CN115000054A - 高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 - Google Patents
高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115000054A CN115000054A CN202210390158.9A CN202210390158A CN115000054A CN 115000054 A CN115000054 A CN 115000054A CN 202210390158 A CN202210390158 A CN 202210390158A CN 115000054 A CN115000054 A CN 115000054A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- module
- copper foil
- chip
- led module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003796 beauty Effects 0.000 title abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000009098 adjuvant therapy Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004663 cell proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，包括：模组本体，所述模组本体包括若干LED芯片，相邻的两所述LED芯片在纵向的中心间距的在0.2mm～0.6mm之间，相邻的两所述LED芯片在横向的中心间距在0.2mm～0.6mm之间。本发明通过采用芯片级的封装，最大限度保留了LED芯片的发光角度，同时LED芯片的密度更高，LED模组发光面的光分布更加均匀。
Description
技术领域
本发明涉及LED医疗和美容技术领域，尤其涉及一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域。
背景技术
随着科学技术的发展，LED技术日益走向成熟，于医疗康复、辅助治疗、抑制异常细胞增生和医学美容等领域的应用愈来愈普及，但是从近些年市场已有的主流产品来看，产品均使用成品LED制作，而市面上广泛应用的LED封装尺寸至少为长：1.6mm，宽：0.8mm，高：0.4mm，依此类封装LED所制作的成品，其发光角度受到封装的限制，因此单颗LED的发光角度只能到120度。另外，使用到此类封装LED的相关产品，其上各光源之间的间距也受到封装的限制，使得两光源的中心间距最小只能到2mm以上，因此导致整个产品的发光面光强不足也不够均匀，使得产品效能大打折扣。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域。
本发明的技术方案如下：本发明提供一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，包括：模组本体，所述模组本体包括若干LED芯片，相邻的两所述LED芯片在纵向的中心间距的在0.2mm～0.6mm之间，相邻的两所述LED芯片在横向的中心间距在0.2mm～0.6mm之间。
进一步地，所述模组本体还包括基板，所述LED芯片设于所述基板上。
进一步地，所述基板的正面形成有导线线路，所述LED芯片设于所述导电线路上并与所述导电线路电性连接。
进一步地，所述LED芯片通过导电接着剂与所述导电线路电性连接。
进一步地，所述LED芯片上覆盖有保护胶。
进一步地，所述模组本体中的所述LED芯片的波长可以相同，也可以不相同。
进一步地，所述LED芯片包括芯片本体和设于所述芯片本体上的导电电极。
进一步地，所述LED芯片的长度小于等于0.55mm，宽度小于等于0.26mm，高度小于等于0.35mm。
进一步地，所述基板的背面整面形成有背面铜箔。
进一步地，所述背面铜箔被绝缘分隔区分隔成正极铜箔和负极铜箔，所述正极铜箔和负极铜箔分别通过过孔与所述导电线路电性连接，所述正极铜箔和负极铜箔分别通过导线与外部实现电性连接。
采用上述方案，本发明的有益效果在于：本方案采用芯片级的封装，最大限度保留了LED芯片的发光角度，同时LED芯片的密度更高，LED模组发光面的光分布更加均匀。
附图说明
图1为本发明一实施例的LED模组正面的结构示意图。
图2本发明一实施例的LED模组的爆炸示意图。
图3本发明一实施例的LED模组背面的结构示意图。
图4本发明一实施例的LED晶片的结构示意图。
图5本发明一实施例的LED模组的测试点位的示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
请结合参阅图1至图4，本实施例中，本发明提供一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，包括：模组本体，所述模组本体包括若干LED芯片2，所述LED芯片2阵列设置，相邻的两所述LED芯片2在纵向的中心间距的在0.2mm～0.6mm之间，相邻的两所述LED芯片2在横向的中心间距在0.2mm～0.6mm之间。
进一步地，所述模组本体还包括基板1，所述LED芯片2设于所述基板上1，具体地，所述基板1的正面形成有导线线路11，所述LED芯片2设于所述导电线路1上并与所述导电线路1电性连接。所述基板1可以为玻纤板、铝基板、柔性电路板或其他类型的可以承载所述LED芯片2的基板。所述导电线路11可以通过蚀刻、激光雕刻、冲压横行等方式形成。
进一步地，请参阅图1至图3，所述LED芯片2通过导电接着剂3与所述导电线路11电性连接，并实现将所述LED芯片2固定在所述导电线路11上，所述导电接着剂3可以为含银导电胶、锡膏或其他助焊剂。
进一步地，请参阅图1至图3，所述LED芯片2上覆盖有保护胶4，所述保护胶4可以为硅胶、环氧树脂等材质，用于保护所述LED芯片2以及所述导电线路11。
进一步地，所述模组本体中的所述LED芯片的波长可以相同，也可以不相同，可以在实际的应用中根据需求选择相应波长的LED芯片实用。
进一步地，请结合参阅图1至图4，所述LED芯片2包括芯片本体21和设于所述芯片本体21上的导电电极22，所述导电电极22与所述导电线路11电性连接。
进一步地，所述LED芯片的长度小于等于0.55mm，宽度小于等于0.26mm，高度小于等于0.35mm。
本方案中，每平方厘米的面积内可以放置至少300颗LED芯片，而现有技术每平方厘米的面积大约可以放置100颗LED芯片，本方案相比现有技术极大的提升了LED的密度，从而使得得到的模组的发光强度更高，效果更好。
进一步地，请结合参阅图1至图3，所述基板1的背面整面形成有背面铜箔，所述背面铜箔可以提升LED模组的散热性能。所述背面铜箔被绝缘分隔区14分隔成正极铜箔12和负极铜箔13，所述正极铜箔12与负极铜箔13分别通过过孔与所述导电线路11电性连接，所述正极铜箔12和负极铜箔13分别通过导线5与外部实现电性连接，实现外部的电源给所述LED模组的供电。
本方案中，采用创造采用芯片级的封装模式来制造用于医疗和美容领域的功能模组，通过具有高精度的芯片拾取和放置系统的设备来完成芯片的放置，所述LED晶片经通电后激发从而发光。
由于本方案的相应的所述LED芯片在纵向和横向相对应的中心间距均在0.3mm～0.6mm之间，并且不同与现有的采用LED成品通过SMT加工成的产品，本方案直接采用芯片封装，在使用极小电流的时候，通过各个所述LED晶片之间光效的叠加，可以将每颗所述LED芯片非法向强度的光进行弥补，使得光强分布均匀，光效更好。请参阅图5，在本实施例的LED模组中选取不同位置的四个测试点：测试点①、测试点②、测试点③、测试点④对光强进行测试，测试得到的结果如下表：
通过上表可知，不同测试位置的光强分布均匀。
综上所述，本方案的有益效果在于：本方案采用芯片级的封装，最大限度保留了LED芯片的发光角度，同时LED芯片的密度更高，LED模组发光面的光分布更加均匀。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，包括：模组本体，所述模组本体包括若干LED芯片，相邻的两所述LED芯片在纵向的中心间距的在0.2mm～0.6mm之间，相邻的两所述LED芯片在横向的中心间距在0.2mm～0.6mm之间。
2.根据权利要求1所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述模组本体还包括基板，所述LED芯片设于所述基板上。
3.根据权利要求2所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述基板的正面形成有导线线路，所述LED芯片设于所述导电线路上并与所述导电线路电性连接。
4.根据权利要求3所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述LED芯片通过导电接着剂与所述导电线路电性连接。
5.根据权利要求1所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述LED芯片上覆盖有保护胶。
6.根据权利要求1所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述模组本体中的所述LED芯片的波长可以相同，也可以不相同。
7.根据权利要求1所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述LED芯片包括芯片本体和设于所述芯片本体上的导电电极。
8.根据权利要求1至7任一项所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述LED芯片的长度小于等于0.55mm，宽度小于等于0.26mm，高度小于等于0.35mm。
9.根据权利要求2至5任一项所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述基板的背面整面形成有背面铜箔。
10.根据权利要求9所述的高密度mini LED模组用于医疗和美容领域，其特征在于，所述背面铜箔被绝缘分隔区分隔成正极铜箔和负极铜箔，所述正极铜箔和负极铜箔分别通过过孔与所述导电线路电性连接，所述正极铜箔和负极铜箔分别通过导线与外部实现电性连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210390158.9A CN115000054A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210390158.9A CN115000054A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115000054A true CN115000054A (zh) | 2022-09-02 |
Family
ID=83023463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210390158.9A Pending CN115000054A (zh) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115000054A (zh) |
-
2022
- 2022-04-14 CN CN202210390158.9A patent/CN115000054A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080261339A1 (en) | Packaging method to manufacture package for a high-power light emitting diode | |
| AU2019382303B2 (en) | LED flexible light bar | |
| KR20110056306A (ko) | 발광다이오드 및 이의 형성 방법, 및 발광다이오드를 이용한 장치 | |
| CN201651936U (zh) | 具有玻璃盖的led封装结构 | |
| TWM397590U (en) | Flexible LED package structure | |
| CN108598072A (zh) | 一种基于一体化支架的uv-led光源模块制备方法 | |
| TWI415309B (zh) | Preform Molded Polycrystalline Bearing Modules with Lead Frame Type | |
| CN111226072A (zh) | 用于发光元件和照明装置的支撑件 | |
| CN201116697Y (zh) | 360°输出光的发光二极管 | |
| KR20100089115A (ko) | 발광 다이오드 유닛의 제조 방법과, 이 방법에 의하여 제조된 발광 다이오드 유닛 | |
| CN115000054A (zh) | 高密度mini LED模组用于医疗和美容领域 | |
| CN204905298U (zh) | 一种led集成模顶光源 | |
| US20140061697A1 (en) | Light emitting diode package and method for manufacturing the same | |
| TWI412697B (zh) | 多發光二極體光源燈件 | |
| CN216489008U (zh) | 激光封装装置 | |
| WO2023103158A1 (zh) | Led基座模组、led模组和led灯带 | |
| CN110649006A (zh) | 一种高功率密度cob器件 | |
| CN213692046U (zh) | 一种高功率光源封装结构 | |
| CN114300450A (zh) | 透过制程优化来实现更小光源间距的led模组 | |
| US20080220548A1 (en) | Multi-chip surface mounted led structure and a method for manufacturing the same | |
| CN202150488U (zh) | 一种用于led晶片的贴装结构 | |
| CN211182241U (zh) | 一种紫外led封装器件 | |
| EP3131370B1 (en) | Printed circuit board and light-emitting device including same | |
| CN208422955U (zh) | 一种uv-led光源及其灯具 | |
| CN202678310U (zh) | 基于cob技术封装的大功率led集成阵列照明光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |