CN114978331B - 基于光外差的微波毫米波信号发射系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统，包括载波激光器、光本振产生模块、光子变频模块和微波毫米波处理模块。载波激光器输出光载波，光本振产生模块产生光本振，由光子变频模块根据待发射信号、光载波和光本振输出射频信号，并由微波毫米波处理模块将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号，实现信号发射的处理过程。基于此，利用调谐光本振和超宽带光子变频，替代传统纯电和光电混合本振产生和变频方式，结合两级变频，解决了全频段可调谐微波毫米波信号发射系统复杂，信号谐波及杂散抑制不足的问题。

Description

基于光外差的微波毫米波信号发射系统

技术领域

本发明涉及通信技术领域，特别是涉及一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统。

背景技术

微波毫米波信号具有广泛的应用，如高速无线系统、星间链路、光载射频网络、军事雷达系统、频谱电子战等。其中，微波毫米波信号发射机是上述应用系统的核心，其特性诸如可调谐频率范围、信号带宽、以及相位噪声等决定着发射系统的总体性能。

传统的信号发射体制是基于纯电子器件和技术的，由于电子器件频率响应带宽受限和非线性等因素，高频信号产生难且设备成本高、信号传输损耗大、信号带宽窄等问题日益突出。同时，随着高速无线通信、超宽带雷达、电子对抗等需求的不断增长，诸如高频超宽带雷达、后5G以及6G等应用向着高频段和大带宽拓展，对发射机的综合性能提出了更高的要求，包括更高的发射载频(Q、V、W波段)、更大的调谐范围(百GHz量级)、更大的瞬时带宽、同时兼顾优良的信号保真度等。电域在可调谐电本振、可调谐电滤波器、电混频器、功率放大器等器件和技术上的综合性能方面存在固有缺点和局限性，而以半导体激光器、电光调制器、光电探测器为核心的微波光子技术给全频段微波毫米波信号发射系统带来技术突破。因此，利用微波光子技术的优势突破传统电子发射机的诸多技术瓶颈，成为当前通信研究的热点之一。

其中，基于微波光子技术的微波毫米波产生具备显著的优势，主要包括调谐范围大、变频一致性好、瞬时带宽大、动态范围高等。传统的微波信号发射架构主要是基于外调制法的微波信号发射架构，但这类架构存在一些技术瓶颈：1、基于外调制法的微波信号发射架构采用的是光电混合本振架构，通过光子变频将光载基带/中频信号上变换到微波频段，需要可调谐电本振和可调谐电滤波器，仍存在电本振和电滤波器的器件限制问题。2、频率调谐范围受限、灵活性差，发射信号包含显著的本振谐波和杂散。尤其地，针对50GHz以上高频信号发射的可调谐电本振和滤波器是一个难点。

综上，可见传统的微波毫米波发射系统还存在以上不足。

发明内容

基于此，有必要针对传统的微波毫米波发射系统还存在的不足，提供一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统。

一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统，包括：

载波激光器，用于输出光载波；

光本振产生模块，用于产生光本振；

光子变频模块，用于接收待发射信号、光载波和光本振，并根据待发射信号、光载波和光本振输出射频信号；

微波毫米波处理模块，用于将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号。

上述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，包括载波激光器、光本振产生模块、光子变频模块和微波毫米波处理模块。载波激光器输出光载波，光本振产生模块产生光本振，由光子变频模块根据待发射信号、光载波和光本振输出射频信号，并由微波毫米波处理模块将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号，实现信号发射的处理过程。基于此，利用调谐光本振和超宽带光子变频，替代传统纯电和光电混合本振产生和变频方式，结合两级变频，解决了全频段可调谐微波毫米波信号发射系统复杂、信号谐波及杂散抑制不足的问题。

在其中一个实施例中，还包括：

待发射信号预处理模块，用于对待发射信号进行预处理，并将预处理后的待发射信号传输至光子变频模块。

在其中一个实施例中，光本振产生模块包括：

锁定控制单元，用于接收光载波和光本振的差拍信号；

本振激光器，用于根据锁定控制单元的控制产生光本振，并将光本振反馈至锁定控制单元。

在其中一个实施例中，光本振产生模块还包括：

光本振复用单元，用于将光本振调谐范围进行拓展和分发，以克服纯电系统中可调谐电本振和可调谐电滤波器性能受限的问题。

在其中一个实施例中，光子变频模块包括：

电光上变频单元，用于将待发射信号调制至光载波上，获得光载信号；

光电下变频单元，用于将光载信号变频为射频信号。

在其中一个实施例中，光子变频模块还包括

光子预处理单元，用于将光载信号进行预处理。

在其中一个实施例中，还包括：

发射频段选择模块，用于根据发射信号频率需求选择相应的微波毫米波上变频通道。

在其中一个实施例中，还包括：

发射天线，用于发射信号。

在其中一个实施例中，还包括：

低相噪参考源，用于为微波毫米波处理模块提供本振信号。

在其中一个实施例中，还包括：

待发射信号产生模块，用于产生待发射信号。

附图说明

图1为一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统模块结构图；

图2为另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统模块结构图；

图3为一实施方式的光电下变频单元结构示意图；

图4为一实施方式的微波毫米波上变频单元结构示意图；

图5为另一实施方式的微波毫米波上变频单元结构示意图；

图6为一实施方式的发射频段选择模块结构示意图；

图7为光电下变频与后处理单元结构示意图；

图8为待发射信号频谱示意图；

图9为光载信号频谱示意图；

图10为光载信号预处理频谱示意图；

图11为耦合信号频谱示意图；

图12为射频信号频谱示意图；

图13为发射信号频谱示意图；

图14为倍频信号频谱示意图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本发明进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统。

图1为一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统模块结构图，如图1所示，一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统包括：

载波激光器100，用于输出光载波；

光本振产生模块101，用于产生光本振；

光子变频模块102，用于接收待发射信号、光载波和光本振，并根据待发射信号、光载波和光本振输出射频信号；

微波毫米波处理模块103，用于将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号。

其中，载波激光器100产生光载波。对应的，光本振产生模块101以激光器的形式产生光本振。光子变频模块102接收光信号形式的光载波和光本振，并接收电信号形式的待发射信号。作为一个较优的实施方式，光本振产生模块用于产生大范围精确可调谐光本振，大范围如100GHz以内。

在其中一个实施例中，待发射信号包括模拟信号或数字信号。模拟信号形式的待发射信号可由光子变频模块102进行数模转换。

在其中一个实施例中，载波激光器100和光本振产生模块101相互独立，调制信号的相位保真度更高，具有更高的杂散抑制能力，并且激光器的光功率几乎全部用于拍频获得微波毫米信号，具有高检测功率和高载噪比。

在其中一个实施例中，光本振解决了微波毫米波信号发射技术中的本振技术瓶颈。光本振具有百GHz量级的超宽频率调谐范围、超宽带一致性好、谐波杂散小的优势，能够有效支撑超宽频段微波毫米波信号产生和发射，发射频率仅受限于光电探测器的响应带宽和微波毫米波上变频带宽。当前商用光电探测器的响应带宽高达100GHz，微波毫米波上变频带宽可以支持100GHz。

在其中一个实施例中，图2为另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统模块结构图，如图2所示，另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统还包括：

待发射信号预处理模块200，用于对待发射信号进行预处理，并将预处理后的待发射信号传输至光子变频模块102。

对待发射信号进行预处理以适应光子变频模块102的信号需求。在其中一个实施例中，对待发射信号的预处理包括数模转换处理、线性放大处理和滤波处理，形成模拟信号形式的待发射信号传输至光子变频模块102。

其中，待发射信号包括基带/中频信号。

在其中一个实施例中，如图2所示，光本振产生模块101包括：

锁定控制单元201，用于接收光载波和光本振的差拍信号；

本振激光器202，用于根据锁定控制单元201的控制产生光本振，并将光本振反馈至锁定控制单元201。

其中，本振激光器202用于产生可调谐的光本振，锁定控制单元201用于将光载波和光本振偏移频率进行锁定，保证二者具有高的相位相干性。同时，锁定控制单元201还用于整体控制系统中的通道切换、器件参数等。基于此，锁定控制单元201可选用相应的控制器进行硬件构建。

在其中一个实施例中，锁定控制单元201用于对光载波和光本振激光器202进行相位锁定控制，同时监测光载波和全光本振的参数状态。可采用光锁相环、光锁频环结合前馈或反馈补偿方式等。

在其中一个实施例中，锁定控制单元201还用于对基于光外差的微波毫米波信号发射系统整体、各个功能单元和具体器件进行功能和参数控制，包括发射信号的中心频率(相应的频段选择、光本振频率选择等)、发射信号的功率控制(增益或衰减)、射频开关器件的选择与通断、电光调制器的偏压控制、各个器件和节点的状态参数监测、载波激光器100和本振激光器202的稳定性控制与锁定、光滤波器的稳定性控制等。

其中，后续光子变频模块102是利用光本振将光载波变换到射频频段，因此存在使生成微波毫米波信号的两个光源保持相干的需求。为保证载波激光器100和本振激光器202输出光波相位的相干性，通过锁定控制单元201的光锁相环技术实现二者光波的相位同步。通过光锁相环技术的技术选定，使其具备大调谐范围、超宽带一致性好、谐波杂散小等优势，远优于可调谐电本振，能够有效支撑基于光外差的超宽带可调谐微波毫米波信号的发射。

在其中一个实施例中，如图2所示，光本振产生模块101还包括：

光本振复用单元203，用于将光本振的调谐范围进行拓展和分发，以克服纯电系统中可调谐电本振和可调谐电滤波器性能受限的问题。

在其中一个实施例中，如图2所示，光子变频模块102包括：

电光上变频单元204，用于将待发射信号调制至光载波上，获得光载信号；

光电下变频单元205，用于将光载信号变频为射频信号。

以基带/中频信号为例，电光上变频单元204将基带/中频信号上变换到载波激光器100输出的光载波上，得到光载基带/中频信号，作为光载信号。

其中，待发射信号预处理模块200与载波激光器100分别与电光上变频单元204电性连接。电光上变频单元204利用内部器件的电光调制过程，将待发射信号预处理模块200输出的待发射信号变换到载波激光器100输出的光载波上。

在其中一个实施例中，电光上变频单元204由电光调制器、偏压控制器、预失真补偿模块组成，以保证上变换的线性度和系统的动态范围。

作为一个较优的实施方式，电光上变频单元204包括MZM电光调制器。

以基带/中频信号为例，光电下变频单元205通过光本振将光载基带/中频信号变换到射频频段信号，作为射频信号。

在其中一个实施例中，如图2所示，光子变频模块102还包括：

光子预处理单元206，用于将光载信号进行预处理。

其中，光子预处理单元206将电光上变频单元204输入的光载信号进行预处理后输出到光电下变频单元205。

在其中一个实施例中，将光载信号进行预处理包括放大处理或滤波处理。对应的，光子预处理单元206包括光放大器和/或光滤波器。

其中，光子预处理单元206对光载信号进行光放大和光滤波，以降低双边带调制中其中一个边带和载波的影响，输出单边带光载信号。作为一个较优的实施方式，光放大器选用具有低噪声系数、高1dB压缩点的掺铒光纤放大器。光滤波器选用具有高滚降系数的宽带平坦光滤波器，其通带带宽应覆盖光电探测器的频率响应范围，其中心频率稳定度优于1GHz。

作为一个较优的实施方式，光电下变频单元205包括光耦合器和光电探测器，待发射信号和光本振在光耦合器中耦合并在光电探测器中拍频。光电下变频单元205通过大范围可调谐光本振将经过预处理的单边带光载信号变换到所需要的微波毫米波频段，输出信号频率的选择由光本振与光载信号的相对频率差决定。

在其中一个实施例中，图3为一实施方式的光电下变频单元结构示意图，如图3所示，光电下变频单元205包括光电探测器、可调谐射频滤波器、低噪声放大器。光电探测器将光载信号变频到射频频段，可调谐射频滤波器根据射频频率选择滤波中心频率，获得高杂散抑制的射频信号，低噪声放大器将射频信号功率放大到最优输出值，并引入尽量低的噪声系数。

微波毫米波处理模块103将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号。

在其中一个实施例中，采用频率响应较低的光电探测器，输出微波信号，再经微波毫米波处理模块103通过二次变频，上变频到高频毫米波，作为发射信号

在其中一个实施例中，如图2所示，微波毫米波处理模块103选用微波毫米波上变频单元210，用于利用低相噪电本振将射频信号上变频到微波毫米波频段。

基于此，在其中一个实施例中，如图2所示，另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统还包括：

低相噪参考源207，用于为微波毫米波处理模块103提供本振信号。

低相噪参考源207产生低相噪射频参考，用于产生毫米波本振的本振信号。在其中一个实施例中，低相噪参考源207为固定频率的点频源，如低相噪的射频源或者低相噪光电振荡器产生的射频源。

在其中一个实施例中，微波毫米波处理模块103选用微波毫米波上变频单元210，与低相噪参考源207配合。

其中，微波毫米波上变频单元210用于利用低相噪参考源207的毫米波本振将光电下变频单元205输出的射频信号上变频到微波毫米波频段并输出，对于较低频的微波毫米波信号则不经过二次变频直接输出为发射信号。

在其中一个实施例中，图4为一实施方式的微波毫米波上变频单元结构示意图，如图4所示，微波毫米波上变频单元210包括倍频器、窄带毫米波滤波器、毫米波混频器、宽带毫米波滤波器、功率放大器。倍频器将射频参考源频率倍频到毫米波段，固定窄带毫米波滤波器将射频倍频过程中产生的谐波杂散等滤除，只保留所需毫米波本振频率的成分作为毫米波上变频的本振。毫米波混频器将射频信号与毫米波本振混频，输出和频和差频信号。宽带毫米波滤波器将差频信号滤除，仅保留和频信号。功率放大器将上变频的毫米波信号进行放大输出到发射端。本实施例依照当前毫米波器件的较常用的频段划分(50GHz-75 GHz，75GHz-100 GHz)，假设低相噪参考源207频率为f_ref，50GHz以下的信号发射通过直接输出通道到达发射端，50GHz～75GHz信号由DC～25GHz射频信号与参考源倍频的50GHz毫米波本振上变频得到f_MMW＝f_RF+50GHz。同样的，75GHz～100GHz信号由DC～25GHz射频信号与参考源倍频的50GHz毫米波本振上变频得到f_MMW＝f_RF+75GHz。由此，可以得到载频为100GHz范围内可调谐的发射信号。

在其中一个实施例中，图5为另一实施方式的微波毫米波上变频单元结构示意图，如图5所示，微波毫米波上变频单元210所需的毫米波本振不是由低相噪参考源207直接倍频产生，而是通过低相噪参考源207调制参考光，光域上倍频，再经光滤波、光电转换、电放大产生毫米波上变频所需的本振信号。采用光倍频的优势是不需要毫米波频段的倍频器，倍频产生的谐波少，容易产生高性能的毫米波本振信号。

在其中一个实施例中，如图2所示，另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统还包括：

发射频段选择模块208，用于根据发射信号频率需求选择相应的微波毫米波上变频通道。

发射频段选择模块208用于根据所需发射信号的频率选择相应的毫米波上变频单元进行二次变频，以输出所需的微波毫米波信号。优选地，发射频段选择单元由1×N射频开关组成，如图6的一实施方式的发射频段选择模块结构示意图所示。

在其中一个实施例中，如图2所示，另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统还包括：

发射天线209，用于发射信号。

在其中一个实施例中，另一实施方式的基于光外差的微波毫米波信号发射系统还包括：

待发射信号产生模块，用于产生待发射信号。

在其中一个实施例中，微波毫米波处理模块103选用无需低相噪参考源207配合的微波毫米波信号后处理单元，例如，微波毫米波信号后处理单元可由调谐毫米波滤波器、功率放大器组成。

