CN217693707U - 发声装置和终端设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种发声装置和终端设备，该发声装置包括盆架、磁路系统及振动系统，盆架设有容腔，磁路系统包括设于容腔内的U铁和内磁路部分，U铁具有容置槽，内磁路部分设于容置槽内，并与容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，内磁路部分背向容置槽底壁的一侧设有凹陷槽，振动系统包括振膜和连接于振膜的音圈，振膜连接于盆架，并与磁路系统相对，音圈远离振膜的一端悬设于磁间隙内。本实用新型旨在提供一种保证BL值和线性范围良好的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

Description

发声装置和终端设备

技术领域

本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的终端设备。

背景技术

喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种发声装置和终端设备，旨在提供一种保证BL值和线性范围良好的发声装置，该发声装置不仅有效减低重量，保证良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

为实现上述目的，本实用新型提出一种发声装置，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容腔；

磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽，所述内磁路部分背向所述容置槽底壁的一侧设有凹陷槽；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。

在一实施例中，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有所述凹陷槽。

在一实施例中，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。

在一实施例中，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；

其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

在一实施例中，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2；

且/或，定义所述内华司的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。

在一实施例中，定义所述凸弧面的半径为R1，定义所述凹弧面的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5；

且/或，定义所述凸弧面的弧长为L1，定义所述凹弧面的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5；

且/或，所述盆架设有连通所述容腔的贯通孔，所述U铁对应所述贯通孔设有贯穿所述容置槽底壁的第一通孔，所述内磁铁对应所述第一通孔设有第二通孔，所述内华司对应所述第二通孔设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述凹陷槽的底壁，所述凹弧面与所述第三通孔的孔壁连接处呈圆角设置，定义所述圆角的半径为R3，1.5mm≤R3≤2.5mm。

在一实施例中，所述U铁邻近所述容置槽槽口的端面形成支撑面，所述磁路系统还包括外磁路部分，所述外磁路部分设于所述支撑面，并与所述盆架连接，所述容置槽的侧壁和所述外磁路部分与所述内磁路部分间隔以形成所述磁间隙。

在一实施例中，所述U铁邻近所述支撑面朝向背离所述容置槽的一侧延伸形成支撑台，所述支撑台与所述支撑面齐平；

所述外磁路部分包括层叠设置的外磁铁和外华司，所述外磁铁夹设于所述外华司和所述支撑面之间，所述外华司与所述盆架连接。

在一实施例中，定义所述内磁铁的厚度为h1，定义所述外磁铁的厚度为h2，其中，0.8≤h1/h2≤1.2；

且/或，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述外华司的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5；

且/或，定义所述内华司的半径为w1，定义所述外华司的宽度为w2，其中，1.5≤w1/w2≤2；

且/或，所述凹陷槽的截面呈半圆形，定义所述凹陷槽的半径为R，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述内华司的半径为w1，其中，t1＜R＜w1；

且/或，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

在一实施例中，所述外华司背向所述磁间隙的一侧凸设有限位凸起，所述盆架设有限位槽，所述限位凸起容纳并限位于所述限位槽内。

在一实施例中，所述缺口槽沿所述内磁路部分的周缘延伸设置；

且/或，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成凸台，所述凸台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述内磁路部分支撑于所述凸台，所述U铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述凸台凹陷形成凹槽。

在一实施例中，所述内磁路部分还包括短路环，所述短路环包括呈夹角设置的第一段和第二段，所述第一段与所述内磁路部分背向所述容置槽底壁的一侧连接，所述第二段贴附于所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧，以遮盖所述缺口槽。

在一实施例中，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述容腔的内壁设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接。

本实用新型还提出一种终端设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

本实用新型技术方案的发声装置通过在盆架内设置容腔，从而利用盆架的容腔安装、固定和保护磁路系统和振动系统，通过将磁路系统设置为U铁和内磁路部分，利用U铁的容置槽安装固定内磁路部分的同时，使得内磁路部分与U铁的容置槽的侧壁形成供振动系统音圈悬设的磁间隙，如此音圈通电后，音圈在磁路系统的磁间隙内做切割磁感线的运动，从而带动振膜振动发声；通过在内磁路部分面向磁间隙的一侧设有缺口槽，并在内磁路部分背向容置槽底壁的一侧设有凹陷槽，从而取消内磁路部分导磁率低的部分，以减小内磁路部分的重量，并充分利用内磁路部分导磁率高的部分，以保证发声装置良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中发声装置的剖面示意图；

