CN115020544A - 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 47
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 3
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 3
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，采用二次硼扩散，对经第一次硼扩散的正面使用含氟基刻蚀气体，获得指定深宽比且绒面损伤小的刻蚀图形，有利于在刻蚀图形区域上第二次硼扩散，从而在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，减少电池正面的复合，有效提高电池的开路电压与填充因子，实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种N型TOPCon电池的制造方法，特别是一种硼掺杂选择性发射极的N型TOPCon电池的制造方法。
背景技术
现阶段，PERC电池量产转换效率正逐步接近其理论极限，N型技术被普遍认为是下一代主流技术。TOPCon电池技术，即隧穿氧化层钝化接触技术作为晶硅太阳能电池中的后起之秀，其技术特点以及产业生态环境已经满足接棒PERC的基本条件。目前国内实验室TOPCon电池最高效率可以达到25.7％，理论效率高达28.7％，相较于现阶段量产效率仍有很大的进步空间。尽管如此，TOPCon电池正面金属诱导复合及效率的进一步提升仍然限制着其商业化应用。
目前，利用激光掺杂实现选择性发射极技术已经在P型电池上实现了量产，但SE技术暂时未能应用于N型TOPCon电池正面发射极，主要原因是：一方面硼在硅中的固溶度较低，掺杂难度更高，在推进时需求更高的能量，要达到金属化重掺区域的浓度，则需要采用功率更高的激光器才可以实现；另一方面激光SE的激光功率选择仍需优化，如果功率过高，则容易在激光照射区域带来绒面损伤，从而影响后续的钝化工艺，而如果功率过低，则推进时的能量可能不足，激光难以将BSG的硼掺杂进入P+层，会导致金属化重掺区域无法达到浓度要求。迄今为此，TOPCon电池方阻的提升空间相对SE+PERC较小，但依旧影响电池短路电流的提升和接触电阻的降低。目前主流企业通过二次硼扩散的方式实现TOCPon电池正面选择性发射极，试验效率提升0.3％以上，但效率的提升导致成本增加特别明显，综合性价比不高。SE作为未来TOPCon电池效率提升的关键技术之一，是量产过程中必须解决的技术问题。
因此，需要解决激光对晶硅损伤、硼硅玻璃中硼源浓度低、活性低以及激光设备价格高昂等问题。
发明内容
发明目的：本发明的目的是提供一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，工艺相对简单，对晶硅损伤小，成本相对低。
技术方案：一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，包括如下步骤：
步骤S10：作为硅衬底的N型单晶硅片经清洗、制绒；
步骤S20：以硅片的其中一侧面为正面，对正面全表面进行第一次硼扩散，形成浅结轻掺杂P+层；
步骤S30：在浅结轻掺杂P+层上对应于电池栅线位置，以含氟基刻蚀气体进行刻蚀开槽，得到刻蚀图形；
步骤S40：对刻蚀图形区域进行第二次硼扩散，形成重掺杂P++层；
步骤S50：以硅片的另一侧面为背面，对背面进行碱抛光，再依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层；
步骤S60：去除绕镀多晶硅及正面BSG、背面PSG；
步骤S70：正面依次沉积钝化层氧化铝、减反层氮化硅，背面沉积减反层氮化硅；
步骤S80：正面、背面进行丝网印刷栅线与烧结，制得N型TOPCon电池。
进一步的，步骤S20中，形成的浅结轻掺杂P+层的方阻为120～160Ω/sq。
进一步的，步骤S20中，第一次硼扩散以管式扩散炉扩散BCl3/BBr3，扩散温度为700～1100℃。
进一步的，步骤S30中，含氟基刻蚀气体为CF4、CHF3、C4F6的其中一种，采用掩膜板对应于电池栅线位置进行刻蚀开槽，刻蚀深度为2.5～3.5nm。
进一步的，步骤S40中，形成的重掺杂P++层的方阻为60～90Ω/sq。
进一步的，步骤S40中，第二次硼扩散以丝网印刷硼浆或管式扩散炉扩散BCl3/BBr3。
一种上述的制造方法制得的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池。
有益效果：本发明的优点是：采用二次硼扩散，对经第一次硼扩散的正面使用含氟基刻蚀气体，获得指定深宽比且绒面损伤小的刻蚀图形，有利于在刻蚀图形区域上第二次硼扩散，从而在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，减少电池正面的复合，有效提高电池的开路电压与填充因子，实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。可替代激光刻蚀、降低电池制备成本。
附图说明
图1为N型单晶硅片在本发明制造方法的制造过程中变化示意图：
1(a)为制绒，
1(b)为第一次硼扩散，
1(c)为刻蚀开槽，
1(d)为第二次硼扩散，
1(e)为碱抛光去除背面BSG及扩散结，
1(f)为背面沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层，
1(g)为去除绕镀多晶硅及正面BSG、背面PSG，
1(h)为正面沉积钝化层氧化铝，
1(i)为双面沉积减反层氮化硅；
图2为本发明制得的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明。
一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，结合附图1所示，包括如下步骤：
步骤S10：选用N型单晶硅片(n-Si)作为硅衬底，进行清洗、制绒，以获得双面均是金字塔形状的绒面，将硅片的其中一侧面以正面表述，另一侧面以背面表述。制绒减薄量为0.4～0.6g，绒面反射率不超过10％。
步骤S20：对正面的全表面进行第一次硼扩散，以管式扩散炉在氮气及氧气氛围下扩散硼源BCl3/BBr3，扩散温度为700～1100℃，形成浅结轻掺杂P+层，其方阻为120～160Ω/sq。
步骤S30：在浅结轻掺杂P+层上对应于电池栅线位置进行刻蚀开槽，采用掩膜板对应于电池栅线位置、以含氟基刻蚀气体进行刻蚀开槽，得到刻蚀图形；掩膜板上的镂空刻蚀区域根据栅线宽度、长度设计，刻蚀开槽深度为2.5～3.5nm，刻蚀开槽宽度为30～130μm。含氟基刻蚀气体主要为CF4、CHF3、C4F6等含氟有机化合物的其中一种。刻蚀气体中可以添加惰性气体稀释使用，以控制蚀刻气体中产生的蚀刻化合物的浓度、维持刻蚀气体的均匀性，控制离子能量以获得良好的稳定性。刻蚀气体中可以添加O2或H2使用，以缓和刻蚀停止。
步骤S40：对刻蚀图形区域的全表面进行第二次硼扩散，以丝网印刷硼浆或管式扩散炉扩散硼源BCl3/BBr3，形成重掺杂P++层，其方阻为60～90Ω/sq。
步骤S50：将完成了两次硼扩散的硅片，进行碱抛光：
步骤S501：先在链式设备中，先将硅片正面朝上，覆盖一层水膜保护正面BSG，后使用HF酸去除硅片背面BSG及扩散结；
步骤S502：然后在槽式设备中，正面BSG在碱抛光过程中与添加剂结合保护了正面PN结不被KOH腐蚀，背面及边缘被KOH抛光，实现选择性抛光刻蚀，经过清洗获得洁净的硅片待用。
步骤S60：将完成了碱抛光的硅片，在背面依次沉积遂穿氧化层(Tunnel oxide)、掺杂薄多晶硅层(poly-Si(n+))。遂穿氧化层的厚度为1～2nm，掺杂薄多晶硅层的厚度为40～150nm。
步骤S70：以HF//HNO3溶液清洗硅片去除绕镀多晶硅及正面BSG、背面PSG。
步骤S80：再在硅片正面依次沉积钝化层氧化铝(Al2O3)、减反层氮化硅(SiNX)，背面沉积减反层氮化硅(SiNX)。钝化层氧化铝的厚度为5～10nm，减反层氮化硅的厚度为70～90nm。
步骤S90：最后在硅片正面、背面进行丝网印刷金属银栅线(Ag)与烧结，测试分选，制得具有硼掺杂选择性发射极的N型TOPCon电池，如附图2所示。
本发明的N型TOPCon电池制造方法的原理是：
(1)以含氟基刻蚀气体进行刻蚀开槽，离化后带电离子可对硅片表面上一定深度的BSG产生化学反应，这样就能形成一道沟槽。刻蚀过程为各向异性刻蚀而且按照直线进行(即与离子轰击方向垂直的BSG被刻蚀，与离子运动方向平行的边上物质则不被刻蚀)，具有高的刻蚀效率和优异的选择性和均匀性。另外，采用的是气相刻蚀剂与表面作用，生成的反应产物是挥发性的，它在低气压的真空室中被抽走，从而实现刻蚀。气相刻蚀可以避免“湿法刻蚀”利用化学溶液在表面上各向同性腐蚀所导致的线宽比较大、精度比较低、不容易控制、刻蚀不均匀、化学试剂污染环境等问题。
(2)掩膜板根据电池正面栅线设计镂空刻蚀区域，与后续丝网印刷网板的电池正面栅线图形一致，实现含氟基刻蚀气体在指定区域进行刻蚀BSG，简单高效，绒面损伤小，成本低，同时可以避免使用复杂的掩膜工艺，适合商业化生产。
(3)重掺杂P++层在对应于电池栅线位置的刻蚀图形区域上形成，方阻低且结深，金属化电极在此区域的复合将大大降低，从而有效提升电池的开路电压；在电极之间区域形成轻掺杂，从而得到选择性发射极结构，掺杂浓度低，具有更好的短波响应，电池的短路电流更高。
本发明制造方法及制得的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池，通过采用二次硼扩散，在非刻蚀图形区域形成硼的轻掺区，其具有高方阻、复合速率小且更强的光吸收区域短波响应的优势，短路电流得到提升，在刻蚀图形区域金属栅线与硅片接触区域进行硼高浓度掺杂，解决了激光掺杂BSG中硼含量不足的问题，同时有效减少了发射极-金属接触电阻率，有效降低扩散层的复合，从而提升电池的开路电压和填充因子，最终实现发射区优化，提高电池的光电转换效率。因此，该制造方法不仅可以替代激光刻蚀、降低电池制备成本，还可以提升TOPCon电池的光电转换效率。
Claims (7)
1.一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤S10：作为硅衬底的N型单晶硅片经清洗、制绒；
步骤S20：以硅片的其中一侧面为正面，对正面全表面进行第一次硼扩散，形成浅结轻掺杂P+层；
步骤S30：在浅结轻掺杂P+层上对应于电池栅线位置，以含氟基刻蚀气体进行刻蚀开槽，得到刻蚀图形；
步骤S40：对刻蚀图形区域进行第二次硼扩散，形成重掺杂P++层；
步骤S50：以硅片的另一侧面为背面，对背面进行碱抛光，再依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层；
步骤S60：去除绕镀多晶硅及正面BSG、背面PSG；
步骤S70：正面依次沉积钝化层氧化铝、减反层氮化硅，背面沉积减反层氮化硅；
步骤S80：正面、背面进行丝网印刷栅线与烧结，制得N型TOPCon电池。
2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S20中，形成的浅结轻掺杂P+层的方阻为120～160Ω/sq。
3.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S20中，第一次硼扩散以管式扩散炉扩散BCl3/BBr3，扩散温度为700～1100℃。
4.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S30中，含氟基刻蚀气体为CF4、CHF3、C4F6的其中一种，采用掩膜板对应于电池栅线位置进行刻蚀开槽，刻蚀深度为2.5～3.5nm。
5.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S40中，形成的重掺杂P++层的方阻为60～90Ω/sq。
6.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S40中，第二次硼扩散以丝网印刷硼浆或管式扩散炉扩散BCl3/BBr3。
7.一种由权利要求1～6任一所述的制造方法制得的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210642162.XA CN115020544A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210642162.XA CN115020544A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115020544A true CN115020544A (zh) | 2022-09-06 |
Family
ID=83073139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210642162.XA Pending CN115020544A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115020544A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115483313A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-16 | 滁州捷泰新能源科技有限公司 | 电池及其制备方法 |
| CN115799364A (zh) * | 2023-02-07 | 2023-03-14 | 天合光能股份有限公司 | 一种太阳能电池 |
| CN116705915A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种新型双面TOPCon电池的制备方法 |
| CN116741892A (zh) * | 2023-08-16 | 2023-09-12 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法 |
| CN117673208A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-08 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
| WO2024087838A1 (zh) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060066280A (ko) * | 2004-12-13 | 2006-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN101820009A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-09-01 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN102709342A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-03 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 太阳能电池的选择性发射极结构及其制备方法 |
| CN202749378U (zh) * | 2012-07-05 | 2013-02-20 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 太阳能电池的选择性发射极结构 |
| US20170018676A1 (en) * | 2014-03-12 | 2017-01-19 | Universität Konstanz | Method for producing solar cells having simultaneously etched-back doped regions |
| CN110707178A (zh) * | 2019-08-29 | 2020-01-17 | 晶科能源科技（海宁）有限公司 | N型太阳能电池硼扩se结构的制备方法 |
-
2022
- 2022-06-08 CN CN202210642162.XA patent/CN115020544A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060066280A (ko) * | 2004-12-13 | 2006-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN101820009A (zh) * | 2009-12-25 | 2010-09-01 | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 |
| CN102709342A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-03 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 太阳能电池的选择性发射极结构及其制备方法 |
| CN202749378U (zh) * | 2012-07-05 | 2013-02-20 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 太阳能电池的选择性发射极结构 |
| US20170018676A1 (en) * | 2014-03-12 | 2017-01-19 | Universität Konstanz | Method for producing solar cells having simultaneously etched-back doped regions |
| CN110707178A (zh) * | 2019-08-29 | 2020-01-17 | 晶科能源科技（海宁）有限公司 | N型太阳能电池硼扩se结构的制备方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115483313A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-12-16 | 滁州捷泰新能源科技有限公司 | 电池及其制备方法 |
| WO2024087838A1 (zh) * | 2022-10-27 | 2024-05-02 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池及其制备方法 |
| CN115799364A (zh) * | 2023-02-07 | 2023-03-14 | 天合光能股份有限公司 | 一种太阳能电池 |
| CN116705915A (zh) * | 2023-08-04 | 2023-09-05 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种新型双面TOPCon电池的制备方法 |
| CN116705915B (zh) * | 2023-08-04 | 2023-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种新型双面TOPCon电池的制备方法 |
| CN116741892A (zh) * | 2023-08-16 | 2023-09-12 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法 |
| CN116741892B (zh) * | 2023-08-16 | 2023-11-07 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法 |
| CN117673208A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-08 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
| CN117673208B (zh) * | 2024-02-01 | 2024-05-07 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
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