CN115021562B - 驱动芯片及其控制方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提出一种驱动芯片及其控制方法、电子设备，控制方法中，首先根据驱动芯片的初始电参数确定初始状态下的PWM驱动信号的占空比，并在驱动芯片工作后，根据驱动芯片的结温值与输出电流为正相关变化关系，根据结温值间接调节PWM驱动信号的占空比，进而调节驱动芯片的输出功率，驱动芯片外无需额外设置电流检测电路，采用驱动芯片内自带的检测单元即可完成功率调节和线损补偿，简化了驱动电路的整体结构和降低了设计成本。

Description

驱动芯片及其控制方法、电子设备
技术领域
本发明属于功率调节技术领域，尤其涉及一种驱动芯片及其控制方法、电子设备。
背景技术
为了简化负载的驱动电路，通常会采用驱动芯片对对应负载进行驱动工作，其中，由于连接负载的线材、接口等结构具有一定的阻抗，造成负载接收到的实际电压与预期输出电压存在压降，该压降与阻抗的大小相关，同时与输出电流相关，由于压降的存在，造成负载实际接收到的功率低于预期功率。
为了解决这个问题，通常需要驱动芯片具有一定的补偿能力，即适当的提高输出功率来弥补压降带来的线损。
常规的做法为，根据线路中的大致阻抗大小，估算出损失的功率，然后提高驱动芯片输出的占空比，但是，估算损失的功率，需要设置额外的电流检测电路对输出电流进行电流检测，额外增加的电流检测电路增加了驱动电路的整体结构复杂度和成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种驱动芯片的控制方法，旨在解决传统的功率驱动电路存在结构复杂和成本高的问题。
本发明实施例的第一方面提出了一种驱动芯片的控制方法，所述驱动芯片包括用于连接供电电源和负载的功率开关，所述控制方法包括：
获取所述驱动芯片的初始电参数，并根据所述初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至所述功率开关，以触发所述功率开关输出对应大小的初始驱动功率至所述负载；
获取所述驱动芯片的实时结温值，并根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比，以触发所述功率开关输出调节后的驱动功率至所述负载；
其中，所述初始电参数为所述驱动芯片在初始状态时的电参数；
所述PWM驱动信号的占空比与所述实时结温值呈正相关变化。
可选地，所述根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
根据所述实时结温值生成占空比修正信号；
根据所述占空比修正信号和目标公式调节所述PWM驱动信号的占空比；
其中，所述目标公式为DOUT=D0+DX；
DOUT为修正后的所述PWM驱动信号的占空比，D0为初始状态下的PWM驱动信号的占空比，DX为占空比修正信号的占空比。
可选地，所述根据所述实时结温值生成占空比修正信号的步骤具体包括：
获取所述驱动芯片的初始结温值，其中，所述初始结温值为所述驱动芯片在所述功率开关接收到初始的所述PWM驱动信号后的结温值；
基于所述实时结温值和所述初始结温值生成所述占空比修正信号。
可选地，所述根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
将所述初始电参数与所述实时结温值进行比较计算，生成修正后的电信号；
根据修正后的电信号调节所述PWM驱动信号的占空比；
其中，所述修正后的电信号与所述PWM驱动信号的占空比成正相关变化。
可选地，所述控制方法还包括：
当所述驱动芯片的结温值超出结温阈值时，触发所述功率开关关断。
可选地，所述初始电参数包括输入电流和/或输入电压。
本发明实施例的第二方面提出了一种驱动芯片，所述驱动芯片包括用于连接供电电源和负载的功率开关，所述驱动芯片还包括：