图2为本实用新型另一实施例中发声装置的剖面示意图；

图3为本实用新型另一实施例中发声装置的剖面分解示意图；

图4为本实用新型一实施例中磁路系统的剖面示意图；

图5为本实用新型一实施例中磁路系统的部分剖面放大示意图；

图6为本实用新型一实施例中U铁的剖面示意图；

图7为本实用新型另一实施例中U铁的剖面示意图；

图8为本实用新型一实施例中内华司的剖面示意图；

图9为本实用新型一实施例中部分磁路系统的仿真磁感线示意图；

图10为现有技术中部分磁路系统的仿真磁感线示意图；

图11为本实用新型一实施例中发声装置与现有技术的BL曲线图

图12为本实用新型另一实施例中磁路系统的仿真磁感线示意图；

图13为现有技术中磁路系统的仿真磁感线示意图。

附图标号说明：

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

喇叭又称扬声器，是一种电声换能器，它通过某种物理效应把电能转换成声能。当不同的电子能量传至喇叭的音圈时，音圈产生一种能量与磁铁的磁场互动，这种互动造成振膜振动，因为电子能量随时变化，喇叭的音圈会往前或往后运动，因此喇叭的振膜就会跟着运动，此动作使空气的疏密程度产生变化而产生声音。

相关技术中，扬声器的华司多为圆柱状或圆环状，通过胶水粘接在磁铁上，与U铁或T铁组成扬声器的磁路系统。华司起到导磁作用，与U铁或T铁和磁铁组成磁气回路，使通电的音圈在其中做切割磁感线运动，带动振膜震动发声。但是，圆盘状或圆环状的华司部分区域导磁率很低，保留导磁率低的区域导致华司重量增加，无法满足小型化、轻量化的设计要求，且存在BL值和线性范围不好的问题。

基于上述构思和问题，本实用新型提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100应用于终端设备，终端设备可以是音箱、车载音箱等，在此不做限定。

请结合参照图1至图8所示，在本实用新型实施例中，该发声装置100包括盆架1、磁路系统2及振动系统3，其中，盆架1设有容腔11，磁路系统2包括设于容腔11内的U铁21和内磁路部分22，U铁21具有容置槽211，内磁路部分22设于容置槽211内，并与容置槽211的侧壁间隔以形成磁间隙24，内磁路部分22面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，内磁路部分22背向容置槽211底壁的一侧设有凹陷槽2222，振动系统3包括振膜31和连接于振膜31的音圈32，振膜31连接于盆架1，并与磁路系统2相对，音圈32远离振膜31的一端悬设于磁间隙24内。

在本实施例中，盆架1用于安装、固定、支撑和保护振动系统3、磁路系统2等部件，也即盆架1为振动系统3、磁路系统2等部件提供安装基础。可以理解的，如图6和图7所示，盆架1可以是具有容腔11的安装壳、壳体或盒体等结构，也即盆架1限定出收容空间，在此不做限定。

可以理解的，盆架1可选为圆柱形、方形或喇叭状等结构。盆架1的容腔11可以是一端开口的空腔结构，当然也可以是两端开口的空腔结构。在本实施例中，如图2和图3所示，盆架1为一端开口的柱状或盆装结构；如图1所示，盆架1为两端开口的柱状或盆装结构。磁路系统2设于盆架1的容腔11内，通过将振动系统3的振膜31周缘与盆架1的一端连接固定，并盖合一端开口，使得振膜31与磁路系统2相对，以围合形成发声装置100的振动空间。

在本实施例中，如图2和图3所示，磁路系统2包括U铁21和内磁路部分22，U铁21呈U型设置，此时U铁21具有一端开口的容置槽211，U铁21设于盆架1的容腔11内，容置槽211的槽口与振膜31相对，内磁路部分22设于容置槽211内，并与容置槽211的侧壁间隔以形成磁间隙24，振动系统3的音圈32位于发声装置100的振动空间内，使得音圈32的一端与振膜31连接，音圈32的另一端悬设于磁间隙24内，如此音圈32通电时，音圈32将电能引入磁路系统2的磁间隙24内，在磁路系统2的磁场作用下，驱动音圈32做切割磁感线运行，如此将电能转换为机械能，音圈32运动时带动振膜32振动，从而使得振膜32振动发声，如此将机械能转换为声能，实现电声转换。

可以理解的，盆架1是金属件时，磁路系统2与盆架1采用粘接或焊接固定，从而提高发声装置100的散热效果。在另外的实施例中，盆架1为塑料注塑成型时，磁路系统2的U铁21也可作为嵌件注塑在盆架1中，或者磁路系统2与盆架1采用粘接固定，然后其他部分再粘接固定，在此不做限定。

在本实施例中，内磁路部分22设于容置槽211内，可减小发声装置100的纵向空间，降低了产品高度，可以在更狭小的空间使用，实现了产品小型化，同时相较于传统设计，该结构避免了振膜31在大振幅工作时与磁路系统2发生干涉。

在本实施例中，如图1至图5、图8所示，通过在内磁路部分22面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，并在内磁路部分22背向容置槽211底壁的一侧设有凹陷槽2222，从而通过在内磁路部分22上设置缺口槽2221和凹陷槽2222，以取消内磁路部分22上导磁率低的部分，从而减小内磁路部分22的重量，如此可充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

本实用新型的发声装置100通过在盆架1内设置容腔11，从而利用盆架1的容腔11安装、固定和保护磁路系统2和振动系统3，通过将磁路系统2设置为U铁21和内磁路部分22，利用U铁21的容置槽211安装固定内磁路部分22的同时，使得内磁路部分22与U铁21的容置槽211的侧壁围合形成供振动系统3音圈32悬设的磁间隙24，如此音圈32通电后，音圈在磁路系统2的磁间隙24内做切割磁感线的运动，从而带动振膜31振动发声；通过在内磁路部分22面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，并在内磁路部分22背向容置槽211底壁的一侧设有凹陷槽2222，从而取消内磁路部分22导磁率低的部分，以减小内磁路部分22的重量，并充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

在一实施例中，内磁路部分22包括层叠设置的内磁铁221和内华司222，内磁铁221夹设于内华司222和容置槽211的底壁之间，内华司222面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，内华司222背向内磁铁221的一侧设有凹陷槽2222。

在本实施例中，如图1至图5所示，内磁路部分22包括内磁铁221和内华司222，内磁铁221可选为磁铁，内华司222可选为导磁板结构。内磁铁221的形状轮廓与内华司222的形状轮廓相同或一致。可选地，内磁铁221和内华司222可以圆形、椭圆形、方形或跑道型等，在此不做限定。

可以理解的，内磁路部分22的内磁铁221和内华司222的形状轮廓大致与U铁21的容置槽211形状轮廓相似。可选地，U铁21为一端开口的筒状结构。在本实施例中，通过在内华司222面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，并在内华司222背向内磁铁221的一侧设有凹陷槽2222，如此使得内华司222形成阶梯式结构，从而利用缺口槽2221和凹陷槽2222进一步配合取消内华司222上导磁率低的部分，以降低内华司222的重量，达到减重目的，同时确保内华司222在内磁铁221作用下的导磁率和磁场强度。

在本实施例中，缺口槽2221可以是缺口、凹槽等结构。凹陷槽2222可选为凹槽结构或通槽结构等，在此不做限定。凹陷槽2222由内华司222背向内磁铁221的一侧朝向内磁铁221凹陷形成，可选地，凹陷槽2222位于内华司222中部。

为了进一步增加磁间隙24处的磁通密度，凹陷槽2222的内壁呈弧面设置，使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。在本实施例中，如图12和图13所示，本实用新型内华司222的缺口槽2221和凹陷槽2222配合去掉内华司222上导磁率低的部分，可以使内华司222的磁通密度增大，如此在保证磁通量的前提下，可以有效的降低内华司222的重量，提高内华司222的使用效率。

可以理解的，为了确保振动系统3的音圈32能够在磁间隙24内做切割磁感线运动时，可保持恒定数目的音圈位于磁间隙23内的最大位移，音圈32采用长音圈，并配合阶梯式的内华司222，使得内华司222邻近磁间隙24处呈阶梯式，可以增大磁间隙24处的磁通密度，保证发声装置100具有较高的灵敏度，在保证BL值的情况下，增大发声装置100的线性范围。

可选地，缺口槽2221沿内华司222的周缘延伸设置，如此缺口槽2221沿磁间隙24的环绕方向延伸设置，以形成位于内华司222外侧壁的环槽结构。为了进一步确保内华司222在磁间隙24处的磁通密度，缺口槽2221邻近内磁铁221设置。

在本实施例中，缺口槽2221贯穿内华司222面向内磁铁221的底面，从而使得内华司222面向磁间隙24的外侧壁呈阶梯式设置。可以理解的，凹陷槽2222可选为半圆形凹槽或半球形凹槽。凹陷槽2222的槽壁与内华司222背向内磁铁221的一侧表面的连接处呈圆角设置或圆弧形过渡，如此可使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。

在一实施例中，凹陷槽2222的内壁包括相连接的凸弧面2224和凹弧面2225，凸弧面2224远离凹弧面2225的一侧与内华司222的外侧壁连接。

在本实施例中，如图3和图8所示，通过将凹陷槽2222的内壁设置为相连接的凸弧面2224和凹弧面2225，使得凸弧面2224位于凹弧面2225的边缘处，并与内华司222的外侧壁连接，从而确保内华司222的上端部呈圆滑过渡设置，以均匀化磁感线，并进一步增加磁间隙24处的磁通密度。

可选地，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处呈圆滑过渡设置，也即凹陷槽2222的内壁呈圆滑的弧面结构，从而使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。

在一实施例中，定义凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离为d1，定义内华司222的最大厚度为d2；其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

在本实施例中，如图8所示，通过确保内华司222邻近磁间隙24的外侧壁上的长度，从而确保内华司222在磁间隙24处的磁通密度。可以理解的，内华司222邻近磁间隙24的外侧壁的长度为凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1。内华司222的最大厚度d2为凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至内华司222面向内磁铁221底面的垂直距离。

可选地，凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1与内华司222的最大厚度d2的比值范围为0.5～0.7，可选地，d1/d2的比值为0.5、0.6、0.7等，在此不做限定。

在一实施例中，定义凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2。

在本实施例中，如图8所示，通过限定凸弧面2224和凹弧面2225的连接处至内华司222背向内磁铁221一侧的垂直距离，从而进一步确保内华司222邻近磁间隙24处的磁通密度。可以理解的，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离d3为凸弧面2224和凹弧面2225的连接处至内华司222背向内磁铁221一侧的垂直距离。

可以理解的，凸弧面2224和凹弧面2225的连接处与凸弧面2224和内华司222的外侧壁的连接处的垂直距离d3与凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1的比值范围＜1/2，从而使得内华司222邻近磁间隙24处呈阶梯式，可以增大磁间隙24处的磁通密度，保证发声装置100具有较高的灵敏度，在保证BL值的情况下，增大发声装置100的线性范围。

在一实施例中，如图8所示，定义内华司222的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。可以理解的，内华司222的厚度为沿磁间隙24轴向方向的厚度，也即音圈32沿磁间隙24的移动方向的厚度。

可选地，内华司222从邻近磁间隙24至凹陷槽2222中间的方向，内华司222的厚度逐渐减小，通过限定内华司222的最小厚度d4大于1/10的凸弧面2224与内华司222的外侧壁的连接处至缺口槽2221的距离d1(也即内华司222面向磁间隙24的外侧壁的长度)，从而确保内华司222的磁通密度。

在一实施例中，定义凸弧面2224的半径为R1，定义凹弧面2225的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5。

在本实施例中，如图8所示，凸弧面2224和凹弧面2225均呈弧形结构，以穿过凸弧面2224和凹弧面2225的连接处并垂直与磁间隙24轴向方向的平面为基础，凸弧面2224的中心和凹弧面2225的中心位于该平面的相对两侧。

可选地，凸弧面2224的半径R1为5.5mm～6.5mm。在本实施例中，凸弧面2224的半径R1为5.5mm、5.8mm、6mm、6.3mm、6.5mm等，在此不做限定。

可选地，凸弧面2224的半径R1与凹弧面2225的半径R2的比值范围为3.5～4.5。在本实施例中，凸弧面2224的半径R1与凹弧面2225的半径R2的比值为3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4、4.1、4.2、4.3、4.4、4.5等，在此不做限定。

在本实施例中，定义凸弧面2224的弧长为L1，定义凹弧面2225的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5。可选地，凹弧面2225的弧长L2与凸弧面2224的弧长L1的比值为2.5、3、3.5、4、4.5、5等，在此不做限定。

