CN115010708B - 一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物晶体及其制备方法和应用 - Google Patents

一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物晶体及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物晶体及其制备方法和应用。本发明提供一种荧光化合物，具有式1所示结构。本发明提供的荧光化合物具有绿色荧光特性，且发光量子产率为100％，能够作为荧光发光材料使用。
Figure DDA0003685053630000011

Description

一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物晶体及其 制备方法和应用
技术领域
本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物的晶型及其制备方法和应用。
背景技术
物质在吸收特定波长光子能量被激发后退激到基态的过程中发出光的现象被称为光致发光，最常见的发光类型为荧光和磷光。其中荧光材料发现较早，因而研究也更为深入，应用也更为广泛。
荧光材料不仅可用于纺织、着色及印刷颜料等领域，还广泛用于荧光分析、交通标志、核技术中的闪烁体、太阳能转换技术中的荧光集光器、生物分析与医学诊断中的荧光标记等，在工业、农业、生物、医学、国防等领域都具有重要应用。
最初受到广泛研究的是无机荧光材料，但无机材料存在一些难以克服的缺点，如种类少，可调节性小，使用条件苛刻，能量效率不高等。与无机荧光材料相比，有机荧光材料具有种类繁多，结构多样，并可根据需要进行分子设计等优势，因此有机荧光材料的研究越来越受到人们的重视。
有机荧光材料可分为：具有刚性结构的芳香稠环化合物、具有共轭结构的分子内电荷转移化合物、以及金属有机配合物等。具有共轭结构的分子内电荷转移化合物是目前研究最广泛的一类有机荧光材料。
基于有机荧光材料在科学技术的各个领域都已得到了广泛应用，特别是在生命科学领域里作为荧光探针和化学传感器使用，由于其检测灵敏度高、操作简便、比同位素标记等其它检测手段更安全等优点，已成为极其重要的分析工具的基础上，开发具有高荧光量子产率的有机荧光材料，进一步拓展有机荧光材料的案例库，具有迫切的市场需求。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种荧光化合物及其制备方法和应用、荧光化合物晶体及其制备方法和应用。本发明提供的荧光化合物具有荧光发光性能，具体的两种晶型分别具有高效绿色和青绿色荧光发射性能，且发光量子产率为100％。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种荧光化合物，具有式1所示结构：
Figure BDA0003685053610000021
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的制备方法，包括以下步骤：
将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮、3-溴丙胺氢溴酸盐、有机碱和有机溶剂混合发生串联反应，得到具有式2所示的中间产物；
Figure BDA0003685053610000022
将中间产物、N-甲基化试剂、碱金属的氢化物和有机溶剂混合进行N-甲基化反应，得到具有式1所示结构的荧光化合物。
优选的，所述2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮和所述3-溴丙胺氢溴酸盐的摩尔比为1:(3～5)；所述3-溴丙胺氢溴酸盐和所述有机碱的摩尔比为1:1。
优选的，所述中间产物和所述N-甲基化试剂的摩尔比为1:10；所述N-甲基化试剂和所述碱金属的氢化物的摩尔比为1:1。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第一晶型，所述第一晶型的X-射线粉末衍射在2θ为10.7±0.2°、14.3±0.2°、17.4±0.2°、18.8±0.2°、19.8±0.2°、21.6±0.2°、23.3±0.2°和24.0±0.2°处有特征吸收峰。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第二晶型，所述第二晶型的X-射线粉末衍射在2θ为9.3±0.2°、13.9±0.2°、17.5±0.2°、18.7±0.2°、19.9±0.2°、22.3±0.2°、25.8±0.2°和28.3±0.2°处有特征吸收峰。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的第一晶型的制备方法，包括以下步骤：
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型；所述降温结晶的降温速率为5～20℃/h；