参数获取单元，所述参数获取单元用于获取所述驱动芯片的初始电参数以及结温值，其中，所述初始电参数为所述驱动芯片在初始状态时的电参数；
与所述参数获取单元和所述功率开关分别连接的控制单元，所述控制单元用于实现如上所述控制方法的步骤。
可选地，所述参数获取单元包括：
电参数获取单元，所述电参数获取单元用于获取所述驱动芯片的初始电参数；
结温获取单元，所述结温获取单元用于获取所述驱动芯片的初始结温值和实时结温值。
可选地，所述控制单元包括：
与所述功率开关和所述电参数获取单元分别连接的PWM生成电路，所述PWM生成电路用于根据所述初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至所述功率开关；
与所述结温获取单元和所述PWM生成电路分别连接的PWM调节电路，所述PWM调节电路用于根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比；
以及当所述驱动芯片的结温值超出结温阈值时，调节所述PWM驱动信号的占空比至预设占空比，以触发所述功率开关关断。
本发明实施例的第三方面提出了一种电子设备，包括如上所述的驱动芯片。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的驱动芯片的控制方法中，首先根据驱动芯片的初始电参数确定初始状态下的PWM驱动信号的占空比，并在驱动芯片工作后，根据驱动芯片的结温值与输出电流为正相关变化关系，根据结温值间接调节PWM驱动信号的占空比，进而调节驱动芯片的输出功率，驱动芯片外无需额外设置电流检测电路，采用驱动芯片内自带的检测单元即可完成功率调节和线损补偿，简化了驱动电路的整体结构和降低了设计成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的第一种驱动芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的驱动芯片的控制方法的流程示意图；
图3为图1所示的驱动芯片的控制方法中步骤S20的第一种流程示意图；
图4为图3所示的驱动芯片的控制方法中步骤S21的流程示意图；
图5为图1所示的驱动芯片的控制方法中步骤S20的第二种流程示意图；
图6为本发明实施例提供的第二种驱动芯片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例的第一方面提出了一种驱动芯片1的控制方法，如图1所示，驱动芯片1包括用于连接供电电源IN和负载2的功率开关Q1，功率开关Q1的输入端构成驱动芯片1的电源输入端并用于输入供电电源IN，功率开关Q1的输出端构成驱动芯片1的电源输出端并通过线材与负载2连接，其中，功率开关Q1可为对应类型的开关管，可选地，功率开关Q1为PMOS管或者NMOS管，负载2可为LED灯、电子器件等各类负载2，功率开关Q1根据接收到的PWM驱动信号的占空比大小和频率对应通断，并将转换后的功率输出至负载2。
其中，驱动芯片1内还包括用于检测芯片内结温的结温获取单元12，芯片的结温大小反应当前驱动芯片1的输出电流大小。
具体地，芯片自身的功率为：
PD=RON*I2 OUT；
其中，PD表示芯片自身的功率，RON表示芯片内阻，IOUT表示驱动芯片1的输出电流，其中，芯片内阻主要为功率开关Q1的导通电阻。
以及芯片的结温值为：
TJ=PD*θJA+TA；
其中，TJ表示芯片的结温值，θJA表示芯片的封装热阻，可通过查表获取，TA表示环境温度。
因此，根据上述可知：TJ=(RON*I2 OUT)*θJA+TA；
即输出电流与结温值呈正相关变化，当输出电流变大或者变小时，结温值对应变化，而外接线材的阻抗大小固定时，更大的输出电流代表更多的压降损失。
因此，为了简化负载2的驱动电路的整体结构和降低设计成本，减少采用电流检测电路等外部检测单元，基于结温值与温度值的关系，提出了一种驱动芯片1的控制方法，如图2所示，控制方法包括：
