
可选的,所述第一场效应管MP1、所述第二场效应管MP2、所述第三场效应管MN1和所述第六场效应管MN4为增强型场效应管;
所述第四场效应管MN2、所述第五场效应管MN3、所述第七场效应管MN5和所述第八场效应管MN6为耗尽型场效应管。
在本发明中,通过加入一条具有温度系数的低功耗电压参考电路,并通过合理设计各个场效应管的宽长,抵消电压检测电路的内核温度系数,实现零温度系数的电压检测电路。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1是本发明实施例提供的一种电压检测电路的拓扑图;
图2是本发明实施例提供的另一种电压检测电路的拓扑图;
图3是本发明实施例提供的一种电压检测电路的输入输出特性曲线;
图4是本发明实施例提供的一种电压检测电路的输出翻转阈值电压的温度曲线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图1,本发明实施例提供了一种电压检测电路,包括:
第一电压参考电路单元01和电压检测电路单元02;
所述电压检测电路单元01,包括:第一场效应管MP1和第二场效应管MP2;用于对输入信号进行电压检测;
所述第一场效应管MP1的源极、栅极和衬底与总输出信号端Vin相连,漏极接地;
所述第二场效应管MP2的源极和衬底与总输入信号端Vin相连,漏极与总输出信号端Vout相连,栅极与所述第一电压参考电路单元01相连;
所述第一电压参考电路单元01,包括多个相连的场效应管,所述第一电压参考电路单元01的输入端与总输入信号端Vin相连;所述第一电压参考电路单元01的输出端与所述第二场效应管MP2的栅极相连;所述第一电压参考电路单元01用于向所述第二场效应管MP2的栅极提供稳定电压,并平衡所述电压检测电路单元02的温度系数。
本发明实施例中,通过加入一条具有温度系数的低功耗电压参考电路为所述第二场效应管MP2的栅极提供偏置,并通过合理设计各个场效应管的宽长,抵消电压检测电路的内核温度系数,实现零温度系数的电压检测电路。
请参考图1,本发明实施例中,可选的,所述第一电压参考电路单元01,包括:第三场效应管MN1、第四场效应管MN2和第五场效应管MN3;
所述第三场效应管MN1的源极和衬底接地,漏极与所述第四场效应管MN2的源极和所述第五场效应管MN3的栅极相连,栅极与所述第五场效应管MN3的栅极相连;所述第三场效应管MN1的漏极电压相对稳定,控制所述第五场效应管MN3的栅极,形成共栅结构;其中,所述共栅结构隔离所述第五场效应管MN3的漏极电压波动对所述第四场效应管MN2的漏极电压的影响,从而进一步减弱输入信号对所述第三场效应管MN1的漏极电压的影响;
所述第四场效应管MN2的源极与所述第三场效应管MN1的漏极相连,漏极与所述第五场效应管MN3的源极相连,栅极和衬底接地;
所述第五场效应管MN3的源极与所述第四场效应管MN2的漏极相连;漏极与所述第一电压参考电路单元的输入端相连,衬底与所述第三场效应管MN1的衬底和所述第四场效应管MN2的衬底相连并接地;
其中,所述第三场效应管MN1的漏极、所述第四场效应管MN2的源极和所述第五场效应管MN3的栅极分别与所述第一电压参考电路单元的输出端相连。
本发明实施例中,所述第三场效应管MN1包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸,实现不同工艺角下,依旧具有良好的温度特性。
请参考图2,本发明实施例中,可选的,还包括:
第二电压参考电路单元03,包括:第六场效应管MN4、第七场效应管MN5和第八场效应管MN6;
所述第六场效应管MN4的源极与所述第七场效应管MN5的栅极和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,漏极与所述第七场效应管MN5的源极和所述第八场效应管MN6的栅极相连,栅极与所述第八场效应管MN6的栅极相连,衬底接地;栅极与所述第八场效应管MN6的栅极和第七场效应管MN5的源极相连,其产生的输出电压信号与所述第二场效应管MP2的栅极相连,为所述第二场效应管MP2提供偏置电压,由于所述第六场效应管MN4的漏极电压相对稳定,通过控制所述第八场效应管MN6的栅极,构成共栅结构;所述共栅结构隔离所述第八场效应管MN6的漏极电压对第七场效应管MN5的漏极电压的影响,因此额外的所述第五场效应管MN3和所述第八场效应管MN6提供电源抑制比和改善线性灵敏度。
所述第七场效应管MN5的源极与所述第六场效应管MN4的漏极相连,漏极与所述第八场效应管MN6的源极相连,栅极与和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,衬底接地;
所述第八场效应管MN6的源极与所述第七场效应管MN5的漏极相连;漏极与总输入信号相连,衬底与所述第六场效应管MN4的衬底和所述第七场效应管MN5的衬底相连并接地;
其中,所述第六场效应管MN4的漏极、所述第七场效应管MN5的源极和所述第八场效应管MN6的栅极分别与所述第二电压参考电路单元的输出端与所述电压检测电路单元中所述第二场效应管MP2的栅极相连。
本发明实施例中,所述第六场效应管MN4包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸,实现不同工艺角下,依旧具有良好的温度特性。
本发明实施例中,所述第一场效应管MP1为低阈值的P沟道场效应管;所述第二场效应管MP2为常规阈值的P沟道场效应管;所述第三场效应管MN1为常规阈值的N沟道场效应管;所述第六场效应管MN4为常规阈值的N沟道场效应管;所述第四场效应管MN2、所述第五场效应管MN3、所述第七场效应管MN5和所述第八场效应管MN6为耗尽型场效应管;其中,低阈值场效应管的阈值电压低于常规阈值场效应管的阈值电压;所述电压检测电路单元中的场效应管均为N沟道场效应管;所述第一电压参考电路单元中的场效应管均为P沟道场效应管,使得对工艺失配和波动具有强的鲁棒性。
