CN115079452B - 显示基板母版及其制作方法、显示基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种显示基板母版及其制作方法、显示基板、显示装置。该显示基板母版包括:衬底,衬底包括检测区和显示区,检测区包括位于衬底一侧的检测走线,检测走线预设位置处设置有过孔,该显示基板母版还包括:静电去除结构和连接线;连接线在衬底上的正投影位于检测区,用于在过孔位置处,连接静电去除结构与检测走线;静电去除结构在衬底上的正投影位于检测区,用于将过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波。本申请实施例提供的显示基板母版能够消除检测区存在的静电,避免检测走线被烧毁,进而有利于产品的不良排查。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种显示基板母版及其制作方法、显示基板、显示装置。
背景技术
电子纸或显示面板Array(阵列)工序完成后往往需要进行阵列测试(ArrayTest,AT)检查,该检查可以检出包括线不良和点不良在内的几乎所有种类的不良,其检查结果作为产品定级的主要依据。为了实现AT检查,往往在检测区设置AT走线。
但由于工艺制程影响,检测区存在静电,当静电过大时会烧毁AT走线,难以判断产品是否存在异常,严重影响不良的排查。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示基板母版及其制作方法、显示基板、显示装置,用以解决现有技术存在的检测区存在静电,易烧毁AT走线,进而影响不良排查的技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种显示基板母版,包括衬底,所述衬底包括检测区和若干阵列排列的显示区,所述检测区包括位于所述衬底一侧的若干检测走线,所述检测走线预设位置处设置有过孔,所述显示基板母版还包括:静电去除结构和连接线;
所述连接线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于在所述过孔位置处,连接所述静电去除结构与所述检测走线;
所述静电去除结构在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收所述表面声波,以将所述过孔位置处存在的静电导出。
可选地,所述静电去除结构包括换能结构和吸声胶;
所述换能结构在所述衬底上的正投影与所述吸声胶在所述衬底上的正投影无交叠;
所述换能结构,用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,所述换能结构通过所述连接线与所述检测走线连接;
所述吸声胶,用于吸收所述表面声波。
可选地,所述换能结构包括相对设置的第一压电薄膜衬底和第二压电薄膜衬底,以及位于所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底之间的第一电极和第二电极;
所述吸声胶位于所述第一压电薄膜衬底靠近所述第二压电薄膜衬底的一侧,且所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底通过所述吸声胶贴合;
所述第一电极通过所述连接线与所述检测走线连接,所述第二电极接地。
可选地,所述第一电极和所述第二电极位于所述第一压电薄膜衬底的中间位置,且所述第一电极和所述第二电极的形状为叉指形;和/或,
所述吸声胶位于所述第一压电薄膜衬底的边缘位置。
可选地,所述静电去除结构靠近所述过孔的位置设置,且所述静电去除结构在所述衬底上的正投影与所述检测走线在所述衬底上的正投影无交叠。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示基板,该显示基板通过切割上述的显示基板母版得到。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,包括上述的显示基板。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示基板母版的制作方法,包括:
提供一衬底,所述衬底包括检测区和若干阵列排列的显示区;
在所述衬底的一侧制作若干检测走线,所述检测走线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,所述检测走线预设位置处制作有过孔;
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,所述静电去除结构在所述衬底上的正投影位于所述检测区,所述静电去除结构用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收所述表面声波;所述连接线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于在所述过孔位置处,连接所述静电去除结构与所述检测走线。
