CN114978043B - 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114978043B
CN114978043B CN202210889168.7A CN202210889168A CN114978043B CN 114978043 B CN114978043 B CN 114978043B CN 202210889168 A CN202210889168 A CN 202210889168A CN 114978043 B CN114978043 B CN 114978043B
Authority
CN
China
Prior art keywords
linearity
variable
capacitance
resonant circuit
oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210889168.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114978043A (zh
Inventor
邱文才
林满院
田学红
王祥仁
刘启昌
宋晓琴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Yingterui Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Yingterui Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Yingterui Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Yingterui Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202210889168.7A priority Critical patent/CN114978043B/zh
Publication of CN114978043A publication Critical patent/CN114978043A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114978043B publication Critical patent/CN114978043B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02Details
    • H03B5/04Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质。本发明通过获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。相对于现有技术中直接将变容二极管作为可变电容,本发明通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。

Description

提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
目前,振荡器广泛应用于电子、工业、医疗及科学研究等方面,振荡器是一种用来产生重复电子讯号(通常是正弦波或方波)的电子元器件,其构成的电路叫振荡电路,能将直流电转化为具有一定频率交流电信号输出。
在压控振荡器的电路设计中,由于常用的变容二极管的电容值变化曲率为非线性变化曲率(由半导体器件特性决定),导致在设计压控振荡器时,振荡频率不能随压控电压线性变化,进而使得振荡器的增益输出不平坦,给锁相环的环路带框和稳定性设计带来不一致性。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供了一种提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质,旨在解决现有技术中振荡频率不能随压控电压线性变化导致振荡器增益输出不平坦的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种提高振荡器线性度的方法,所述方法包括以下步骤:
获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;
根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;
获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;
将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
可选的,所述将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路的步骤之后,还包括:
对所述高线性增益谐振电路的所述可变电容器的CV曲线的非线性部分进行拟合计算,获得拟合计算数据;
根据所述拟合计算数据选取补偿变容二极管;
将所述补偿变容二极管集成到预设逻辑控制电路中,得到目标逻辑控制电路;
将所述目标逻辑控制电路集成到所述高线性增益谐振电路中,得到目标谐振电路。
可选的,所述将所述目标逻辑控制电路集成到所述高线性增益谐振电路中,得到目标谐振电路的步骤之后,还包括:
将所述拟合计算数据存储至所述目标逻辑控制电路中,以使所述目标逻辑控制电路获取所述谐振电路的当前可变电容线性度,并根据所述当前可变线性度以及所述拟合计算数据控制所述补偿变容二极管进行电容补偿。
可选的,所述获取谐振频率与可变电容之间的变量关系的步骤,包括:
根据谐振电路在不同总容值和固定电感下对应的谐振频率确定所述谐振频率与可变电容之间的变量关系;
其中,所述总容值为固定电容值与所述可变电容之和。
可选的,根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度的步骤,包括:
根据所述变量关系将所述谐振频率作为因变量,获取所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线;
根据所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度。
可选的,所述获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器的步骤,包括:
对不同类型变容二极管的CV曲线进行分析,获得CV曲线分析结果;
根据所述CV曲线分析结果选取多个不同类型的变容二极管;
将所述多个不同类型的变容二极管进行集成,获得具备所述电容变化线性度的可变电容器。
可选的,所述提高振荡器线性度的方法还包括:
获取所述可变电容与反向偏压之间的容压关系;
根据所述容压关系确定逻辑补偿电路,并将所述逻辑补偿电路集成到所述谐振电路中,以通过所述逻辑补偿电路进行偏压补偿。
此外,为实现上述目的,本发明还提出一种提高振荡器线性度的装置,所述提高振荡器线性度的装置包括:
关系获取模块,用于获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;
分析模块,用于根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;
电容器获取模块,用于获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;
集成模块,用于将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
此外,为实现上述目的,本发明还提出一种提高振荡器线性度的设备,所述设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序,所述提高振荡器线性度的程序配置为实现如上文所述的提高振荡器线性度的方法的步骤。
此外,为实现上述目的,本发明还提出一种存储介质,其特征在于,所述存储介质上存储有提高振荡器线性度的程序,所述提高振荡器线性度的程序被处理器执行时实现如上文所述的提高振荡器线性度的方法的步骤。
本发明通过获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。相对于现有技术中直接将变容二极管作为可变电容,本发明通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的提高振荡器线性度的方法的结构示意图;
图2为本发明提高振荡器线性度的方法第一实施例的流程示意图;
图3为本发明提高振荡器线性度的方法第一实施例的压控增益线性对比图;
图4为本发明提高振荡器线性度的方法第二实施例的流程示意图;
图5为本发明提高振荡器线性度的方法第二实施例的压控振荡电路图;
图6为本发明提高振荡器线性度的方法第三实施例的流程示意图;
图7为本发明提高振荡器线性度的方法第三实施例的不同变容二极管容压曲线图;
图8为本发明提高振荡器线性度的装置第一实施例的结构框图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
参照图1,图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的提高振荡器线性度的设备结构示意图。
如图1所示,该提高振荡器线性度的设备可以包括:处理器1001,例如中央处理器(Central Processing Unit,CPU),通信总线1002、用户接口1003,网络接口1004,存储器1005。其中,通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard),可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如无线保真(Wireless-Fidelity,Wi-Fi)接口)。存储器1005可以是高速的随机存取存储器(RandomAccess Memory,RAM),也可以是稳定的非易失性存储器(Non-Volatile Memory,NVM),例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解,图1中示出的结构并不构成对提高振荡器线性度的设备的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
如图1所示,作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及提高振荡器线性度的程序。
在图1所示的提高振荡器线性度的设备中,网络接口1004主要用于与网络服务器进行数据通信;用户接口1003主要用于与用户进行数据交互;本发明提高振荡器线性度的设备中的处理器1001、存储器1005可以设置在提高振荡器线性度的设备中,所述提高振荡器线性度的设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的提高振荡器线性度的程序,并执行本发明实施例提供的提高振荡器线性度的方法。
本发明实施例提供了一种提高振荡器线性度的方法,参照图2,图2为本发明提高振荡器线性度的方法第一实施例的流程示意图。
本实施例中,所述提高振荡器线性度的方法包括以下步骤:
步骤S10:获取谐振频率与可变电容之间的变量关系。
需要说明的是,本实施例的执行主体可以是计算机,该谐振频率可以通过谐振电路的响应曲线进行体现,可变电容的电容量可根据所加偏压的大小进行调节,谐振频率可由谐振电路中的电感和电容决定,在本实施例中,当确定了电感的值和固定电容的值就能得到可变电容与谐振频率之间的变量关系。
步骤S20:根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度。