本发明实施例中,可选的,所述电压检测电路包括多个第二电压参考电路单元,其中,第一个第二电压参考电路单元的输入端与所述第一电压参考电路单元的输出端相连,输出端与下一个第二电压参考电路单元的输入端相连;
最后一个第二电压参考电路单元的输入端与前一个第二电压参考电路单元的输出端相连,输出端与所述第二场效应管MP2的栅极相连。
本发明实施例中,所述第一电压参考电路和多个第二电压参考电路,采用堆叠的方式,避免并联支路产生额外的电流消耗。
本发明实施例中,可选的,所述电压检测电路中的所有场效应管的温度系数总和为零。
由第三场效应管MN1、第四场效应管MN2和第五场效应管MN3构成的第一电压参考电路给第六场效应管MN4的源极和第七场效应管MN5的栅极提供偏置电压,再由第六场效应管MN4、第七场效应管MN5和第八场效应管MN6构成的第二电压参考电路给所述第二场效应管MP2的栅极提供偏置电压;其中,第一电压参考电路的输出的参考电压推导,由支路电流相等推导,具体如下:
第六场效应管MN4的电流:
第七场效应管MN5的电流:
请参考图2和图3,本发明实施例中,因为场效应管的阈值电压随温度增加而减小,具有负温度特性,并且不同的场效应管的阈值电压的负温度系数不同,通过合理设计使所述场效应管之间的阈值电压之差具有正温度系数,使得上式的温度系数为0,达到图2中在三个工艺角下的输入输出特性曲线,所述电压检测单元的输出电压与输入电压特性对工艺角的变化不敏感,变化范围很小;以及达到图3中,所述电压检测电路的输出翻转阈值电压的温度曲线具有较好的温度特性;通过设计第三场效应管MN1、第四场效应管MN2、第六场效应管MN4和第七场效应管MN5的宽长比,最终抵消阈值电压之差的正温度系数,实现零温度系数的电压检测电路;其中,额外的第五场效应管MN3和第八场效应管MN6用于提供电源抑制比以及改善线性灵敏度。
在本发明实施例中,通过加入一条具有温度系数的低功耗电压参考电路,并通过合理设计各个场效应管的宽长,抵消电压检测电路的内核温度系数,实现零温度系数的电压检测电路。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上所述仅是本申请的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种电压检测电路,其特征在于,包括:
第一电压参考电路单元和电压检测电路单元;
所述电压检测电路单元,包括:第一场效应管和第二场效应管;用于对输入信号进行电压检测;
所述第一场效应管的源极、栅极和衬底与总输出信号端相连,漏极接地;
所述第二场效应管的源极和衬底与总输入信号端相连,漏极与总输出信号端相连,栅极与所述第一电压参考电路单元相连;
所述第一电压参考电路单元,包括多个相连的场效应管,所述第一电压参考电路单元的输入端与总输入信号端相连;所述第一电压参考电路单元的输出端与所述第二场效应管的栅极相连;所述第一电压参考电路单元用于向所述第二场效应管的栅极提供稳定电压,并平衡所述电压检测电路单元的温度系数;
所述第一电压参考电路单元,包括:第三场效应管、第四场效应管和第五场效应管;
所述第三场效应管的源极和衬底接地,漏极与所述第四场效应管的源极和所述第五场效应管的栅极相连,栅极与所述第五场效应管的栅极相连;
所述第四场效应管的源极与所述第三场效应管的漏极相连,漏极与所述第五场效应管的源极相连,栅极和衬底接地;
所述第五场效应管的源极与所述第四场效应管的漏极相连;漏极与所述第一电压参考电路单元的输入端相连,衬底与所述第三场效应管的衬底和所述第四场效应管的衬底相连并接地;
其中,所述第三场效应管的漏极、所述第四场效应管的源极和所述第五场效应管的栅极分别与所述第一电压参考电路单元的输出端相连。
2.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,还包括:
第二电压参考电路单元,包括:第六场效应管、第七场效应管和第八场效应管;
所述第六场效应管的源极与所述第七场效应管的栅极和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,漏极与所述第七场效应管的源极和所述第八场效应管的栅极相连,栅极与所述第八场效应管的栅极相连,衬底接地;
所述第七场效应管的源极与所述第六场效应管的漏极相连,漏极与所述第八场效应管的源极相连,栅极与和所述第一电压参考电路单元的输出端相连,衬底接地;
所述第八场效应管的源极与所述第七场效应管的漏极相连;漏极与总输入信号相连,衬底与所述第六场效应管的衬底和所述第七场效应管的衬底相连并接地;
其中,所述第六场效应管的漏极、所述第七场效应管的源极和所述第八场效应管的栅极分别与所述第二电压参考电路单元的输出端与所述电压检测电路单元中所述第二场效应管的栅极相连。
3.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,
所述电压检测电路包括多个第二电压参考电路单元,其中,第一个第二电压参考电路单元的输入端与所述第一电压参考电路单元的输出端相连,输出端与下一个第二电压参考电路单元的输入端相连;
最后一个第二电压参考电路单元的输入端与前一个第二电压参考电路单元的输出端相连,输出端与所述第二场效应管的栅极相连。
4.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第一场效应管和第二场效应管为N沟道场效应管。
5.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第一电压参考电路单元中的场效应管为P沟道场效应管。
6.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第二电压参考电路单元中的场效应管为P沟道场效应管。