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行保温蒸发结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的第二晶型的制备方法，包括以下步骤：
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述降温结晶的降温速率为30～50℃/h；
或按照上述技术方案所述的制备方法制备得到荧光化合物的第一晶型；将所述第一晶型进行加热固固转晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述加热转晶的保温温度为110～145℃。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物作为非诊断和治疗目的的荧光材料的应用。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的第一晶型或上述技术方案所述的荧光化合物的第二晶型作为荧光材料在非诊断和治疗目的的领域中的应用。
本发明提供一种荧光化合物，具有式1所示结构：
Figure BDA0003685053610000031
本发明提供的荧光化合物具有荧光发光性能，所述荧光化合物在乙腈溶液中形成的溶液，当所述荧光化合物的质量浓度为20μmol/L时，荧光化合物溶液的最大吸收波长为348nm，最大发射波长为617nm，量子产率为1.5％，荧光寿命为2.17ns。具体的两种晶型分别具有高效绿色和青绿色荧光发射性能，且发光量子产率为100％，能够作为荧光发光材料使用。
本发明提供上述技术方案所述的荧光化合物的制备方法包括以下步骤：将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮、3-溴丙胺氢溴酸盐、有机碱和有机溶剂混合发生串联反应，得到具有式2所示的中间产物；
Figure BDA0003685053610000041
将中间产物、N-甲基化试剂、碱金属的氢化物和有机溶剂混合进行N-甲基化反应，得到具有式1所示结构的荧光化合物。本发明提供的荧光化合物的制备方法步骤简单，适宜工业生产。
本发明提供上述技术方案所述荧光化合物或上述加护方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第一晶型，所述第一晶型的X-射线粉末衍射在2θ为10.7±0.2°、14.3±0.2°、17.4±0.2°、18.8±0.2°、19.8±0.2°、21.6±0.2°、23.3±0.2°和24.0±0.2°处有特征吸收峰。在本发明中，所述第一晶型的熔点为162℃，最大发射波长为525nm，能够发生绿色荧光，且量子产率为100％，能够作为荧光发光材料使用。
本发明提供上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第二晶型，所述第二晶型的X-射线粉末衍射在2θ为9.3±0.2°、13.9±0.2°、17.5±0.2°、18.7±0.2°、19.9±0.2°、22.3±0.2°、25.8±0.2°和28.3±0.2°处有特征吸收峰。在本发明中，所述第二晶型的熔点为158℃，最大发射波长为510nm，能够发生青绿色荧光，且量子产率为100％，能够作为荧光发光材料使用。
附图说明
图1为实施例1提供的荧光化合物的合成路线图；
图2为实施例2～5制备的荧光化合物两种晶型的显微镜照片；
图3为实施例2～5制备的荧光化合物两种晶型的X-射线粉末衍射图；
图4为实施例2～5制备的荧光化合物两种晶型的差热分析图；
图5为实施例2～5制备的荧光化合物两种晶型的荧光发射图。
具体实施方式
本发明提供一种荧光化合物，具有式1所示结构：
Figure BDA0003685053610000051
在本发明中，所述荧光化合物命名为1,6-二甲基-1,2,3,4,6,7,8,9-八氢吡啶[2,3-g]喹啉-5,10-二甲酸二甲酯，化学式为C18H24N2O4。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的制备方法，包括以下步骤：
将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮、3-溴丙胺氢溴酸盐、有机碱和有机溶剂混合发生串联反应，得到具有式2所示的中间产物；
Figure BDA0003685053610000052
将中间产物、N-甲基化试剂、碱金属的氢化物和有机溶剂混合进行N-甲基化反应，得到具有式1所示结构的荧光化合物。
在本发明中，若无特殊说明，所用原料均为本领域技术人员熟知的市售产品。
本发明将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮、3-溴丙胺氢溴酸盐、有机碱和有机溶剂(以下称为第一有机溶剂)混合(一下成为第一混合)发生串联反应，得到具有式2所示的中间产物；
Figure BDA0003685053610000053
在本发明中，所述有机碱具体优选为4-二甲氨基吡啶。
在本发明中，所述2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮和所述3-溴丙胺氢溴酸盐的摩尔比优选为1:(3～5)，更优选为1:4。
在本发明中，所述3-溴丙胺氢溴酸盐和所述有机碱的摩尔比优选为1:1。
在本发明中，所述第一有机溶具体优选为乙醇。
在本发明中，所述第一有机溶剂优选为无水溶剂。
在本发明中，所述2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮的物质的量和所述第一有机溶剂的体积之比优选为1mmol:6mL。
本发明对所述第一混合的加料顺序没有特殊要求。
在本发明中，所述串联反应的温度优选为60～90℃，更优选为82℃。
在本发明中，所述串联反应的保温时间优选为5～10h，更优选为5h。
在本发明中，所述串联反应优选在回流条件进行。
在本本发明中，所述串联反应为氨解反应、氧化反应和烷基化反应。
在本发明中，所述串联反应后得到串联反应液，本发明优选对所述串联反应液进行后处理，得到具有式2所述的中间产物。在本发明中，所述后处理优选包括：依次进行猝灭串联反应、萃取、干燥、固液分离、除萃取剂和纯化。在本发明中，所述猝灭串联反应使用的试剂优选为饱和氯化铵溶液。在本发明中，所述萃取用萃取剂优选为乙酸乙酯。本发明优选对所述萃取后的有机相进行干燥，在本发明中，所述干燥用试剂优选为无水硫酸镁。在本发明中，所述固液分离的方式具体优选为抽滤，本发明优选对固液分离的滤液进行除萃取剂，在本发明中，所述除萃取剂的具体方式优选旋转蒸发。在本发明中，所述纯化优选采用硅胶柱层析纯化，所述硅胶柱层析纯化使用的淋洗剂优选为石油醚和乙酸乙酯，所述石油醚和乙酸乙酯的体积比优选为20:1。
得到式2所述的中间产物后，本发明将中间产物、N-甲基化试剂、碱金属的氢化物和有机溶剂(以下称为第二有机溶剂)混合(以下称为第二混合)进行N-甲基化反应，得到具有式1所示结构的荧光化合物。
在本发明中，所述N-甲基化试剂具体优选为碘甲烷。
在本发明中，所述碱金属的氢化物具体优选为氢化钠。
在本发明中，所述第二有机溶剂具体优选为四氢呋喃。
在本发明中，所述第二有机溶剂优选为无水溶剂。
在本发明中，所述中间产物和所述N-甲基化试剂的摩尔比优选为1:10。
在本发明中，所述N-甲基化试剂和所述碱金属的氢化物的摩尔比为1:1。
在本发明中，所述中间产物的物质的量和所述第一有机溶剂的体积之比优选为1mmol:20mL。
在本发明中，所述第二混合的顺序优选为：将所述中间产物溶解于所述第二有机溶剂中，得到中间产物溶液；将所述中间产物溶液、N-甲基化试剂和碱金属的氢化物混合。
在本发明中，所述N-甲基化反应的温度为60～80℃，更优选为70℃。
在本发明中，所述N-甲基化反应的保温时间优选为15～20h，更优选为20h。
在本发明中，所述N-甲基化反应优选在加热回流的条件下进行。
在本发明中，所述N-甲基化反应后得到N-甲基化反应液，本发明优选对所述N-甲基化反应液进行后处理，得到具有式1所述的荧光化合物。在本发明中，所述后处理优选包括：依次进行猝灭N-甲基化反应、萃取、干燥、固液分离、除萃取剂和纯化。在本发明中，所述猝灭N-甲基化反应使用的试剂优选为饱和氯化铵溶液，在本发明中，所述猝灭N-甲基化反应优选在冰水浴中进行，在本发明中，所述猝灭N-甲基化反应时，所述N-甲基化反应液的温度优选为0℃。在本发明中，所述萃取用萃取剂优选为乙酸乙酯。本发明优选对所述萃取后的有机相进行干燥，在本发明中，所述干燥用试剂优选为无水硫酸镁。在本发明中，所述固液分离的方式具体优选为抽滤，本发明优选对固液分离的滤液进行除萃取剂，在本发明中，所述除萃取剂的具体方式优选旋转蒸发。在本发明中，所述纯化优选采用硅胶柱层析纯化，所述硅胶柱层析纯化使用的淋洗剂优选为石油醚和乙酸乙酯，所述石油醚和乙酸乙酯的体积比优选为10:1。所诉淋洗剂选用石油醚和乙酸乙酯，比例为10:1。
在本发明中，上述技术方案所述制备方法制备得到的荧光化合物为第一晶型。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第一晶型，所述第一晶型的X-射线粉末衍射在2θ为10.7±0.2°、14.3±0.2°、17.4±0.2°、18.8±0.2°、19.8±0.2°、21.6±0.2°、23.3±0.2°和24.0±0.2°处有特征吸收峰。
在本发明中，所述荧光化合物的第一晶型为绿色棒状晶体。
在本发明中，所述荧光化合物的第一晶型熔点为162℃。
在本发明中，所述荧光化合物的第一晶型的最大发射波长为525nm，量子产率为100％。
在本发明中，所述荧光化合物的第一晶型的晶胞参数为：
Figure BDA0003685053610000081
Figure BDA0003685053610000082
α＝90°，β＝106.152(6)°，γ＝90°。T＝113K，Z＝2，ρ＝1.338mg·m-3，R1＝0.0517，wR2＝0.1455。剑桥晶体结构系统中编号为：2142100。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第二晶型，所述第二晶型的X-射线粉末衍射在2θ为9.3±0.2°、13.9±0.2°、17.5±0.2°、18.7±0.2°、19.9±0.2°、22.3±0.2°、25.8±0.2°和28.3±0.2°处有特征吸收峰。
在本发明中，所述荧光化合物的第二晶型为块状晶体。
在本发明中，荧光化合物的第二晶型的晶胞参数为：
Figure BDA0003685053610000083
Figure BDA0003685053610000084
β＝108.00(3)°，γ＝90°。T＝293K，Z＝2，ρ＝1.301mg·m-3，R1＝0.0694，wR2＝0.1923。剑桥晶体结构系统中编号为：2143542。
在本发明中，所述荧光化合物的第二晶型熔点为158℃。
在本发明中，所述荧光化合物的第一晶型的最大发射波长为510nm，量子产率为100％。
本发明提供了上述技术方案的荧光化合物的第一晶型的制备方法，包括以下步骤：
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型；所述降温结晶的降温速率为5～20℃/h；
或将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液依次进行保温蒸发结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型。
本发明将荧光化合物溶解(以下称为第一溶解)于有机溶剂(以下称为第三有机溶剂)中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶(以下称为第一降温结晶)，得到所述荧光化合物的第一晶型；所述第一降温结晶的降温速率为5～20℃/h。
在本发明中，所述第一溶解时的第一温度优选为50～55℃，更优选为50℃。
在本发明中，所述第三有机溶剂优选包括甲醇、乙醇、丙酮、四氢呋喃、1,4-二氧六环和甲基叔丁基醚中的一种或多种。
在本发明中，所述荧光化合物的质量和第三有机溶剂体积之比优选为1g:(10～100)mL，具体优选为1g:50mL。
在本发明中，所述第一溶解优选在搅拌的条件下进行，本发明所述搅拌的转速优选为400r/min。
在本发明中，所述第一溶解后，本发明优选继续在第一温度条件下进行混合20min，得到荧光化合物溶液。
在本发明中，所述第一降温结晶的降温速率为5～20℃/h，优选为5.5～18℃/min。
在本发明中，所述第一降温结晶的降温终点优选为-20℃。
在本发明中，所述第一降温结晶后得到第一降温结晶反应液，本发明优选对所述第一降温结晶反应液进行后处理，得到所述荧光化合物的第一晶型。在本发明中，所述后处理优选包括依次进行：固液分离和洗涤。在本发明中，所述固液分离优选为抽滤。在本发明中，所述洗涤用溶剂优选为正己烷。
或本发明在将荧光化合物溶解(以下称为第二溶解)于有机溶剂(以下称为第四有机溶剂)中，得到荧光化合物溶液；在第二温度条件下，将所述荧光化合物溶液进行保温蒸发结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型。
在本发明中，所述第二溶解时的第二温度优选为20～30℃，优选为25℃。
在本发明中，所述第四有机溶剂优选包括甲醇、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、丙酮、乙酸乙酯、氯仿中的一种或多种。
在本发明中，所述荧光化合物的质量和第四有机溶剂体积之比优选为1g:(10～100)mL，优选为1g:(20～85)mL。
在本发明中，所述第二溶解优选在搅拌的条件下进行，本发明所述搅拌的转速优选为400r/min。
在本发明中，所述第二溶解后，本发明优选继续在第一温度条件下进行混合20min，得到荧光化合物溶液。
在本发明中，所述保温蒸发结晶优选在常压条件下进行。
在本发明中，所述保温蒸发结晶得到保温蒸发结晶反应液，本发明优选对所述保温蒸发结晶反应液进行后处理，得到所述荧光化合物的第一晶型，所述后处理与所述第一降温结晶的后处理相同，再次不再一一赘述。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的第二晶型的制备方法，包括以下步骤：
在将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述降温结晶的降温速率为30～50℃/h；
或按照上述技术方案所述的制备方法制备得到荧光化合物的第一晶型；将所述第一晶型进行加热转晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述加热转晶的保温温度为110～145℃；所述加热转晶的保温时间为5min。
本发明将荧光化合物溶解(以下称为第三溶解)于有机溶剂(以下称为第五有机溶剂)中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶(以下称为第二降温结晶)，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述第二降温结晶的降温速率为30～50℃/h。
在本发明中，所述所述第三溶解时的第三温度优选为50～55℃，更优选为50℃。
在本发明中，所述第五有机溶剂优选包括甲醇、乙醇、丙酮、四氢呋喃、1,4-二氧六环和甲基叔丁基醚中的一种或多种。
在本发明中，所述荧光化合物的质量和第五有机溶剂体积之比优选为1g:(10～100)mL，优选为1g:(20～85)mL。
在本发明中，所述第三溶解优选在搅拌的条件下进行，本发明所述搅拌的转速优选为400r/min。
在本发明中，所述第三溶解后，本发明优选继续在第一温度条件下进行混合20min，得到荧光化合物溶液。
在本发明中，所述第二降温结晶的降温速率为30～50℃/h，优选为35～48℃/min。
在本发明中，所述第二降温结晶的降温终点优选为-20℃。
在本发明中，所述第二降温结晶得到第二降温结晶反应液，本发明优选对所述第二降温结晶反应液进行后处理，得到所述荧光化合物的第二晶型，所述后处理与所述第一降温结晶的后处理相同，再次不再一一赘述。
或本发明按照上述技术方案所述的制备方法制备得到荧光化合物的第一晶型；将所述第一晶型进行加热转晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述加热转晶的保温温度为110～145℃，更优选为140℃；所述加热转晶的保温时间为5min。
在本发明中，所述加热转晶优选在真空环境中进行。
本发明采用降温结晶、蒸发结晶或加热转晶的方式制备得到荧光化合物的第一晶型和第二晶型，制备方法绿色环保，适宜工业正产。
本发明提供了上述技术方案所述荧光化合物或上述技术方案所述的制备方法制备得到的荧光化合物作为非诊断和治疗目的的荧光材料的应用。
本发明提供了上述技术方案所述的荧光化合物的第一晶型或上述技术方案所述的荧光化合物的第二晶型作为荧光材料在非诊断和治疗目的的领域中的应用。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的技术方案进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
按照图1所示的合成路线：将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮(2mmol)，3-溴丙胺氢溴酸盐(8mmol)和4-二甲氨基吡啶(6mmol)加入到无水乙醇(12mL)中，加热回至82℃回流反应5h。结束后加入降温至室温后加入饱和氯化铵溶液后用乙酸乙酯萃取，硫酸镁干燥后抽滤，旋干得到粗产物，粗产物经过硅胶柱层析得到具有式2所示结构的中间产物。中间产物产率为85％。
Figure BDA0003685053610000111
将中间产物(1mmol)，氢化钠(10mmol)和碘甲烷(10mmol)加入到无水四氢呋喃(20mL)中，加热至70℃回流20h，在冰水浴中冷却至0℃后缓慢加入饱和氯化铵水溶液，乙酸乙酯萃取，硫酸镁干燥后抽滤，旋干得到粗产物，粗产物经过硅胶柱层析得到具有式1所示结构的荧光化合物。荧光化合物的产率为66％。
Figure BDA0003685053610000121
荧光化合物的核磁数据为：1H NMR(600MHz,CDCl3)δ＝3.89(s,1H),3.07–3.00(m,1H),2.74(s,1H),2.61(t,J＝6.6,1H),1.85–1.76(m,1H)。13CNMR(151MHz,CDCl3)δ＝170.5,139.8,127.9,124.8,52.2,51.6,44.1,25.2,17.8。
实施例2
在1g荧光化合物固体中加入50mL丙酮，在400r/min、50℃条件下搅拌20min，将得到的荧光化合物溶液以10℃/h的降温速率降温至-20℃；将降温得到体系过滤，将所得固态组分用正己烷洗涤、真空抽滤，得到荧光化合物的第一晶型，第一晶型为绿色棒状晶体，如图2左侧的晶型一所示。第一晶型的晶胞参数为：
Figure BDA0003685053610000122
α＝90°，β＝106.152(6)°，γ＝90°。T＝113K，Z＝2，ρ＝1.338mg·m-3，R1＝0.0517，wR2＝0.1455。剑桥晶体结构系统中编号为：2142100。荧光化合物第一晶型的X射线粉末衍射角为10.7±0.2°、14.3±0.2°、17.4±0.2°、18.8±0.2°、19.8±0.2°、21.6±0.2°、23.3±0.2°和24.0±0.2°，如图3中的晶型一所示。第一晶型的熔点为162℃，如图4中的晶型一所示，且在熔点之前在117℃存在小的吸热峰，为第一晶型向第二晶型的转变温度。如图5中的晶型一所示，第一晶型一的最大发射波长为525nm，量子产率为100％。
实施例3
在1g荧光化合物固体中加入50mL丙酮，在400r/min条件下搅拌20min，将得到的荧光化合物溶液在室温条件下蒸发10小时；将蒸发得到体系过滤，将所得固态组分用正己烷洗涤、真空抽滤，得到荧光化合物的第一晶型。其熔点为162℃，如图4左侧的晶型一所示。如图5中晶型一所示，第一晶型的最大发射波长为525nm，量子产率为100％。
实施例4
在1g荧光化合物固体中加入35mL甲基叔丁基醚中，在400r/min、50℃条件下搅拌20min，将得到的荧光化合物溶液以40℃/h的降温速率降温至-20℃；将降温得到体系过滤，将所得固态组分用正己烷洗涤、真空抽滤，得到荧光化合物的第二晶型。荧光化合物的第二晶型为片状晶体，如图2右侧中晶型二所示。荧光化合物的第二晶型的晶胞参数为：
Figure BDA0003685053610000131
Figure BDA0003685053610000132
α＝90°，β＝108.00(3)°，γ＝90°。T＝293K，Z＝2，ρ＝1.301mg·m-3，R1＝0.0694，wR2＝0.1923。剑桥晶体结构系统中编号为：2143542。荧光化合物的第二晶型的X射线粉末衍射角为9.3±0.2°、13.9±0.2°、17.5±0.2°、18.7±0.2°、19.9±0.2°、22.3±0.2°、25.8±0.2°和28.3±0.2°，如图3中的晶型二所示。荧光化合物的第二晶型的熔点为158℃，如图4中的晶型二所示。如图5中的晶型二所示，荧光化合物的第二晶型的最大发射波长为510nm，量子产率为100％。
实施例5
在1g荧光化合物固体加入升华结晶器，在真空条件下加热到140℃条件下保温10min，得到具有晶型二化合物。其熔点为158℃，如图4中晶型二所示。如图5中的晶型二所示，荧光化合物的第二晶型的最大发射波长为525nm，量子产率为100％。
尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述，但它仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例，人们还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例，这些实施例都属于本发明保护范围。

Claims (10)

1.一种荧光化合物，其特征在于，具有式1所示结构：
Figure QLYQS_1
2.权利要求1所述的荧光化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮、3-溴丙胺氢溴酸盐、有机碱和有机溶剂混合发生串联反应，得到具有式2所示的中间产物；
Figure QLYQS_2
将中间产物、N-甲基化试剂、碱金属的氢化物和有机溶剂混合进行N-甲基化反应，得到具有式1所示结构的荧光化合物。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述2,5-二甲氧酰基-1,4-环己二酮和所述3-溴丙胺氢溴酸盐的摩尔比为1:(3～5)；所述3-溴丙胺氢溴酸盐和所述有机碱的摩尔比为1:1。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述中间产物和所述N-甲基化试剂的摩尔比为1:10；所述N-甲基化试剂和所述碱金属的氢化物的摩尔比为1:1。
5.权利要求1所述荧光化合物或权利要求2～4所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第一晶型，所述第一晶型的X-射线粉末衍射在2θ为10.7±0.2°、14.3±0.2°、17.4±0.2°、18.8±0.2°、19.8±0.2°、21.6±0.2°、23.3±0.2°和24.0±0.2°处有特征吸收峰。
6.权利要求1所述荧光化合物或权利要求2～4所述的制备方法制备得到的荧光化合物的第二晶型，所述第二晶型的X-射线粉末衍射在2θ为9.3±0.2°、13.9±0.2°、17.5±0.2°、18.7±0.2°、19.9±0.2°、22.3±0.2°、25.8±0.2°和28.3±0.2°处有特征吸收峰。
7.权利要求5所述的荧光化合物的第一晶型的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型；所述降温结晶的降温速率为5～20℃/h；
或将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行保温蒸发结晶，得到所述荧光化合物的第一晶型。
8.权利要求6所述的荧光化合物的第二晶型的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将荧光化合物溶解于有机溶剂中，得到荧光化合物溶液；将所述荧光化合物溶液进行降温结晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述降温结晶的降温速率为30～50℃/h；
或按照权利要求7所述的制备方法制备得到荧光化合物的第一晶型；将所述第一晶型进行加热固固转晶，得到所述荧光化合物的第二晶型；所述加热转晶的保温温度为110～145℃。
9.权利要求1所述荧光化合物或权利要求2～4任一项所述的制备方法制备得到的荧光化合物作为非诊断和治疗目的的荧光材料的应用。
10.权利要求5所述的荧光化合物的第一晶型或权利要求6所述的荧光化合物的第二晶型作为荧光材料在非诊断和治疗目的的领域中的应用。
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