CN114995064A - 卡盘、基板保持装置、基板处理装置以及物品制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供通过使隔壁和凸部的配置位置成为规定的关系而可使基板的扭曲减少的卡盘、基板保持装置、基板处理装置以及物品制造方法。一种用于吸附并保持基板的卡盘，其特征在于，包括与被吸附并保持的基板的背面抵接的多个凸部、环状的隔壁以及配置了多个凸部和隔壁的底部，多个凸部由将被配置在隔壁的外侧的第1凸部以及被配置在隔壁的内侧且隔着隔壁与第1凸部相邻的位置的第2凸部作为一个组的多个组构成，在设多个组的每一个组所包含的第1凸部和第2凸部之间的距离为L，设该第2凸部和隔壁之间的距离为s时，满足s/L＜0.5。

Description

卡盘、基板保持装置、基板处理装置以及物品制造方法
技术领域
本发明涉及卡盘、基板保持装置、基板处理装置以及物品制造方法。
背景技术
近年来，对于半导体元件制造等所使用的曝光装置(缩小投影曝光装置)，用于应对元件微细化的高NA化(高数值孔径化)逐渐发展。虽然通过高NA化，提高了分辨率，但是，有效的焦点深度却减少。因此，为了一面维持分辨率，一面确保充分的实用深度，谋求了晶片平滑(基板表面的平面度)的改善，例如，减轻投影光学系统的像面弯曲，改善晶片(基板)的厚度不均，提高用于吸附并保持晶片的卡盘的平面精度等。
作为使基板表面的平面度降低的原因，有卡盘和基板之间的异物夹入。若夹入异物，则存在夹入了的部分的基板变形而隆起从而导致产生向基板形成的图案的形成不良以及成品率降低的情况。为了准确地避免这样的异物造成的成品率降低，使用使卡盘和基板的接触率大幅减少的所谓使用了销(凸部)的销接触式卡盘(销卡盘)。
在使用了该销卡盘的情况下，还存在基板在凸部间因真空吸引力而变形、挠曲(扭曲)从而基板变形导致基板表面的平面度降低的情况，提出了用于对此进行改善的各种方案。例如，在日本专利4298078号公报中，将包围多个凸部那样的环状的隔壁(凸缘)设置在销卡盘，将该隔壁配置在外周侧的凸部和作为与外周侧的凸部相邻的凸部的内周侧的凸部之间。而且，作为该隔壁的配置位置，配置成尽可能接近外周部侧的凸部。
另外，在日本特开2001-185607号公报中，将隔壁配置在与被配置在最外周侧的凸部相比靠外侧的位置或者最外周侧的凸部和与最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部之间。作为该隔壁的配置位置，将隔壁配置在从最外周侧的凸部和与最外周侧的凸部相邻的内周侧的凸部的距离的中心起的外周方向的规定范围内的位置。
若真空吸附基板，则隔壁的内侧产生被保持为大致真空压力的吸附力，但是，隔壁的外侧为大气压，几乎不产生吸附力。在日本专利4298078号公报以及日本特开2001-185607号公报中，为了使吸附力尽量作用到基板的外侧，将隔壁配置在靠近外周侧凸部的位置。但是，因为吸附力作用到基板的外侧，所以，存在基板表面的平面度降低、基板的扭曲(形变)变大的问题。
发明内容
在本发明中，其目的是提供例如可通过使隔壁和凸部的配置位置成为规定关系而使基板的扭曲减少的卡盘。
作为本发明的一个方面的卡盘，其特征在于，该卡盘包括与被吸附并保持的基板的背面抵接的多个凸部、环状的隔壁以及配置了多个凸部和隔壁的底部，多个凸部由将被配置在隔壁的外侧的第1凸部以及被配置在隔壁的内侧且隔着隔壁与第1凸部相邻的位置的第2凸部作为一个组的多个组构成，在设多个组的每一个组所包含的第1凸部和第2凸部之间的距离为L，设该第2凸部和隔壁之间的距离为s时，满足s/L＜0.5。
根据附图的以下示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得显而易见。
附图说明
图1是例示实施例1的曝光装置的结构的示意图。
图2是例示在受到等分布载荷的单侧固定且单侧自由的梁的材料力学模型的图。
图3A以及图3B是例示实施例1的基板保持装置的图。
图4A以及图4B是例示悬臂梁中的材料力学模型的图。
图5是例示实施例1的形变相对于隔壁的配置位置的关系的图。
图6A以及图6B是例示实施例2的基板保持装置的图。
图7A以及图7B是例示实施例3的基板保持装置的图。
图8是例示没有实施例3的外周侧凸部的场合的悬臂梁中的材料力学模型的流程图。
图9是例示实施例3的卡盘的剖视图的图。
图10A以及图10B是例示实施例5的基板保持装置的图。
图11是例示设备的制造工艺的流程图。
图12是例示晶片工艺的流程图。
图13A以及图13B是例示在一般的基板保持装置中使用的销卡盘的图。
具体实施方式
下面，参照附图，使用实施例和图对本发明的优选的实施方式进行说明。另外，在各图中，对相同的部件或要素标注相同的附图标记，省略或简化重复的说明。
(实施例1)
图1是示意性地例示实施例1的曝光装置100的结构的结构图。曝光装置100是以下装置：相对于抗蚀剂照射从光源照射的光(曝光光线)，使之硬化，能够形成转印了被形成在中间掩模104上的图案的硬化物的图案。
另外，下面，将与相对于基板110上的抗蚀剂照射的光的光轴平行的方向作为Z轴方向，将在与Z轴方向垂直的平面内相互正交的两个方向作为X轴方向以及Y轴方向。实施例1的曝光装置100可应用于对多个图案形成区域(曝光区域)依次进行聚焦驱动的装置以及依次进行曝光的装置(投影曝光装置、基板处理装置)等。下面，参照图1，说明实施例1的曝光装置100。另外，针对实施例1的曝光装置100，作为分步重复方式的曝光装置进行说明。
基板(晶片)110是表面涂敷了通过曝光光线有效地引起化学反应的感光剂(抗蚀剂)的被处理基板。基板110使用玻璃、陶瓷、金属、硅、树脂等，也可以根据需要，在其表面形成由不同于基板110的材料构成的部件。另外，基板110也可以是砷化镓晶片、复合粘接晶片、材料含有石英的玻璃晶片、液晶面板基板、中间掩模等各种基板。另外，外形形状也不仅是圆形，也可以是方形等，在这种情况下，后述的卡盘1的外形也只要做成与基板外形匹配的形状即可。
中间掩模(原版)104被载置在成为可在与投影光学系统106的光轴正交的平面内以及该光轴方向移动的结构的中间掩模载台103上。中间掩模104具有矩形的外周形状，在与基板110相向的面(图案面)具有图案部，所述图案部具备被三维状形成的图案(电路图案等应向基板转印的凹凸图案)。中间掩模104由可使光透过的材料例如石英构成。
实施例1的曝光装置100还作为基板处理装置发挥功能，包括基板保持装置101、基板载台102、中间掩模载台103、照明光学系统105、投影光学系统106、离轴镜107、测量部108和控制部109。
基板保持装置101包括用于吸附并保持基板110的卡盘1、对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引(排气)的作为真空源的未图示的吸引部和控制吸引部的未图示的控制部。实施例1中的基板保持装置101的细节将在后面阐述。
基板载台102具备经基板保持装置101保持基板110的θZ倾斜载台、支撑θZ倾斜载台的未图示的XY载台和支撑XY载台的未图示的底座。基板载台102由线性马达等驱动装置(未图示)驱动。驱动装置可在X、Y、Z、θX、θY、θZ这六轴方向驱动，由后述的控制部109控制。另外，虽然驱动装置可在六轴方向驱动，但是，也可以是可在一轴方向到六轴方向的任意个数轴方向驱动。
中间掩模载台103被构成为，例如可在与后述的投影光学系统106的光轴垂直的平面内、即XY平面内移动以及可在θZ方向旋转。中间掩模载台103由线性马达等驱动装置(未图示)驱动，驱动装置可在X、Y、θZ这三轴方向驱动，由后述的控制部109控制。另外，驱动装置可在三轴方向驱动，但是，也可以是可在一轴方向至六轴方向的任意个数轴方向驱动。
照明光学系统105具备未图示的光源，对形成了转印用的电路图案(中间掩模图案)的中间掩模104进行照明。作为光源部中所含的光源，例如使用激光。可使用的激光是波长约193nm的ArF准分子激光、波长约248nm的KrF准分子激光和波长约157nm的F2准分子激光等。另外，激光的种类并非限定于准分子激光，例如，也可以使用YAG激光，激光的个数也未被限定。另外，在光源部使用激光的情况下，优选使用将来自激光光源的平行光束整形为所希望的光束形状的光束整形光学系统、将相干的激光非相干化的非相干光学系统。进而，可使用的光源并非限定于激光，也可以使用一个或者多个水银灯、氙气灯等灯。
另外，虽然照明光学系统105未被图示，但是，包括透镜、反射镜、光积分器及光圈等。一般来说，内部的光学系统按照聚光透镜、蝇眼、开口光圈、聚光透镜、狭缝、成像光学系统的次序排列。在这种情况下，光积分器包括通过将蝇眼透镜、两组柱面透镜列阵板重叠而构成的积分器等。
投影光学系统106以规定的倍率(例如，1/2、1/4或1/5)，使被来自照明光学系统105的曝光光线照明的中间掩模104上的图案的衍射光成像在基板110上并使之发生干涉。形成在基板110上的干涉像形成与中间掩模图案大致相同的像。该干涉像一般被称为光学像，决定光学像的形状在基板110上形成的线宽。投影光学系统106可采用仅由多个光学要素构成的光学系统、由多个光学要素和至少一片凹面镜构成的光学系统(折反射光学系统)。或者，作为投影光学系统106，也可以采用由多个光学要素和至少一片相息图等衍射光学要素构成的光学系统、全反射镜型的光学系统等。
为了基板110的定位以及检测基板110的多个图案形成区域的位置，使用离轴镜107。能够检测并测量被配置在基板载台102的基准标记和在被搭载在基板载台102的基板110上形成的标记的相对位置。测量部(面位置测量构件)108是能够使投影光学系统106的焦点对准基板110的曝光对象区域的测量装置，构成使投影光学系统106的焦点对准基板表面的对焦装置。
控制部109包括CPU、存储器(存储部)等，至少由一个计算机构成，经电路与曝光装置100的各构成要素连接。另外，控制部109按照被存储在存储器的程序，总体性地控制曝光装置100整体的各构成要素的动作以及调整等。另外，控制部109可以与曝光装置100的其它的部分一体(在共用的框体内)构成，也可以与曝光装置100的其它的部分分体(在另外的框体内)构成，还可以设置在有别于曝光装置100的场所，远程控制。
这里，对曝光装置100的曝光顺序说明如下。另外，通过由控制部109执行计算机程序来控制该曝光顺序所示的各动作(处理)。在开始曝光顺序时，从基板110被自动或者通过作业者手动被设定在曝光装置100的状态开始，根据曝光开始指令开始曝光装置100的动作。
首先，最初曝光的第一片基板110由未图示的运送机构运入曝光装置100内的基板载体(运入工序)。接着，基板110由运送机构送入被搭载在基板载台102上的卡盘1上，由基板保持装置101吸附并保持(基板保持工序)。
接着，由被搭载在曝光装置100上的离轴镜107检测形成在基板110上的多个标记，确定基板110的倍率、旋转、X轴以及Y轴方向的偏离量，进行位置校正(对位工序)。
接着，基板载台102移动基板110，以使搭载的基板110进行最初曝光的规定的图案形成区域对准曝光装置100的曝光位置。接着，在由测量部108进行对焦后，从光源照射光，相对于被涂敷在规定的图案形成区域内的抗蚀剂进行规定时间的曝光(曝光工序)。另外，曝光时间例如是约0.2秒左右。
接着，基板载台102使基板110向在基板110上的下个图案形成区域移动(步骤移动)，与上述同样地曝光。依次反复同样的图案形成处理，直至曝光在进行曝光的全部图案形成区域完成。由此，能够在一片基板110上形成出形成于中间掩模104的图案。而且，从卡盘1上被移交到未图示的回收运送手上的基板110返回曝光装置100内的基板载体(运出工序)。另外，在进行了基板110的运出处理后，相对于该基板110例如进行蚀刻等处理，加工基板110(加工工序)，从该被加工的基板110除去不需要的硬化物等，由此，能够制造物品。
在实施例1中，如上所述，设想分步重复方式的曝光装置，但是，并非局限于此，也可以应用在扫描型曝光装置。在应用在扫描型曝光装置的情况下，中间掩模和基板110根据曝光倍率被同步扫描，在扫描过程中进行曝光。
另外，实施例1的基板保持装置101并非被限定为在曝光装置100中使用。例如，也能够使用于包括压印装置(光刻装置)等的基板处理装置、液晶基板制造装置、磁头制造装置、半导体检查装置、液晶基板检查装置、磁头检查装置以及微型机器的制造等中。
这里，在使卡盘1吸附并保持基板110时，存在在基板110和卡盘1之间夹入异物的情况。例如，即使是几μm左右的异物，若夹入该异物，则存在以下情况：夹入的部分的基板110变形，一部分隆起，产生图案成形不良。作为一个例子，能够在有效的焦点深度为1μm以下的情况等引起。
为了避免这样的异物夹入，使用将与基板110的背面抵接的部位作为销状的凸部形成的所谓销接触式卡盘(下面为卡盘)，使与基板110的接触面积大幅减少。下面，参照图13A和图13B，对在以往使用的一般的基板保持装置中使用的卡盘进行说明。
图13A和图13B是例示在一般的基板保持装置中使用的卡盘200的图。图13A是从+Z方向观看卡盘200的情况下的俯视图。图13B是图13A所示的卡盘200的局部剖视图。图13A和图13B例示的基板保持装置由卡盘200、凸部201、隔壁(第1隔壁)204、吸引口205构成。
凸部201作为与基板110的背面抵接的抵接面(载置了基板后进行支撑的支撑面)发挥功能。多个销状的凸部201包括多个销状的凸部(外周侧凸部)202、多个销状的凸部(内周侧凸部)203以及与外周侧凸部202和内周侧凸部203不同的多个销状的凸部。
隔壁204被环状地设置在卡盘200的底部，与外周侧凸部202相比成为内侧。隔壁204的高度被形成为相对于外周侧凸部202的顶面低1～2μm左右。吸引口205是被形成在卡盘200的底部的贯通孔，与由从未图示的真空源(吸引部)连通的配管等形成的流路连接。
外周侧凸部202为了与基板110的外周方向的背面抵接，被配置在与隔壁204相比的外侧。多个外周侧凸部202被配置在半径与基板110相同的外周上。图13A和图13B例示的外周侧凸部202是被配置在卡盘200的最外周侧(最外周)的凸部。内周侧凸部203为了与基板110的内周方向的背面抵接，被配置在与隔壁204相比的内侧。多个内周侧凸部203被配置在半径与基板110相同的内周上。图13A和图13B例示的内周侧凸部203从被配置在最外周侧的底部的外周侧凸部202隔着隔壁204被配置在旁边。另外，卡盘200中的多个销状的凸部201以规定的距离(间隔、周期、宽度)被配置成格子状。另外，将被配置在隔壁204的外侧的外周侧凸部202以及被配置在隔壁204的内侧且隔着隔壁204与外周侧凸部202相邻的位置上的内周侧凸部203作为一个组来分别构成。而且，由外周侧凸部202和内周侧凸部203构成的多个凸部由包括各个组的多个组构成。
对由像上述那样构成的卡盘200吸附基板110的方法说明如下。首先，将基板110载置在卡盘200的凸部201上。由此，基板110的背面抵接在多个凸部201上。接着，通过未图示的真空源工作，经吸引口205真空吸引基板110，由此，基板110被卡盘200的凸部201支撑，被吸附并保持。此时，基板110在凸部201间因真空吸附力而变形，挠曲。因基板110挠曲，基板110的平面度降低，产生所谓的晶片形变(下面为形变)。
将图13B例示的隔壁204的配置位置作为一个例子，从材料力学上的模型，参照图2，对外周侧凸部202中的基板110的平面度以及形变的产生量说明如下。图2是例示受到等分布载荷的单侧固定且单侧自由的梁的材料力学模型的图。而且，卡盘200的外周区域(外周部)中的基板110的挠曲的状态的材料力学上的模型适用于图2例示的模型。另外，如图13B例示的那样，隔壁204被配置在与内周侧凸部203相比靠近外周侧凸部202的位置。
设基板110的杨氏模量为E，基板110的厚度为h。接着，设前述的多个组(下面为多个组)的每一个组所包含的外周侧凸部202和内周侧凸部203之间的距离为L。进而，设每单位长度的作用力为w，挠曲为y，内周侧凸部203基准的径向位置为x。此时，倾斜(θ)dy/dx用下面的算式(1)表示。另外，距离L也可以使用将多个组的每一个组所包含的外周侧凸部202和内周侧凸部203之间的距离作为平均值的距离。
Figure BDA0003525287040000091
上述算式(1)中的倾斜dy/dx在x＝L时最大，由下面的算式(2)表示。
Figure BDA0003525287040000092
这里，上述算式(2)中的负标识表示倾斜dy/dx是逆时针旋转(CCW)的旋转方向。另外，若设真空源产生的吸引压为吸引压力Pv，进深尺寸为b，则每单位长度的作用力w由下面的算式(3)表示。
w＝Pvb (3)
这里，设单侧自由的梁中的截面二次力矩为E＝1/12bh3，若将上述算式(3)代入上述算式(2)，则能够得到下面的算式(4)。
Figure BDA0003525287040000093
而且，形变dx由下面的算式(5)表示。
Figure BDA0003525287040000101
另外，严格地说，外周侧凸部202在通过吸引等向基板110施加了载荷时，因基板110的变形，不是由该外周侧凸部202的中心部(外周侧凸部的中心轴上的支撑面)，而是由从中心部偏离的角部来支撑基板110。因此，这种情况下的上述距离L(mm)严格地说是相对于该外周侧凸部202的基板110的中心方向，从外周侧凸部202的角部到隔着隔壁204配置在该外周侧凸部的旁边的内周侧凸部203的中心轴为止的距离。因为在算出上述形变时，距离L中的距离越长，则形变越大，所以，为了在安全方面计算，形变的算出采用上述的距离L。
这里，作为一个例子，按照一般的卡盘的设计值，若将E＝160GPa、Pv＝0.1MPa、L＝2mm、h＝0.7mm代入上述算式(5)，则能够得到dx＝1.29nm。例如，若以叠加的误差相对于理想水平的基准的允许量为1.5nm作为例子，则该允许量仅剩0.29nm。进而，例如，即使叠加的误差相对于理想水平的基准的允许量例如为3nm、5nm等，1.29nm的形变在实施向基板110形成图案的处理时，影响也大。因此，在吸附并保持基板110后，为了实施图案形成等处理，需要在使形变减少了的状态下，吸附并保持基板110。
因此，在实施例1中，能够提供一种通过相对于后述的凸部2使隔壁5的配置位置成为规定的关系而可使形变减少的卡盘。下面，参照图3A和图3B、图4A和图4B以及图5，对实施例1的基板保持装置101详细地进行说明。
图3A和图3B是例示实施例1的基板保持装置101的图。图3A是从+Z方向观看基板保持装置101的俯视图。图3B是图3A的基板保持装置101的局部剖视图。下面，参照图3A和图3B，详细地说明实施例1的基板保持装置101。实施例1的基板保持装置101包括卡盘1和未图示的吸引部以及控制部。
卡盘1以比基板110小的直径被构成为圆形，包括多个销状的凸部2、隔壁(第1隔壁)5和吸引口(第1吸引口)6。另外，卡盘1被配置在基板载台102上。
凸部2是配置在卡盘1的底部的多个的销状的凸部(销)，在将基板110载置在卡盘1上时，基板110的背面与凸部2的顶面抵接。凸部2在卡盘1的底部以规定的距离L(mm)格子状地被配置在底部。虽然凸部2的直径与卡盘1的规格相应地多种多样，但是，一般的直径是φ0.2mm左右。另外，作为凸部2的排列，除格子状的排列以外，也能够同心圆状地排列，也可以是带有角度的排列，例如按60度的交错呈格子状排列。另外，也可以做成随机排列，或者还可以是将这些组合了的排列。
凸部2包括多个销状的凸部(外周侧凸部、第1凸部)3和多个销状的凸部(内周侧凸部、第2凸部)4以及与外周侧凸部3和内周侧凸部4不同的多个销状的凸部(第3凸部)。外周侧凸部3为了与基板110的外周方向的背面抵接，被配置在与隔壁5相比的外侧。外周侧凸部3是在与基板110相同的半径的外周上配置了多个的凸部。图3A和图3B例示的外周侧凸部3被配置在卡盘1的最外周侧(最外周)。内周侧凸部4为了与基板110的内周方向的背面抵接，被配置在与隔壁5相比的内侧。多个内周侧凸部4被配置在半径与基板110相同的内周上。图3A和图3B例示的内周侧凸部4从被配置在最外周侧的底部的外周侧凸部3隔着隔壁5被配置在旁边。在实施例1中，除第3凸部以外的多个凸部2由将被配置在隔壁5的外侧的外周侧凸部3以及被配置在隔壁5的内侧且隔着隔壁5与外周侧凸部3相邻的位置上的内周侧凸部4作为一个组的多个组构成。
隔壁5在卡盘1的底部呈圆环状地至少配置一个，以便包围多个凸部2的一部分。实施例1的隔壁5被配置在靠近隔着隔壁5与外周侧凸部3相邻的内周侧凸部4的位置。隔壁5形成得比多个内周侧凸部4低。多个内周侧凸部4的高度例如是指平均的高度。另外，也可以使隔壁5的高度比特定的内周侧凸部4的高度例如多个内周侧凸部4中的高度最低的内周侧凸部4低。另外，也可以将隔壁5的高度形成为比多个凸部2的顶面低1～2μm左右。即使形成为低1～2μm左右，在1～2μm左右的间隙，在由后述的吸引部产生的对基板110的背面和卡盘1的空间(区域)进行吸引来吸附并保持基板110时的真空压力的降低也很小，不会成为问题。另外，即使直径比1～2μm左右的差小的垃圾、颗粒等异物附着在隔壁5，附着的异物与基板110的背面接触的概率也非常低，因此，即使将隔壁5的高度形成为比多个凸部2的顶面低1～2μm左右，也不会成为问题。
吸引口6是被形成在卡盘1上的贯通孔，在实施例1中，作为在后述的吸引部对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引(排气)时的吸引口发挥功能。另外，吸引口6在图3A和图3B中仅设置一个，但是，并非局限于此，也可以在卡盘1上形成一个以上的吸引口6。
吸引部是被构成为可通过真空吸引等对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引的未图示的真空源。吸引部根据来自控制部109的信号开始动作，能够经与吸引部连接的配管等流路和吸引口6，对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引，相对于卡盘1吸附基板110。另外，吸引部并非局限于被配置在基板保持装置101，也可以被配置在基板保持装置101的外部或者曝光装置100的外部。
图4A和图4B是例示实施例1的隔壁5的配置位置上的材料力学模型的图。图4A是实施例1的基板保持装置101的局部剖视图。图4B是例示图4A的局部剖视图中的材料力学模型的图。
在图4B中，因为在内周侧凸部4，倾斜dy/dx为0(零)，所以，这里近似为固定端。另外，在图4B中，由真空压力P产生的力作为等分布载荷作用在从内周侧凸部4到隔壁5的位置之间，力没有作用到隔着隔壁5与内周侧凸部4相邻的外周侧凸部3。因此，因为在外周侧凸部3，倾斜dy/dx变得自由，所以，这里近似为自由端。这与图2同样，是所谓的静不定梁，通过在力的平衡、力矩的平衡之外还给予外周侧凸部3处的位移＝0的条件，能够计算固定端反作用力Rf、自由端反作用力Rp和固定端处的力矩Mf。下面，对使用了图4B中的材料力学模型的实施例1的基板保持装置101中的形变的计算进行说明。
设挠曲为y，设从被配置在隔着隔壁5与多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3相邻的内周侧凸部4中的在直线距离与该外周侧凸部3最近的位置上的内周侧凸部4到隔壁5为止的距离为距离s。接着，设多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3和内周侧凸部4之间的距离为距离L。另外，距离L也可以使用将多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3和内周侧凸部4之间的距离设为平均值的值。此时，挠曲的方程式在使用上述的Rf、Rp、Mf，设为0＜x≤s的情况下，能够由下面的算式(6)表示。
Figure BDA0003525287040000131
而且，在设为s＜x≤L的情况下，能够由下面的算式(7)表示。
Figure BDA0003525287040000132
接着，通过将上述算式(7)积分，在固定端加入dy/dx＝0的条件，能够得到下面的算式(8)。
Figure BDA0003525287040000133
接着，通过将上述算式(7)积分，加入在隔壁5的配置位置上的倾斜dy/dx连续这样的条件，能够得到下面的算式(9)。
Figure BDA0003525287040000134
另外，若从前述的位移平衡、力平衡以及力矩平衡计算Rf、Mf，则以u＝s/L为参数，能够得到下面的算式(10)和算式(11)。
Figure BDA0003525287040000141
Figure BDA0003525287040000142
而且，若设为x＝L，将上述算式(3)和截面二次力矩E＝1/12bh3代入上述算式(9)，则能够得到下面的算式(12)。
Figure BDA0003525287040000143
这里，上述算式(12)中的倾斜dy/dx将顺时针旋转(CW)作为+(正)标识。另外，若预先将逆时针旋转(CCW)定义为+，则乘以-1就相同。另外，若倾斜dy/dx乘以厚度h/2，则形变dx可通过下面的算式(13)得到。
Figure BDA0003525287040000144
接着，根据通过上述算式(13)得到的形变dx决定u，以满足下面所示的算式(14)。
Figure BDA0003525287040000145
上述算式(14)中的校正系数是指考虑了实质上的距离L的系数，虽然因凸部2的配置位置而不同，但是，是接近1的数字。
另外，也可以是在设平坦度规格为dz，设与被配置在基板110的最外周侧的外周侧凸部3相比向外周方向(外侧方向)突出的部分的长度即所谓的悬伸长度为oh时，决定u，以满足下面的算式(15)。
Figure BDA0003525287040000146
图5是例示实施例1的形变相对于隔壁5的配置位置的关系的图。图5中的曲线图是将在校正系数×(h/2)×PvL3/4Eh3(3u4－4u3)代入例如作为一般的卡盘1的设计值的E＝160GPa、Pv＝0.1MPa、L＝2mm、h＝0.7mm而计算的值作为纵轴。另外，将u作为变量，作为横轴。
根据图5，若设为u＜0.5，则能够使形变dx最大也仅为0.4nm，能够大幅减少实施吸附并保持基板110，在基板110上形成图案的处理等的影响。
另外，实际上，多个凸部2被二维配置，实际的凸部2之间的距离L若也包括前述的凸部的角部碰撞造成的减少，则实质上比上述定义的距离L小(距离短)。因此，若是在上述形变的计算中使用的距离L，则比实际的配置大(距离长)，所以，形变变大。在实施例1中，为了在安全方面计算，形变的计算采用上述的距离L。
上面，在实施例1中，通过将隔壁5的配置位置调整成满足u＜0.5(相对于凸部2，使隔壁5的配置位置成为规定的关系)，能够使形变减少。由此，能够提供一种在实施图案形成等处理的基础上可以以最佳的状态吸附并保持基板110的卡盘。
(实施例2)
实施例2的基板保持装置101是还设置作为与实施例1的卡盘1中的隔壁(第1隔壁)5不同的隔壁的辅助隔壁(第2隔壁)7和作为与吸引口6不同的吸引口的吸引口(第2吸引口)8的基板保持装置。即，在实施例2的基板保持装置101中，第1隔壁被构成为由相邻的双层的隔壁构成。另外，在实施例2中，将该双层的隔壁中的外侧的隔壁称为辅助隔壁(第2隔壁)。下面，参照图6A和图6B，说明实施例2的基板保持装置101。图6A和图6B是例示实施例2的基板保持装置101的图。图6A是从+Z方向观看基板保持装置101的俯视图。图6B是图6A的基板保持装置101的局部剖视图。另外，因为实施例2的基板保持装置101的结构是与实施例1的基板保持装置101同样的结构，所以，对重复的部分省略说明。
实施例2的卡盘1与实施例1同样，包括多个销状的凸部2、隔壁5、吸引口6，还包括辅助隔壁7以及吸引口8。
辅助隔壁7被配置在隔壁5和被配置在隔壁5的外周侧的旁边的外周侧凸部3之间。即，被配置在与内周侧凸部4相比靠近外周侧凸部3的位置。另外，此时的辅助隔壁7的配置位置在比较了实施例1所示的多个组(下面为多个组)中所含的凸部2的位置的平均值彼此的基础上被配置。另外，优选辅助隔壁7配置在与距离L的中心位置相比尽可能靠近被配置在隔壁5的外周侧的旁边的外周侧凸部3的位置。在实施例2中，将辅助隔壁7配置成u≈1。另外，作为隔壁5的配置位置，配置成满足u＜0.5，这与实施例1相同。另外，辅助隔壁7的高度被形成得比多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的高度低。多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的高度例如是指平均的高度。另外，也可以使辅助隔壁7的高度比特定的外周侧凸部3的高度例如多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3中的高度最低的外周侧凸部3低。
吸引口8具有与实施例1的吸引口6同样的功能，被形成在隔壁5和辅助隔壁7之间。吸引口8与实施例1的吸引口6同样，通过配管等流路与吸引部连接。进而，实施例2的基板保持装置101中的吸引部在将吸引口6以及吸引口8和吸引部连接的流路上分别具备对用于吸引的流路进行开闭的未图示的阀门(切换阀)。在实施例2中，将被配置在吸引口6和吸引部之间的阀门作为第1阀门，将被配置在吸引口8和吸引部之间的阀门作为第2阀门。
在实施例2中，在使卡盘1吸附并保持基板110时，经吸引口6以及吸引口8进行吸引。下面，对实施例2中的基板110的吸引处理进行说明。另外，吸引处理通过基板保持装置101的未图示的控制部执行计算机程序而被控制。
首先，未图示的控制部相对于吸引部传输动作指令，使吸引(排气)开始。通过吸引部开始吸引，经吸引口6以及吸引口8，对基板110的背面和卡盘1的空间进行吸引。由此，与辅助隔壁7相比为基板110的内侧的面积成为吸引面积，产生更大的吸引力，即使是翘曲大的基板，也可以进行翘曲的矫正。另外，在基板110的翘曲被矫正而吸引完成的时刻，产生形变。
接着，未图示的控制部控制第2阀门，使经吸引口8的区域的吸引停止。由此，从吸引口8将隔壁5和辅助隔壁7之间的空间向大气开放，被吸引的区域向经吸引口6的区域即与隔壁5相比为基板110的内侧的区域过渡，形变降低。另外，这些吸引处理中的各种控制也可以由控制部109进行。
就一旦被矫正了的基板110而言，即使基板110的外周侧(外周部)的吸引停止或者吸引力减少，恢复原样的概率也低。因此，形变被保持在小的状态。
上面，在实施例2中，与实施例1同样，减少形变，此外，还能够减少基板110的翘曲。由此，能够提供一种在实施图案形成等处理的基础上，可以以最佳状态吸附并保持基板110的卡盘。
另外，在一部分翘曲大的基板110中，在将吸引口8向大气开放了时，翘曲恢复的情况并不少。在这种情况下，只要根据基板110的翘曲的状况，由吸引部经吸引口8施加α×负1气压(α是比1小的整数)左右的负压即可。或者，在由吸引部对基板110的背面和卡盘1的空间进行吸引前，使来自吸引口8的压力为负1气压左右的负压，使来自吸引口8的压力为α×负1气压(α是比1小的整数)的负压。由此，不再需要进行基板110的矫正前后的切换，翘曲不再恢复。
(实施例3)
在实施例3中，能够提供一种通过使后述的内周侧凸部4和外周侧凸部3的高度成为规定的关系，可使形变减少的卡盘。下面，参照图7A～图9，对实施例3的基板保持装置101详细地进行说明。
图7A和图7B是例示实施例3的基板保持装置101的图。图7A是从+Z方向观看基板保持装置101的俯视图。图7B是图7A的基板保持装置101的局部剖视图。下面，参照图7A和图7B，详细地说明实施例3的基板保持装置101。实施例3的基板保持装置101包括卡盘1和未图示的吸引部以及控制部。
卡盘1以比基板110小的直径被构成为圆形，包括多个销状的凸部2、隔壁(第1隔壁)5和吸引口(第1吸引口)6。另外，卡盘1被配置在基板载台102上。
凸部2是在卡盘1的底部配置了多个的销状的凸部，在将基板110载置在卡盘1上时，基板110的背面与凸部2的顶面抵接。凸部2在卡盘1的底部以规定的距离L(mm)呈格子状地被配置在底部。虽然凸部2的直径与卡盘1的规格相应地多种多样，但是，一般的直径是φ0.2mm左右。另外，作为凸部2的排列，除格子状的排列以外，也能够呈同心圆状地排列，也可以是带有角度的排列，例如按60度的交错呈格子状地排列。另外，也可以做成随机排列，还可以是将这些组合了的排列。
凸部2包括多个销状的凸部(外周侧凸部、第1凸部)3和多个销状的凸部(内周侧凸部、第2凸部)4以及与外周侧凸部3和内周侧凸部4不同的多个销状的凸部(第3凸部)。外周侧凸部3为了与基板110的外周方向的背面抵接，被配置在与隔壁5相比的外侧。外周侧凸部3是在与基板110相同的半径的外周上配置了多个的凸部。图7A和图7B例示的外周侧凸部3被配置在卡盘1的最外周侧(最外周)。内周侧凸部4为了与基板110的内周方向的背面抵接，被配置在与隔壁5相比的内侧。多个内周侧凸部4被配置在半径与基板110相同的内周上。图7A和图7B例示的内周侧凸部4从被配置在最外周侧的底部的外周侧凸部3隔着隔壁5被配置在旁边。在实施例3中，除第3凸部以外的多个凸部2由将被配置在隔壁5的外侧的外周侧凸部3以及被配置在隔壁5的内侧且隔着隔壁5与外周侧凸部3相邻的位置上的内周侧凸部4作为一个组的多个组构成。虽然在后面阐述，该多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3成为比内周侧凸部4低的高度。
隔壁5在卡盘1的底部呈圆环状地至少配置一个，以便包围多个凸部2的一部分。吸引口6是被形成在卡盘1上的贯通孔，在实施例3中，作为在后述的吸引部对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引(排气)时的吸引口发挥功能。另外，吸引口6在图7A和图7B中仅设置一个，但是，并非局限于此，也可以在卡盘1上形成一个以上的吸引口6。
吸引部是被构成为可通过真空吸引等对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引的未图示的真空源。吸引部根据来自控制部109的信号，开始动作，能够经与吸引部连接的配管等流路和吸引口6对基板110的背面和卡盘1之间的空间进行吸引，相对于卡盘1吸附基板110。另外，吸引部并非局限于被配置在基板保持装置101，也可以被配置在基板保持装置101的外部或者曝光装置100的外部。
接着，设前述的多个组(下面为多个组)的每一个所包含的外周侧凸部3的高度为ho。而且，设多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的高度为hi，参照图8以及图9，对希望的ho的值说明如下。另外，在实施例3中，ho为多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的平均高度，hi为多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的平均高度。图8是例示去除了实施例3的外周侧凸部3的情况下的悬臂梁中的材料力学模型的图。图8所示的模型成为悬臂梁。图9是例示实施例3的卡盘1的剖视图的图。
在图9中，表示去除了图8所示那样的外周侧凸部3的情况下的基板110的挠曲的模型2min和ho＝hi时的基板110的挠曲模型2j。
这里，设图9例示的挠曲模型的倾斜为dy/dx，挠曲为y，内周侧凸部4基准的径向位置为x，多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3和内周侧凸部4之间的距离为L。由此，相对于u＝x/L的倾斜dy/dx能够由下面的算式(16)表示，挠曲y能够由下面的算式(17)表示。
Figure BDA0003525287040000191
Figure BDA0003525287040000192
而且，在设u＝1时，ymax能够由下面的算式(18)表示。
Figure BDA0003525287040000193
上述算式(18)表示在使ho比hi－(PvL4)/(Eh3)小时，基板110的背面不再接触外周侧凸部3的支撑面。因此，通过满足下面的算式(19)，与设为hi＝ho时相比，也能够降低倾斜dy/dx，能够降低形变。
Figure BDA0003525287040000201
另外，隔壁5的高度比多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4低，并且为多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3以下的高度。因为若使隔壁5比多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3高，则隔壁5发挥与多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3同样的功能。另外，隔壁5被配置在与多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4相比靠近多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的位置。此时的隔壁5的配置位置在比较了多个组的每一个组所包含的凸部的位置的平均值彼此的基础上被配置。另外，优选隔壁5被配置在尽可能地靠近多个组所包含的外周侧凸部3的位置，在实施例3中，将隔壁5配置成u≈1。
下面，在实施例3中，通过相对于ho，将hi的高度设定成满足hi－ho＜(PvL4)/(Eh3)，能够使形变减少。由此，能够提供一种在实施图案形成等处理的基础上，可以以最佳状态吸附并保持基板110的卡盘。
另外，例如，若在上述算式(18)代入Pv＝0.1013MPa、L＝2mm、E＝160GPa，则在h＝0.7mm时，成为ymax＝44.3nm。在这些情况下，通过将hi－ho设计成比例如45nm左右小，能够使形变减少。
(实施例4)
实施例4的基板保持装置101是使实施例3所示的多个组(下面为多个组)的每一个所包含的外周侧凸部3的截面积比多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的截面积小的基板保持装置。另外，因为基板保持装置101的结构是与实施例3的基板保持装置101同样的结构，所以，对重复的部分省略说明。
在实施例4中，在设多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的截面积为So，设多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的截面积为Si的情况下，将外周侧凸部3和内周侧凸部4设计成Si＞So，进行加工。由此，在加工时，外周侧凸部3的加工阻力减少，凸部的加工变得容易。另外，在实施例4中，So为多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的截面积的平均值，Si为多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的截面积的平均值。
进而，通过加工阻力减少，多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的除去量变多，其结果，有助于hi＞ho。进而，多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3的竖直方向的刚性比多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的竖直方向的刚性小。由此，在由吸引部吸引时，基板110的竖直方向的压缩量增加，其结果，有助于hi＞ho。另外，作为凸部2的加工，例如考虑由研磨加工进行的加工，但是，并非局限于此，只要是能够进行成为Si＞So那样的加工的方法，则也可以使用其它的方法进行加工。
上面，在实施例4中，进行多个组的每一个组所包含的外周侧凸部3和多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的加工，以便成为Si＞So。由此，谋求提高加工精度，缩短加工时间。进而，与实施例3同样，能够提供一种能够使形变减少，在实施图案形成等处理的基础上，可以以最佳的状态吸附并保持基板110的卡盘。
(实施例5)
实施例5的基板保持装置101是还设置作为与实施例3的卡盘1中的隔壁(第1隔壁)5不同的隔壁的辅助隔壁(第2隔壁)7和作为与吸引口6不同的吸引口的吸引口(第2吸引口)8的基板保持装置。即，在实施例5的基板保持装置101中，第1隔壁被构成为由相邻的双层的隔壁构成。另外，在实施例5中，将该双层的隔壁中的外侧的隔壁称为辅助隔壁(第2隔壁)。下面，参照图10A和图10B，说明实施例5的基板保持装置101。图10A和图10B是例示实施例5的基板保持装置101的图。图10A是从+Z方向观看基板保持装置101的俯视图。图10B是图10A的基板保持装置101的局部剖视图。另外，因为实施例5的基板保持装置101的结构是与实施例3的基板保持装置101同样的结构，所以，对重复的部分省略说明。
实施例5的卡盘1与实施例3同样，包括多个销状的凸部2、隔壁5、吸引口6，还包括辅助隔壁7以及吸引口8。
辅助隔壁7被配置在隔壁5和被配置在隔壁5的内周侧的旁边的内周侧凸部4之间。优选辅助隔壁7配置在与距离L的中心位置相比靠近被配置在隔壁5的内周侧的旁边的内周侧凸部4的位置。例如，配置成满足u＜0.5。另外，作为隔壁5的配置位置，配置成u≈1，这与实施例3相同。
辅助隔壁7的高度被形成得比多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的高度低。多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4的高度例如是指平均的高度。另外，也可以使辅助隔壁7的高度比特定的内周侧凸部4的高度例如多个组的每一个组所包含的内周侧凸部4中的高度最低的内周侧凸部4低。另外，也可以将辅助隔壁7的高度形成为比多个凸部2的顶面低1～2μm左右。即使形成为低1～2μm左右，由于在1～2μm左右的间隙，在由吸引部产生的对基板110的背面和卡盘1的空间(区域)进行吸引而吸附并保持基板110时的真空压力的降低也很小，不会成为问题。另外，即使直径比1～2μm左右的差小的垃圾、颗粒等异物附着在辅助隔壁7，附着的异物与基板110的背面接触的概率也非常低。因此，即使将辅助隔壁7的高度形成为比多个凸部2的顶面低1～2μm左右，也不会成为问题。
吸引口8具有与实施例3的吸引口6同样的功能，被形成在隔壁5和辅助隔壁7之间。吸引口8与实施例3的吸引口6同样，通过配管等流路与吸引部连接。进而，实施例5的基板保持装置101中的吸引部在将吸引口6以及吸引口8和吸引部连接的流路上分别具备对用于吸引的流路进行开闭的未图示的阀门(切换阀)。在实施例5中，将被配置在吸引口6和吸引部之间的阀门作为第1阀门，将被配置在吸引口8和吸引部之间的阀门作为第2阀门。
在实施例5中，在使卡盘1吸附并保持基板110时，经吸引口6以及吸引口8进行吸引。下面，对实施例5中的基板110的吸引处理进行说明。另外，吸引处理通过基板保持装置101的未图示的控制部执行计算机程序而被控制。
首先，未图示的控制部相对于吸引部传输动作指令，使吸引(排气)开始。通过吸引部开始吸引，经吸引口6以及吸引口8，对基板110的背面和卡盘1的空间进行吸引。由此，与隔壁5相比为基板110的内侧的面积成为吸引面积，产生更大的吸引力，即使是翘曲大的基板，也可以进行翘曲的矫正。另外，在基板110的翘曲被矫正而吸引完成的时刻，产生形变。
接着，未图示的控制部控制第2阀门，使经吸引口8的区域的吸引停止。由此，从吸引口8将隔壁5和辅助隔壁7之间的空间向大气开放，被吸引的区域向经吸引口6的区域即与辅助隔壁7相比为基板110的内侧的区域过渡，形变降低。另外，这些吸引处理中的各种控制也可以由控制部109进行。
就一旦被矫正了的基板110而言，即使基板110的外周侧(外周部)的吸引停止或者吸引力减少，恢复原样的概率也低。因此，形变被保持在小的状态。
上面，在实施例5中，与实施例3同样减少形变，此外，还能够减少基板110的翘曲。由此，能够提供一种在实施图案形成等处理的基础上，可以以最佳状态吸附并保持基板110的卡盘。
另外，在一部分翘曲大的基板110中，在将吸引口8向大气开放了时，翘曲恢复的情况并不少。在这种情况下，只要根据基板110的翘曲的状况，由吸引部经吸引口8施加α×负1气压(α是比1小的整数)左右的负压即可。或者，在由吸引部对基板110的背面和卡盘1的空间进行吸引前，使来自吸引口8的压力为负1气压左右的负压，使来自吸引口8的压力为α×负1气压(α是比1小的整数)的负压。由此，不再需要进行基板110的矫正前后的切换，翘曲不会恢复。
另外，例如，也可以将上述各实施例的基板保持装置101中的至少两个组合。也就是说，也可以做成使用了将图3A和图3B、图6A和图6B、图7A和图7B以及图10A和图10B中图示的卡盘1中的至少两个组合了的卡盘的基板保持装置101。
另外，在上述各实施例中，凸部2在卡盘1的底部以规定的距离呈格子状地被配置在底部，但是，并非局限于此。例如，也可以在基板110的内周侧和外周侧分别任意地设定凸部2间的距离。进而，也可以不设为均匀的距离，而是设为不均匀的距离。
另外，上述各实施例中的卡盘1做成真空吸附方式的卡盘，但是，并非局限于此，例如，也可以做成静电卡盘方式的卡盘，还可以做成并用真空吸附方式和静电卡盘方式等其它的方式的卡盘。在这些情况下，实施例5的真空压力P只要置换成其它方式的吸附力或者是在其上追加了真空压力而得的压力即可。
另外，上述各实施例中的卡盘1使用了销卡盘，但是，并非局限于此，也可以是其它的形状。例如，也可以是交替地构成了作为吸附槽的同心圆状的环状凹部和成为基板支撑面的同心圆状的环状凸部的所谓环状卡盘。另外，隔壁并非仅限于隔壁5和辅助隔壁7，也可以将隔壁5和辅助隔壁7以外的隔壁配置在卡盘1上。
(物品制造方法的实施例)
接着，说明利用了上述的各实施例的曝光装置100的设备的制造方法的实施方式。图11表示微器件(IC、LSI等半导体芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微型机器等)的制造流程。在步骤1(电路设计)中，进行设备的图案设计。
在步骤2(掩模制作)中，制作形成了所设计的图案的掩模(塑模、模具)。另一方面，在步骤3(晶片制造)中，使用硅、玻璃等材料，制造晶片(基板)。步骤4(晶片工艺)被称为前工序，使用上述准备的掩模和晶片，通过光刻技术在晶片上形成实际的电路。
接下来的步骤5(组装)被称为后工序，是使用通过步骤4制作的晶片，进行半导体芯片化的工序，包括装配工序(切割、粘合)、封装工序(芯片封入)等工序。在步骤6(检查)中，进行在步骤5制作的半导体设备的动作确认测试、耐久性测试等检查。经过这样的工序，完成半导体设备，将其出厂(步骤7)。
图12表示上述晶片工艺的详细流程。在步骤11(氧化)中，使晶片的表面氧化。在步骤12(CVD)中，在晶片表面形成绝缘膜。在步骤13(电极形成)中，通过蒸镀，在晶片上形成电极。在步骤14(离子注入)中，将离子注入晶片。在步骤15(抗蚀剂处理)中，向晶片涂敷抗蚀剂。在步骤16(曝光)中，由上述的投影曝光装置将掩模的电路图案排列在晶片的多个图案形成区域，进行印相曝光。在步骤17(显影)中，将曝光了的晶片显影。在步骤18(蚀刻)中，将显影了的抗蚀剂像以外的部分去掉。在步骤19(抗蚀剂剥离)中，去除完成了蚀刻后多余的抗蚀剂。通过反复进行这些步骤，在晶片上形成多层电路图案。
这样，根据使用了本实施例的卡盘1的设备的制造方法，因为基板的扭曲、翘曲得到抑制，所以，设备的精度、成品率等提高。由此，能够稳定地以低成本制造以往难以制造的高集成度的设备。
上面，对本发明根据其合适的实施例进行了详细阐述，但是，本发明并非是被限定于上述实施例的发明，可根据本发明的主旨进行各种变形，并不是将这些排除在本发明的范围之外的发明。
另外，也可以将实现上述实施例中的控制的一部分或者全部的上述实施例的功能的计算机程序经由网络或者各种存储介质供给到基板保持装置101、基板处理装置等。而且，也可以由该基板保持装置101或基板处理装置等中的计算机(或者CPU、MPU等)读出程序并执行。在这种情况下，该程序和存储该程序的存储介质构成本发明。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。随附的权利要求书的范围是最广泛的解释，以便包含所有此类变更和等同结构及功能。
本申请要求2021年3月2日提交的日本专利申请No.2021-032662、2021年7月29日提交的日本专利申请No.2021-124135的权益，通过引用而整体结合于此。

Claims (20)

1.一种卡盘，用于吸附并保持基板，其特征在于，
上述卡盘包括：
与被吸附并保持的上述基板的背面抵接的多个凸部；
环状的隔壁；以及
配置了上述多个凸部和上述隔壁的底部，
上述多个凸部由将被配置在上述隔壁的外侧的第1凸部以及被配置在上述隔壁的内侧且隔着上述隔壁与上述第1凸部相邻的位置的第2凸部作为一个组的多个组构成，
在设上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部和上述第2凸部之间的距离为L，设该第2凸部和上述隔壁之间的距离为s时，满足
s/L＜0.5。
2.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁是比上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部低的高度。
3.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁由相邻的双层的隔壁构成。
4.如权利要求3所述的卡盘，其特征在于，
上述双层的隔壁中的外侧的隔壁的高度比上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部低。
5.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
在上述底部具备用于对上述隔壁的内周侧进行吸引的第1吸引口。
6.如权利要求3所述的卡盘，其特征在于，
在上述底部具备用于对上述双层的隔壁之间进行吸引的第2吸引口。
7.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁的直径比上述基板的直径小。
8.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
上述卡盘具有作为与上述多个凸部不同的凸部的第3凸部。
9.如权利要求1所述的卡盘，其特征在于，
在设上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部的高度为ho，设上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部的高度为hi时，满足
hi＞ho。
10.如权利要求9所述的卡盘，其特征在于，
上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部是被配置在上述底部的上述多个凸部内的被配置在最外周侧的凸部。
11.如权利要求9所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁的高度为上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部的高度以下。
12.如权利要求9所述的卡盘，其特征在于，
在设上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部的截面积为So，设上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部的截面积为Si时，满足Si＞So。
13.如权利要求9所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁被配置在与上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部相比靠近上述多个组的每一个组所包含的上述第1凸部的位置。
14.如权利要求9所述的卡盘，其特征在于，
上述隔壁由相邻的双层的隔壁构成。
15.如权利要求14所述的卡盘，其特征在于，
上述双层的隔壁中的外侧的隔壁的高度比上述多个组的每一个组所包含的上述第2凸部低。
16.一种基板保持装置，具有权利要求1所述的卡盘，用于吸附并保持上述基板，其特征在于，
在设表示上述基板的扭曲的形变为dx，设上述基板的杨氏模量为E，上述基板的厚度为h，设相对于上述基板的吸引压力为Pv，设u＝s/L时，
上述隔壁的配置位置满足
dx＜校正系数×(h/2)×PvL3/4Eh3(3u4－4u3)。
17.如权利要求16所述的基板保持装置，其特征在于，
在设上述基板的平面度为dz，设与被配置在最外周的上述第1凸部相比向外侧方向突出的上述基板的尺寸为oh时，
上述隔壁的配置位置满足
dz＜校正系数×oh×PvL3/4Eh3(3u4－4u3)。
18.如权利要求16所述的基板保持装置，其特征在于，
上述基板保持装置具备开闭用于对上述隔壁的内周侧进行吸引的流路的阀门和控制上述阀门的控制部。
19.一种基板处理持装置，其特征在于，
对由权利要求16所述的基板保持装置吸附并保持的上述基板进行图案形成处理。
20.一种物品制造方法，其特征在于，包括：
使用权利要求19所述的基板处理装置在基板上形成图案的图案形成工序；
对在上述图案形成工序形成了上述图案的上述基板进行加工的加工工序；以及
从在上述加工工序加工的上述基板制造物品的工序。
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