CN115065917A - 发声装置和终端设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声装置和终端设备，该发声装置包括盆架、磁路系统及振动系统，盆架设有容腔，磁路系统包括设于容腔内的U铁和内磁路部分，U铁具有容置槽，内磁路部分设于容置槽内，并与容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈，振膜连接于盆架，并与磁路系统相对，音圈远离振膜的一端悬设于磁间隙内；其中，定义缺口槽沿磁间隙轴线方向的长度为a，定义缺口槽沿垂直于磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。本发明旨在提供一种增加华司导磁率的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

Description

发声装置和终端设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备。

背景技术

喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在提供一种增加华司导磁率的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容腔；

磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内；

其中，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

在一实施例中，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。

在一实施例中，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。

在一实施例中，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；

其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

在一实施例中，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2；

且/或，定义所述内华司的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。

在一实施例中，定义所述凸弧面的半径为R1，定义所述凹弧面的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5；

且/或，定义所述凸弧面的弧长为L1，定义所述凹弧面的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5。

在一实施例中，所述盆架设有连通所述容腔的贯通孔，所述U铁对应所述贯通孔设有贯穿所述容置槽底壁的第一通孔，所述内磁铁对应所述第一通孔设有第二通孔，所述内华司对应所述第二通孔设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述凹陷槽的底壁。

在一实施例中，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成支撑台，所述支撑台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述内磁铁支撑于所述支撑台，所述U铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述支撑台凹陷形成凹槽；

且/或，所述缺口槽沿所述内华司的周缘延伸设置；

且/或，所述缺口槽邻近所述内磁铁设置。

在一实施例中，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述容腔的内壁设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接。

本发明还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

本发明技术方案的发声装置通过在盆架内设置容腔，从而利用盆架的容腔安装、固定和保护磁路系统和振动系统，通过将磁路系统设置为U铁和内磁路部分，利用U铁的容置槽安装固定内磁路部分的同时，使得内磁路部分与U铁的容置槽的侧壁间隔形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过在内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，从而取消内磁路部分导磁率低的部分，以减小内磁路部分的重量，并充分利用内磁路部分导磁率高的部分，以保证发声装置良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图2为本发明一实施例中发声装置的剖面分解示意图；

图3为本发明一实施例中U铁的剖面示意图；

图4为本发明一实施例中内华司的剖面示意图；

图5为本发明一实施例中磁路系统的仿真磁感线示意图；

图6为现有技术中磁路系统的仿真磁感线示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

基于上述构思和问题，本发明提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100应用于终端设备，终端设备可以是音箱、车载音箱等，在此不做限定。

请结合参照图1至图4所示，在本发明实施例中，该发声装置100包括盆架1、磁路系统2及振动系统3，盆架1设有容腔11，磁路系统2包括设于容腔11内的U铁21和内磁路部分22，U铁21具有容置槽211，内磁路部分22设于容置槽211内，并与容置槽211的侧壁间隔以形成磁间隙23，内磁路部分22面向磁间隙23的一侧设有缺口槽2221，振动系统3包括振膜31和连接于振膜31的音圈32，振膜31连接于盆架1，并与磁路系统2相对，音圈32远离振膜31的一端悬设于磁间隙23内；其中，定义缺口槽2221沿磁间隙23轴线方向的长度为a，定义缺口槽2221沿垂直于磁间隙23轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

在本实施例中，盆架1用于安装、固定、支撑和保护振动系统3、磁路系统2等部件，也即盆架1为振动系统3、磁路系统2等部件提供安装基础。可以理解的，盆架1可以是具有容腔11的安装壳、壳体或盒体等结构，也即盆架1限定出收容空间，在此不做限定。

可以理解的，盆架1可选为圆柱形、方形或喇叭状等结构。盆架1的容腔11可以是一端开口的空腔结构，当然也可以是两端开口的空腔结构。在本实施例中，盆架1为一端开口的柱状或盆装结构，磁路系统2设于盆架1的容腔11内，通过将振动系统3的振膜31周缘与盆架1的一端连接固定，并盖合开口，使得振膜31与磁路系统2相对，以围合形成发声装置100的振动空间。

在本实施例中，磁路系统2包括U铁21和内磁路部分22，U铁21呈U型设置，此时U铁21具有一端开口的容置槽211，U铁21设于盆架1的容腔11内，容置槽211的槽口与振膜31相对，内磁路部分22设于容置槽211内，并与容置槽211的侧壁间隔以围合形成磁间隙23，振动系统3的音圈32位于发声装置100的振动空间内，使得音圈32的一端与振膜31连接，音圈32的另一端悬设于磁间隙23内，如此音圈32通电时，音圈32将电能引入磁路系统2的磁间隙23内，在磁路系统2的磁场作用下，驱动音圈32做切割磁感线运行，如此将电能转换为机械能，音圈32运动时带动振膜32振动，从而使得振膜32振动发声，如此将机械能转换为声能，实现电声转换。

可以理解的，盆架1是金属件时，磁路系统2与盆架1采用粘接或焊接固定，从而提高发声装置100的散热效果。在另外的实施例中，盆架1为塑料注塑成型时，磁路系统2的U铁21也可作为嵌件注塑在盆架1中，或者磁路系统2与盆架1采用粘接固定，然后其他部分再粘接固定，在此不做限定。

在本实施例中，如图1至图4所示，通过在内磁路部分22面向磁间隙23的一侧设有缺口槽2221，定义缺口槽2221沿磁间隙23轴线方向的长度为a，定义缺口槽2221沿垂直于磁间隙23轴线方向的长度为b，使得缺口槽2221沿磁间隙23轴线方向的长度a与缺口槽2221沿垂直于磁间隙23轴线方向的长度b的比值范围在1.8～2.2范围内，从而通过在内磁路部分22上设置缺口槽2221，以取消内磁路部分22上导磁率低的部分，从而减小内磁路部分22的重量，如此可充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

可以理解的，磁间隙23轴线方向为音圈32的移动方向，垂直于磁间隙23的轴线方向为内磁路部分22至U铁21容置槽211侧壁的方向。可选地，缺口槽2221沿磁间隙23轴线方向的长度a与缺口槽2221沿垂直于磁间隙23轴线方向的长度b的比值为1.8、1.9、2、2.1、2.2等，在此不做限定。

本发明的发声装置100通过在盆架1内设置容腔11，从而利用盆架1的容腔11安装、固定和保护磁路系统2和振动系统3，通过将磁路系统2设置为U铁21和内磁路部分22，利用U铁21的容置槽211安装固定内磁路部分22的同时，使得内磁路部分22与U铁21的容置槽211的侧壁间隔形成供振动系统3音圈32悬设的磁间隙23，如此音圈32通电后，音圈在磁路系统2的磁间隙23内做切割磁感线的运动，从而带动振膜31振动发声；通过在内磁路部分22面向磁间隙23的一侧设有缺口槽2221，从而取消内磁路部分22导磁率低的部分，以减小内磁路部分22的重量，并充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

在一实施例中，内磁路部分22包括层叠设置的内磁铁221和内华司222，内磁铁221夹设于内华司222和容置槽211的底壁之间，内华司222面向磁间隙23的一侧设有缺口槽2221，内华司222背向内磁铁221的一侧设有凹陷槽2222。

在本实施例中，如图1、图2和图4所示，内磁路部分22包括内磁铁221和内华司222，内磁铁221可选为磁铁，内华司222可选为导磁板结构。内磁铁221的形状轮廓与内华司222的形状轮廓相同或一致。可选地，内磁铁221和内华司222可以圆形、椭圆形、方形或跑道型等，在此不做限定。

可以理解的，内磁路部分22的内磁铁221和内华司222的形状轮廓大致与U铁21的容置槽211形状轮廓相似。可选地，U铁21为一端开口的筒状结构。在本实施例中，通过在内华司222面向磁间隙23的一侧设有缺口槽2221，并在内华司222背向内磁铁221的一侧设有凹陷槽2222，如此使得内华司222形成阶梯式结构，从而利用缺口槽2221和凹陷槽2222进一步配合取消内华司222上导磁率低的部分，以降低内华司222的重量，达到减重目的，同时确保内华司222在内磁铁221作用下的导磁率和磁场强度。

在本实施例中，缺口槽2221可以是缺口、凹槽等结构。凹陷槽2222可选为凹槽结构或通槽结构等，在此不做限定。凹陷槽2222由内华司222背向内磁铁221的一侧朝向内磁铁221凹陷形成，可选地，凹陷槽2222位于内华司222中部。

为了进一步增加磁间隙23处的磁通密度，凹陷槽2222的内壁呈弧面设置，使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。在本实施例中，如图5和图6所示，本发明内华司222的缺口槽2221和凹陷槽2222配合去掉内华司222上导磁率低的部分，可以使内华司222的磁通密度增大，如此在保证磁通量的前提下，可以有效的降低内华司222的重量，提高内华司222的使用效率。