在一实施例中，盆架1设有连通容腔11的贯通孔14，U铁21对应贯通孔14设有贯穿容置槽211底壁的第一通孔217，内磁铁221对应第一通孔217设有第二通孔2211，内华司222对应第二通孔2211设有第三通孔2223，第三通孔2223贯穿凹陷槽2222的底壁，凹弧面2225与第三通孔2223的孔壁连接处呈圆角设置，定义圆角的半径为R3，1.5mm≤R3≤2.5mm。

在本实施例中，如图2、图3、图7和图8所示，通过在盆架1上设置贯通孔14，并在内磁路部分22上对应贯通孔14设置通孔结构，如此在音圈32带动振膜31振动时，确保振动空间内的气压平衡。可以理解的，贯通孔14开设于盆架1的容腔11底壁，且贯穿容腔11的底壁。内磁路部分22固定于盆架1容腔11的底壁，内磁路部分22的U铁21、内磁铁221及内华司222对应贯通孔14依次开设有第一通孔217、第二通孔2211及第三通孔2223。

可以理解的，第一通孔217、第二通孔2211及第三通孔2223呈同轴设置。第一通孔217、第二通孔2211及第三通孔2223的形状轮廓相同，第一通孔217、第二通孔2211及第三通孔2223可选为圆孔、椭圆孔、三角孔或方形孔等，在此不做限定。

在本实施例中，第三通孔2223贯穿凹陷槽2222的底壁，凹弧面2225远离凸弧面2224的一侧与第三通孔2223的孔壁连接，如此可进一步降低内华司222的重量，达到减重目的。可选地，第三通孔2223设于凹陷槽2222的中部或中间位置，如此可确保磁间隙24内磁通密度均匀，避免音圈32出现偏振或摆动等现象，以提高发声装置100的出声效果。

在本实施例中，如图8所示，凹弧面2225与第三通孔2223的孔壁连接处呈圆角设置。可以理解的，定义圆角的半径为R3，1.5mm≤R3≤2.5mm，如此可保证振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。

在一实施例中，U铁21邻近容置槽211槽口的端面形成支撑面212，磁路系统2还包括外磁路部分23，外磁路部分23设于支撑面212，并与盆架1连接，容置槽211的侧壁和外磁路部分23与内磁路部分22间隔以形成磁间隙24。

在本实施例中，如图1、图4至图6所示，通过在U铁21的端面安装固定外磁路部分23，并在U铁21的容置槽211内设置内磁路部分22，利用内磁路部分22与外磁路部分23和U铁21提高磁场强度和磁通密度，以提高对音圈32的驱动力。同时，通过在内磁路部分22面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，从而通过在内磁路部分22上设置缺口槽2221，取消内磁路部分22上导磁率低的部分，从而减小内磁路部分22的重量，如此可充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

可以理解的，U铁21邻近容置槽211槽口的端面形成支撑面212，外磁路部分23设于支撑面212，并与盆架1连接，内磁路部分22设于容置槽211内，使得容置槽211的侧壁和外磁路部分23与内磁路部分22间隔以形成磁间隙24。

为了进一步增加磁间隙24处的磁通密度，凹陷槽2222的内壁呈弧面设置，使得振膜31震动所产生的气流流动更加顺畅。在本实施例中，如图9至图11所示，本实用新型内华司222的缺口槽2221和凹陷槽2222配合去掉内华司222上导磁率低的部分，可以使内华司222的磁通密度增大，如此在保证磁通量的前提下，可以有效的降低内华司222的重量，提高内华司222的使用效率，且BL曲线更对称，音圈32往复振动过程中受力更均衡，振动状态更稳定。

在一实施例中，U铁21邻近支撑面212朝向背离容置槽211的一侧延伸形成支撑台216，支撑台216与支撑面212齐平；外磁路部分23包括层叠设置的外磁铁231和外华司232，外磁铁231夹设于外华司232和支撑面212之间，外华司232与盆架1连接。

在本实施例中，如图1、图4和图5所示，外磁路部分23包括外磁铁231和外华司232，外磁铁231可选为磁铁，外华司232可选为导磁板结构。外磁铁231的形状轮廓与外华司232的形状轮廓相同或一致。可选地，外磁铁231和外华司232可以圆环、椭圆环、方形环或跑道环型等，在此不做限定。