7.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第三场效应管包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸。
8.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第六场效应管包括两个或两个以上的场效应管阵列,通过变换所述场效应管阵列改变所述场效应管的尺寸。
9.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,
所述电压检测电路中的所有场效应管的温度系数总和为零。
10.根据权利要求2所述的电压检测电路,其特征在于,
所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管和所述第六场效应管为增强型场效应管;
所述第四场效应管、所述第五场效应管、所述第七场效应管和所述第八场效应管为耗尽型场效应管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211017811.3A CN115112941B (zh) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 一种电压检测电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211017811.3A CN115112941B (zh) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 一种电压检测电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115112941A CN115112941A (zh) | 2022-09-27 |
CN115112941B true CN115112941B (zh) | 2023-01-03 |
Family
ID=83335610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211017811.3A Active CN115112941B (zh) | 2022-08-24 | 2022-08-24 | 一种电压检测电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115112941B (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102662427A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-09-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电压源电路 |
CN106020330A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-12 | 四川和芯微电子股份有限公司 | 低功耗电压源电路 |
CN107066003A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-08-18 | 西南技术物理研究所 | 低功耗基准电压源 |
CN108508957A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-07 | 淮安信息职业技术学院 | 一种低温度系数参考电压产生电路及检测装置 |
CN110308757A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-10-08 | 长沙景美集成电路设计有限公司 | 一种低功耗低电源电压参考电路 |
CN110501548A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-11-26 | 上海芯旺微电子技术有限公司 | 一种用于mcu的微功耗低电压检测电路 |
CN112286337A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 广州鸿博微电子技术有限公司 | 用于MCU的低功耗bandgap电路及其实现方法 |
CN112798919A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-14 | 乐鑫信息科技(上海)股份有限公司 | 基于fgd nmos管的电源低电压监测电路 |
-
2022
- 2022-08-24 CN CN202211017811.3A patent/CN115112941B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102662427A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-09-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种电压源电路 |
CN106020330A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-10-12 | 四川和芯微电子股份有限公司 | 低功耗电压源电路 |
CN107066003A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-08-18 | 西南技术物理研究所 | 低功耗基准电压源 |