可以理解的，为了确保振动系统3的音圈32能够在磁间隙23内做切割磁感线运动时，可保持恒定数目的音圈位于磁间隙23内的最大位移，音圈32采用长音圈，并配合阶梯式的内华司222，使得内华司222邻近磁间隙23处呈阶梯式，可以增大磁间隙23处的磁通密度，保证发声装置100具有较高的灵敏度，在保证BL值的情况下，增大发声装置100的线性范围。

可选地，缺口槽2221沿内华司222的周缘延伸设置，如此缺口槽2221沿磁间隙23的环绕方向延伸设置，以形成位于内华司222外侧壁的环槽结构。为了进一步确保内华司222在磁间隙23处的磁通密度，缺口槽2221邻近内磁铁221设置。

在本实施例中，缺口槽2221贯穿内华司222面向内磁铁221的底面，从而使得内华司222面向磁间隙23的外侧壁呈阶梯式设置。

在一实施例中，盆架1设有连通容腔11的贯通孔12，U铁21对应贯通孔12设有贯穿容置槽211底壁的第一通孔212，内磁铁221对应第一通孔212设有第二通孔2211，内华司222对应第二通孔2211设有第三通孔2223，第三通孔2223贯穿凹陷槽2222的底壁。

在本实施例中，如图1至图4所示，通过在盆架1上设置贯通孔12，并在内磁路部分22上对应贯通孔12设置通孔结构，如此在音圈32带动振膜31振动时，确保振动空间内的气压平衡。可以理解的，贯通孔12开设于盆架1的容腔11底壁，且贯穿容腔11的底壁。内磁路部分22固定于盆架1容腔11的底壁，内磁路部分22的U铁21、内磁铁221及内华司222对应贯通孔12依次开设有第一通孔212、第二通孔2211及第三通孔2223。

可以理解的，第一通孔212、第二通孔2211及第三通孔2223呈同轴设置。第一通孔212、第二通孔2211及第三通孔2223的形状轮廓相同，第一通孔212、第二通孔2211及第三通孔2223可选为圆孔、椭圆孔、三角孔或方形孔等，在此不做限定。

在本实施例中，第三通孔2223贯穿凹陷槽2222的底壁，如此可进一步降低内华司222的重量，达到减重目的。可选地，第三通孔2223设于凹陷槽2222的中部或中间位置，如此可确保磁间隙23内磁通密度均匀，避免音圈32出现偏振或摆动等现象，以提高发声装置100的出声效果。

在一实施例中，凹陷槽2222的内壁包括相连接的凸弧面2224和凹弧面2225，凸弧面2224远离凹弧面2225的一侧与内华司222的外侧壁连接，凹弧面2225远离凸弧面2224的一侧与第三通孔2223的孔壁连接。

在本实施例中，如图2和图4所示，通过将凹陷槽2222的内壁设置为相连接的凸弧面2224和凹弧面2225，使得凸弧面2224位于凹弧面2225的边缘处，并与内华司222的外侧壁连接，从而确保内华司222的上端部呈圆滑过渡设置，以均匀化磁感线，并进一步增加磁间隙23处的磁通密度。可选地，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处呈圆滑过渡设置，也即凹陷槽2222的内壁呈圆滑的弧面结构，从而使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。

在一实施例中，定义凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离为d1，定义内华司222的最大厚度为d2；其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

在本实施例中，如图4所示，通过确保内华司222邻近磁间隙23的外侧壁上的长度，从而确保内华司222在磁间隙23处的磁通密度。可以理解的，内华司222邻近磁间隙23的外侧壁的长度为凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1。内华司222的最大厚度d2为凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至内华司222面向内磁铁221底面的垂直距离。

可选地，凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1与内华司222的最大厚度d2的比值范围为0.5～0.7，可选地，d1/d2的比值为0.5、0.6、0.7等，在此不做限定。

在一实施例中，定义凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2。

在本实施例中，如图4所示，通过限定凸弧面2224和凹弧面2225的连接处至内华司222背向内磁铁221一侧的垂直距离，从而进一步确保内华司222邻近磁间隙23处的磁通密度。可以理解的，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离d3为凸弧面2224和凹弧面2225的连接处至内华司222背向内磁铁221一侧的垂直距离。

可以理解的，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离d3与凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1的比值范围＜1/2，从而使得内华司222邻近磁间隙23处呈阶梯式，可以增大磁间隙23处的磁通密度，保证发声装置100具有较高的灵敏度，在保证BL值的情况下，增大发声装置100的线性范围。

在一实施例中，定义内华司222的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。可以理解的，内华司222的厚度为沿磁间隙23轴向方向的厚度，也即音圈32沿磁间隙23的移动方向的厚度。

可选地，内华司222从邻近磁间隙23至第三通孔2223的方向，内华司222的厚度逐渐减小，通过限定内华司222的最小厚度d4大于1/10的凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1(也即内华司222面向磁间隙23的外侧壁的长度)，从而确保内华司222的磁通密度。

在一实施例中，定义凸弧面2224的半径为R1，定义凹弧面2225的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5。

在本实施例中，如图4所示，凸弧面2224和凹弧面2225均呈弧形结构，以穿过凸弧面2224和凹弧面2225的连接处并垂直与磁间隙23轴向方向的平面为基础，凸弧面2224的中心和凹弧面2225的中心位于该平面的相对两侧。

可选地，凸弧面2224的半径R1为5.5mm～6.5mm。在本实施例中，凸弧面2224的半径R1为5.5mm、5.8mm、6mm、6.3mm、6.5mm等，在此不做限定。

可选地，凸弧面2224的半径R1与凹弧面2225的半径R2的比值范围为3.5～4.5。在本实施例中，凸弧面2224的半径R1与凹弧面2225的半径R2的比值为3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4、4.1、4.2、4.3、4.4、4.5等，在此不做限定。

在本实施例中，定义凸弧面2224的弧长为L1，定义凹弧面2225的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5。可选地，凹弧面2225的弧长L2与凸弧面2224的弧长L1的比值为2.5、3、3.5、4、4.5、5等，在此不做限定。

在本实施例中，如图4所示，凹弧面2225与第三通孔2223的孔壁连接处呈圆角设置。可以理解的，定义圆角的半径为R3，1.5mm≤R3≤2.5mm，如此可保证振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。

在一实施例中，容置槽211的底壁朝向容置槽211内凸起形成支撑台213，支撑台213与容置槽211的侧壁间隔以围合形成避位槽214，避位槽214与磁间隙23对应连通，内磁铁221支撑于支撑台213，U铁21背向容置槽211底壁的一侧对应支撑台213凹陷形成凹槽215，第一通孔212贯穿支撑台213，并连通凹槽215。

在本实施例中，如图1至图3所示，通过在U铁21的容置槽211的底壁设置支撑台213，使得支撑台213与容置槽211的侧壁间隔以围合形成避位槽214，且避位槽214与磁间隙23对应连通，从而利用支撑台213支撑固定内磁路部分22的同时，利用避位槽214对音圈32在磁间隙23内的移动实现避让，以保证发声装置100的振幅。

可以理解的，支撑台213可以是凸设于容置槽211的底壁的凸起结构。当然，支撑台213也可以是由U铁21背向容置槽211底壁的一侧朝向容置槽211内凸起形成，在此不做限定。可选地，U铁21背向容置槽211底壁的一侧对应支撑台213凹陷形成凹槽215，第一通孔212贯穿支撑台213，并连通凹槽215。

在一实施例中，如图1和图2所示振动系统3还包括定心环33，定心环33的内侧与音圈32的外壁连接，容腔11的内壁设有固定台13，定心环33的外侧与固定台13连接。可以理解的，通过设置定心环33，从而利用定心环33有效避免音圈32在振动过程中发生偏振或左右摆动等限定，以提高振膜31的振动发声效果。

可以理解的，固定台13可以是容腔11的内壁凸设形成的凸台结构，也可以是由容腔11的内壁形成的台阶结构，在此不做限定。

本发明还提出一种终端设备，该终端设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本终端设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容腔；

磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内；

其中，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有凹陷槽。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。

4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；

其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2；

且/或，定义所述内华司的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。

6.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面的半径为R1，定义所述凹弧面的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5；

且/或，定义所述凸弧面的弧长为L1，定义所述凹弧面的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5。

7.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述盆架设有连通所述容腔的贯通孔，所述U铁对应所述贯通孔设有贯穿所述容置槽底壁的第一通孔，所述内磁铁对应所述第一通孔设有第二通孔，所述内华司对应所述第二通孔设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述凹陷槽的底壁。

8.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成支撑台，所述支撑台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述内磁铁支撑于所述支撑台，所述U铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述支撑台凹陷形成凹槽；

且/或，所述缺口槽沿所述内华司的周缘延伸设置；

且/或，所述缺口槽邻近所述内磁铁设置。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述容腔的内壁设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接。

10.一种终端设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

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