可以理解的，外磁路部分23的外磁铁231和外华司232的形状轮廓大致与U铁21的容置槽211槽口形状轮廓相似。可选地，U铁21为一端开口的筒状结构。在本实施例中，U铁21的支撑面212与外磁路部分23的外磁铁231粘结固定，外磁铁231和外华司232之间粘结固定，外磁路部分23通过外华司232与盆架1连接固定。

可选地，外华司232与盆架1可采用焊接、粘结或一体成型等方式连接，在此不做限定。在本实施例中，如图1、图4、图5所示，外华司232背向磁间隙24的一侧凸设有限位凸起2321，盆架1设有限位槽12，限位凸起2321容纳并限位于限位槽12内。可以理解的，如此设置，可提高盆架1与外磁路部分23的连接稳定性，并实现对磁路系统2的限位安装。

在一实施例中，如图1、图4、图5和图6所示，U铁21邻近支撑面212朝向背离容置槽211的一侧延伸形成支撑台216，支撑台216与支撑面212齐平，外磁路部分23支撑于支撑面212和支撑台216。可以理解的，通过设置支撑台216，从而利用支撑台216和支撑面212增大与外磁路部分23的接触面积，以提高外磁路部分23和U铁21的连接稳定性。

在一实施例中，定义内磁铁221的厚度为h1，定义外磁铁231的厚度为h2，其中，0.8≤h1/h2≤1.2。可以理解的，如图4所示，内磁铁221的厚度h1为内磁铁221沿音圈32移动方向或振膜31振动方向的厚度，外磁铁231的厚度h2为外磁铁231沿音圈32移动方向或振膜31振动方向的厚度。

在本实施例中，通过将内磁铁221的厚度h1与外磁铁231的厚度h2的比值控制在0.8～1.2范围，从而使得磁路系统2的磁场分布更均匀，在有限的空间和成本范围内，实现磁场强度最大化。可选地，内磁铁221的厚度h1与外磁铁231的厚度h2的比值为0.8、0.9、1、1.1、1.2等，在此不做限定。

在一实施例中，定义内华司222的最大厚度为t1，定义外华司232的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5。可以理解的，如图4所示，内华司222的最大厚度t1为内华司222背向内磁铁221的一侧至内华司222面向内磁铁221的一侧之间的最大距离，内华司222的厚度为内华司222沿音圈32移动方向或振膜31振动方向的厚度，外华司232的厚度t2为外华司232沿音圈32移动方向或振膜31振动方向的厚度。

在本实施例中，通过将内华司222的最大厚度t1与外华司232的厚度t2的比值控制在2～2.5范围，从而使得磁路系统2的磁场分布更均匀，在有限的空间和成本范围内，实现磁场强度最大化。可选地，内华司222的最大厚度t1与外华司232的厚度t2的比值为2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5等，在此不做限定。

在一实施例中，如图4所示，定义内华司222的半径为w1，定义外华司232的宽度为w2，其中，1.5≤w1/w2≤2。可以理解的，内华司222可选为圆盘结构，内华司222的半径w1为内华司222背向内磁铁221的一侧表面的半径，外华司232可选为圆环结构。

在本实施例中，通过将内华司222的半径w1与外华司232的宽度w2的比值控制在1.5～2的范围内，从而使得磁路系统2的磁场分布更均匀，在有限的空间和成本范围内，实现磁场强度最大化。可选地，内华司222的半径w1与外华司232的宽度w2的比值为1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2等，在此不做限定。

在一实施例中，如图4所示，凹陷槽2222的截面呈半圆形，定义凹陷槽2222的半径为R，定义内华司222的最大厚度为t1，定义内华司222的半径为w1，其中，t1＜R＜w1。

在本实施例中，内华司222沿音圈32的移动方向或振膜31的振动方向从内华司222中间切割，凹陷槽2222的截面呈半圆形，通过将凹陷槽2222的半径R限定在内华司222的最大厚度t1和内华司222的半径w1之间，从而确保内华司222邻近磁间隙24的外侧壁上的长度，以确保内华司222在磁间隙24处的磁通密度。

在一实施例中，如图5和图8所示，定义缺口槽2221沿磁间隙24轴线方向的长度为a，定义缺口槽2221沿垂直于磁间隙24轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

在本实施例中，磁间隙24轴线方向为音圈32的移动方向，垂直于磁间隙24的轴线方向为内磁路部分22至U铁21容置槽211侧壁的方向。通过在内磁路部分22面向磁间隙24的一侧设有缺口槽2221，定义缺口槽2221沿磁间隙24轴线方向的长度为a，定义缺口槽2221沿垂直于磁间隙24轴线方向的长度为b，使得缺口槽2221沿磁间隙24轴线方向的长度a与缺口槽2221沿垂直于磁间隙24轴线方向的长度b的比值范围在1.8～2.2范围内，从而通过在内磁路部分22上设置缺口槽2221，以取消内磁路部分22上导磁率低的部分，从而减小内磁路部分22的重量，如此可充分利用内磁路部分22导磁率高的部分，以保证发声装置100良好的BL值和线性范围的同时，还能满足小型化、轻量化的设计要求。

可选地，缺口槽2221沿磁间隙24轴线方向的长度a与缺口槽2221沿垂直于磁间隙24轴线方向的长度b的比值为1.8、1.9、2、2.1、2.2等，在此不做限定。

在一实施例中，容置槽211的底壁朝向容置槽211内凸起形成凸台213，凸台213与容置槽211的侧壁间隔以围合形成避位槽214，避位槽214与磁间隙24对应连通，内磁路部分22支撑于凸台213，U铁21背向容置槽211底壁的一侧对应凸台213凹陷形成凹槽215。

在本实施例中，如图1至图7所示，通过在U铁21的容置槽211的底壁设置凸台213，使得凸台213与容置槽211的侧壁间隔以围合形成避位槽214，且避位槽214与磁间隙24对应连通，从而利用凸台213支撑固定内磁路部分22的同时，利用避位槽214对音圈32在磁间隙24内的移动实现避让，以保证发声装置100的振幅。

可以理解的，凸台213可以是凸设于容置槽211的底壁的凸起结构。当然，凸台213也可以是由U铁21背向容置槽211底壁的一侧朝向容置槽211内凸起形成，在此不做限定。可选地，U铁21背向容置槽211槽口的一侧凹设有凹槽215，也即U铁21背向容置槽211底壁的一侧对应凸台213凹陷形成凹槽215。

在本实施例中，为了在音圈32带动振膜31振动时，确保振动空间内的气压平衡，在盆架1上设置贯通孔，该贯通孔连通振动空间。当然，也可在内磁路部分22上对应贯通孔设置通孔结构。可选地，贯通孔开设于盆架1的容腔11底壁，且贯穿容腔11的底壁，第一通孔217贯穿凸台213，并连通凹槽215。

在一实施例中，内磁路部分22还包括短路环223，短路环223包括呈夹角设置的第一段2231和第二段2232，第一段2231与内磁路部分22背向容置槽211底壁的一侧连接，第二段2232贴附于内磁路部分22面向磁间隙24的一侧，以遮盖缺口槽2221。

在本实施例中，如图1、图4和图5所示，通过设置短路环223，从而利用短路环223有效减小音圈32在磁间隙24内的反向电动势，以减少电感，提升高频灵敏度。可选地，短路环223采用铜材制成。

可以理解的，短路环223呈环形的筒状结构。如图1、图4和图5所示，短路环223包括呈夹角设置的第一段2231和第二段2232，可选地，第一段2231和第二段2232呈垂直设置。第一段2231与内华司222背向内磁铁221的一侧连接，且第一段2231对应凹陷槽2222设有开口，也即凹陷槽2222显露于该开口。第二段2232贴附于内华司222面向磁间隙24的一侧，并延伸至内磁铁221，以遮盖缺口槽2221。

在一实施例中，如图1至图3所示，振动系统3还包括定心环33，定心环33的内侧与音圈32的外壁连接，容腔11的内壁设有固定台13，定心环33的外侧与固定台13连接。可以理解的，通过设置定心环33，从而利用定心环33有效避免音圈32在振动过程中发生偏振或左右摆动等限定，以提高振膜31的振动发声效果。

可以理解的，固定台13可以是容腔11的内壁凸设形成的凸台结构，也可以是由容腔11的内壁形成的台阶结构，在此不做限定。

本实用新型还提出一种终端设备，该终端设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本终端设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (14)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

盆架，所述盆架设有容腔；

磁路系统，所述磁路系统包括设于所述容腔内的U铁和内磁路部分，所述U铁具有容置槽，所述内磁路部分设于所述容置槽内，并与所述容置槽的侧壁间隔以形成磁间隙，所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧设有缺口槽，所述内磁路部分背向所述容置槽底壁的一侧设有凹陷槽；及

振动系统，所述振动系统包括振膜和连接于所述振膜的音圈，所述振膜连接于所述盆架，并与所述磁路系统相对，所述音圈远离所述振膜的一端悬设于所述磁间隙内。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分包括层叠设置的内磁铁和内华司，所述内磁铁夹设于所述内华司和所述容置槽的底壁之间，所述内华司面向所述磁间隙的一侧设有所述缺口槽，所述内华司背向所述内磁铁的一侧设有所述凹陷槽。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述凹陷槽的内壁包括相连接的凸弧面和凹弧面，所述凸弧面远离所述凹弧面的一侧与所述内华司的外侧壁连接。

4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面与所述内华司的外侧壁的连接处至所述缺口槽的距离为d1，定义所述内华司的最大厚度为d2；

其中，0.5≤d1/d2≤0.7。

5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面和所述凹弧面的连接处与所述凸弧面和所述内华司的外侧壁的连接处的垂直距离为d3；其中，d3/d1＜1/2；

且/或，定义所述内华司的最小厚度为d4，其中，d4＞d1/10。

6.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，定义所述凸弧面的半径为R1，定义所述凹弧面的半径为R2；其中，5.5mm≤R1≤6.5mm，3.5≤R1/R2≤4.5；

且/或，定义所述凸弧面的弧长为L1，定义所述凹弧面的弧长为L2，其中，2.5≤L2/L1≤5；

且/或，所述盆架设有连通所述容腔的贯通孔，所述U铁对应所述贯通孔设有贯穿所述容置槽底壁的第一通孔，所述内磁铁对应所述第一通孔设有第二通孔，所述内华司对应所述第二通孔设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述凹陷槽的底壁，所述凹弧面与所述第三通孔的孔壁连接处呈圆角设置，定义所述圆角的半径为R3，1.5mm≤R3≤2.5mm。

7.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述U铁邻近所述容置槽槽口的端面形成支撑面，所述磁路系统还包括外磁路部分，所述外磁路部分设于所述支撑面，并与所述盆架连接，所述容置槽的侧壁和所述外磁路部分与所述内磁路部分间隔以形成所述磁间隙。

8.根据权利要求7所述的发声装置，其特征在于，所述U铁邻近所述支撑面朝向背离所述容置槽的一侧延伸形成支撑台，所述支撑台与所述支撑面齐平；

所述外磁路部分包括层叠设置的外磁铁和外华司，所述外磁铁夹设于所述外华司和所述支撑面之间，所述外华司与所述盆架连接。

9.根据权利要求8所述的发声装置，其特征在于，定义所述内磁铁的厚度为h1，定义所述外磁铁的厚度为h2，其中，0.8≤h1/h2≤1.2；

且/或，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述外华司的厚度t2，其中，2≤t1/t2≤2.5；

且/或，定义所述内华司的半径为w1，定义所述外华司的宽度为w2，其中，1.5≤w1/w2≤2；

且/或，所述凹陷槽的截面呈半圆形，定义所述凹陷槽的半径为R，定义所述内华司的最大厚度为t1，定义所述内华司的半径为w1，其中，t1＜R＜w1；

且/或，定义所述缺口槽沿所述磁间隙轴线方向的长度为a，定义所述缺口槽沿垂直于所述磁间隙轴线方向的长度为b；其中，1.8≤a/b≤2.2。

10.根据权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述外华司背向所述磁间隙的一侧凸设有限位凸起，所述盆架设有限位槽，所述限位凸起容纳并限位于所述限位槽内。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述缺口槽沿所述内磁路部分的周缘延伸设置；

且/或，所述容置槽的底壁朝向所述容置槽内凸起形成凸台，所述凸台与所述容置槽的侧壁间隔以围合形成避位槽，所述避位槽与所述磁间隙对应连通，所述内磁路部分支撑于所述凸台，所述U铁背向所述容置槽底壁的一侧对应所述凸台凹陷形成凹槽。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述内磁路部分还包括短路环，所述短路环包括呈夹角设置的第一段和第二段，所述第一段与所述内磁路部分背向所述容置槽底壁的一侧连接，所述第二段贴附于所述内磁路部分面向所述磁间隙的一侧，以遮盖所述缺口槽。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述振动系统还包括定心环，所述定心环的内侧与所述音圈的外壁连接，所述容腔的内壁设有固定台，所述定心环的外侧与所述固定台连接。

14.一种终端设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至13中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

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