可选地,所述在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,包括:
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作第一压电薄膜衬底,所述第一压电薄膜衬底靠近所述过孔的位置;
在所述第一压电薄膜衬底远离所述衬底的一侧制作第一电极、第二电极和连接线,所述第一电极通过所述连接线与所述检测走线连接;
在所述第一压电薄膜衬底远离所述衬底的一侧制作吸声胶;
在所述吸声胶远离所述衬底的一侧制作第二压电薄膜衬底,所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底通过所述吸声胶贴合。
可选地,所述在所述衬底的一侧制作若干检测走线之后,且在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之前,还包括:
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作第一钝化层;
以及,所述在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之后,还包括:
在所述静电去除结构远离所述衬底的一侧制作第二钝化层。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
本申请实施例提供的显示基板母版,由于包括静电去除结构和连接线,连接线在过孔位置处连接静电去除结构与检测走线,静电去除结构用于将过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波,因此,当过孔位置处存在静电时,静电会沿着连接线流入到静电去除结构,通过静电去除结构先将静电转换为表面声波,之后再吸收表面声波,从而能够将过孔位置处存在的静电导出,使得该静电不再对检测走线产生影响,使得检测走线不会被烧毁,进而不会影响不良的排查。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请实施例提供的一种显示基板母版结构示意图;
图2a为本申请实施例提供的一种显示基板母版在制作完换能结构后的结构示意图;
图2b为图2a沿AA1方向的截面图;
图3a为本申请实施例提供的一种显示基板母版在制作完换能结构和吸声胶后的结构示意图;
图3b为图3a沿AA1方向的截面图;
图4为本申请实施例提供的一种显示基板母版的流程示意图;
图5a、图6a、图7a、图8a和图9a为本申请实施例提供的显示基板母版在不同制作过程中的平面结构示意图;
图5b、图6b、图7b、图8b和图9b分别为图5a、图6a、图7a、图8a和图9a沿AA1方向的截面图。
附图标记说明:
10-衬底;11-检测区;12-显示区;13-静电去除结构;14-AT检测点;111-检测走线;112-过孔;113-连接线;114-第一压电薄膜衬底;115-第二压电薄膜衬底;1161-第一电极;1162-第二电极;117-吸声胶;
120-第一钝化层;121-第二钝化层。
具体实施方式
下面结合本申请中的附图描述本申请的实施例。应理解,下面结合附图所阐述的实施方式,是用于解释本申请实施例的技术方案的示例性描述,对本申请实施例的技术方案不构成限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。应该理解,当我们称一个元件被“连接”或“耦接”到另一元件时,该一个元件可以直接连接或耦接到另一元件,也可以指该一个元件和另一元件通过中间元件建立连接关系。此外,这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个,例如“A和/或B”可以实现为“A”,或者实现为“B”,或者实现为“A和B”。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
电子纸或显示面板Array工序完成后往往需要进行AT检查,AT检查的机理用到了液晶分子的偏转特性,如果基板(Glass)上没有不良,则在电压信号输入的时候,Glass上电场分布均匀,液晶分子的旋转角度统一;但如果Glass上出现不良缺陷,那么这一点的电场必定会发生改变,这样该缺陷点上方所对应的液晶偏转角度也会相应发生变化,影响光线的反射强度,进而可对不良位置进行精准识别,因此,一般Glass包括的检测区分布有若干条AT走线,AT走线例如包括:公共电极线(Vcom线)、像素电极线(ITO线)等。
检测区分布有若干条AT走线,AT走线密度较大,不同的AT走线之间可能会有交叉的情况,在交叉位置处会通过设置过孔和跨接线的方式实现跨接,因此AT走线制程中会在过孔位置处产生静电,在过孔位置处静电电流会流向AT走线,当静电过大时会烧毁过孔位置处的AT走线,AT走线被烧毁后难以判断产品是否存在异常,严重影响产品不良的排查。
为了解决现有技术存在的检测区过孔位置处存在静电,易烧毁AT走线,进而影响不良排查的技术问题,本申请实施例提供了一种显示基板母版及其制作方法。
下面结合附图详细介绍一下本申请实施例提供的显示基板母版及其制作方法。