载波激光器100和本振激光器202的使用使得产生的光波频率及其差值具有较好的可调谐性，能够产生频率较高的毫米波信号。使用两个激光器的光外差法，产生的毫米波信号的频率主要取决于光电探测器的探测频率。当前光电探测器的探测频率已经能达到100GHz。利用高频响应的光电探测器，载波和本振直接在其中拍频产生微波毫米波，再经过功率放大器放大后发射，这一实施方式的微波毫米波处理模块103的架构较为简单。

上述基于光外差的微波毫米波信号发射系统，二级变频毫米波产生，其优势是不需要从低频到V、W波段内可调谐的微波毫米波本振源，解决了光电混合本振调谐范围受限、杂散抑制低的问题。另外，不需要从低频到V、W波段内可调谐的窄带滤波器，仅利用微波射频频段的可调谐窄带滤波器配合毫米波段的固定滤波器，即实现超宽带可调谐微波毫米波信号产生和发射，具备良好的杂散抑制能力，大大降低了系统对高频毫米波器件的要求。

为了更好地理解本实施例，以下以微波毫米波处理模块103选用无需低相噪参考源207配合的微波毫米波信号后处理单元为例，其处理结构如图7的光电下变频与后处理单元结构示意图所示，对本实施例进行解释：

图8为待发射信号频谱示意图，如图8所示，待发射信号经待发射信号预处理模块200后的信号频谱如图8所示。

基于此，图9为光载信号频谱示意图，如图9所示，经电光上变频单元204中的电光调制器，上变换到载波激光器100产生的频率为f_c的单频光载波上，光载信号可以表示为：

其中，f_c+f_IF和f_c-f_IF分别为光载波正负频带上的信号频率，

为光载波的相位噪声。

图10为光载信号预处理频谱示意图，如图10所示，光子预处理单元206将光载信号放大、滤波等处理，其中光载波、负频段信号和正频段中的干扰信号被部分滤除，预处理后光载信号表示为：

其中f_c+f_IF为光载波正频带上的信号频率。

图11为耦合信号频谱示意图，如图11所示，预处理后的光载信号与本振激光器202所产生的光本振在180°光耦合器上耦合。

光耦合器输出的两路耦合信号在光电平衡探测器上相干拍频，实现光载信号到射频信号的变换，其拍频信号正比于：

其中，射频信号频率为f_LO-(f_c+f_IF)，

为信号中携带的光载波与光本振之间的拍频相位噪声，该相位噪声在相位锁定或频率锁定结合补偿的条件下可以基本消除。光本振是可调谐的，能够覆盖很宽的频谱范围，电光上变频和光电下变频过程具有很大的带宽和优异的变频一致性。

图12为射频信号频谱示意图，如图12所示，两路耦合信号在光电平衡探测器上相干拍频，实现光载信号到射频信号的变换。光载信号与光本振在光电平衡探测器上的相干拍频过程表示为光本振是可调谐的，能够覆盖很宽的频谱范围，电光上变频和光电下变频具有很大的变频带宽。

图13为发射信号频谱示意图，如图13所示，在微波毫米波上变频单元210中，射频信号与毫米波本振混频输出信号，可以表示为：

等式右边第一项为第二级变频的和频项，第二项为差频项。经过高通滤波器滤波后，差频项被滤除，和频项即为所需的微波毫米波信号f’_sig＝f_LO-(f_c+f_RF)+f’_LO得以输出。图14为倍频信号频谱示意图，如图14所示，毫米波本振由低相噪参考源207经过倍频产生的，因此，其相位噪声相对于参考信号具有20lgN的关系。

平衡光电探测器中的拍频输出的射频信号输入到微波毫米波上变频单元210，低相噪参考源207经过倍频器输出毫米波本振信号，如，本振信号频率为50GHz，则毫米波上变频后的信号频率为f_RF+f’_LO。当本振信号频率为75GHz时，毫米波上变频后的信号频率为75GHz+f_RF、毫米波信号输出到发射端，经功率放大和发射天线209将微波毫米波信号发射出去。

上述任一实施例的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，包括载波激光器100、光本振产生模块101、光子变频模块102和微波毫米波处理模块103。载波激光器100输出光载波，光本振产生模块101产生光本振，由光子变频模块102根据待发射信号、光载波和光本振输出射频信号，并由微波毫米波处理模块103将射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号，实现信号发射的处理过程。基于此，利用调谐光本振和超宽带光子变频，替代传统纯电和光电混合本振产生和变频方式，结合两级变频，解决了全频段可调谐微波毫米波信号发射系统复杂，信号谐波及杂散抑制不足的问题。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，包括：

载波激光器，用于输出光载波；

光本振产生模块，用于产生光本振；其中，光本振具有百GHz量级的超宽频率调谐范围；

光子变频模块，用于接收待发射信号、所述光载波和所述光本振，并根据所述待发射信号、所述光载波和所述光本振输出射频信号；

微波毫米波处理模块，用于将所述射频信号变频至微波毫米波频段，并输出为发射信号；

还包括：

待发射信号预处理模块，用于对所述待发射信号进行预处理，并将预处理后的待发射信号传输至所述光子变频模块；

所述光子变频模块包括：

电光上变频单元，用于将所述待发射信号调制至所述光载波上，获得光载信号；

光子预处理单元，用于将所述光载信号进行预处理；

光电下变频单元，用于将预处理后的所述光载信号变频为射频信号；

低相噪参考源，用于为所述微波毫米波处理模块提供本振信号；

微波毫米波处理模块选用微波毫米波上变频单元，与所述低相噪参考源配合；

微波毫米波上变频单元包括倍频器、窄带毫米波滤波器、毫米波混频器、宽带毫米波滤波器、功率放大器；

倍频器将射频参考源频率倍频到毫米波段，固定窄带毫米波滤波器将射频倍频过程中产生的谐波杂散等滤除，保留所需毫米波本振频率的成分作为毫米波上变频的本振；毫米波混频器将射频信号与毫米波本振混频，输出和频信号和差频信号；宽带毫米波滤波器将差频信号滤除，保留和频信号；功率放大器将上变频的毫米波信号进行放大输出到发射端；

微波毫米波上变频单元所需的毫米波本振是通过低相噪参考源调制参考光，光域上倍频，再经光滤波、光电转换、电放大所产生的；

经电光上变频单元中的电光调制器，上变换到载波激光器产生的频率为f_c的单频光载波上，光载信号表示为：

其中，f_c+f_IF和f_c-f_IF分别为光载波正负频带上的信号频率，

为光载波的相位噪声；

光子预处理单元将光载信号放大、滤波处理，其中光载波、负频段信号和正频段中的干扰信号被部分滤除，预处理后光载信号表示为：

其中f_c+f_IF为光载波正频带上的信号频率；

预处理后的光载信号与光本振产生模块所产生的光本振在光耦合器上耦合；

光耦合器输出的两路耦合信号在光电下变频单元中的光电平衡探测器上相干拍频，实现光载信号到射频信号的变换，其拍频信号正比于：

其中，射频信号频率为f_LO-(f_c+f_IF)，

为信号中携带的光载波与光本振之间的拍频相位噪声。/>

2.根据权利要求1所述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，所述光本振产生模块包括：

锁定控制单元，用于接收所述光载波；

本振激光器，用于根据所述锁定控制单元的控制产生所述光本振，并将所述光本振反馈至所述锁定控制单元。

3.根据权利要求2所述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，所述光本振产生模块还包括：

光本振复用单元，用于将所述光本振进行拓展和分发；其中，所述光本振复用单元用于将拓展后的光本振分发至光电下变频单元。

4.根据权利要求1所述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，还包括：

发射频段选择模块，用于根据发射信号频率需求选择相应的微波毫米波上变频通道；其中，所述微波毫米波通道用于连接发射频段选择模块与微波毫米波上变频单元。

5.根据权利要求1所述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，还包括：

发射天线，用于发射所述发射信号。

6.根据权利要求1所述的基于光外差的微波毫米波信号发射系统，其特征在于，还包括：

待发射信号产生模块，用于产生所述待发射信号。

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