需要说明的是,在本实施例中,这里的电容变化线性度是指该谐振电路的谐振频率需要的可变电容变化曲线的线性度,根据上述谐振频率与可变电容之间的变量关系,可以确定该可变电容变化曲线。该变量关系即谐振频率随可变电容大小的改变而改变的关系,将谐振频率作为横坐标,将可变电容作为纵坐标,即可得到该可变电容随频率变化的曲线,该曲线的线性度即为该电容变化线性度。
步骤S30:获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器。
需要说明的是,在本实施例中,该可变电容器是指其具有的电容可随电压线性变化且变化曲线与上述可变电容随频率变化的曲线高度重合的电容器,当该电容器的电容值与谐振频率以及电压都呈线性变化,且该电容器和谐振频率之间的线性度同该电容器和电压之间的线性度高度重合,即表示该谐振频率随着电压进行的变化是线性变化;在本实施例中,该电压都是指施加在电容器上的反向偏压,用来改变可变电容器的电容值。
参考图3,图3为本发明提高振荡器线性度的方法第一实施例的压控增益线性对比图。
可以理解的是,图3中的(1)为带有普通变容二极管的压控振荡电路增益曲线,图3中的(2)是用上述可变电容器替代该普通变容二极管后的压控振荡电路增益曲线,其中纵坐标Kvco是压控增益,横坐标V是电压。
步骤S40:将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
可以理解的是,在本实施例中,获取到该可变电容器后,需要通过仿真软件将该电容器集成到仿真谐振电路中,来验证集成后的谐振电路是否具备高线性增益。
本实施例通过获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。相对于现有技术中直接将变容二极管作为可变电容,本实施例通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。
参考图4,图4为本发明提高振荡器线性度的方法第二实施例的流程示意图。
基于上述第一实施例,在本实施例中,所述步骤S40之后还包括:
步骤S01:对所述高线性增益谐振电路的所述可变电容器的CV曲线的非线性部分进行拟合计算,获得拟合计算数据。
需要说明的是,集成可变电容器之后的谐振电路具备较高的线性度,但其CV曲线(指横坐标为电压,纵坐标为电容值的曲线)依然可能存在非线性部分,需要对其进行补偿;在本实施例中,对可变电容器施加不同的电压,通过计算机采集数据,绘制CV曲线,在经过拟合计算后,得到若将该CV曲线拟合和成平滑曲线需要进行补偿的数据,即让该可变带内容器的非线性部分变得线性需要进行多少电容补偿,该电容补偿数据即为拟合计算数据。
步骤S02:根据所述拟合计算数据选取补偿变容二极管。
可以理解的是,该补偿变容二极管就是用来进行电容补偿的二极管,因此要根据拟合计算数据选择容值范围大小合适的补偿变容二极管。
步骤S03:将所述补偿变容二极管集成到预设逻辑控制电路中,得到目标逻辑控制电路。
可以理解的是,需要在仿真电路中将该补偿变容二极管集成到预设逻辑电路中,该预设逻辑电路内的控制芯片,可以通过控制该补偿变容二极管的反偏电压进而达到控制该补偿变容二极管电容的电容值,该预设逻辑电路还可以采集上述可变电容器的电容值随电压变化的情况,该专门选取的补偿变容二极管恰好可以弥补该可变电容器的电容值变化的非线性部分且不影响其线性的部分。
步骤S04:将所述目标逻辑控制电路集成到所述高线性增益谐振电路中,得到目标谐振电路。
可以理解的是,该集成了补偿变容二极管的目标逻辑控制电路作为补偿电路集成到高线性增益谐振电路中,进一步提高了该高线性增益谐振电路的线性度。
参考图5,图5为本发明提高振荡器线性度的方法第二实施例的压控振荡电路图。
可以理解的是,在本实施例中,该可变电容器可以由四个变容二极管组成,变容二极管之间两两并联,相互形成补偿,使得容压曲线呈线性变化;该目标逻辑电路可以由数模转换器、控制芯片、变容二极管、电容器以及电感组成,该电感的一端与控制芯片连接,该电感的另一端与电容器的第一端以及变容二极管的第二端连接,该变容二极管的第一端接地。
在本实施例中,所述步骤S04之后还包括:
将所述拟合计算数据存储至所述目标逻辑控制电路中,以使所述目标逻辑控制电路获取所述谐振电路的当前可变电容线性度,并根据所述当前可变线性度以及所述拟合计算数据控制所述补偿变容二极管进行电容补偿。
可以理解的是,该目标逻辑电路可以检测当前可变电容器的电容与施加的电压是否线性相关,若不是线性相关,则控制该补偿变容二极管进行电容补偿,该拟合计算数据包含可变电容器的实际CV曲线和该谐振线路需要的CV曲线,通过目标逻辑电路进行电容补偿,将该实际CV曲线转变为谐振电路需要的CV曲线。
本实施例通过增加目标逻辑控制电路,对谐振电路中的可变电容器做出补偿,进一步提高了该谐振电路的可变电容线性度,使得包含该高线性增益谐振电路的振荡器增益输出更加平坦。
参考图6,图6为本发明提高振荡器线性度的方法第三实施例的流程示意图。
基于上述各实施例,在本实施例中,所述步骤S10,具体包括:
步骤S11:根据谐振电路在不同总容值和固定电感下对应的谐振频率确定所述谐振频率与可变电容之间的变量关系;其中,所述总容值为固定电容值与所述可变电容之和。
需要说明的是,在本实施例中,可变电容与谐振频率之间的变量关系如下:
F=1/[2*pi(L*C)^(1/2)]、C=C1+C2;
其中,F表示谐振频率,L表示固定电感,C表示总电容,C1表示固定电容,C2表示可变电容。
在本实施例中,步骤S20,具体包括:
步骤S21:根据所述变量关系将所述谐振频率作为因变量,获取所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线;
步骤S22:根据所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度。
需要说明的是,在本实施例中,由上述可变电容与频率之间的公式,即可得到可变电容随频率变化的曲线,该曲线的线性度即为该谐振电路需要的电容变化线性度,即需要在该谐振电路中,可变电容的电容值随电压变化的线性与该曲线极其相似。
步骤S31:对不同类型变容二极管的CV曲线进行分析,获得CV曲线分析结果;
步骤S32:根据所述CV曲线分析结果选取多个不同类型的变容二极管;
步骤S33:将所述多个不同类型的变容二极管进行集成,获得具备所述电容变化线性度的可变电容器。
需要说明的是,变容二极管多为半导体材料构成,因此不同材料构成的不同类型的变容二极管,其特性也大不相同;在本实施例中,不同的类型的变容二极管在仿真软件上进行容压测试,得到不同的CV曲线,由计算机进行拟合计算,选取匹配的变容二极管组成可变电容器,使该可变电容器的CV曲线更加贴合该谐振电路需要的CV曲线。
参考图7,图7为本发明提高振荡器线性度的方法第三实施例的不同变容二极管容压曲线图。
可以理解的是,由图7可知,不同的变容二极管对应的容压曲线不一样,本实施例中,将参数1sv325和参数1sv282的两个变容二极管并联形成变容器,该变容器的容压曲线相较与其他单个变容二极管和其他参数变容二极管的组合,线性度较高;因此,可通过计算机对不同变容二极管的容压曲线进行记录,然后进行拟合计算,可得到线性度更好的可变电容器。
在本实施例中,还包括以下步骤:
获取所述可变电容与反向偏压之间的容压关系;
根据所述容压关系确定逻辑补偿电路,并将所述逻辑补偿电路集成到所述谐振电路中,以通过所述逻辑补偿电路进行偏压补偿。
可以理解的是,在本实施例中,还可以进行偏压补偿来提高谐振电路的线性度,同样需要一个逻辑电路,该逻辑电路预先存储有谐振电路需要的CV曲线以及可变电容对应的实际电压,在检测到CV曲线不满足线性度要求时,施加额外电压来改变可变电容的电容值大小,从而提高该谐振电路的线性度。
本实施例通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。
此外,本发明实施例还提出一种存储介质,所述存储介质上存储有提高振荡器线性度的程序,所述提高振荡器线性度的程序被处理器执行时实现如上文所述的提高振荡器线性度的方法的步骤。
参照图8,图8为本发明提高振荡器线性度的装置第一实施例的结构框图。
如图8所示,本发明实施例提出的提高振荡器线性度的装置包括:
关系获取模块501,用于获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;
需要说明的是,集合可变电容器之后的谐振电路具备较高的线性度,但其CV曲线依然可能存在非线性部分,需要对其进行补偿;在本实施例中,对可变电容器施加不同的电压,通过计算机采集数据,绘制CV曲线,在经过拟合计算后,得到若将该CV曲线拟合和成平滑曲线需要进行补偿的数据,即让该可变带内容器的非线性部分变得线性需要进行多少电容补偿,该电容不产该数据即为拟合计算数据。
分析模块502,用于根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;
需要说明的是,在本实施例中,这里的电容变化线性度是指该谐振电路的谐振频率需要的可变电容变化曲线,根据上述谐振频率与可变电容之间的变量关系,可以确定该可变电容变化曲线。该变量关系即谐振频率随可变电容大小的改变而改变的关系,将谐振频率作为横坐标,将可变电容作为纵坐标,即可得到该可变电容随频率变化的曲线,该曲线即为该电容变化线性度。
电容器获取模块503,用于获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;
需要说明的是,在本实施例中,该可变电容器是指其具有的电容可随电压线性变化且变化曲线与上述可变电容随频率变化的曲线高度重合的电容器,当该电容器产生的电容与谐振频率以及电压都呈线性变化,且该电容器和谐振频率之间的线性度同该电容器和电压之间的线性度高度重合,即表示该谐振频率与电压也呈线性变化;在本实施例中,该电压都是指施加在电容器上的反向偏压,用来改变可变电容器的电容值。
集成模块504,用于将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
可以理解的是,在本实施例中,获取到该可变电容器后,需要通过仿真软件将该电容器集成到仿真谐振电路中,来验证集成后的谐振电路是否具备高线性增益。
本实施例通过获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;获取与所述电容变化线性度相匹配的可变电容器;将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。相对于现有技术中直接将变容二极管作为可变电容,本实施例通过获取所需电容变化线性度,采用与该电容线性度相匹配的可变电容器,使得振荡频率可以随压控电压线性变化,让振荡器增益输出变得平坦。
本发明提高振荡器线性度的其他实施例或具体实现方式可参照上述各方法实施例,此处不再赘述。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如只读存储器/随机存取存储器、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种提高振荡器线性度的方法,其特征在于,所述提高振荡器线性度的方法包括以下步骤:
获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;
根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;
对不同类型变容二极管的CV曲线进行分析,获得CV曲线分析结果;
根据所述CV曲线分析结果选取多个不同类型的变容二极管;
将所述多个不同类型的变容二极管进行集成,获得具备所述电容变化线性度的可变电容器;
将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
2.如权利要求1所述的提高振荡器线性度的方法,其特征在于,所述将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路的步骤之后,还包括:
对所述高线性增益谐振电路的所述可变电容器的CV曲线的非线性部分进行拟合计算,获得拟合计算数据;