本申请实施例提供了一种显示基板母版,如图1所示,包括衬底10,衬底10包括检测区11和若干阵列排列的显示区12,检测区11包括位于衬底10一侧的若干检测走线111(即AT走线),检测走线111预设位置处设置有过孔112;具体地,衬底10可以为玻璃基板,检测区11可以设置在显示区12的上方,检测区11的具体设置方式与现有技术类似,这里不再赘述。
需要说明的是,每一个显示区12对应一个显示基板,显示基板母版设置有多个切割线(图中未示出),对显示基板母版进行一系列的测试完成后,沿着预设的切割线,将显示基板母版切割成多个显示基板,切割方法与现有技术类似,这里不再赘述,具体地,显示基板可以为电子纸,也可以为液晶显示面板。
需要说明的是,检测走线111与显示区12中的信号线(例如:公共电极线、像素电极线、栅极线等)连接,图中仅示出了部分检测走线111,实际检测走线111的密度较大,不同的检测走线111之间可能会有交叉的情况,一般在交叉位置处会通过设置过孔和跨接线的方式实现跨接,过孔112的具体位置以及数量根据实际布线情况设定,本申请实施例并不对过孔112的具体位置和数量做限定;另外,在检测区11,可以设置两个AT检测点14,这样,整个显示区12均可以被方便的检测到。
如图1所示,该显示基板母版还包括:静电去除结构13和连接线113;连接线113在衬底10上的正投影位于检测区11,用于在过孔112位置处,连接静电去除结构13与检测走线111;静电去除结构13在衬底10上的正投影位于检测区11,用于将过孔112位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波,以将过孔112位置处存在的静电导出。
本申请实施例提供的显示基板母版,由于包括静电去除结构13和连接线113,连接线113在过孔112位置处连接静电去除结构13与检测走线111,静电去除结构13用于将过孔112位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波,因此,当过孔112位置处存在静电时,静电会沿着连接线113流入到静电去除结构13,通过静电去除结构13先将静电转换为表面声波,之后再吸收表面声波,从而能够将过孔112位置处存在的静电导出,使得该静电不再对检测走线111产生影响,使得检测走线111不会被烧毁,进而不会影响不良的排查。
具体地,如图1所示,本申请实施例中的静电去除结构13靠近过孔112的位置设置,且静电去除结构13在衬底10上的正投影与检测走线111在衬底10上的正投影无交叠;本申请实施例中将静电去除结构13设置在过孔112附近,能够避免静电去除结构13与过孔112之间的连接线113过长,从而能够降低连接线113烧毁风险。
在一种可选的实施例中,本申请实施例中的静电去除结构13包括换能结构和吸声胶;换能结构在衬底10上的正投影与吸声胶在衬底10上的正投影无交叠;换能结构用于将过孔112位置处存在的静电转换为表面声波,换能结构通过连接线113与检测走线111连接;吸声胶用于吸收表面声波。
换能器是指电能和声能相互转换的器件,将电能转换成声能的称为发射换能器,将声能转换成电能的称为接收换能器,发射换能器和接收换能器通常是分开使用的,但也可以共用一个。按物理特性和使用材料的不同,换能器可分为两类,磁致伸缩换能器和电致伸缩换能器,前者应用铁磁材料的磁致伸缩效应,常由镍或镍铁合金制成,后者应用电致伸缩效应和压电效应,常由钛酸钡陶瓷等介质电材料制成。目前最成熟可靠的是以压电效应实现电能与声能相互转换的器件,称为压电换能器。压电效应将电信号转换为机械振动,这种换能器电声转换效率高,原材料价格便宜,制作方便。常用的材料有石英晶体、钛酸钡和锆钛酸铅。
具体地,本申请实施例中的换能结构可以为压电换能器;吸声胶为疏松多孔结构,其内部气孔越多吸声越好,产生的表面声波振动对检测区11的影响越小。本申请实施例中吸声胶的材料可以选择环氧树脂、丙烯酸脂和硅橡胶等。
在一种具体实施例中,如图2a、图2b、图3a和图3b所示,图2b为图2a沿AA1方向的截面图,图3b为图3a沿AA1方向的截面图,换能结构包括相对设置的第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115,以及位于第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115之间的第一电极1161和第二电极1162;吸声胶117位于第一压电薄膜衬底114靠近第二压电薄膜衬底115的一侧,且第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115通过吸声胶117贴合;第一电极1161通过连接线113与检测走线111连接,第二电极1162接地,具体地,第二电极1162可以与接地走线或接地端连接(图中未示出接地走线或接地端)。
具体地,为了节省选材成本,本申请实施例中的第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115可以选择相同的材料,具体实施时,第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115可以选择石英玻璃;第一电极1161、第二电极1162和连接线113可以选择相同的材料,具体实施时,第一电极1161、第二电极1162和连接线113均可以选择导电性较好的金属材料,例如:可以选择银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)等单层金属材料,也可以选择金属合金材料,这里不再赘述。
需要说明的是,静电去除结构13需要设置在检测区11内,静电去除结构13的尺寸由换能结构的尺寸决定,微型换能结构的尺寸通常在亚微米级~数毫米之间。
在一种可选的实施例中,继续参考图2a、图2b、图3a和图3b所示,第一电极1161和第二电极1162位于第一压电薄膜衬底114的中间位置,且第一电极1161和第二电极1162的形状为叉指形;叉指形结构的第一电极1161和第二电极1162能够使得换能结构更好的将过孔位置处存在的静电转换为表面声波。
在一种可选的实施例中,如图3a所示,吸声胶117位于第一压电薄膜衬底114的边缘位置,具体地,吸声胶117位于第一压电薄膜衬底114的左右两侧,换能结构包括的第一电极1161和第二电极1162的形状为叉指形时,换能结构转换形成的表面声波沿着第一压电薄膜衬底114的左右两侧传播,因此将吸声胶117设置在第一压电薄膜衬底114的左右两侧能够更好的吸收表面声波;另外,吸声胶117的设置也能在一定程度上起到密封第一压电薄膜衬底114和二压电薄膜衬底115的作用,且本申请实施例在实际设计时,吸声胶117不限于设置在第一压电薄膜衬底114的左右两侧,也可以设置在第一压电薄膜衬底114的下方。
基于同一发明构思,本申请实施例提供了一种显示基板,通过切割上述显示基板母版得到。由于上述显示基板母版在检测阶段能够避免检测走线烧毁的问题,进而不会影响显示基板母版不良的排查,因此,形成的显示基板母版的良品率较高,由于该显示基板是通过切割上述显示基板母版得到的,因此,该显示基板的良品率也较高。
具体地,在显示基板母版检测完成后,沿着预先设置的切割线,将显示基板母版切割成多个显示基板,每个显示基板对应显示基板母版的一个显示区,切割形成的显示基板具有较高的良品率,能够更好的满足用户的需求。
基于同一发明构思,本申请实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括本申请实施例提供的上述显示基板;因此,该显示装置具有与上述显示基板相同的有益效果,这里不再赘述。
基于同一发明构思,本申请实施例提供了一种显示基板母版的制作方法,如图4所示,该方法包括:
S101、提供一衬底,衬底包括检测区和若干阵列排列的显示区;
S102、在衬底的一侧制作若干检测走线,检测走线在衬底上的正投影位于检测区,检测走线预设位置处制作有过孔;
S103、在检测走线远离衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,静电去除结构在衬底上的正投影位于检测区,静电去除结构用于将过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波;连接线在衬底上的正投影位于检测区,用于在过孔位置处,连接静电去除结构与检测走线。
由于本申请实施例提供的显示基板母版的制作方法包括在检测走线远离衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,当过孔位置处存在静电时,静电会优先沿着连接线流入到静电去除结构,通过静电去除结构先将静电转换为表面声波,之后再吸收表面声波,从而能够将过孔位置处存在的静电导出,使得该静电不再对检测走线产生影响,使得检测走线不会被烧毁,进而不会影响不良的排查。
具体实施时,本申请实施例提供的衬底可以为玻璃衬底,在该衬底的一侧制作检测走线的方法与现有技术类似,这里不再赘述。
在一种具体实施例中,本申请实施例在检测走线远离衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,包括:
在检测走线远离衬底的一侧制作第一压电薄膜衬底,第一压电薄膜衬底靠近过孔的位置;在第一压电薄膜衬底远离衬底的一侧制作第一电极、第二电极和连接线,第一电极通过连接线与检测走线连接;在第一压电薄膜衬底远离衬底的一侧制作吸声胶;在吸声胶远离衬底的一侧制作第二压电薄膜衬底,第一压电薄膜衬底和第二压电薄膜衬底通过吸声胶贴合。
具体地,本申请实施例制作形成的第一电极、第二电极、连接线和吸声胶均位于同一平面,且第一电极和第二电极在第一压电薄膜衬底上的正投影与吸声胶在第一压电薄膜衬底上的正投影无交叠。
在一种具体实施例中,在衬底的一侧制作若干检测走线之后,且在检测走线远离衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之前,还包括:在检测走线远离衬底的一侧制作第一钝化层。
在另一种具体实施例中,在检测走线远离衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之后,还包括:在静电去除结构远离衬底的一侧制作第二钝化层。
下面结合一个具体实施例详细说明一下本申请实施例显示基板母版的制作方法。
如图1、图5a和图5b所示,提供一衬底10,衬底10包括检测区11和若干阵列排列的显示区12,检测区11和显示区12的具体设置方式与现有技术类似,由于这里不涉及本申请的改进点,因此不再赘述。
如图1、图5a和图5b所示,接着,在衬底10的一侧制作若干检测走线111,图5a中仅示出了其中一条检测走线111,检测走线111位于检测区11,检测走线111选用金属材料,检测走线111的具体制作方法与现有技术类似,这里不再赘述。
如图1、图6a和图6b所示,接着,在检测走线111远离衬底的一侧制作第一钝化层120,第一钝化层120用以保护检测走线111,防止检测走线111发生腐蚀。
如图1、图7a和图7b所示,接着,采用构图工艺形成多个贯穿第一钝化层120的过孔112,以暴露出检测走线111,过孔112的具体位置以及数量根据实际工艺需求设置,由于这里不涉及本申请的改进点,因此不再赘述。这里的构图工艺包括光刻机的涂覆、曝光、显影、刻蚀,以及去除光刻机的部分或全部过程。
如图1、图8a和图8b所示,接着,在过孔112附近制作第一压电薄膜衬底114,具体地,第一压电薄膜衬底114并不覆盖检测走线111。
如图1、图2a和图2b所示,接着,在第一压电薄膜衬底114远离衬底10的一侧制作第一电极1161、第二电极1162和连接线113,第一电极1161通过连接线113与检测走线111连接,以使得检测走线111上存在的静电能够沿着连接线113传输到第一电极1161。具体实施时,可以通过构图工艺制作第一电极1161和第二电极1162,制作形成的第一电极1161和第二电极1162呈叉指形;连接线113的一端与第一电极1161连接,连接线113的另一端穿过过孔112与检测走线111连接。
如图1、图3a和图3b所示,接着,在第一压电薄膜衬底114远离衬底10的一侧制作吸声胶117,吸声胶117可以制作在第一压电薄膜衬底114的左右两侧;接着,制作第二压电薄膜衬底115,第二压电薄膜衬底115在衬底10上的正投影与第一压电薄膜衬底114在衬底10上的正投影重合,第一压电薄膜衬底114和第二压电薄膜衬底115通过吸声胶117贴合在一起。
如图1、图9a和图9b所示,接着,在第二压电薄膜衬底115远离衬底10的一侧制作第二钝化层121,第二钝化层121用以保护检测走线111和静电去除结构;第二钝化层121的材料可以与第一钝化层120的材料相同,当然也可以不同,具体实施时,第二钝化层121和第一钝化层120的材料可以选择例如氧化硅或氮化硅或氮氧化硅。
综上所述,应用本申请实施例,至少能够实现如下有益效果:
第一、本申请实施例提供的显示基板母版,由于包括静电去除结构13和连接线113,连接线113在过孔112位置处连接静电去除结构13与检测走线111,静电去除结构13用于将过孔112位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收表面声波,因此,当过孔112位置处存在静电时,静电会沿着连接线113流入到静电去除结构13,通过静电去除结构13先将静电转换为表面声波,之后再吸收表面声波,从而能够将过孔112位置处存在的静电导出,使得该静电不再对检测走线111产生影响,使得检测走线111不会被烧毁,进而不会影响不良的排查。
第二、本申请实施例中的静电去除结构13靠近过孔112的位置设置,且静电去除结构13在衬底10上的正投影与检测走线111在衬底10上的正投影无交叠;本申请实施例中将静电去除结构13设置在过孔112附近,能够避免静电去除结构13与过孔112之间的连接线113过长,从而能够降低连接线113烧毁风险。
本技术领域技术人员可以理解,本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地,具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地,现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中,词语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系,为基于附图所示的示例性的方向或位置关系,是为了便于描述或简化描述本申请的实施例,而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是,虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明,否则在本申请实施例的一些实施场景中,各流程中的步骤可以按照需求以其他的顺序执行。而且,各流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景,可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行,也可以在不同的时刻被执行在执行时刻不同的场景下,这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置,本申请实施例对此不限制。
以上所述仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请的方案技术构思的前提下,采用基于本申请技术思想的其他类似实施手段,同样属于本申请实施例的保护范畴。
Claims (10)
1.一种显示基板母版,包括衬底,所述衬底包括检测区和若干阵列排列的显示区,所述检测区包括位于所述衬底一侧的若干检测走线,所述检测走线预设位置处设置有过孔,其特征在于,所述显示基板母版还包括:静电去除结构和连接线;
所述连接线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于在所述过孔位置处,连接所述静电去除结构与所述检测走线;
所述静电去除结构在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收所述表面声波,以将所述过孔位置处存在的静电导出。
2.根据权利要求1所述的显示基板母版,其特征在于,所述静电去除结构包括换能结构和吸声胶;
所述换能结构在所述衬底上的正投影与所述吸声胶在所述衬底上的正投影无交叠;
所述换能结构,用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,所述换能结构通过所述连接线与所述检测走线连接;
所述吸声胶,用于吸收所述表面声波。
3.根据权利要求2所述的显示基板母版,其特征在于,所述换能结构包括相对设置的第一压电薄膜衬底和第二压电薄膜衬底,以及位于所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底之间的第一电极和第二电极;
所述吸声胶位于所述第一压电薄膜衬底靠近所述第二压电薄膜衬底的一侧,且所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底通过所述吸声胶贴合;
所述第一电极通过所述连接线与所述检测走线连接,所述第二电极接地。
4.根据权利要求3所述的显示基板母版,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极位于所述第一压电薄膜衬底的中间位置,且所述第一电极和所述第二电极的形状为叉指形;和/或,
所述吸声胶位于所述第一压电薄膜衬底的边缘位置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板母版,其特征在于,所述静电去除结构靠近所述过孔的位置设置,且所述静电去除结构在所述衬底上的正投影与所述检测走线在所述衬底上的正投影无交叠。
6.一种显示基板,其特征在于,通过切割如权利要求1-5任一项所述的显示基板母版得到。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示基板。
8.一种显示基板母版的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,所述衬底包括检测区和若干阵列排列的显示区;
在所述衬底的一侧制作若干检测走线,所述检测走线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,所述检测走线预设位置处制作有过孔;
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,所述静电去除结构在所述衬底上的正投影位于所述检测区,所述静电去除结构用于将所述过孔位置处存在的静电转换为表面声波,以及用于吸收所述表面声波;所述连接线在所述衬底上的正投影位于所述检测区,用于在所述过孔位置处,连接所述静电去除结构与所述检测走线。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线,包括:
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作第一压电薄膜衬底,所述第一压电薄膜衬底靠近所述过孔的位置;
在所述第一压电薄膜衬底远离所述衬底的一侧制作第一电极、第二电极和连接线,所述第一电极通过所述连接线与所述检测走线连接;
在所述第一压电薄膜衬底远离所述衬底的一侧制作吸声胶;
在所述吸声胶远离所述衬底的一侧制作第二压电薄膜衬底,所述第一压电薄膜衬底和所述第二压电薄膜衬底通过所述吸声胶贴合。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底的一侧制作若干检测走线之后,且在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之前,还包括:
在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作第一钝化层;
以及,所述在所述检测走线远离所述衬底的一侧制作静电去除结构和连接线之后,还包括:
在所述静电去除结构远离所述衬底的一侧制作第二钝化层。
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