步骤S10、获取驱动芯片1的初始电参数，并根据初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至功率开关Q1，以触发功率开关Q1输出对应大小的初始驱动功率至负载2；
步骤S20、获取驱动芯片1的实时结温值，并根据初始电参数和初始的PWM驱动信号中的至少一者数据以及实时结温值调节PWM驱动信号的占空比，以触发功率开关Q1输出调节后的驱动功率至负载2；
其中，初始电参数为驱动芯片在初始状态时的电参数；
PWM驱动信号的占空比与实时结温值呈正相关变化。
本实施例中，初始状态下指的是驱动芯片1初始上电，驱动芯片1内部的控制单元20根据当前的初始电参数生成初始状态下的PWM驱动信号并输出至功率开关Q1，功率开关Q1根据接收到的PWM驱动信号转换输出一初始驱动功率至负载2，以使负载2启动工作。
同时，通过结温获取单元12实时检测驱动芯片1内的结温，当结温获取单元12检测到结温上升时，间接表明驱动芯片1的输出电流增加，而外接线材的阻抗大小固定时，更大的输出电流代表更多的压降损失，为了弥补压降损失，控制单元20根据当前结温值、初始电参数和初始的PWM驱动信号按照预设算法进行计算，进而调节PWM驱动信号的占空比变大，功率开关Q1的输出电压和输出功率增大，从而补偿线材带来的压降损失和功耗。
例如初始输出电流为2A，输出电压为5V，即驱动芯片1的输出功率为10W，线材阻抗为0.5Ω，即压降为1V，线材功耗为2W，最终输出至负载2的电压为4V，假设4V为负载2的额定电压。
当输出电流增加至4A，输出电压认为5V时，即驱动芯片1的输出功率为20W，线材压降为2V，线材损耗为8W，最终输出至负载2的电压为3V，此时负载2欠压运行。
因此，当输出电流增加时，需提高输出电压以保证负载2在额定电压范围内工作，此时，需提高功率开关Q1的占空比，控制单元20根据结温间接确定输出电流增加，并同步提高功率开关Q1的占空比，提高功率开关Q1的输出电压至6V，使得负载2在额定的电压范围内工作，补偿压降损失，对应地，驱动芯片1的输出功率同步增加，并与实时结温值呈正相关变化。
同样，当输出电流降低时，线材的压降损失减小，控制单元20同步降低PWM驱动信号的占空比，从而使得负载2在额定的电压范围内工作。
初始电参数可为供电电源IN的电参数、驱动芯片1的环境温度等，可选地，初始电参数为驱动芯片1的输入电压和/或输入电流，根据输入电压和输入电流以及负载2的电压、功率可确定功率开关Q1初始状态下的PWM驱动信号的占空比，从而输出负载2所需的电压和功率。
其中，控制单元20结合各项参数对应调节PWM驱动信号的大小，可根据结温值生成修正信号，对PWM驱动信号的占空比进行修正调节，或者先将结温值与初始电参数进行比较计算，再生成当前所需占空比的PWM驱动信号，具体方式不限。
如图3所示，可选地，根据初始电参数和初始的PWM驱动信号中的至少一者数据以及实时结温值调节PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
步骤S21、根据实时结温值生成占空比修正信号；
步骤S22、根据占空比修正信号和目标公式调节PWM驱动信号的占空比；
其中，目标公式为DOUT=D0+DX；
DOUT为修正后的PWM驱动信号的占空比，D0为初始状态下的PWM驱动信号的占空比，DX为占空比修正信号的占空比。
本实施例中，在获取了驱动芯片1的实时结温值时，先将实时结温值转换占空比修正信号，其中，实时结温值与占空比修正信号的占空比呈正相关变化，当检测到的结温值越大时，占空比修正信号的占空比越大，占空比修正信号与初始状态下的PWM驱动信号的占空比进行叠加，从而生成修正后的对应大小占空比，并调节PWM驱动信号至该修正后的占空比，以及输出至功率开关Q1，以使功率开关Q1以修正后的PWM驱动信号触发工作，并调节输出电压，弥补线材带来的压降损失。
其中，实时结温值与占空比修正信号的映射关系可根据需求进行设置，如图4所示，可选地，根据实时结温值生成占空比修正信号的步骤具体包括：
步骤S211、获取驱动芯片1的初始结温值，其中，初始结温值为驱动芯片1在功率开关Q1接收到初始的PWM驱动信号后的结温值；
步骤S212、基于实时结温值和初始结温值生成占空比修正信号。
本实施例中，实时结温值与初始结温值的差值与占空比修正信号成正比例变化，即DX=K1*(TJ-T0)；
其中，T0表示初始的PWM驱动信号对应的初始结温值，且T0与D0呈正比例变化，K1为比例系数。
根据上述公式可知，当输出电流增加时，实时结温值增加，与初始结温值的差值增加，占空比修正信号增加，PWM驱动信号的占空比同步增加，功率开关Q1的输出电压和输出功率随之增大，补偿线材的压降损失。
如图5所示，在另一实施例中，可选地，根据初始电参数和初始的PWM驱动信号中的至少一者数据以及实时结温值调节PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
步骤S23、将初始电参数与实时结温值进行比较计算，生成修正后的电信号；
步骤S24、根据修正后的电信号调节PWM驱动信号的占空比；
其中，修正后的电信号与PWM驱动信号的占空比成正相关变化。
本实施例中，先将实时结温值转换为电流信号或者电压信号，并与初始电参数进行比较计算，例如实时结温值对应的电压信号与输入电压进行比较计算，实时结温值对应的电流信号与输入电流进行比较计算，从而生成修正后的电信号，控制单元20再根据修正后的电信号调节PWM驱动信号的占空比，生成功率开关Q1所需的修正后的PWM驱动信号。
可选地，修正后的PWM驱动信号的占空比为：
DOUT=(B1-B2)*K2+D0；
其中，B1表示实时结温值对应的电信号，B2表示初始电参数，(B1-B2)*K2表示修正后的电信号，K2为比例系数。
同时，为了避免结温过高或者过低影响驱动芯片1的工作状态，造成驱动芯片1损坏，可选地，控制方法还包括：
当驱动芯片1的结温值超出结温阈值时，触发功率开关Q1关断。
本实施例中，结温阈值包括结温阈值上限和结温阈值下限，当结温值超出结温阈值上限时，表明当前驱动芯片1内部结温过高，避免过温损坏驱动芯片1，控制单元20触发功率开关Q1关断，同时，当结温值超出结温阈值下限时，表明当前驱动芯片1内部结温过低，避免过低温度影响驱动芯片1的性能，控制单元20同样触发功率开关Q1关断，提高驱动芯片1的安全性和可靠性。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的驱动芯片1的控制方法中，首先根据驱动芯片1的初始电参数确定初始状态下的PWM驱动信号的占空比，并在驱动芯片1工作后，根据驱动芯片1的结温值与输出电流为正相关变化关系，根据结温值间接调节PWM驱动信号的占空比，进而调节驱动芯片1的输出功率，驱动芯片1外无需额外设置电流检测电路，采用驱动芯片1内自带的检测单元即可完成功率调节和线损补偿，简化了驱动电路的整体结构和降低了设计成本。
本发明实施例的第二方面提出了一种驱动芯片1，如图1所示，驱动芯片1包括用于连接供电电源IN和负载2的功率开关Q1，驱动芯片1还包括：
参数获取单元10，参数获取单元10用于获取驱动芯片1的初始电参数以及结温值；
与参数获取单元10和功率开关Q1分别连接的控制单元20，控制单元20用于实现如上所述驱动芯片1的控制方法的步骤。
本实施例中，通过参数获取单元10获取驱动芯片1当前的初始电参数，控制单元20根据当前的初始电参数以及所接负载2对应的功率生成初始状态下的PWM驱动信号并输出至功率开关Q1，功率开关Q1根据接收到的PWM驱动信号转换输出一初始驱动功率至负载2，以使负载2启动工作。
同时，通过参数获取单元10实时检测驱动芯片1内的结温，当参数获取单元10检测到结温上升时，间接表明驱动芯片1的输出电流增加，而外接线材的阻抗大小固定时，更大的输出电流代表更多的压降损失，为了弥补压降损失，控制单元20根据当前结温值、初始电参数和初始的PWM驱动信号按照预设算法进行计算，进而调节PWM驱动信号的占空比变大，功率开关Q1的输出电压和输出功率增大，从而补偿线材带来的压降损失和功耗。
例如初始输出电流为2A，输出电压为5V，即驱动芯片1的输出功率为10W，线材阻抗为0.5Ω，即压降为1V，线材功耗为2W，最终输出至负载2的电压为4V，假设4V为负载2的额定电压。
当输出电流增加至4A，输出电压认为5V时，即驱动芯片1的输出功率为20W，线材压降为2V，线材损耗为8W，最终输出至负载2的电压为3V，此时负载2欠压运行。
因此，当输出电流增加时，需提高输出电压以保证负载2在额定电压范围内工作，此时，需提高功率开关Q1的占空比，控制单元20根据结温间接确定输出电流增加，并同步提高功率开关Q1的占空比，提高功率开关Q1的输出电压至6V，使得负载2在额定的电压范围内工作，补偿压降损失，对应地，驱动芯片1的输出功率同步增加，并与实时结温值呈正相关变化。
同样，当输出电流降低时，线材的压降损失减小，控制单元20同步降低PWM驱动信号的占空比，从而使得负载2在额定的电压范围内工作。
初始电参数可为供电电源IN的电参数、驱动芯片1的环境温度等，可选地，初始电参数为驱动芯片1的输入电压和/或输入电流，根据输入电压和输入电流以及负载2的电压、功率可确定功率开关Q1初始状态下的PWM驱动信号的占空比，从而输出负载2所需的电压和功率。
其中，参数获取单元10根据获取的参数、数据对应选择不同的参数获取单元10，如图6所示，可选地，参数获取单元10包括：
电参数获取单元11，电参数获取单元11用于获取驱动芯片1的初始电参数；
结温获取单元12，结温获取单元12用于获取驱动芯片1的初始结温值和实时结温值。
其中，当初始电参数为输入电流或者输入电压时，电参数获取单元11为电流采样电路或者电压采样电路，例如分压电阻电路、采样电阻等结构，结温获取单元12为芯片内自带的温度检测电路，温度检测电路实时检测驱动芯片1的初始结温值和实时结温值并转换为对应的电信号，控制单元20根据转换得到的电信号进行PWM驱动信号的初始占空比的确认以及后续修正调节。
控制单元20可包括对应的PWM生成电路21和调节电路，可选地，如图6所示，控制单元20包括：
与功率开关Q1和电参数获取单元11分别连接的PWM生成电路21，PWM生成电路21用于根据初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至功率开关Q1；
与结温获取单元12和PWM生成电路21分别连接的PWM调节电路22，PWM调节电路22用于根据初始电参数和初始的PWM驱动信号中的至少一者数据以及实时结温值调节PWM生成电路21的PWM驱动信号的占空比；
以及当驱动芯片1的结温值超出结温阈值时，调节PWM驱动信号的占空比为零，以触发功率开关Q1关断。
本实施例中，PWM生成电路21初始工作时，根据初始电参数生成对应大小的PWM驱动信号，并根据PWM调节22电路输出的PWM调节信号对自身输出的PWM驱动信号的占空比进行调节输出。
PWM调节电路22则基于初始电参数、初始的PWM驱动信号以及实时结温值确定PWM调节信号，如上述方法中通过实时结温值确定占空比修正信号，并与初始的占空比进行叠加，调节PWM驱动信号的目标占空比至两个占空比的总和，或者先将实时结温值与初始电参数进行比较计算，确定修正后的电参数，并根据修正后的电参数调节PWM驱动信号至对应的目标占空比。
同时，PWM调节电路22还进行过温保护，当结温值超出结温阈值上限时，表明当前驱动芯片1内部结温过高，避免过温损坏驱动芯片1，控制单元20触发功率开关Q1关断，同时，当结温值超出结温阈值下限时，表明当前驱动芯片1内部结温过低，避免过低温度影响驱动芯片1的性能，控制单元20同样触发功率开关Q1关断，提高驱动芯片1的安全性和可靠性。
其中，PWM生成电路21和PWM调节电路22可采用对应的控制器、处理器、信号源、放大器、比较器等电路结构实现，具体结构不限。
本发明还提出一种电子设备，该电子设备包括驱动芯片1，该驱动芯片1的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种驱动芯片的控制方法，所述驱动芯片包括用于连接供电电源和负载的功率开关，其特征在于，所述控制方法包括：
获取所述驱动芯片的初始电参数，并根据所述初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至所述功率开关，以触发所述功率开关输出对应大小的初始驱动功率至所述负载；
获取所述驱动芯片的实时结温值，并根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比，以触发所述功率开关输出调节后的驱动功率至所述负载；
其中，所述初始电参数为所述驱动芯片在初始状态时的电参数；
所述PWM驱动信号的占空比与所述实时结温值呈正相关变化。
2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
根据所述实时结温值生成占空比修正信号；
根据所述占空比修正信号和目标公式调节所述PWM驱动信号的占空比；
其中，所述目标公式为DOUT=D0+DX；
DOUT为修正后的所述PWM驱动信号的占空比，D0为初始状态下的PWM驱动信号的占空比，DX为占空比修正信号的占空比。
3.如权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述实时结温值生成占空比修正信号的步骤具体包括：
获取所述驱动芯片的初始结温值，其中，所述初始结温值为所述驱动芯片在所述功率开关接收到初始的所述PWM驱动信号后的结温值；
基于所述实时结温值和所述初始结温值生成所述占空比修正信号。
4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比的步骤具体包括：
将所述初始电参数与所述实时结温值进行比较计算，生成修正后的电信号；
根据修正后的电信号调节所述PWM驱动信号的占空比；
其中，所述修正后的电信号与所述PWM驱动信号的占空比成正相关变化。
5.如权利要求1~4任一项所述的控制方法，其特征在于，还包括：
当所述驱动芯片的结温值超出结温阈值时，触发所述功率开关关断。
6.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述初始电参数包括输入电流和/或输入电压。
7.一种驱动芯片，所述驱动芯片包括用于连接供电电源和负载的功率开关，其特征在于，所述驱动芯片还包括：
参数获取单元，所述参数获取单元用于获取所述驱动芯片的初始电参数以及结温值，其中，所述初始电参数为所述驱动芯片在初始状态时的电参数；
与所述参数获取单元和所述功率开关分别连接的控制单元，所述控制单元用于实现如权利要求1至6任一项所述的控制方法的步骤。
8.如权利要求7所述的驱动芯片，其特征在于，所述参数获取单元包括：
电参数获取单元，所述电参数获取单元用于获取所述驱动芯片的初始电参数；
结温获取单元，所述结温获取单元用于获取所述驱动芯片的初始结温值和实时结温值。
9.如权利要求8所述的驱动芯片，其特征在于，所述控制单元包括：
与所述功率开关和所述电参数获取单元分别连接的PWM生成电路，所述PWM生成电路用于根据所述初始电参数生成对应大小占空比的PWM驱动信号并输出至所述功率开关；
与所述结温获取单元和所述PWM生成电路分别连接的PWM调节电路，所述PWM调节电路用于根据所述初始电参数和初始的所述PWM驱动信号中的至少一者数据以及所述实时结温值调节所述PWM驱动信号的占空比；
以及当所述驱动芯片的结温值超出结温阈值时，调节所述PWM驱动信号的占空比至预设占空比，以触发所述功率开关关断。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7~9任一项所述的驱动芯片。
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