根据所述拟合计算数据选取补偿变容二极管;
将所述补偿变容二极管集成到预设逻辑控制电路中,得到目标逻辑控制电路;
将所述目标逻辑控制电路集成到所述高线性增益谐振电路中,得到目标谐振电路。
3.如权利要求2所述的提高振荡器线性度的方法,其特征在于,所述将所述目标逻辑控制电路集成到所述高线性增益谐振电路中,得到目标谐振电路的步骤之后,还包括:
将所述拟合计算数据存储至所述目标逻辑控制电路中,以使所述目标逻辑控制电路获取所述谐振电路的当前可变电容线性度,并根据所述当前可变线性度以及所述拟合计算数据控制所述补偿变容二极管进行电容补偿。
4.如权利要求1所述的提高振荡器线性度的方法,其特征在于,所述获取谐振频率与可变电容之间的变量关系的步骤,包括:
根据谐振电路在不同总容值和固定电感下对应的谐振频率确定所述谐振频率与可变电容之间的变量关系;
其中,所述总容值为固定电容值与所述可变电容之和。
5.如权利要求1所述的提高振荡器线性度的方法,其特征在于,根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度的步骤,包括:
根据所述变量关系将所述谐振频率作为因变量,获取所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线;
根据所述可变电容随所述谐振频率变化的曲线确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度。
6.如权利要求1-5任一项所述的提高振荡器线性度的方法,其特征在于,所述提高振荡器线性度的方法还包括:
获取所述可变电容与反向偏压之间的容压关系;
根据所述容压关系确定逻辑补偿电路,并将所述逻辑补偿电路集成到所述谐振电路中,以通过所述逻辑补偿电路进行偏压补偿。
7.一种提高振荡器线性度的装置,其特征在于,所述提高振荡器线性度的装置包括:
关系获取模块,用于获取谐振频率与可变电容之间的变量关系;
分析模块,用于根据所述变量关系确定压控振荡器中谐振电路的电容变化线性度;
电容器获取模块,用于对不同类型变容二极管的CV曲线进行分析,获得CV曲线分析结果;根据所述CV曲线分析结果选取多个不同类型的变容二极管;将所述多个不同类型的变容二极管进行集成,获得具备所述电容变化线性度的可变电容器;
集成模块,用于将所述可变电容器集成到所述谐振电路中,获得高线性增益谐振电路。
8.一种提高振荡器线性度的设备,其特征在于,所述设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序,所述提高振荡器线性度的程序配置为实现如权利要求1至6中任一项所述的提高振荡器线性度的方法的步骤。
9.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质上存储有提高振荡器线性度的程序,所述提高振荡器线性度的程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一项所述的提高振荡器线性度的方法的步骤。
CN202210889168.7A 2022-07-27 2022-07-27 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质 Active CN114978043B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210889168.7A CN114978043B (zh) 2022-07-27 2022-07-27 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210889168.7A CN114978043B (zh) 2022-07-27 2022-07-27 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114978043A CN114978043A (zh) 2022-08-30
CN114978043B true CN114978043B (zh) 2022-11-22

Family

ID=82969997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210889168.7A Active CN114978043B (zh) 2022-07-27 2022-07-27 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114978043B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102420569A (zh) * 2011-11-23 2012-04-18 苏州麦格芯微电子有限公司 一种线性电压控制晶体振荡器
CN102468846A (zh) * 2010-11-02 2012-05-23 联华电子股份有限公司 环型振荡器与环型振荡器的控制方法
CN109257019A (zh) * 2017-07-14 2019-01-22 瑞昱半导体股份有限公司 振荡器以及控制方法
CN113612446A (zh) * 2021-10-09 2021-11-05 深圳市英特瑞半导体科技有限公司 一种自适应幅度调整振荡电路
CN114650010A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 赛普拉斯半导体公司 具有频率变化补偿的振荡器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4089938B2 (ja) * 2000-06-09 2008-05-28 日本電信電話株式会社 電圧制御発振器
JP2005019487A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Nippon Precision Circuits Inc Mos型可変容量素子及び電圧制御発振回路
JP2006114974A (ja) * 2004-10-12 2006-04-27 Epson Toyocom Corp 直線的周波数制御が可能な電圧制御型圧電発振器
KR100821126B1 (ko) * 2006-07-31 2008-04-11 한국전자통신연구원 선형적인 정전용량 변화를 갖는 가변 캐패시터 회로를구비한 장치
CN103607173B (zh) * 2013-11-20 2016-09-07 海能达通信股份有限公司 一种可变压控灵敏度的压控振荡器
CN103680959A (zh) * 2013-11-25 2014-03-26 苏州希美微纳系统有限公司 具有线性c-v特性的低应力双杠杆结构mems变容器
JP6561482B2 (ja) * 2015-02-04 2019-08-21 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器及び移動体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102468846A (zh) * 2010-11-02 2012-05-23 联华电子股份有限公司 环型振荡器与环型振荡器的控制方法
CN102420569A (zh) * 2011-11-23 2012-04-18 苏州麦格芯微电子有限公司 一种线性电压控制晶体振荡器
CN109257019A (zh) * 2017-07-14 2019-01-22 瑞昱半导体股份有限公司 振荡器以及控制方法
CN114650010A (zh) * 2020-12-17 2022-06-21 赛普拉斯半导体公司 具有频率变化补偿的振荡器
CN113612446A (zh) * 2021-10-09 2021-11-05 深圳市英特瑞半导体科技有限公司 一种自适应幅度调整振荡电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN114978043A (zh) 2022-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mediano et al. Design of class E amplifier with nonlinear and linear shunt capacitances for any duty cycle
CN114928355B (zh) 基于晶体振荡器的电压补偿方法、装置、设备及存储介质
US20030227343A1 (en) Methods and apparatus for tuning an LC Filter
CN114978043B (zh) 提高振荡器线性度的方法、装置、设备及存储介质
US20140043074A1 (en) Frequency Tuning Based on Characterization of an Oscillator
CN110866555A (zh) 增量数据的聚类方法、装置、设备及可读存储介质
CN109302180A (zh) 振荡电路
TW201914215A (zh) 控制數位控制振盪器的方法
Vidal et al. Describing functions and oscillators
US6314389B2 (en) Time-domain circuit modeller
KR20060013424A (ko) 주파수 세팅 장치
Bumelienė et al. Numerical investigation and experimental demonstration of chaos from two-stage Colpitts oscillator in the ultrahigh frequency range
US6046650A (en) Oscillator circuit having optimized frequency modulation circuit
De Luca et al. Proper initial solution to start periodic steady-state-based methods
KR20050085506A (ko) 집적 튜너 회로 및 lc 동조 대역 통과 필터의 트랙킹방법
CN108802660A (zh) 射频信号源的alc的校准方法、设备以及系统
US7009472B2 (en) Linear tuning circuit and tuning method thereof
US20110051311A1 (en) Tunable capacitive device with linearization technique employed therein
Metin et al. Parasitic compensation in CCI-based circuits for reduced power consumption
US10578703B2 (en) Full cycle rapid scan EPR and deconvolution
CN108932373B (zh) 一种基于虚拟仪器技术的振荡器相位噪声分析方法
CN117439544B (zh) 工作频率调节方法、工作频率控制电路及射频电源设备
CN115664412A (zh) 晶振调节方法及装置、可读存储介质
Noriega et al. Low power RF amplifier circuit for ion trap applications
Suárez Rodríguez et al. Analysis and synthesis of hysteresis loops in an oscillator frequency characteristic

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant