CN115073531A - 有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置 - Google Patents

有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置，其结构如式I所示：
Figure 100004_DEST_PATH_IMAGE001
式I本发明的有机光电器件具有良好的发光效率、降低的驱动电压及延长的寿命。

Description

有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置
技术领域
本发明涉及一种有机金属配合物，尤其涉及一种有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置，属于有机光电领域。
背景技术
有机光电器件（特别是有机电致发光二极管(OLED)）具有自发光、宽视角、低能耗、效率高、薄、色彩丰富、响应速度快，适用温度范围广、低驱动电压、可制作柔性可弯曲与透明的显示面板以及环境友好等独特优点，可以应用在平板显示器和新一代照明上，也可以作为LCD的背光源。
20世纪80年代底发明以来，OLED已经在产业上有所应用，OLED发光分为荧光发光和磷光发光两种方式，根据理论推测，由载流子复合产生的单重激发态与三重激发态的比例为1:3，所以使用小分子荧光材料时，能用于发光的仅为全部能量的25％，其余的75％的能量因三重激发态的非发光机制而损失掉，故一般认为荧光材料的内部量子效率极限为25％。1998年Forrest教授等人发现三线态磷光可以在室温下利用，并将原来内量子效率的上限提升到100％，三重态磷光体常常都是重金属原子组成的络合物，利用重原子效应，强烈的自旋轨域耦合作用使得原本被禁止的三重态能量以磷光的形式发光，量子效率也随之大幅提升。
目前有机OLED组件中的发光层几乎全部使用主客体发光体系机制，即在主体材料中掺杂客体发光材料，一般来说，有机主体材料的能系要比客体材料大，即能量由主体传递给客体，使客体材料被激发而发光。常用的磷光有机主体材料具有高三线态能级，当有机主体材料被电场激发时，三线态能量能够有效地从有机主体材料转移到客体磷光材料。常用的有机客体材料为铱和铂金属化合物。然而铂，钯配合物材料和器件的开发仍然存在一些技术难点，比如 OLED要求效率高，寿命长，操作电压更低。
因此，迫切需要开发一种新颖的有机金属配合物。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种新颖的有机金属配合物及包含其的有机光电器件（特别是有机电致发光二极管）。将本发明的有机金属配合物应用于有机光电器件，可以提升该器件的电流效率、降低该器件的操作电压，且延长该器件的寿命。
为了实现本发明的目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供了一种有机金属配合物，其结构如式I示：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE001
式I
在式I中，M选自铂（Pt）或钯（Pd）；CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者，但不代表限于此：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE002
其中B1、B2、B3、B4、C1和C2各自独立地选自C6～C60的芳基和C1～C60的杂芳基，且它们可以根据价键原则进行单取代或多取代。
R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
Y10至Y13各自独立地选自C、N或O；
L1为O、N-R7或S；
CY4 至CY5各自独立地与相应的Y10至Y13形成C6~C60的环基团和C1~C50杂环基团；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
优选地，B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者，但不代表限于此：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE003
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
X各自独立地选自C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
更优先地，C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE004
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；X为C、O、N、S或Se；
n为0到10的整数；
虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
更优选地，CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
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其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其根据价键原则进行单取代或多取代；
n为0到10的整数；
X为C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
更优选地，其中R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自甲基苯基、C1～C10烷基、苯氧基、甲氧基、叔丁氧基、C1～C10烷氧基、三苯基硅基、对叔丁基苯基、间叔丁基苯基、2-联苯基、C1～C10取代的对叔丁基苯基、C1～C10取代的间叔丁基苯基、C1～C10取代的2-联苯基、C1～C20取代的苯基、降冰片烯基、萘基、2，6-二异丙基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三异丙基苯基、2，4，6-三甲基苯基、3，5-二异丙基苯基、3，5-二甲基苯基、3，5-叔丁基苯基、2，4-二异丙基苯基、2，4-二甲基苯基。
更优选地，所述C1～C10烷基为叔丁基、甲基、金刚烷基、降莰烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基。更优选地，式(I)选自下列结构中任一者：
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本发明还提供了一种制剂，其包含该有机金属配合物和至少一种溶剂，其中该溶剂为不饱和烃溶剂、饱和烃溶剂、醚类溶剂或酯类溶剂。
本发明又提供了一种有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层（活性层）、空穴阻挡层、电子注入层或电子传输层中至少一者，其中所述有机层包含该有机金属配合物。
优选地，其中该有机层为发光层，该发光层中包含该有机金属配合物和相应的主体材料，其中该有机金属配合物的质量百分数在1％至50％，主体材料没有任何限制。
优选地，其中该有机光电器件为有机光伏器件、有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e-paper)、有机感光体(OPC)、有机薄膜晶体管(OTFT)或有机内存器件(Organic Memory Element)。
本发明还提供了一种有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，所述有机层为发光层，其中所述发光层包含有机金属配合物，所述有机金属配合物的结构如式I所示：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE116
式I
在式I中，M选自铂或钯；
CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE117
其中，
B1、B2、B3、B4、C1和C2各组独立地选自C6～C60的芳基或C1～C60的杂芳基，且它们可以进行单取代或多取代；
R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
Y10至Y13各自独立地选自C、N或O；
L1为O、N-R7或S；
CY4 至CY5各自独立地与相应的Y10至Y13形成C6~C60的环基团和C1~C50杂环基团；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
优选地，其中B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE118
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
X各自独立地选自C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
优选地，其中C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE119
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
X为C、O、N、S或Se；
n为0到10的整数；
虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
优选地，其中CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE120
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE121
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE122
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Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE127
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE128
Figure 100002_DEST_PATH_IMAGE129
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其进行单取代或多取代；
n为0到10的整数；
X为C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
本发明进一步提供了一种显示或照明装置，其包括该有机光电器件。
本发明的含螺环的有机金属配合物具有很好的热稳定性。通过在该有机金属配合物中引入刚性螺环结构，增加位阻，可以有效抑制平面型Pt配合物分子之间的相互作用，从而提高器件效率。本发明的含螺环的有机金属配合物具有较好的电子和空穴接收能力，可提升主体和客体之间的能量传输，具体表现为用本发明的含螺环的有机金属配合物作为功能层（有机层），尤其作为发光层制作的有机光电器件，其电流效率提升，起亮电压降低，同时器件的寿命有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给该有机金属配合物用于发光，而非发热。
附图说明
图1为化合物Pt1的HOMO（最高占据分子轨道）（左）和LUMO（最低未占分子轨道）（右）杂化轨道示意图；
图2为化合物Pt2的HOMO（最高占据分子轨道）（左）和LUMO（最低未占分子轨道）（右）杂化轨道示意图；
图3为化合物Pt3的HOMO（最高占据分子轨道）（左）和LUMO（最低未占分子轨道）（右）杂化轨道示意图；
图4为本发明的有机光电器件的结构示意图，其中，110代表基板，120表示阳极，130表示空穴注入
层，140表示空穴传输层，150表示发光层，160表示空穴阻挡层，170表示电子传输层，180表示电子注入层，190表示阴极。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明使用的术语“取代的”或类似术语包含有机化合物的所有允许的取代基。广义上，允许的取代基包括有机化合物的环状和非环状、支链和非支链、碳环和杂环、芳香族和非芳香族取代基。例如，示例性取代基包括以下所述。对于合适的有机化合物来说，允许的取代基可为一个或多个，相同或不同。对于本发明的目的而言，杂原子（例如氮）能够具有氢取代基和/或本发明所述满足该杂原子价键的有机化合物的任何允许取代基。本发明不意图以任何方式用有机化合物允许的取代基来进行任何限制。同样，术语“取代”或“取代有”包含隐含条件是这种取代符合取代的原子和该取代基的允许的价键，和该取代导致稳定的化合物（例如，不会自发地进行转化（例如通过重排、环化、消去等）的化合物）。在某些方面，除非明确指出相反，否则，单独的取代基能够进一步任选地取代（即，进一步取代或未取代的）。
在定义各种术语时，“R1”、“R2”、“R3”、“R4”、“R5”和 “R”在本发明中作为通用符号来表示各种特定的取代基。这些符号能够是任何取代基，不限于本发明公开的那些，当它们在一个实例中被定义为某些取代基时，在另一个实例中也可以被定义为一些其他取代基。
本发明使用的术语“烷基”是1至18个碳原子的支链或非支链的饱和烃基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、二十烷基、二十四烷基等。该烷基可为环状或非环状。该烷基可为支链或非支链的。该烷基也可为取代或未取代的。例如，该烷基可取代一个或多个基团，包括但不限于本发明所述的任选取代的烷基、环烷基、烷氧基、氨基、醚、卤素、羟基、硝基、甲硅烷基、硫-氧代基团和巯基。“低级烷基”基团是含有1至6个（例如1至4个）碳原子的烷基。
在整个说明书中，“烷基”通常同时指未取代烷基和取代烷基；但是，取代烷基也在本发明中通过确定烷基上的特定取代基来具体地提及。例如，术语“卤化的烷基”或者“卤代烷基”具体是指取代有一个或多个卤素（例如，氟、氯、溴或碘）的烷基。术语“烷氧基烷基”具体是指取代有一个或多个烷氧基的烷基，如下所述。术语“烷基氨基”具体是指取代有一个或多个氨基的烷基，如下所述等。当在一种情况中使用“烷基”而在另一情况中使用具体的术语如“烷基醇”时，不意味着暗示该术语“烷基”不同时指代具体的术语如“烷基醇”等。
本发明使用的术语“芳基”是6至60个碳原子的取代或未取代的苯基，例如甲基苯基、乙基苯基、正丙基苯基、异丙基苯基、正丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、正戊基苯基、异戊基苯基、仲戊基苯基、新戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基、十四烷基苯基、十六烷基苯基、二十烷基苯基、二十四烷基苯基等。
这种做法也用于本发明所述的其它基团。也即，当术语如“环烷基”同时指代未取代的和取代的环烷基部分时，该取代的部分可另外具体地在本发明中确定；例如，具体取代的环烷基可称为例如“烷基环烷基”。类似的，取代的烷氧基可具体地称为例如“卤代烷氧基”，具体的取代烯基可为例如“烯醇”等。同样地，使用通用术语如“环烷基”和具体术语如“烷基环烷基”的不意味着该通用术语不同时包含该具体术语。
本发明使用的术语“烷氧基”和“烷氧基基团”是指通过醚键键合的1至18个碳原子的烷基或环烷基；即“烷氧基”可定义为—OR1，其中R1是如上定义的烷基或环烷基。“烷氧基”也包含刚刚描述的烷氧基聚合物；即烷氧基可为聚醚，如—OR1-OR2 或—OR1-(OR2)a-OR3，其中“a”是整数1至500，而R1、R2和R3各自独立地为烷基、环烷基或其组合。
本发明使用的术语“芳基”是指含有任何碳基芳香族的60个碳原子及以内的基团，包括但不限于苯、萘、苯基、联苯、苯氧基苯等。术语“芳基”也包括“杂芳基”，其被定义为含有芳香族的基团，所述芳香族基团环内至少含有一个杂原子。杂原子的实例包括但不限于氮、氧、硫或磷。同样，术语“非杂芳基”（其也包括在术语“芳基”中）定义了含有芳香族的基团，所述芳香族基团不含杂原子。芳基可为取代或未取代的。芳基可取代有一个或多个基团，所述基团包括但不限于本发明所述的烷基、环烷基、烷氧基、烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基、杂芳基、醛、氨基、羧酸、酯、醚、卤素、羟基、酮、叠氮基、硝基、甲硅烷基、硫-氧代基团或巯基。术语“联芳基”是特定类型的芳基并且包含在“芳基”的定义中。联芳基是指经稠合的环结构结合在一起的两个芳基，如在萘中一样，或者经一个或多个碳-碳键连接的两个芳基，如在联苯中一样。
本发明使用的术语“胺”或“氨基”通过式—NR1R2表示，其中R1和R2可以独立的从氢、烷基、环烷基、烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基中选择。
本发明使用的术语“羧酸”通过式—C(O)OH表示。
本发明使用的术语“醚”通过式R1OR2表示，其中R1和R2可独立地为本发明所述的烷基、环烷基、烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基。本发明使用的术语“聚醚”通过式—(R1O-R2O)a—表示，其中R1和R2可独立地为本发明所述的烷基、环烷基、烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基并且“a”为1至500的整数。
本发明使用的术语“卤素”是指卤素氟、氯、溴和碘。
本发明使用的术语“杂环基团”是指单环的和多环的非芳香族环系，并且本发明使用的“杂芳基”是指单环和多环的不多于60个碳原子的芳香族环系：其中环成员中的至少一个不为碳。该术语包括氮杂环丁烷基、二噁烷基、呋喃基、咪唑基、异噻唑基、异噁唑基、吗啉基、噁唑基（包括1,2,3-噁二唑基、1,2,5-噁二唑基和1,3,4-噁二唑基的噁唑基）、哌嗪基、哌啶基、吡嗪基、吡唑基、哒嗪基、吡啶基、嘧啶基、吡咯基、吡咯烷基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、包括1,2,4,5-四嗪基的四嗪基、包括1,2,3,4-四唑基和1,2,4,5-四唑基的四唑基、包括1,2,3-噻二唑基、1,2,5-噻二唑基和1,3,4-噻二唑基的噻二唑基、噻唑基、噻吩基、包括1,3,5-三嗪基和1,2,4-三嗪基的三嗪基、包括1,2,3-三唑基和1,3,4-三唑基的三唑基等。
本发明使用的术语“羟基”通过式—OH表示。
本发明使用的术语“硝基”通过式—NO2表示。
本发明使用的术语“腈”通过式—CN表示。
本发明使用的“R1”、“R2”、“R3”、“Rn”（其中n为整数）可独立地具有上面列举的基团中的一个或者多个。例如，如果R1为直链烷基，那么烷基的一个氢原子可任选取代有羟基、烷氧基、烷基、卤素等。取决于选择的基团，第一基团可结合在第二基团内，或者第一基团可侧连（即，连接）至第二基团。例如，对于短语“包含氨基的烷基”，氨基可结合在烷基的主链内。可选择地，氨基可连接至烷基的主链。所选基团的性质将决定是否第一基团嵌入或者连接至第二基团。
本发明所述化合物可含有“任选取代的”部分。通常，术语“取代的”（无论在前面是否存在术语“任选”）意味着指定部分的一个或多个氢被合适的取代基取代。除非另作说明，否则“任选取代的”基团可在基团的每个可取代位置具有合适的取代基，并且当任何给定结构中的一个以上位置可以被选自指定基团的一个以上取代基取代时，取代基可以在每个位置上相同或不同。本发明设想的取代基组合优选为形成稳定的或化学上可行的化合物的组合。还可以设想，在某些方面，除非明确指出相反，各个取代基可进一步任选被取代（即，进一步取代或未取代）。
在本发明公开和描述的化学结构和单元中数次提及R1、R2、R3、R4、R5、R等。在说明书中R1、R2、R3、R4、R5、R等的任何描述分别适用于引用R1、R2、R3、R4、R5、R等的任何结构或者单元，除非另作说明。本发明的制剂包含式(I)所示的有机金属配合物与一种或多种溶剂，所用的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的不饱和烃溶剂（例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等）、卤化饱和烃溶剂（例如四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等）、卤化不饱和烃溶剂（例如氯苯、二氯苯、三氯苯等）、醚类溶剂（例如四氢呋喃、四氢吡喃等）或酯类溶剂（苯甲酸烷基酯等）。所述的制剂直接用于制备光电器件。
本发明还提供了一种有机光电器件，其包括：第一电极；
第二电极，与所述第一电极相面对；
有机层，夹设于所述第一电极和所述第二电极之间；其中，该有机层包含本发明的有机金属配合物。
本发明的有机金属配合物的结构式(I)中，与金属 M 相连的原子有两个形成共价键，有两个形成配位健。
本发明的有机金属配合物（铂，钯金属化合物）通过引入含刚性螺环的四齿配体单元（图1- 图3），由于位阻的原因，可以有效地降低发光分子间的相互作用，抑制由三线态引起的淬灭，从而提高器件的发光效率。将本发明的有机金属配合物应用于有机光电器件，特别是在有机电致发光器件中，可以提升器件的电流效率、降低器件的操作电压且延长器件的寿命。
在本发明中，有机光电器件可以利用喷溅涂覆法、电子束蒸发、真空蒸镀等方法在基板上蒸镀金属或具有导电性的氧化物以及它们的合金形成阳极；在制备得到的阳极表面按顺序蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，随后再蒸镀阴极的方法制备。除了以上方法，基板上也可按阴极、有机层、阳极顺序蒸镀制作有机光电器件，该有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层等多层结构。本发明的有机层采用高分子材料按溶剂工程(旋转涂膜(spin-coating)、薄带成型(tape-casting)、刮片法(doctor-blading)、丝网印刷(Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像(Thermal-Imaging)等)替代蒸镀方法制备，可以减少器件层数。
根据本发明的有机光电器件所使用的材料可以分为顶发射、底发射或双面发射。本发明的有机金属配合物可以有机光电器件类似的原理适用于有机太阳能电池、照明的OLED、柔性OLED、有机感光体，有机薄膜晶体管等电。
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有空穴传输层，空穴传输材料可以优选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：
Figure DEST_PATH_IMAGE130
Figure DEST_PATH_IMAGE131
。
在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有的空穴传输层，其包含一种或多种p型掺杂剂。本发明优选的p型掺杂剂为以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：
Figure DEST_PATH_IMAGE132
。
本发明的一种优选实施方式中，所述的电子传输层可以选自以下化合物的至少一种，但并不代表本发明限于以下结构：
Figure DEST_PATH_IMAGE133
。
实施例：
本发明的化合物通过下列方法制备得到：
中间体L的合成路线如下所示：
中间体L-1的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE134
中间体 L-1-2的合成：
在反应瓶中加入70g L-1-1、42g 3.5-二叔丁基水杨醛、700mL 乙醇、7g 对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-1-2(93g，产率为85.9%）。质谱m/z，理论值：610.26，实验值M+H：610.9。
中间体L-1的合成：
在反应瓶中加入30g L-1-2、18.6g 碳酸钾、150mL 二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-1(17g，产率为57%）。质谱m/z，理论值：608.24，实验值M+H：609.1。
中间体L-2的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE135
中间体L-2-2的合成：
在反应瓶中加入 L-2-1、间溴水杨醛、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-2-2(产率为87.8%）。质谱m/z，理论值：350.04，实验值M+H：350.86。
中间体L-2-3的合成：
在反应瓶中加入L-2-2、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-2-3(产率为72.4%）。质谱m/z，理论值：348.03，实验值m/z：348.92。
中间体L-2的合成：
在反应瓶中加入L-2-3、频哪醇硼酸酯、乙酸钾、醋酸钯、甲苯，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品L-2(产率为83.1%）。质谱m/z，理论值：396.20，实验值M+H：397.12。
中间体L-3的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE136
中间体L-3-2的合成：
在反应瓶中加入L-3-1、2-溴吡啶、碳酸钾、四（三苯基膦）钯、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液分层，水相用乙酸乙酯萃取2次，有机相用水洗，饱和食盐水洗，蒸干，过硅胶柱，得到L-3-2(产率为85.5%）。质谱m/z，理论值：265.07，实验值M+H：266.13。
中间体L-3的合成：
在反应瓶中加入L-3-2、频哪醇硼酸酯、乙酸钾、醋酸钯、甲苯，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品L-3(产率为86.4%）。质谱m/z，理论值：357.19，实验值M+H：358.11。
中间体L-4的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE137
中间体L-4-2的合成：
在反应瓶中加入 L-4-1、邻甲氧基苯硼酸、碳酸钾、四（三苯基膦）钯、甲苯、四氢呋喃、水，回流反应3小时,反应液分层，水相用乙酸乙酯萃取2次，有机相用水洗，饱和食盐水洗，蒸干，过硅胶柱，得到L-2(产率为72.3%）。
中间体L-4-3的合成：
在反应瓶中加入L-4-2、三溴化硼、1,2-二氯苯，室温搅拌20小时,加入磷酸三乙酯，180℃反应18小时，反应液用水洗两次，蒸干，过柱得到L-4-3(产率为61.4%）。
中间体L-3的合成：
在反应瓶中加入L-4-2、频哪醇硼酸酯、乙酸钾、醋酸钯、甲苯，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品L-4(产率为66.7%）。
中间体L-5的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE138
中间体L-5-2的合成：
在反应瓶中加入 L-5-1、水杨醛、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-5-2(产率为95.2%）。质谱m/z，理论值：304.02，实验值M+H：304.96。
中间体 L-5的合成：
在反应瓶中加入L-5-2、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-5(产率为66.8%）。质谱m/z，理论值：302.01，实验值M+H：302.95。
中间体L-6的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE139
中间体L-6-1的合成：
在反应瓶中加入51.5g M-2-2、31.9g 3-叔丁基-2-羟基苯甲醛、乙醇500ml，对甲苯磺酸7g，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-6-1 67.9g(产率为85%）。质谱m/z，理论值：450.13，实验值M+H：451.05。
中间体L-6-2的合成：
在反应瓶中加入L-6-1、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-6-2(产率为70.3%）。质谱m/z，理论值：448.12，实验值M+H：449.05。
中间体L-6的合成：
在反应瓶中加入L-6-2、叔丁醇钾、氘代二甲亚砜，回流下搅拌16小时，反应液加水淬灭，二氯甲烷萃取，无水硫酸镁干燥，过滤，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-6 (产率为80.3%）。质谱m/z，理论值：454.15，实验值M+H：455.12。
中间体L-7的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE140
中间体L-7-1的合成：
在反应瓶中加入2-氟-6-溴硝基苯、均三甲苯胺、碳酸钾、DMF，80℃搅拌16小时，过滤，得到产物L-7-1 (产率为83.7%）。质谱m/z，理论值：334.03，实验值M+H：334.98，305.02。
中间体L-7-2的合成：
在反应瓶中加入L-7-1、冰乙酸，分批加入铁粉，室温搅拌16小时，反应液过滤，蒸干，得到L-7-2 (产率为90.2%）。质谱m/z，理论值：304.06，实验值M+H：305.02。
中间体L-7-3的合成：
在反应瓶中加入L-7-2、3-叔丁基-2-羟基苯甲醛、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-7-3 (产率为82.6%）。质谱m/z，理论值：464.15，实验值m/z：465.09。
中间体L-7-4的合成：
在反应瓶中加入L-7-3、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-7-4 (产率为63.5%）。质谱m/z，理论值：462.13，实验值m/z：463.07。
中间体L-7的合成：
在反应瓶中加入L-7-4、叔丁醇钾、氘代二甲亚砜，回流下搅拌16小时，反应液加水淬灭，二氯甲烷萃取，无水硫酸镁干燥，过滤，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-7 (产率为75.3%）。质谱m/z，理论值：471.19，实验值M+H：472.15。
中间体L-8的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE141
中间体L-8-1的合成：
在反应瓶中加入L-7-2、叔丁醇钾、氘代二甲亚砜，回流下搅拌16小时，反应液加水淬灭，二氯甲烷萃取，无水硫酸镁干燥，过滤，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-8-1(产率为83.6%）。质谱m/z，理论值：313.11，实验值M+H：314.05。
中间体 L-8-2的合成：
在反应瓶中加入L-8-1、3-甲基-2-羟基苯甲醛、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-8-2 (产率为86.7%）。质谱m/z，理论值：431.16，实验值M+H：432.10。
中间体L-8的合成：
在反应瓶中加入L-8-2、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-8 (产率为68.8%）。质谱m/z，理论值：429.14，实验值M+H：430.08。
中间体L-9的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE142
中间体L-9-1的合成：
在反应瓶中加入3-甲基-2-羟基苯甲醛、M-2-2、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物L-9-1(产率为87.5%）。质谱m/z，理论值：408.08，实验值M+H：409.02。
中间体L-9-2的合成：
在反应瓶中加入L-9-1、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到 L-9-2(产率为56.7%）。质谱m/z，理论值：406.07，实验值M+H：407.01。
中间体L-9的合成：
在反应瓶中加入L-9-2、叔丁醇钾、氘代二甲亚砜，回流下搅拌16小时，反应液加水淬灭，二氯甲烷萃取，无水硫酸镁干燥，过滤，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到L-9 （产率为87.1%）。质谱m/z，理论值：415.12，实验值M+H：416.16。
中间体M-1的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE143
中间体1B-1的合成：
在反应瓶中加入1B（97.5 g, 393.85 mmol, 1 eq）、 四氢呋喃（1000ml），降温至-70℃，氮气下，滴加正丁基锂（2.5 M, 157.54 mL, 1 eq），滴完后保温-70℃搅拌0.5小时，在-70℃下，滴加硼酸三甲酯（42.97 g, 413.54 mmol, 46.71 mL, 1.05 eq）和四氢呋喃（100ml ）的混合液，滴加完后，滴完后保温-70℃搅拌0.5小时，升至室温搅拌5小时，20℃下滴加HCl（877.53 g, 8.66 mol, 860.33 mL, 36%纯度, 22 eq）进入反应液，滴加过程持续1h，反应液加乙酸乙酯（500mL*3）萃取，有机相用饱和食盐水（100mL）洗，无水硫酸钠干燥，减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产物白色固体1B-1(50g，产率为54.13%）。
中间体M-1-2的合成：
在反应瓶中加入M-1-1（65 g, 315.49 mmol, 1 eq）、1B-1（46.93 g, 220.85mmol, 0.7 eq）、碳酸钾（87.21 g, 630.99 mmol, 2 eq）、四（三苯基膦）钯（10.94 g, 9.46mmol, 0.03 eq）、四氢呋喃（750mL）、水（150mL），回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯（500mL）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到油状物，将该油状物加入PE:DCM=2.5:1的混合液（100mL），在-40℃析出固体，过滤得到产品M-1-2(36.5g，产率为32.5%）。质谱m/z，理论值：337.06，实验值M+H：337.98。
中间体M-1-3的合成：
在反应瓶中加入M-1-2（35.5 g, 104.96 mmol, 1 eq）、苯硼酸（20.48 g, 167.8mmol, 1.6 eq）、碳酸钾（26.11 g, 189.20 mmol, 1.7 eq）、四（三苯基膦）钯（4.25 g,3.67 mmol, 0.035 eq）、四氢呋喃（350mL）、水（70mL），回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯（300mLl）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=1:1)得到产品M-1-3(37g，产率为91.41%）。质谱m/z，理论值：379.13，实验值M+H：380.02。
M-1-4的合成：
在反应瓶中加入M-1-3（32 g, 84.24 mmol, 1 eq）、多聚磷酸（200mL），135℃反应16小时,反应液冷却至25℃，加水（500mL）淬灭，加乙酸乙酯（100mL*3）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-1-4(29g，产率为98.97%）。质谱m/z，理论值：347.11，实验值M+H：348.05。
中间体M-1-5的合成：
在反应瓶中加入2-溴联苯（24.13 g, 103.50 mmol, 17.23 mL, 3 eq）、 四氢呋喃（60ml），降温至-78℃，氮气下，滴加正丁基锂（2.5 M, 41.40 mL, 3 eq），滴完后保温-78℃搅拌1小时，在-78℃下，滴加M-1-4（12 g, 34.50 mmol, 1 eq）和四氢呋喃（180ml ）的混合液，滴加完后，滴完后保温-78℃搅拌1小时，升至室温搅拌2小时，20℃下滴加水（150mL）进入反应液，反应液加乙酸乙酯（200ml*3）萃取，有机相用饱和食盐水（100ml）洗，无水硫酸钠干燥，减压蒸干得到粗品，粗品(8g，产率为46.19%）。质谱m/z，理论值：501.19，实验值M+H：502.07。
中间体M-1-6的合成：
在反应瓶中加入M-1-5（23 g, 11.75 mmol, 1 eq）、乙酸（60mL）、HCl（30mL），110℃反应12小时,反应液冷却至25℃，加饱和NaHCO3（500mL）调节PH=7，加二氯甲烷（300mL）萃取，有机相用饱和NaHCO3溶液洗至PH=7，无水硫酸钠干燥，过滤并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=2:1)得到产品M-1-6(21g，产率为98.05%）。质谱m/z，理论值：483.18，实验值M+H：484.12。
中间体M-1的合成：
在反应瓶中加入M-1-6（8 g, 16.53 mmol, 1 eq）、频哪醇硼酸酯（20.99 g,82.64 mmol, 5 eq）、乙酸钾（8.11 g, 82.64 mmol, 5 eq）、醋酸钯（742.13 mg, 3.31mmol, 0.2 eq）、S-Phos（2.71 g, 6.61 mmol, 0.4 eq）、DMF（500 mL），氮气置换三次，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=2:1)得到产品M-1(6.85g，产率为72%）。质谱m/z，理论值：575.30，实验值M+H：576.25。
中间体M-2的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE144
中间体M-2-3的合成：
在反应瓶中加入 M-2-1、M-2-2、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物M-2-3(产率为86.5%）。质谱m/z，理论值：632.15，实验值m/z：633.01。
中间体M-2的合成：
在反应瓶中加入M-2-3、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到M-2(产率为46.2%）。质谱m/z，理论值：630.13，实验值M+H：630.98。
中间体M-3的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE145
中间体M-3-3的合成：
在反应瓶中加入 M-3-1、M-3-2、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物M-3-3(产率为84.7%）。质谱m/z，理论值：674.19，实验值M+H：675.06。
中间体M-2的合成：
在反应瓶中加入M-3-3、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时,反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到M-3(产率为48.6%）。质谱m/z，理论值：672.18，实验值M+H：673.05。
中间体M-4的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE146
M-4的合成：
在反应瓶中加入M-4-1、频哪醇硼酸酯、乙酸钾、醋酸钯、甲苯，氮气置换三次，氮气氛围中，110℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-4(产率为86.2%）。质谱m/z，理论值：281.16，实验值M+H：282.08。
中间体M-5的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE147
中间体M-5-2的合成：
在反应瓶中加入M-5-1、5B-1、碳酸钾、四（三苯基膦）钯、四氢呋喃、水，回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-5-2(产率为41.7%）。质谱m/z，理论值：281.00，实验值M+H：281.92。
中间体M-5-3的合成：
在反应瓶中加入M-5-2、苯硼酸、碳酸钾、四（三苯基膦）钯、四氢呋喃、水，回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-5-3(产率为92.6%）。质谱m/z，理论值：323.07，实验值M+H：323.99。
中间体M-5-4的合成：
在反应瓶中加入M-5-3、多聚磷酸，135℃反应16小时,反应液冷却至25℃，加水淬灭，加乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-5-4(产率为99.2%）。质谱m/z，理论值：291.05，实验值M+H：391.97。
中间体M-5-5的合成：
在反应瓶中加入2-溴联苯、四氢呋喃，降温至-78℃，氮气下，滴加正丁基锂，滴完后保温-78℃搅拌1小时，在-78℃下，滴加M-5-4和四氢呋喃的混合液，滴加完后，滴完后保温-78℃搅拌1小时，升至室温搅拌2小时，20℃下滴加水进入反应液，反应液加乙酸乙酯萃取，有机相用饱和食盐水（洗，无水硫酸钠干燥，减压蒸干得到粗品，粗品(产率为51.3%）。质谱m/z，理论值：445.12，实验值M+H：445.04。
中间体M-5-6的合成：
在反应瓶中加入M-5-5、乙酸、HCl，110℃反应12小时,反应液冷却至25℃，加饱和NaHCO3调节PH=7，加二氯甲烷萃取，有机相用饱和NaHCO3溶液洗至PH=7，无水硫酸钠干燥，过滤并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-5-6(产率为98.75%）。质谱m/z，理论值：427.11，实验值M+H：428.03。
中间体M-5的合成：
在反应瓶中加入M-5-6、频哪醇硼酸酯、乙酸钾（8.11 g, 82.64 mmol, 5 eq）、醋酸钯、S-Phos、DMF，氮气置换三次，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-5(产率为76.3%）。质谱m/z，理论值：519.24，实验值M+H：520.16。
中间体M-6的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE148
中间体M-6-3的合成：
在反应瓶中加入 M-6-1、M-6-2、乙醇、对甲苯磺酸，室温搅拌16小时，过滤，得到产物M-6-3(产率为93.4%）。质谱m/z，理论值：542.10，实验值M+H：543.02。
中间体M-6的合成：
在反应瓶中加入M-6-3、碳酸钾、二氯甲烷，室温搅拌16小时，反应液用水洗两次，蒸干，用二氯甲烷和乙醇重结晶，得到M-6(产率为49.3%）。质谱m/z，理论值：540.08，实验值M+H：541。
中间体M-7的合成路线如下所示：
中间体M-7的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE149
中间体1C-1的合成（参考M-1）：
在反应瓶中加入1C（75.4 g, 393.85 mmol, 1 eq）、 四氢呋喃（1000ml），降温至-70℃，氮气下，滴加正丁基锂（2.5 M, 157.54 mL, 1 eq），滴完后保温-70℃搅拌0.5小时，在-70℃下，滴加硼酸三甲酯（42.97 g, 413.54 mmol, 46.71 mL, 1.05 eq）和四氢呋喃（100ml ）的混合液，滴加完后，滴完后保温-70℃搅拌0.5小时，升至室温搅拌5小时，20℃下滴加HCl（877.53 g, 8.66 mol, 860.33 mL, 36%纯度, 22 eq）进入反应液，滴加过程持续1h，反应液加乙酸乙酯（500mL*3）萃取，有机相用饱和食盐水（100mL）洗，无水硫酸钠干燥，减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产物白色固体1C-1 (35.6g，产率为58%）。
中间体M-7-2的合成：
在反应瓶中加入M-7-1（65 g, 315.49 mmol, 1 eq）、1C-1（34.53 g, 220.85mmol, 0.7 eq）、碳酸钾（87.21 g, 630.99 mmol, 2 eq）、四（三苯基膦）钯（10.94 g, 9.46mmol, 0.03 eq）、四氢呋喃（750mL）、水（150mL），回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯（500mL）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到油状物，将该油状物加入PE:DCM=2.5:1的混合液（100mL），在-40℃析出固体，过滤得到产品M-7-2 (30g，产率为48%）。质谱m/z，理论值：281.00，实验值M+H：282.05。
中间体M-7-3的合成：
在反应瓶中加入M-7-2（29.6 g, 104.96 mmol, 1 eq）、苯硼酸（20.48 g, 167.8mmol, 1.6 eq）、碳酸钾（26.11 g, 189.20 mmol, 1.7 eq）、四（三苯基膦）钯（4.25 g,3.67 mmol, 0.035 eq）、四氢呋喃（350mL）、水（70mL），回流反应16小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯（300mLl）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=1:1)得到产品M-7-3 (31.6g，产率为93%）。质谱m/z，理论值：323.07，实验值M+H：324.01。
中间体M-7-4的合成：
在反应瓶中加入M-7-3（27.27 g, 84.24 mmol, 1 eq）、多聚磷酸（200mL），135℃反应8小时,反应液冷却至25℃，加水（500mL）淬灭，加乙酸乙酯（100mL*3）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-7-4(23.3g，产率为95%）。质谱m/z，理论值：291.05，实验值M+H：291.95。
中间体M-7-5的合成：
在反应瓶中加入2-溴联苯（24.13 g, 103.50 mmol, 17.23 mL, 3 eq）、四氢呋喃（60ml），降温至-78℃，氮气下，滴加正丁基锂（2.5 M, 41.40 mL, 3 eq），滴完后保温-78℃搅拌1小时，在-78℃下，滴加N-1-4（10 g, 34.50 mmol, 1 eq）和四氢呋喃（180ml ）的混合液，滴加完后，滴完后保温-78℃搅拌1小时，升至室温搅拌2小时，20℃下滴加水（150mL）进入反应液，反应液加乙酸乙酯（200ml*3）萃取，有机相用饱和食盐水（100ml）洗，无水硫酸钠干燥，减压蒸干得到粗品，粗品M-7-5(9.2g，产率为60%）。质谱m/z，理论值：445.12，实验值M+H：446.01。
中间体M-7-6的合成：
在反应瓶中加入N-1-5（9.2 g, 20.6 mmol, 1 eq）、乙酸（120mL）、HCl（60mL），110℃反应12小时,反应液冷却至25℃，加饱和NaHCO3（1000mL）调节PH=7，加二氯甲烷（500mL）萃取，有机相用饱和NaHCO3溶液洗至PH=7，无水硫酸钠干燥，过滤并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=2:1)得到产品M-7-6(8.55g，产率为97%）。质谱m/z，理论值：427.92，实验值M+H：428.80。
中间体M-7的合成：
在反应瓶中加入M-7-6（8.50 g, 19.86 mmol, 1 eq）、频哪醇硼酸酯（25.4 g,100 mmol, 5 eq）、乙酸钾（9.8 g, 100 mmol, 5 eq）、醋酸钯（742.13 mg, 3.31 mmol,0.2 eq）、S-Phos（2.71 g, 6.61 mmol, 0.4 eq）、DMF（500 mL），氮气置换三次，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE:DCM=100:1→PE:DCM=2:1)得到产品M-7(7.22g，产率为70%）。质谱m/z，理论值：519.24，实验值M+H：520.13。
中间体M-8的合成：
Figure DEST_PATH_IMAGE150
中间体M-8-1的合成：
在反应瓶中加入1B-1、2-溴-6-苯基吡啶、碳酸钾、四（三苯基膦）钯、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液分层，水相用乙酸乙酯萃取2次，有机相用水洗，饱和食盐水洗，蒸干，过硅胶柱，得到M-8-1(产率为83.2%）。质谱m/z，理论值：321.13，实验值M+H：322.07。
M-8的合成：
在反应瓶中加入M-8-1、频哪醇硼酸酯、乙酸钾、醋酸钯、甲苯，氮气氛围中，120℃反应12小时,反应液过滤过硅藻土并减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品M-8(产率为83.2%）。质谱m/z，理论值：413.25，实验值M+H：414.19。
化合物643的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE151
（1）643-1的合成：
在反应瓶中加入L-1（6.1g, 10 mmol, 1 eq）、M-1（5.76 g, 10 mmol, 1 eq）、碳酸钾（2.07 g, 15 mmol, 1.5 eq）、Pd-132（58m g, 1%w/w）、四氢呋喃（45mL）、水（15mL），回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯（500mL）萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE→PE:EA=50:1)得到产品643-1(6.9g，产率为70.59%）。质谱m/z，理论值：977.53，实验值M+H：978.46。
（2）643的合成：
在反应瓶中加入643-1（6g, 6.1 mmol, 1 eq）、四氯铂酸钾（2.54g, 6.1 mmol, 1eq）、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化(PE→PE:EA=50:1)，得到643(3.24g，产率为45.1%）。质谱m/z，理论值：1170.48，实验值M+H：1171.40，1H NMR(400 MHz, Chloroform-d) δ 0.88 (d, J = 8.1 Hz, 9H), 0.94 (d, J = 5.7 Hz, 9H),1.42 (d, J = 1.7 Hz, 9H), 1.55 (s, 9H), 6.82 (ddd, J = 19.6, 9.7, 6.6 Hz,4H), 6.97 (dd, J = 5.0, 1.9 Hz, 3H), 7.05 (dd, J = 6.8, 3.0 Hz, 2H), 7.11(td, J = 7.5, 1.1 Hz, 1H), 7.16 (dd, J = 7.5, 1.1 Hz, 1H), 7.22 – 7.24 (m,1H), 7.28 (d, J = 1.3 Hz, 0H), 7.31 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.34 (s, 1H), 7.43(q, J = 1.8 Hz, 1H), 7.47 (ddd, J = 7.6, 4.0, 1.1 Hz, 2H), 7.50 – 7.56 (m,1H), 7.65 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 7.89 – 7.99 (m, 3H), 8.13 (t, J = 7.5 Hz, 2H),8.28 (s, 1H), 8.32 (d, J = 1.9 Hz, 1H), 9.14 (s, 1H)。
化合物639的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE152
（1）639-1的合成：
在反应瓶中加入L-2、M-2、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品639-1。质谱m/z，理论值：820.32，实验值M+H：821.24。
（2）639的合成：
在反应瓶中加入639-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到639(产率为46%）。质谱m/z，理论值：1013.27，实验值M+H：1014.29。
化合物640的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE153
（1）640-1的合成：
在反应瓶中加入L-3、M-2、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品640-1。质谱m/z，理论值：781.31，实验值M+H：782.23。
（2）640的合成：
在反应瓶中加入640-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到640(产率为36%）。质谱m/z，理论值：974.26，实验值M+H：975.29。
化合物641的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE154
（1）641-1的合成：
在反应瓶中加入L-4、M-2、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品641-1。质谱m/z，理论值：821.28，实验值M+H：821.16。
（2）641的合成：
在反应瓶中加入641-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到641(产率为37%）。质谱m/z，理论值：1014.23，实验值M+H：1015.26。
化合物642的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE155
（1）642-1的合成：
在反应瓶中加入M-4、M-3、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品642-1。质谱m/z，理论值：747.32，实验值M+H：748.34。
（2）642的合成：
在反应瓶中加入642-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到642(产率为40%）。质谱m/z，理论值：940.27，实验值M+H：941.28。
化合物Pt1的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE156
（1）Pt1-1的合成：
在反应瓶中加入M-4、L-5、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品Pt1-1。质谱m/z，理论值：377.15，实验值M+H：378.17。
（2）Pt1的合成：
在反应瓶中加入Pt1-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到Pt1(产率为39%）。质谱m/z，理论值：570.1，实验值M+H：571.13。
化合物Pt2的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE157
（1）Pt2-1的合成：
在反应瓶中加入M-5、L-5、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品Pt2-1。质谱m/z，理论值：615.23，实验值M+H：616.26。
（2）Pt2的合成：
在反应瓶中加入Pt2-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到Pt2(产率为33%）。质谱m/z，理论值：808.18，实验值M+H：809.19。
化合物Pt3的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE158
（1）Pt3-1的合成：
在反应瓶中加入M-6、M-4、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品Pt3-1。质谱m/z，理论值：615.23，实验值M+H：616.25。
（2）Pt3的合成：
在反应瓶中加入Pt3-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到Pt3(产率为38%）。质谱m/z，理论值：808.18，实验值M+H：809.20。
化合物631的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE159
（1）631-1的合成：
在反应瓶中加入M-1、L-6-2、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品631-1。质谱m/z，理论值：817.40，实验值M+H：818.44。
（2）631的合成：
在反应瓶中加入631-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到631(产率为34%）。质谱m/z，理论值：1010.35，实验值M+H：1011.38。
化合物632的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE160
（1）632-1的合成：
在反应瓶中加入L-6、M-1、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品632-1。质谱m/z，理论值：823.44，实验值M+H：824.48。
（2）632的合成：
在反应瓶中加入632-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到632(产率为41%）。质谱m/z，理论值：1016.39，实验值M+H：1017.51。
化合物633的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE161
（1）633-1的合成：
在反应瓶中加入L-6、M-7、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品633-1。质谱m/z，理论值：767.38，实验值M+H：768.42。
（2）633的合成：
在反应瓶中加入633-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到633(产率为36%）。质谱m/z，理论值：960.33，实验值M+H：961.35。
化合物634的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE162
（1）634-1的合成：
在反应瓶中加入M-1、L-7、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品634-1。质谱m/z，理论值：840.48，实验值M+H：841.56。
（2）634的合成：
在反应瓶中加入634-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到634(产率为42%）。质谱m/z，理论值：1033.42，实验值M+H：1034.46。
化合物635的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE163
（1）635-1的合成：
在反应瓶中加入M-7、L-7、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品635-1。质谱m/z，理论值：784.41，实验值M+H：785.45。
（2）635的合成：
在反应瓶中加入635-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到635(产率为47%）。质谱m/z，理论值：977.36，实验值M+H：978.38。
化合物636的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE164
（1）636-1的合成：
在反应瓶中加入M-7、L-8、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品636-1。质谱m/z，理论值：742.37，实验值M+H：743.43。
（2）636的合成：
在反应瓶中加入636-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到636(产率为36%）。质谱m/z，理论值：935.31，实验值M+H：936.34。
化合物637的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE165
（1）637-1的合成：
在反应瓶中加入M-7、L-9、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品637-1。质谱m/z，理论值：728.35，实验值M+H：729.38。
（2）637的合成：
在反应瓶中加入637-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到637(产率为39%）。质谱m/z，理论值：921.30，实验值M+H：922.32。
化合物638的制备：
Figure DEST_PATH_IMAGE166
（1）638-1的合成：
在反应瓶中加入M-2、M-8、碳酸钾、Pd-132、四氢呋喃、水，回流反应2小时,反应液减压蒸干四氢呋喃，水相用乙酸乙酯萃取，有机相减压蒸干得到粗品，粗品过硅胶柱纯化得到产品638-1。质谱m/z，理论值：837.37，实验值M+H：838.41。
（2）638的合成：
在反应瓶中加入638-1、四氯铂酸钾、乙酸，110℃搅拌72小时，反应液抽滤，得到粗品，粗品过硅胶柱纯化，得到638(产率为43%）。质谱m/z，理论值：1030.32，实验值M+H：1031.35。
化合物 644、化合物176、化合物196、化合物241、化合物466、化合物571、化合物681、 化合物671、化合物662、化合物682和化合物683的制备与上述化合物的制备类似。
OLED器件(具体参见图4)的制造：
在发光面积为2 mm×2 mm大小的底发射OLED基板上，蒸镀HIL（空穴注入层）为HT-1:P-3(95:5, v/v％)，厚度为10纳米；HTL（空穴传输层）为HT-1，厚度为90纳米；EBL（电子阻挡层）为HT-8，厚度为10纳米，EML（发光层）为主体材料: 本发明的有机金属配合物(94:6,v/v％)，厚度为35纳米，ETL（电子传输层）为ET-11：LiQ(50:50, v/v％)，厚度为35纳米，然后蒸镀阴极Al为70纳米。
其中对比的有机金属配合物及上述主体材料的结构如下：
Figure DEST_PATH_IMAGE167
Figure DEST_PATH_IMAGE168
依据上述实施例和对比例电流效率、电压和寿命等特性显示在下表1中。
表1
Figure DEST_PATH_IMAGE169
由表1可以看出，从在配体结构上并入螺环结构，实施例1至实施例5展示了良好的器件性能，说明本发明的有机金属配合物具有一定的应用价值。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.有机金属配合物，其结构如式I所示：
Figure DEST_PATH_IMAGE001
式I
在式I中，M选自铂或钯；
CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
其中，
B1、B2、B3、B4、C1和C2各组独立地选自C6～C60的芳基或C1～C60的杂芳基，且它们可以进行单取代或多取代；
R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
Y10至Y13各自独立地选自C、N或O；
L1为O、N-R7或S；
CY4 至CY5各自独立地与相应的Y10至Y13形成C6~C60的环基团和C6~C50杂环基团；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
2.根据权利要求1所述的有机金属配合物，其中B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE003
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
X各自独立地选自C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE004
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
X为C、O、N、S或Se；
虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；
n为0到10的整数；
虚线表示与根据权利要求2中的六元环相连形成化学键；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
4.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE005
Figure DEST_PATH_IMAGE006
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Figure DEST_PATH_IMAGE009
Figure DEST_PATH_IMAGE010
Figure DEST_PATH_IMAGE011
Figure DEST_PATH_IMAGE012
Figure DEST_PATH_IMAGE013
Figure DEST_PATH_IMAGE014
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C6～C40的杂芳基、C6～C60取代或未取代的杂螺环、C6～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其进行单取代或多取代；
n为0到10的整数；
X为C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
5.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氨基、氰基、甲基苯基、C1～C10烷基、苯氧基、甲氧基、叔丁氧基、C1～C10烷氧基、三苯基硅基、对叔丁基苯基、间叔丁基苯基、2-苯基、C1～C10取代的对叔丁基苯基、C1～C10取代的间叔丁基苯基、C1～C10取代的2-苯基、C1～C20取代的苯基、降冰片烯基、萘基、2，6-二异丙基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三异丙基苯基、2，4，6-三甲基苯基、3，5-二异丙基苯基、3，5-二甲基苯基、3，5-叔丁基苯基、2，4-二异丙基苯基、2，4-二甲基苯基。
6.根据权利要求5所述的有机金属配合物，其中所述C1～C10烷基为叔丁基、甲基、金刚烷基、降莰烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基。
7.根据权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物，其中式I选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE015
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。
8.制剂，其包含权利要求1至2中任一项所述的有机金属配合物和至少一种溶剂，其中所述溶剂为不饱和烃溶剂、饱和烃溶剂、醚类溶剂或酯类溶剂。
9.有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一者，其中所述有机层包含权利要求1至2任一项所述的有机金属配合物。
10.根据权利要求9所述的有机光电器件，其中所述有机层为发光层，所述发光层中包含权利要求1至2任一项所述的有机金属配合物和相应的主体材料，其中所述有机金属配合物的质量百分数在1％至50％。
11.根据权利要求9所述的有机光电器件，其中所述有机光电器件为有机光伏器件、有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体、有机薄膜晶体管或有机内存器件。
12.有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，所述有机层为发光层，其中所述发光层包含有机金属配合物，所述有机金属配合物的结构如式I所示：
Figure DEST_PATH_IMAGE116
式I
在式I中，M选自铂或钯；
CY4和CY5中至少一者选自以下结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE117
其中，
B1、B2、B3、B4、C1和C2各组独立地选自C6～C60的芳基或C1～C60的杂芳基，且它们可以进行单取代或多取代；
R1、R2、R3、R4、R5和R各自独立地选自氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
Y10至Y13各自独立地选自C、N或O；
L1为O、N-R7或S；
CY4 至CY5各自独立地与相应的Y10至Y13形成C6~C60的环基团和C1~C50杂环基团；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
13.根据权利要求12所述的有机光电器件，其中B1、B2、B3和B4各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE118
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
n为0到10的整数；
X各自独立地选自C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
14.根据权利要求12所述的有机光电器件，其中C1和C2各自独立地选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE119
其中，R 为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基；
X为C、O、N、S或Se；
虚线表示与上述结构中的六元环相连形成化学键；
n为0到10的整数；
虚线表示与根据权利要求13中的六元环相连形成化学键；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
15.根据权利要求12所述的有机光电器件，其中CY4和CY5中至少一者选自下列结构中任一者：
Figure DEST_PATH_IMAGE120
Figure DEST_PATH_IMAGE121
Figure DEST_PATH_IMAGE122
Figure DEST_PATH_IMAGE123
Figure DEST_PATH_IMAGE124
Figure DEST_PATH_IMAGE125
Figure DEST_PATH_IMAGE126
Figure DEST_PATH_IMAGE127
Figure DEST_PATH_IMAGE128
Figure DEST_PATH_IMAGE129
其中，R为氢、氘、卤素、C1～C18烷基、C1～C18烷氧基、含C1～C18烷硅基、含C1～C18烷氧硅基、C6～C40取代或未取代的芳基，C1～C40的杂芳基、C1～C60取代或未取代的杂螺环、C1～C60取代或未取代的螺环、取代或未取代的芳基醚基、取代或未取代的杂芳基醚基、取代或未取代的芳基胺基、取代或未取代的杂芳基胺基、取代或未取代的芳基硅基、取代或未取代的杂芳基硅基、取代或未取代的芳基氧硅基、取代或未取代的芳基酰基、取代或未取代的杂芳基酰基或取代或未取代的氧膦基，且其进行单取代或多取代；
n为0到10的整数；
X为C、O、N、S或Se；
上述所有基团可被部分氘代或全氘代。
16.显示或照明装置，其包括权利要求9所述的有机光电器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113717232A (zh) * 2021-09-28 2021-11-30 浙江华显光电科技有限公司 有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置
CN114773395B (zh) * 2022-04-27 2024-05-14 浙江华显光电科技有限公司 有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置
CN115286663A (zh) * 2022-07-29 2022-11-04 宇瑞(上海)化学有限公司 有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置
CN115160379B (zh) * 2022-08-01 2024-02-02 浙江工业大学 一种圆偏振发光材料及应用、发光显示器件及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107573383A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星电子株式会社 有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括该有机金属化合物的诊断组合物
CN110003281A (zh) * 2018-01-05 2019-07-12 三星电子株式会社 有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括其的诊断组合物
US20200006676A1 (en) * 2018-06-20 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN112940041A (zh) * 2021-01-29 2021-06-11 浙江华显光电科技有限公司 一种有机金属配合物和含有该化合物的有机光电元件

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180045738A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물
KR102448032B1 (ko) * 2017-08-01 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치
CN110872326A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 三星电子株式会社 有机金属化合物、包括该有机金属化合物的有机发光器件和诊断组合物
CN112939940A (zh) * 2021-01-29 2021-06-11 浙江华显光电科技有限公司 一种有机金属配合物和含有该化合物的有机光电元件
CN113717232A (zh) * 2021-09-28 2021-11-30 浙江华显光电科技有限公司 有机金属配合物、制剂、有机光电器件及显示或照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107573383A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星电子株式会社 有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括该有机金属化合物的诊断组合物
CN110003281A (zh) * 2018-01-05 2019-07-12 三星电子株式会社 有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括其的诊断组合物
US20200006676A1 (en) * 2018-06-20 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN112940041A (zh) * 2021-01-29 2021-06-11 浙江华显光电科技有限公司 一种有机金属配合物和含有该化合物的有机光电元件

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