CN108508957A (zh) * | 2018-04-12 | 2018-09-07 | 淮安信息职业技术学院 | 一种低温度系数参考电压产生电路及检测装置 |
CN110308757A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-10-08 | 长沙景美集成电路设计有限公司 | 一种低功耗低电源电压参考电路 |
CN110501548A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-11-26 | 上海芯旺微电子技术有限公司 | 一种用于mcu的微功耗低电压检测电路 |
CN112286337A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-29 | 广州鸿博微电子技术有限公司 | 用于MCU的低功耗bandgap电路及其实现方法 |
CN112798919A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-14 | 乐鑫信息科技(上海)股份有限公司 | 基于fgd nmos管的电源低电压监测电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115112941A (zh) | 2022-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tsividis et al. | An integrated NMOS operational amplifier with internal compensation | |
US7636015B2 (en) | Differential amplifier and sampling and holding circuit | |
CN109104157B (zh) | 一种自调零运算放大器 | |
JP6831421B2 (ja) | 電圧基準のパワーサイクリング | |
Azcona et al. | Precision CMOS current reference with process and temperature compensation | |
KR101152601B1 (ko) | 2세대 전류 콘베이어를 이용한 단방향 전류 감지회로 | |
EP0643478B1 (en) | Cascode circuit operable at a low working voltage and having a high output impedance | |
Nagulapalli et al. | A positive feedback-based op-amp gain enhancement technique for high-precision applications | |
Akbari et al. | 0.4-V tail-less quasi-two-stage OTA using a novel self-biasing transconductance cell | |
JP3593486B2 (ja) | 電圧比較回路およびこれを用いた基板バイアス調整回路 | |
US6043718A (en) | Temperature, supply and process-insensitive signal-controlled oscillators | |
CN115112941B (zh) | 一种电压检测电路 | |
EP1124327A1 (en) | Differential amplifier with gain substantially independent of temperature | |
CN113131886B (zh) | 一种运算放大器 | |
CN112825476B (zh) | 一种运算放大器 | |
Stancu et al. | Offset Voltage Reduction Methods for a Two-Stage Folded Cascode Operational Amplifier | |
CN116107377A (zh) | 生成无源自混频器偏置电压的电路 | |
CN115498970A (zh) | 放大电路、差分放大电路和放大器 | |
US8035448B1 (en) | Differential amplifier that compensates for process variations | |
US8305140B1 (en) | Linear, large swing active resistive circuit and method | |
CN116136563A (zh) | 功率管的电流采样电路 | |
Givelin et al. | On-chip overcurrent and openload detection for a power MOS high-side switch: A CMOS current mode approach | |
US20090033311A1 (en) | Current Source with Power Supply Voltage Variation Compensation | |
CN115395906B (zh) | 一种适用于超低电压的低功耗宽带共模信号检测电路 | |
Rekha et al. | Common mode feedback circuits for low voltage fully-differential amplifiers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |